可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃及其製造工藝的製作方法
2023-07-26 21:04:06
專利名稱：可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃及其製造工藝的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種鍍膜玻璃，具體是一種可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃及其製造工藝。
背景技術：
低輻射鍍膜玻璃(又稱LOW-E玻璃)，是在玻璃表面鍍上多層金屬或其他化合物組成的膜系產品，是既能像普通玻璃一樣讓室外的太陽能、可見光透過，又能像紅外反射鏡一樣將物體二次輻射熱反射回去的新一代鍍膜玻璃，能夠用於控制光線透過量、節約能源熱量以及改善環境。目前國內市場上的高端鍍膜玻璃產品主要有三銀和雙銀低輻射鍍膜產品，其中三銀產品只是近兩年才進入市場，主流的高端鍍膜玻璃還是雙銀低輻射鍍膜玻璃， 然而普通雙銀低輻射鍍膜產品，生產設備造價高昂，小型玻璃加工企業無法承受，且生產出的玻璃均勻性不好，邊緣效應嚴重，易氧化，產品耐摩擦、抗劃傷及耐高溫能力差，不易長期儲存，並且很難進一步加工出質量較高的鋼化產品。
發明內容
本發明的技術目的解決現有技術中存在的缺陷，提供一種高質量的可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃及其製造方法。本發明的技術方案是一種可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板和玻璃鍍膜，其特徵在於，自玻璃基片向外玻璃鍍膜各膜層結構為玻璃基板、第一電介質層、第二電介質層、第三電介質層、 第一阻隔紅外線層、第一保護層、間隔電介質層、第四電介質層、第二阻隔紅外線層、第二保護層、第五電介質層、第六電介質層。作為優選，所述第一、第二阻隔紅外線層為銀合金層。其中各膜層的材料為第一電介質層為SiNxOy ；第二電介質層、第六電介質層為Si3N4 ；第三電介質層、第四電介質層為ΖηΑΙΟχ;第一阻隔紅外線層、第二阻隔紅外線層可採用現有的Ag-Cu合金、Ag-Si合金、 Ag-Ni合金或者Ag-Ti合金材料製造；第一保護層、第二保護層為NiCrOx ；第五電介質層為SiSnO3 ；間隔電介質層為SiNxOy。一種用於生產上述可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃的製造工藝，採用真空磁控濺射鍍膜，其特徵在於，包括以下步驟在玻璃基板上依次鍍制第一電介質層、第二電介質層、第三電介質層、第一阻隔紅外線層、第一保護層、間隔電介質層、第四電介質層、第二阻隔紅外線層、第二保護層、第五電介質層、第六電介質層；所述第一電介質層和間隔電介質層，通過旋轉交流陰極的矽鋁靶在氮、氧、氬氛圍中濺射，優選工藝氣體體積比為氬氣氮氣氧氣=3 4 1氛圍，矽鋁靶的質量比 Si Al =98 2。所述第一電介質層的作用是a、阻止玻璃中的Na+向膜層中滲透；b、控制膜系的光學性能和顏色；c、增加膜層和玻璃基片之間的吸附力；所述間隔電介質層的作用是通過幹涉原理，使得上層的膜層為滿足降低輻射率的要求而厚度增加時，整體膜層仍然保持較高的透過率。所述第二電介質層、第六電介質層通過旋轉交流陰極的矽鋁靶在氮、氬氛圍中濺射，矽鋁靶的質量比Si Al = 92 S0其作用是a、在阻隔紅外線層和電介質層之間提供吸附力；b、保護整個膜層結構，減少氧化，提高物理和化學性能；C、控制膜系的光學性能和顏色。所述第三電介質層、第四電介質層通過旋轉交流陰極的鋅鋁靶在氮、氬氛圍中濺射，鋅鋁靶的質量比Zn Al = 98 2，其作用是a、對銀合金層起鋪墊作用，銀合金層在其上可以更好地成膜；b、保護銀合金層不被氧化。所述第一阻隔紅外線層、第二阻隔紅外線層通過直流平面陰極的合金銀靶在氬氣氛圍中濺射，其作用是可以降低輻射率，增加保溫或隔熱效果。所述第一保護層、第二保護層通過直流平面陰極鎳鉻靶在氧、氬氛圍中濺射，鎳鎘靶的質量比Ni Cr = 80 20，其作用是保護銀合金層不被氧化。所述第五電介質層，通過旋轉交流陰極的鋅錫靶在氧、氬氛圍中濺射，鋅錫靶的質量比Zn Sn = 50 50。其作用是a、保護整個膜層結構，減少氧化，提高物理和化學性能；b、控制膜系的光學性能和顏色。本發明的有益效果是本發明的可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃，在膜層中含有兩層具有紅外線反射能力的阻隔紅外線層和具有減少可見光反射以及保護阻隔紅外線層作用的電介質層、間隔層。特別是採用銀合金作為阻隔紅外線層，少量合金金屬的加入可以細化晶粒，提高銀的硬度、耐磨性和抗燒損能力，還可以改善銀的抗硫化性能，使膜層更加緻密、耐摩擦、抗劃傷、耐高溫及抗硫化性能力大幅提升，另外使用高硬度且和玻璃材質相近膜層作為電介質層，可以實現產品在鋼化、熱彎後能夠長期儲存，使加工流程由傳統的先鋼化後鍍膜，改為先鍍膜後鋼化，不僅可以使生產該產品的企業的生產效率得到很大的提高，生產成本得到降低，同時產品的均勻性和邊緣效應得到極大的改善，即使小型加工企業也可利用鍍膜後的玻璃產品生產出高質量的雙銀低輻射產品，有利於節能環保產品的推廣。
圖1是本發明的結構示意圖；圖2是本發明製造工藝的流程結構示意圖。
具體實施例方式為了闡明本發明的技術方案及技術目的，下面結合附圖及具體實施方式
對本發明做進一步的介紹。
權利要求
1.一種可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板和玻璃鍍膜，其特徵在於，自玻璃基板向外，玻璃鍍膜各膜層依次為第一電介質層、第二電介質層、第三電介質層、第一阻隔紅外線層、第一保護層、間隔電介質層、第四電介質層、第二阻隔紅外線層、第二保護層、第五電介質層、第六電介質層。
2.根據權利要求1所述的一種可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特徵在於， 所述第一、第二阻隔紅外線層為銀合金層。
3.根據權利要求2所述的一種可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特徵在於，其中各膜層的材料為第一電介質層為SiNxOy ；第二電介質層、第六電介質層為Si3N4 ；第三電介質層、第四電介質層為ZnAlOx ；第一阻隔紅外線層、第二阻隔紅外線層為Ag-Cu合金、Ag-Zn合金、Ag-Ni合金或者 Ag-Ti合金；第一保護層、第二保護層為NiCrOx ； 第五電介質層為ZnSnO3; 間隔電介質層為SiNxOy。
4.一種可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃的製造工藝，採用真空磁控濺射鍍膜，其特徵在於， 包括以下步驟在玻璃基板上依次鍍制第一電介質層、第二電介質層、第三電介質層、第一阻隔紅外線層、第一保護層、間隔電介質層、第四電介質層、第二阻隔紅外線層、第二保護層、第五電介質層、第六電介質層；所述第一電介質層和間隔電介質層，通過旋轉交流陰極的矽鋁靶在氮、氧、氬氛圍中濺射，矽鋁靶的質量比Si Al = 98 2 ；所述第二電介質層、第六電介質層通過旋轉交流陰極的矽鋁靶在氮、氬氛圍中濺射，矽鋁靶的質量比Si Al = 92 8 ；所述第三電介質層、第四電介質層通過旋轉交流陰極的鋅鋁靶在氮、氬氛圍中濺射，鋅鋁靶的質量比Zn Al = 98 2 ；所述第一阻隔紅外線層、第二阻隔紅外線層通過直流平面陰極的銀合金靶在氬氣氛圍中濺射；所述第一保護層、第二保護層通過直流平面陰極鎳鉻靶在氧、氬氛圍中濺射，鎳鎘靶的質量比 Ni Cr = 80 20 ；所述第五電介質層，通過旋轉交流陰極的鋅錫靶在氧、氬氛圍中濺射，鋅錫靶的質量比 Zn 丨 Sn = 50 丨 50。
5.根據權利要求4所述的一種可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃的製造工藝，其特徵在於 所述第一電介質層和間隔層電介質層在工藝氣體體積比為氬氣氮氣氧氣=·3:4:1的氛圍中濺射鍍膜。
全文摘要
一種可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃及其製造工藝，所述可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃包括玻璃基板和玻璃鍍膜，其特徵在於，自玻璃基板向外，玻璃鍍膜各膜層依次為第一電介質層、第二電介質層、第三電介質層、第一阻隔紅外線層、第一保護層、間隔電介質層、第四電介質層、第二阻隔紅外線層、第二保護層、第五電介質層、第六電介質層。本發明的通過在玻璃膜層中設置兩層具有紅外線反射能力的阻隔紅外線層和具有減少可見光反射以及保護阻隔紅外線層作用的電介質層、間隔層，大大改善了產品的均勻性和邊緣效應，提高了產品的抗氧化性、耐磨性，使產品在承受長途運輸、各種加工預處理和高溫處理後，外觀和性能均不會受到影響。
文檔編號B32B9/04GK102501451SQ201110381759
公開日2012年6月20日 申請日期2011年11月25日 優先權日2011年11月25日
發明者林嘉宏 申請人:林嘉宏