均勻系塗布液及其製造方法、太陽能電池用光吸收層及其製造方法、以及太陽能電池及其製造方法與流程

2023-07-26 14:26:41

本發明涉及均勻系塗布液及其製造方法、太陽能電池用光吸收層及其製造方法、以及太陽能電池及其製造方法。本申請基於2014年10月30日在日本提出申請的日本特願2014-221682號及2015年6月2日在日本提出申請的日本特願2015-112555號主張優先權，將其內容併入本文中。
背景技術：
：近年來，出於對環境保護的考慮，人們對太陽能電池的興趣不斷高漲，其中，作為光電轉換效率高的薄膜太陽能電池的黃銅礦系太陽能電池和將銦等稀有金屬置換為其他環境友好的金屬而得的鋅黃錫礦(kesterite)系太陽能電池尤其受到矚目，目前，針對其的研究開發正在活躍地進行中。黃銅礦系太陽能電池是將包含黃銅礦系(chalcopyrite系)材料的光吸收層成膜於基板上而形成的太陽能電池。黃銅礦系材料的代表性元素為銅(cu)、銦(in)、鎵(ga)、硒(se)及硫(s)等，作為光吸收層的代表性材料，包括cu(in,ga)se2、cu(in,ga)(se,s)2等，分別被簡稱為cigs、cigsse等。另外，近來正在研究將作為稀有金屬的銦置換掉而得到的例如包含銅(cu)、鋅(zn)、錫(sn)、硒(se)及硫(s)的鋅黃錫礦系太陽能電池，作為光吸收層的代表性材料，包括cu2znsnse4、cu2znsns4、cu2znsn(s,se)4等。圖1為示出黃銅礦系太陽能電池或鋅黃錫礦系太陽能電池的一例的截面示意圖。如圖1所示，黃銅礦系太陽能電池或鋅黃錫礦系太陽能電池概略地構成為：在基板2上依序層合有第一電極3(背面電極)、cigs或czts層(光吸收層)4、緩衝層5、i-zno層6及第二電極7。需要說明的是，作為緩衝層，例如cds層、zns層、ins層等是已知的。在第一電極3和第二電極7上分別接合有端子，在端子上連接有布線。對於這樣的黃銅礦系或鋅黃錫礦系太陽能電池1而言，沿箭頭a的方向而入射的光被cigs或czts層4吸收，由此產生電動勢，電流沿箭頭b的方向流動。需要說明的是，對於第二電極7的表面，通過利用由例如mgf2層形成的防反射膜層8進行覆蓋而加以保護。作為以膜狀形成cigs或czts層4的方法，已知有真空法、塗布法等方法。然而，在採用真空法的情況下，由於會導致裝置的規模增大(scale-up)，所以成品率低，因此，對能夠比較廉價地進行製造的塗布法的應用進行了深入研究。塗布法中，通常，在cigs層的情況下，將cu、in、ga、se及s等元素溶解於特定的溶劑中從而製備塗布液，採用旋塗法、浸漬法、狹縫流延法(slitcastmethod)等將該塗布液塗布於基板上，進行燒成從而形成cigs層。專利文獻1中公開了下述方法：製備肼配位金屬硫屬化物(chalcogenide)絡合物，將該肼配位金屬硫屬化物絡合物溶解於包含溶解促進劑的溶劑中，得到塗布液。專利文獻2中公開了下述方法：在硫醇化合物或硒醇化合物的存在下，使兩種包含金屬及硫屬元素(chalcogen)的有機化合物進行反應從而製備塗布液。專利文獻3中公開了使含有硫屬元素的有機化合物、路易斯鹼及金屬進行反應從而製備塗布液的方法。專利文獻4中公開了下述方法：製備包含2種以上的金屬鹽及1種以上的配位體的水性溶液，將該水性溶液與硫屬元素源混合併進行攪拌，以金屬硫屬化物納米粒子的分散液的形式製備塗布液。專利文獻5中公開了下述方法：使用金屬離子及/或金屬絡合物離子，以金屬硫屬化物納米粒子的分散液的形式製備塗布液。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：美國專利第7094651號說明書專利文獻2：國際公開第2011/0084171號專利文獻3：國際公開第2011/0093278號專利文獻4：日本特表2013-512311號公報專利文獻5：美國專利申請公開第2012/0280185號說明書技術實現要素：發明所要解決的課題但是，以往就已指出：在採用了在塗布液的製備中使用肼的方法的情況下，由於肼所具有的化學特性(爆炸性、毒性)的問題，所以在工藝的安全性方面存在問題。對於使用含有硫屬元素的有機化合物作為硫屬元素源的方法而言，雖然工藝的安全性較之使用肼的方法有所提高，但塗布膜中的有機物含量有可能增多。若有機物殘留在塗布膜中，則將成為阻礙光吸收層的結晶生長的主要因素，因而並不理想。另一方面，對於以金屬硫屬化物納米粒子的分散液的形式製備塗布液的方法而言，隨著時間的經過，金屬硫屬化物納米粒子會發生沉澱，因此必須使用分散劑。但是，若該分散劑導致在塗布膜中殘留有機物，則將成為阻礙光吸收層的結晶生長的主要因素，因而並不理想。在如上所述的背景下，迫切期望開發出能以金屬為原料進行製造的、用於形成太陽能電池的光吸收層的光吸收層形成用塗布液的製造方法，但實際情況是尚未能提供有效且合適的製造方法。本發明是鑑於上述情況而作出的，其課題在於提供能夠安全性高地以低成本形成包含高品質晶體的光吸收層的均勻系塗布液及其製造方法。用於解決課題的手段為了解決上述課題，本發明採用以下構成。(1)均勻系塗布液，其為用於形成太陽能電池的光吸收層的均勻系塗布液，所述均勻系塗布液含有選自由第11族金屬、第13族金屬、第11族金屬化合物及第13族金屬化合物組成的組中的至少1種金屬或金屬化合物、路易斯鹼溶劑及路易斯酸。(2)如上述(1)所述的均勻系塗布液，其中，上述太陽能電池為黃銅礦系太陽能電池。(3)如上述(1)或(2)所述的均勻系塗布液，所述均勻系塗布液含有下述通式(1)表示的化合物。[化學式1]cuw(ln1-xgax)y(a)z(1)[式中，0≤w≤1，0≤x≤1，0≤y≤1，0<z≤2，a為至少1種第16族元素。](4)如上述(1)～(3)中任一項所述的均勻系塗布液，其中，上述路易斯鹼溶劑為非質子性溶劑。(5)如上述(4)所述的均勻系塗布液，其中，上述非質子性溶劑為選自由二甲基亞碸、吡啶、四甲基脲、四氫呋喃、乙酸乙酯、丙酮、二甲基甲醯胺、乙腈、二氯甲烷、二甲基乙醯胺、n-甲基吡咯烷酮及n-甲基咪唑組成的組中的至少1種。(6)如上述(1)～(5)中任一項所述的均勻系塗布液，其中，上述路易斯酸為鎓鹽。(7)如上述(6)所述的均勻系塗布液，其中，上述路易斯酸為銨鹽。(8)如上述(7)所述的均勻系塗布液，其中，上述銨鹽為選自由氫氧化銨、硫化銨、氯化銨、碳酸銨、硒化銨、硫氰酸銨、乙酸銨、氨基甲酸銨、甲酸銨、六氟磷酸銨、二氟化氫銨及硝酸銨組成的組中的至少1種。(9)如上述(1)～(8)中任一項所述的均勻系塗布液，所述均勻系塗布液還含有第16族元素。(10)如上述(9)所述的均勻系塗布液，其中，上述第16族元素為選自由s及se組成的組中的至少1種。(11)如上述(1)～(10)中任一項所述的均勻系塗布液，其中，進一步將選自由li、na、k、cs、sb及bi組成的組中的至少1種溶解於上述溶劑中。(12)太陽能電池用光吸收層，其是使用上述(1)～(11)中任一項所述的均勻系塗布液而形成的。(13)太陽能電池，其具有上述(12)所述的太陽能電池用光吸收層。(14)均勻系塗布液的製造方法，其為製造用於形成太陽能電池的光吸收層的均勻系塗布液的方法，其特徵在於，其包括將選自由第11族金屬、第13族金屬、第11族金屬化合物及第13族金屬化合物組成的組中的至少1種金屬或金屬化合物、路易斯鹼溶劑及路易斯酸進行混合的工序。(15)如上述(14)所述的均勻系塗布液的製造方法，其中，上述太陽能電池為黃銅礦系太陽能電池。(16)如上述(14)或(15)所述的均勻系塗布液的製造方法，其中，上述均勻系塗布液含有下述通式(1)表示的化合物。[化學式2]cuw(ln1-xgax)y(a)z(1)[式中，0≤w≤1，0≤x≤1，0≤y≤1，0<z≤2，a為至少1種第16族元素。](17)如上述(14)～(16)中任一項所述的均勻系塗布液的製造方法，其中，上述路易斯鹼溶劑為非質子性溶劑。(18)如上述(17)所述的均勻系塗布液的製造方法，其中，上述非質子性溶劑為選自由二甲基亞碸、吡啶、四甲基脲、四氫呋喃、乙酸乙酯、丙酮、二甲基甲醯胺、乙腈、二氯甲烷、二甲基乙醯胺、n-甲基吡咯烷酮及n-甲基咪唑組成的組中的至少1種。(19)如上述(14)～(18)中任一項所述的均勻系塗布液的製造方法，其中，上述路易斯酸為鎓鹽。(20)如上述(19)所述的均勻系塗布液的製造方法，其中，上述路易斯酸為銨鹽。(21)如上述(20)所述的均勻系塗布液的製造方法，其中，上述銨鹽為選自由氫氧化銨、硫化銨、氯化銨、碳酸銨、硒化銨、硫氰酸銨、乙酸銨、氨基甲酸銨、甲酸銨、六氟磷酸銨、二氟化氫銨及硝酸銨組成的組中的至少1種。(22)如上述(14)～(21)中任一項所述的均勻系塗布液的製造方法，所述製造方法還包括混合第16族元素的工序。(23)如上述(22)所述的均勻系塗布液的製造方法，其中，上述第16族元素為選自由s及se組成的組中的至少1種。(24)如上述(14)～(23)中任一項所述的均勻系塗布液的製造方法，其中，進一步將選自由li、na、k、cs、sb及bi組成的組中的至少1種溶解於上述溶劑中。(25)太陽能電池用光吸收層的製造方法，其特徵在於，將利用上述(14)～(24)中任一項所述的均勻系塗布液的製造方法得到的均勻系塗布液塗布於基體並進行燒成。(26)太陽能電池的製造方法，其特徵在於，其包括下述工序：在基板上形成第一電極的工序；在上述第一電極上塗布利用上述(14)～(24)中任一項所述的均勻系塗布液的製造方法得到的均勻系塗布液，進行燒成從而形成光吸收層的工序；在上述光吸收層上形成緩衝層的工序；和在上述緩衝層上形成第二電極的工序。發明的效果根據本發明，可以提供能夠安全性高地以低成本形成包含高品質晶體的光吸收層的均勻系塗布液及其製造方法。附圖說明[圖1]圖1為示出黃銅礦系或鋅黃錫礦系太陽能電池的一例的截面示意圖。具體實施方式[均勻系塗布液及其製造方法]以下，對本發明的均勻系塗布液及其製造方法進行說明。本發明的均勻系塗布液為用於形成太陽能電池的光吸收層的均勻系塗布液，其含有選自由第11族金屬、第13族金屬、第11族金屬化合物及第13族金屬化合物組成的組中的至少1種金屬或金屬化合物(以下，有時簡稱為「金屬及/或金屬化合物」。)、路易斯鹼溶劑及路易斯酸。需要說明的是，在本說明書及權利要求書中，所謂「均勻系塗布液」，是溶質(金屬及/或金屬化合物、路易斯酸、第16族元素及任選成分)在溶劑(路易斯鹼溶劑及任選溶劑)的整體範圍內均勻地溶解的溶液，其中不包括在溶劑中分散有金屬粒子及/或金屬化合物粒子等的分散系溶液。作為上述第11族金屬，例如可舉出cu元素、及ag元素等。這些第11族金屬中，特別優選為cu元素。作為上述第13族金屬，例如可舉出al元素、ga元素、及in元素等。這些第13族金屬中，特別優選為ga元素及in元素。作為上述第11族金屬化合物，例如可舉出cu(oh)2、cus、cu2s、cu2se、cuse、cu2te、cute、cuo、cu2o、氧化銀、硫化銀、硒化銀等。作為上述第13族金屬化合物，例如可舉出in(oh)3、氧化銦、硫化銦、硒化銦、碲化銦、氧化鎵、硫化鎵、硒化鎵、碲化鎵、硼酸、氧化硼等。這些中，優選cu元素、ag元素、al元素、ga元素、in元素、cu(oh)2、cuo、cu2o、氧化銀、in(oh)3、氧化銦、氧化鎵，進一步優選cu元素、ga元素、in元素。作為金屬及/或金屬化合物，可以使用1種，也可以組合2種以上而使用。路易斯鹼溶劑只要為能將金屬及/或金屬化合物、路易斯酸、第16族元素及任選成分溶解、並供給電子對的物質即可，沒有特別限定。作為路易斯鹼溶劑，優選為非質子性溶劑。作為非質子性溶劑，可舉出二甲基亞碸、吡啶、四甲基脲、四氫呋喃、乙酸乙酯、丙酮、二甲基甲醯胺、乙腈、二氯甲烷、二甲基乙醯胺、n-甲基吡咯烷酮及n-甲基咪唑。上述路易斯鹼溶劑中，優選二甲基亞碸或四甲基脲，更優選二甲基亞碸。作為路易斯鹼溶劑，可以使用1種，也可以組合2種以上而使用。作為路易斯酸，只要為能接受電子對的物質即可，沒有特別限定。作為路易斯酸，優選為鎓鹽。作為鎓鹽，可舉出銨鹽[(nh4)+]、鏻鹽[(ph4)+]、鋶鹽[(h3s)+]、甲鎓鹽(metaniumsalt)[(ch5)+]、硼鎓鹽(boroniumsalt)[(bh3)+、(bh4)+、(bh5)+、(bh6)+]、乙矽烷鎓鹽(disilaniumsalt)[(si2h7)+]、鍺鎓鹽[(geh5)+]等。其中，優選銨鹽。作為銨鹽，可舉出氫氧化銨、硫化銨、氯化銨、及碳酸銨、硒化銨、硫氰酸銨、乙酸銨、氨基甲酸銨、甲酸銨、六氟磷酸銨、二氟化氫銨及硝酸銨。其中，優選氫氧化銨、硫化銨或它們的組合。作為路易斯酸，可以使用1種，也可以組合2種以上而使用。本發明的均勻系塗布液可含有第16族元素。作為第16族元素，可舉出o、s、se、te等，優選為選自s、se中的至少1種，特別優選為se。作為第16族元素，可以單獨使用1種，也可以組合2種以上而使用。另外，也可以使用上述金屬及/或金屬化合物以及上述路易斯酸中的包含第16族元素的化合物。本發明的均勻系塗布液可以含有除路易斯鹼溶劑以外的溶劑(以下，稱為「任選溶劑」。)。作為任選溶劑，可舉出水、醇(例如甲醇、乙醇、丙醇)、二元醇(例如乙二醇、丙二醇)、二元醇醚(例如二乙二醇甲醚)等。作為任選溶劑，可以單獨使用1種，也可以組合2種以上而使用。本發明中，可以在均勻系塗布液中加入極性比上述路易斯鹼溶劑低的溶劑(以下，有時稱為「不良溶劑」。)。通過加入不良溶劑，從而能夠對均勻系塗布液進行精製，能夠將雜質除去。但是，本發明中，這樣的精製工序並不是必需的。通過省去精製工序，能夠將製造方法整體的工藝簡便化，因此在工業上是有利的。作為上述不良溶劑，只要為極性比上述路易斯鹼溶劑低的溶劑即可，沒有特別限定，優選為丙酮、異丙醇。對於上述不良溶劑而言，可以在製備均勻系塗布液時與上述金屬及/或金屬化合物、路易斯鹼溶劑、和路易斯酸、以及根據期望而加入的第16族元素一同進行混合，但優選在製備均勻系塗布液後進行混合。通過在製備均勻系塗布液後混合不良溶劑，從而能夠使作為目標物的絡合物沉澱，將未反應的s或se等雜質以上清液的形式除去。對於絡合物和雜質，例如可以通過離心分離、過濾、萃取等來進行分離。另外，在將雜質以上清液的形式除去後，可以進一步利用不良溶劑對絡合物進行清洗。通過進行多次清洗，從而能夠更可靠地將雜質除去。作為不良溶劑，可以單獨使用1種，也可以組合2種以上而使用。本發明的均勻系塗布液可通過將金屬及/或金屬化合物、路易斯鹼溶劑、路易斯酸及任選成分進行混合而得到。進行混合的方法沒有特別限定，例如，在製備用於形成cigs系太陽能電池的光吸收層的光吸收層形成用塗布液的情況等、使用多種金屬及/或金屬化合物的情況下，可舉出下述方法：在製備各絡合物溶液(以下，有時稱為「金屬前體溶液」)後，將各金屬前體溶液混合的方法(以下，稱為「製備方法(i)」。)；將所有的原料一次性地混合的方法(以下，稱為「製備方法(ii)」。)；使用至少2種第11族及/或第13族金屬製備二元或三元金屬絡合物溶液的方法(以下，稱為「製備方法(iii)」。)；等等。<製備方法(i)＞(cu前體)cu前體例如可通過將cu及/或cu化合物、路易斯鹼溶劑、和路易斯酸、以及根據期望而加入的第16族元素進行混合而得到。作為cu及/或cu化合物、路易斯鹼溶劑、路易斯酸以及第16族元素，可以使用在對上述均勻系塗布液的說明中例舉的上述cu及/或cu化合物、路易斯鹼溶劑、路易斯酸以及第16族元素。作為cu及/或cu化合物，優選為cu、cu(oh)2、cus、cu2s、cuo、cu2o、cu2se、cuse、cu2te、cute，更優選為cu。作為cu及/或cu化合物，可以單獨使用1種，也可以組合2種以上而使用。在使用第16族元素的情況下，第16族元素的量優選相對於1摩爾cu而言為0.5～15摩爾，更優選為1～10摩爾，進一步優選為2～5摩爾。路易斯酸優選相對於1摩爾cu而言為0.1～50摩爾，更優選為1～20摩爾，進一步優選為2.5～8.5摩爾。將cu及/或cu化合物、路易斯鹼溶劑、和路易斯酸、以及根據期望而加入的第16族元素進行混合的方法沒有特別限定。例如，可舉出下述方法：將cu及/或cu化合物、和路易斯酸、以及根據期望而加入的第16族元素添加至路易斯鹼溶劑中之後進行攪拌的方法；向將cu及/或cu化合物、和路易斯酸、以及根據期望而加入的第16族元素混合而得到的反應液中添加路易斯鹼溶劑的方法；向反應液中添加上述不良溶劑而得到絡合物，向該絡合物中添加路易斯鹼溶劑的方法；等等。另外，下述方法也是優選的，即，將路易斯酸、和根據期望而加入的第16族元素添加至路易斯鹼溶劑中並進行攪拌，接著添加cu及/或cu化合物。對於路易斯鹼溶劑及任選溶劑的總量(以下，簡稱為「溶劑的量」。)而言，優選為在進行混合後cu濃度成為0.1mol/l～2.0mol/l的量，更優選為在進行混合後cu濃度成為0.2～1.5mol/l的量，特別優選為在進行混合後cu濃度成為0.4～1.2mol/l的量。cu前體的製備中的反應溫度根據使用的cu及/或cu化合物、路易斯鹼溶劑、路易斯酸、第16族元素等的種類的不同而不同，但從安全性、cu絡合物的穩定性的觀點考慮，通常優選為0℃～200℃，更優選為室溫～150℃，進一步優選為室溫～100℃。另外，cu前體的製備中的反應時間根據使用的cu及/或cu化合物、路易斯鹼溶劑、路易斯酸、第16族元素等的種類、攪拌時間、反應溫度的不同而不同，但通常優選為1小時～2周，更優選為1天～1周，進一步優選為1天～4天。優選地，在製備cu前體之後，向cu前體中混合極性比上述路易斯鹼溶劑低的溶劑(不良溶劑)從而將雜質除去。作為不良溶劑，特別優選為異丙醇。另外，不良溶劑的混合優選進行多次，具體而言，優選進行1次～5次。不良溶劑的量優選相對於cu前體為2～20倍，更優選為5～20倍，進一步優選為7～20倍。(in前體)in前體例如可通過將in及/或in化合物、路易斯鹼溶劑、和路易斯酸、以及根據期望而加入的第16族元素進行混合而得到。作為in及/或in化合物、路易斯鹼溶劑、路易斯酸以及第16族元素，可以使用在對上述均勻系塗布液的說明中例舉的上述in及/或in化合物、路易斯鹼溶劑、路易斯酸以及第16族元素。作為in及/或in化合物，優選為in、in(oh)3、氧化銦、硫化銦、硒化銦、碲化銦，更優選為in、in(oh)3、氧化銦。作為in及/或in化合物，可以單獨使用1種，也可以組合2種以上而使用。第16族元素的量優選相對於1摩爾in而言為0.5～15摩爾，更優選為1～10摩爾，進一步優選為2～5摩爾。路易斯酸優選相對於1摩爾in而言為0.1～50摩爾，更優選為1～20摩爾，進一步優選為2.5～8.5摩爾。將in及/或in化合物、路易斯鹼溶劑、和路易斯酸、以及根據期望而加入的第16族元素進行混合的方法沒有特別限定。例如，可舉出下述方法：將in及/或in化合物、和路易斯酸、以及根據期望而加入的第16族元素添加至路易斯鹼溶劑中之後進行攪拌的方法；向將in及/或in化合物、和路易斯酸、以及根據期望而加入的第16族元素混合而得到的反應液中添加路易斯鹼溶劑的方法；向反應液中添加上述不良溶劑而得到絡合物，向該絡合物中添加路易斯鹼溶劑的方法；等等。另外，下述方法也是優選的，即，將路易斯酸、和根據期望而加入的第16族元素添加至路易斯鹼溶劑中並進行攪拌，接著添加in及/或in化合物。對於溶劑的量而言，優選為在進行混合後in前體中的in濃度成為0.1mol/l～2.0mol/l的量，更優選為在進行混合後in前體中的in濃度成為0.2～1.5mol/l的量，特別優選為在進行混合後in前體中的in濃度成為0.4～1.2mol/l的量。在in前體的製備中，反應溫度根據使用的in及/或in化合物、路易斯鹼溶劑、路易斯酸、第16族元素等的種類的不同而不同，但從安全性、in絡合物的穩定性的觀點考慮，通常優選為0℃～200℃，更優選為室溫～150℃，進一步優選為室溫～100℃。另外，在in前體的製備中，反應時間根據使用的in及/或in化合物、路易斯鹼溶劑、路易斯酸、第16族元素等的種類、攪拌時間、反應溫度的不同而不同，但通常優選為1小時～2周，更優選為1天～1周，進一步優選為1天～4天。優選地，在製備in前體之後，向in前體中混合極性比上述路易斯鹼溶劑低的溶劑(不良溶劑)從而將雜質除去。作為不良溶劑，特別優選為丙酮。另外，不良溶劑的混合優選進行多次，具體而言，優選進行1次～5次。不良溶劑的量優選相對於in前體為2～20倍，更優選為5～20倍，進一步優選為7～20倍。(ga前體)ga前體例如可通過將ga及/或ga化合物、路易斯鹼溶劑、和路易斯酸、以及根據期望而加入的第16族元素進行混合而得到。作為ga及/或ga化合物、路易斯鹼溶劑、路易斯酸以及第16族元素，可以使用在對上述均勻系塗布液的說明中例舉的上述ga及/或ga化合物、路易斯鹼溶劑、路易斯酸以及第16族元素。作為ga及/或ga化合物，優選為ga、氧化鎵、硫化鎵、硒化鎵、碲化鎵，更優選為ga、氧化鎵。作為ga及/或ga化合物，可以單獨使用1種，也可以組合2種以上而使用。第16族元素的量優選相對於1摩爾ga而言為0.5～15摩爾，更優選為1～10摩爾，進一步優選為2～5摩爾。路易斯酸優選相對於1摩爾ga而言為0.1～50摩爾，更優選為1～20摩爾，進一步優選為2.5～8.5摩爾。將ga及/或ga化合物、路易斯鹼溶劑、和路易斯酸、以及根據期望而加入的第16族元素進行混合的方法沒有特別限定。例如，可舉出下述方法：將ga及/或ga化合物、和路易斯酸、以及根據期望而加入的第16族元素添加至路易斯鹼溶劑中之後進行攪拌的方法；向將ga及/或ga化合物、和路易斯酸、以及根據期望而加入的第16族元素混合而得到的反應液中添加路易斯鹼溶劑的方法；向反應液中添加上述不良溶劑而得到絡合物，向該絡合物中添加路易斯鹼溶劑的方法；等等。另外，下述方法也是優選的，即，將路易斯酸、和根據期望而加入的第16族元素添加至路易斯鹼溶劑中並進行攪拌，接著添加ga及/或ga化合物。對於溶劑的量而言，優選為在進行混合後ga前體中的ga濃度成為0.1mol/l～2.0mol/l的量，更優選為在進行混合後ga前體中的ga濃度成為0.2～1.5mol/l的量，特別優選為在進行混合後ga前體中的ga濃度成為0.4～1.2mol/l的量。在ga前體的製備中，反應溫度根據使用的ga及/或ga化合物、路易斯鹼溶劑、路易斯酸、第16族元素等的種類的不同而不同，但從安全性、ga絡合物的穩定性的觀點考慮，通常優選為0℃～200℃，更優選為室溫～150℃，進一步優選為室溫～100℃。另外，在ga前體的製備中，反應時間根據使用的ga及/或ga化合物、路易斯鹼溶劑、路易斯酸、第16族元素等的種類、攪拌時間、反應溫度的不同而不同，但通常優選為1小時～2周，更優選為1天～1周，進一步優選為1天～4天。優選地，在製備ga前體之後，向ga前體中混合極性比上述路易斯鹼溶劑低的溶劑(不良溶劑)從而將雜質除去。作為不良溶劑，特別優選為丙酮。另外，不良溶劑的混合優選進行多次，具體而言，優選進行1次～5次。不良溶劑的量優選相對於ga前體為2～20倍，更優選為5～20倍，進一步優選為7～20倍。<製備方法(ii)＞作為製備方法(ii)中的金屬及/或金屬化合物、路易斯鹼溶劑、路易斯酸以及第16族元素，可以使用在對上述均勻系塗布液的說明中例舉的金屬及/或金屬化合物、路易斯鹼溶劑、路易斯酸以及第16族元素。各原料的量可根據各原料的種類而適宜調整。例如，在用於cigs系太陽能電池用光吸收層的情況(均勻系塗布液包含後述的通式(1)表示的化合物的情況)下，以各金屬的摩爾比計，優選以成為cu/(in+ga)＝0.5～1.0、in/(in+ga)＝0.0～1.0、ga/(in+ga)＝0.0～1.0的範圍的方式進行製備。在使用第16族元素的情況下，相對於cu、in、ga各金屬的總量1摩爾而言，第16族元素的量優選為0～10當量，更優選為0.5～4當量，進一步優選為1～2當量。路易斯酸優選相對於1摩爾cu而言為0.1～50摩爾，更優選為1～20摩爾，進一步優選為2.5～8.5摩爾。製備方法(ii)中，將各原料混合的方法沒有特別限定，例如可舉出將各原料添加至路易斯鹼溶劑中之後進行攪拌的方法、將各原料混合之後添加路易斯鹼溶劑的方法等。另外，下述方法也是優選的，即，將路易斯酸、和根據期望而加入的第16族元素添加至路易斯鹼溶劑中並進行攪拌，接著添加金屬及/或金屬化合物。溶劑的量根據使用的各原料的種類的不同而不同，在將通過熱重測定而於500℃進行加熱後的殘渣成分作為固態成分時，優選以固態成分濃度成為1～30重量％的方式進行製備，更優選以固態成分濃度成為5～20重量％的方式進行製備。製備方法(ii)中的反應溫度根據使用的各原料的種類的不同而不同，但從安全性、絡合物的穩定性的觀點考慮，通常優選為0℃～200℃，更優選為室溫～150℃，進一步優選為室溫～100℃。製備方法(ii)中的反應時間根據使用的各原料的種類、攪拌時間的不同而不同，但通常優選為1小時～2周，更優選為1天～1周，進一步優選為1天～4天。<製備方法(iii)＞作為製備方法(iii)中的金屬及/或金屬化合物、路易斯鹼溶劑、路易斯酸以及第16族元素，可以使用在對上述均勻系塗布液的說明中例舉的金屬及/或金屬化合物、路易斯鹼溶劑、路易斯酸以及第16族元素。作為各原料的優選例，可舉出與上述製備方法(i)同樣的例子。在製備方法(iii)中，例如，可以通過將至少2種金屬及/或金屬化合物、路易斯鹼溶劑、和路易斯酸、以及根據期望而加入的第16族元素進行混合，從而得到二元或三元金屬絡合物溶液。作為各原料的優選例，可舉出與上述製備方法(i)同樣的例子。各原料的量可根據各原料的種類而適宜調整。例如，在用於cigs系太陽能電池用光吸收層的情況(均勻系塗布液包含後述的通式(1)表示的化合物的情況)下，可以使用cu元素及/或cu化合物、in元素及/或in化合物、以及ga元素及/或ga化合物中的至少2種(以下，有時統稱為「cigs金屬」。)。該情況下，優選以各金屬的摩爾比成為後述的由通式(1)規定的範圍內的方式製備均勻系塗布液。在使用第16族元素的情況下，相對於cigs金屬的總量1摩爾而言，第16族元素的量優選為0.5～10摩爾，更優選為0.5～5摩爾，進一步優選為1～3摩爾。路易斯酸優選相對於cigs金屬的合計1摩爾而言為0.1～50摩爾，更優選為1～20摩爾，進一步優選為2.5～8.5摩爾。製備方法(iii)中，將各原料混合的方法沒有特別限定，例如可舉出將各原料添加至路易斯鹼溶劑中之後進行攪拌的方法、將各原料混合之後添加路易斯鹼溶劑的方法等。另外，下述方法也是優選的，即，將路易斯酸、和根據期望而加入的第16族元素添加至路易斯鹼溶劑中並進行攪拌，接著添加金屬及/或金屬化合物。溶劑的量根據使用的各原料的種類的不同而不同，在將通過熱重測定而於500℃進行加熱後的殘渣成分作為固態成分時，優選以固態成分濃度成為1～30重量％的方式進行製備，更優選以固態成分濃度成為5～20重量％的方式進行製備。製備方法(iii)中的反應溫度根據使用的各原料的種類的不同而不同，但從安全性、絡合物的穩定性的觀點考慮，通常優選為0℃～200℃，更優選為室溫～150℃，進一步優選為室溫～100℃。製備方法(iii)中的反應時間根據使用的各原料的種類、攪拌時間的不同而不同，但通常優選為1小時～2周，更優選為1天～1周，進一步優選為1天～4天。本發明的均勻系塗布液優選用於形成黃銅礦系太陽能電池的光吸收層。該情況下，均勻系塗布液優選含有下述通式(1)表示的化合物。[化學式3]cuw(ln1-xgax)y(a)z(1)[式中，0≤w≤1，0≤x≤1，0≤y≤1，0<z≤2，a為至少1種第16族元素。]上述通式(1)中，0≤w≤1，優選0.75≤w≤1。0≤x≤1，優選0.1≤x≤0.5。0≤y≤1。0<z≤2。a為至少1種第16族元素，優選為se及/或s。本發明的均勻系塗布液可進一步含有選自由li、na、k、cs、sb及bi組成的組中的至少1種(以下，有時統稱為「添加金屬」。)。通過含有添加金屬，從而能夠促進光吸收層的結晶生長。作為上述添加金屬，優選為na及/或sb。對於上述添加金屬而言，可以將其溶解於路易斯鹼溶劑中從而以金屬溶液的形式添加。作為na溶液，可舉出將硒化鈉、硒溶解於dmso中而成的溶液等。例如，在將本發明的均勻系塗布液用於形成cigs系太陽能電池的光吸收層的情況下，na的添加量優選相對於cigs金屬的摩爾量而言為0.1～10原子％，更優選為0.1～2原子％。另外，sb的添加量優選相對於cigs金屬的摩爾量而言為0.1～2原子％，更優選為0.1～0.5原子％。本發明的均勻系塗布液由於未使用肼，所以工藝的安全性得以提高。另外，本發明的均勻系塗布液能夠以低成本來簡易地製備。此外，本發明的均勻系塗布液由於未使用有機配位體，因此，能夠形成有機物(其將成為阻礙結晶生長的主要因素)的含量得以降低的光吸收層。此外，本發明的均勻系塗布液的保存穩定性優異，能夠穩定地保存，例如，在至少2個月內金屬化合物不析出。[太陽能電池用光吸收層及其製造方法]本發明的太陽能電池用光吸收層是使用上述本發明的均勻系塗布液而形成的。本發明的太陽能電池用光吸收層的製造方法與本發明的太陽能電池的製造方法中的形成光吸收層的工序同樣。[太陽能電池及其製造方法]本發明的太陽能電池具有本發明的太陽能電池用光吸收層。本發明的太陽能電池的製造方法包括下述工序：在基板上形成第一電極的工序；在上述第一電極上塗布本發明的均勻系塗布液，進行燒成從而形成光吸收層的工序；在上述光吸收層上形成緩衝層的工序；和在上述緩衝層上形成第二電極的工序。在本發明的太陽能電池的製造方法中，除了在第一電極上形成光吸收層的工序以外，採用以往已知的適宜的方法來形成即可。例如，在基板上形成第一電極時，可以將氮作為濺射氣體，利用濺射法以膜狀形成例如mo層。另外，對於緩衝層而言，例如可以以cds層的形式形成，例如可以採用化學浴沉積法進行成膜。另外，在形成第二電極時，可以使用適宜的材料以透明電極的形式進行成膜。在形成光吸收層時，首先，在第一電極(基體)上塗布上述第一方式涉及的均勻系塗布液。作為塗布的方法，可以採用旋塗法、非旋塗法(nonspincoatingmethod)、浸塗法、刮刀塗布(塗敷器(applicator))法、幕簾/狹縫流延法、印刷法、噴塗法等。本發明中，從批量生產化的觀點考慮，優選採用非旋塗法。塗布條件根據所期望的膜厚、材料的濃度等而適宜設定即可。例如，在採用旋塗法的情況下，將基體設置於旋塗機中，塗布均勻系塗布液。此時的塗布條件根據想要形成的膜厚而適宜設定即可，例如可以通過以300～3000rpm的旋轉速度維持10～180秒的方式來形成。可以反覆實施塗布直至獲得所期望的膜厚。另外，在採用非旋塗法的情況下，利用具有矩形排出口的狹縫噴嘴來塗布均勻系塗布液。塗布次數沒有特別限定，優選為1～10次，進一步優選為1～5次。另外，在採用浸漬法的情況下，可以通過將基體浸漬在裝有均勻系塗布液的容器中而進行，浸漬次數可以為1次，也可以進行多次浸漬。需要說明的是，在基體上塗布均勻系塗布液後，可以進行真空乾燥。接下來，在基體上塗布均勻系塗布液後，對基體進行燒成從而形成光吸收層。燒成條件可以根據所期望的膜厚、材料的種類等而適宜設定。例如，可以為下述的兩階段工序：在加熱板上進行溫和烘烤(softbake)(預燒成)，然後在烘箱中進行燒成(退火)。該情況下，例如，將基體配置並保持在加熱板上後，將加熱板的溫度設定為100～500℃而進行1～300秒的溫和烘烤，將基體冷卻至室溫附近後，再次進行塗布。獲得所期望的膜厚之後，使加熱板或烘箱內部上升至300～700℃並保持1～180分鐘，由此進行退火。由此，光吸收層發生了固化。需要說明的是，關於上述燒成中的各溫度，示出了一種條件，但並不限定於此。例如，加熱板的溫度可以階段性地升高，這些加熱工序也可以在手套箱(glovebox)中的非活性氣體氣氛下進行。另外，在溫和烘烤、退火時可以使硫化氫、硒化氫、固體硫、固體硒共存於氣氛中。但是，本發明中，通過使用可成為硫屬元素源的化合物作為路易斯酸，從而即使在溫和烘烤、退火時不使氣氛中共存有硫化氫、硒化氫、固體硫、固體硒等，也能夠形成具有黃銅礦結構等所期望的結構的光吸收層。本發明的太陽能電池優選為黃銅礦系太陽能電池。該情況下，光吸收層優選包含上述通式(1)表示的化合物。在使用2種以上的利用上述製備方法(iii)製得的金屬絡合物溶液的情況下，將第一絡合物溶液塗布於基體上，進行烘烤而形成第一層，接著將具有與第一絡合物溶液不同的金屬組成的第二絡合物溶液塗布於第一層上，進行烘烤而形成第二層。然後，對上述第一層及第二層進行退火，由此，能夠形成具有所期望的組成的單一光吸收層、或金屬組成比具有所期望的梯度的多層結構光吸收層。該情況下，能夠準確地設計光吸收層中的金屬的配置，能夠可靠地控制光吸收層的結構。但是，將具有不同組成的絡合物溶液進行層合的情況並不限定於上述製備方法(iii)。即使在利用上述製備方法(i)及/或上述製備方法(ii)製得絡合物溶液的情況下，也可以將具有不同組成的絡合物溶液按照所期望的順序進行層合。由此，易於靈活地對塗布膜中的組成分布進行設計。通過上述方式，能夠製造本實施方式的太陽能電池。並且，對於利用本實施方式的製造方法製得的太陽能電池而言，由於在均勻系塗布液中不含肼，所以工藝的安全性提高。此外，由於在均勻系塗布液中未使用有機配位體，因此，光吸收層中的有機物(其將成為阻礙結晶生長的主要因素)的含量得以降低，可實現良好的結晶生長。以上，基於實施方式對本發明進行了說明，但本發明並不限定於上述實施方式，當然可在不脫離其主旨的範圍內進行各種變更。在上述實施方式中，作為均勻系塗布液的製備方法，對製備方法(i)、製備方法(ii)及製備方法(iii)進行了說明，但本發明並不限定於此。例如，也可以針對一部分金屬成分預先製備金屬前體，並將所製備的金屬絡合物、其他金屬成分、路易斯鹼溶劑、和路易斯酸、以及根據期望而加入的第16族元素、和其他所期望的成分進行混合。另外，例如在製備方法(ii)中，也可以將一部分原料事先混合，然後添加其餘的原料。實施例接下來，通過實施例來更詳細地說明本發明，但本發明不受這些例子的限定。[均勻系塗布液的製備](實施例1)將s(硫)1.536g(48.00mmol)、dmso(二甲基亞碸)22.00g、28％的nh3水溶液6.204g(按nh3換算為102.00mmol)進行混合，於室溫攪拌一夜。向得到的反應液中加入in1.208g(10.50mmol)、ga0.315g(4.50mmol)、cu0.4425g(6.75mmol)，於室溫攪拌4天。然後，加入cu0.4425g(6.75mmol)並於室溫攪拌2天，得到均勻系塗布液1。(實施例2)將s1.600g(50.00mmol)、dmso22.00g、42％的(nh4)2s水溶液8.095g(按s換算為50.00mmol)進行混合，於室溫攪拌6小時。向得到的反應液中加入in1.208g(10.50mmol)、ga0.315g(4.50mmol)、cu0.4425g(6.75mmol)，於室溫攪拌1天，進一步於70℃攪拌3天。然後，加入cu0.4425g(6.75mmol)並於70℃攪拌1天，得到均勻系塗布液2。(實施例3)將s1.536g(48.00mmol)、dmso22.00g、28％的nh3水溶液6.204g(按nh3換算為102.00mmol)、42％的(nh4)2s水溶液1.943g(按s換算為12.00mmol)進行混合，於室溫攪拌6小時。向得到的反應液中加入in1.208g(10.50mmol)、ga0.315g(4.50mmol)、cu0.4425g(6.75mmol)，於室溫攪拌1天，進一步於70℃攪拌3天。然後，加入cu0.4425g(6.75mmol)並於室溫攪拌2天，得到均勻系塗布液3。(實施例4)將se3.948g(50.00mmol)、dmso23.00g、42％的(nh4)2s水溶液8.095g(按s換算為50.00mmol)進行混合，於室溫攪拌6小時。向得到的反應液中加入in1.208g(10.50mmol)、ga0.420g(6.00mmol)、cu0.429g(6.75mmol)，於室溫攪拌一夜，進一步於70℃攪拌4天。然後，加入cu0.429g(6.75mmol)並於70℃攪拌1天，得到均勻系塗布液4。(實施例5)將se3.790g(48.00mmol)、dmso22.50g、28％的nh3水溶液6.204g(按nh3換算為102.00mmol)、42％的(nh4)2s水溶液1.943g(按s換算為12.00mmol)進行混合，於室溫攪拌一夜。向得到的反應液中加入in1.208g(10.50mmol)、ga0.315g(4.500)、cu0.297g(4.67mmol)，於室溫攪拌6小時，進一步於70℃攪拌2天。然後，加入cu0.593g(9.33mmol)並於室溫攪拌2天，得到均勻系塗布液5。(實施例6)將se3.790g(48.00mmol)、dmso22.50g、28％的nh3水溶液6.204g(按nh3換算為102.00mmol)、42％的(nh4)2s水溶液1.943g(按s換算為12.00mmol)進行混合，於室溫攪拌一夜。向得到的反應液中加入cu0.6355g(10.0mmol)，於室溫攪拌24小時。然後，加入cu0.6355g(10.0mmol)並於室溫攪拌2天，得到均勻系塗布液6。(實施例7)將se3.948g(50.00mmol)、dmso23.00g、42％的(nh4)2s水溶液1.538g(按s換算為9.5mmol)進行混合，於室溫攪拌6小時。向得到的反應液中加入in1.208g(10.50mmol)、ga0.315g(4.5mmol)，於室溫攪拌一夜，進一步於70℃攪拌4天。然後，加入cu0.4425g(6.75mmol)並於70℃攪拌1天，得到均勻系塗布液7。(實施例8)將dmso12.00g、42％的(nh4)2s水溶液2.429g(按s換算為15.0mmol)進行混合，於室溫攪拌24小時。向得到的反應液中加入cu0.086g(1.5mmol)、in0.345g(3.0mmol)、ga0.105g(1.5mmol)，於室溫攪拌一夜，進一步於70℃攪拌4天。然後，加入cu0.086g(1.5mmol)並於70℃攪拌1天，得到均勻系塗布液8。[icp測定]將實施例1～5中得到的均勻系塗布液1～5分別溶解於王水中，用水稀釋後進行icp測定。由icp測定結果計算出cu、in、ga的摩爾比。將結果示於表1中。[表1]根據表1的結果，對於實施例1～5中得到的均勻系塗布液1～5而言，確認到各金屬的摩爾比與原料摩爾比相比沒有發生大幅變動。尤其是對於均勻系塗布液1、3及4而言，確認到各金屬的摩爾比與原料摩爾比相比幾乎無變化，均勻系塗布液的金屬組成得以被控制。(實施例9)將in、ga及cu的量分別變更為in1.035g(9.0mmol)、ga0.420g(6.0mmol)、cu1.082g(16.5mmol)，除此以外，與實施例4同樣地操作，得到均勻系塗布液9-1。與上述分開地，將in、ga及cu的量分別變更為in1.380g(12.0mmol)、ga0.210g(3.0mmol)、cu0.787g(12.0mmol)，除此以外，與實施例4同樣地操作，得到均勻系塗布液9-2。接下來，將6.0g均勻系塗布液9-1和6.0g均勻系塗布液9-2混合，於室溫攪拌1小時，得到均勻系塗布液9。針對均勻系塗布液9-1、均勻系塗布液9-2及均勻系塗布液9，與上述同樣地實施icp測定。將結果示於表2中。(實施例10)將cu0.508g(8.0mmol)、in1.208g(10.5mmol)、ga0.105g(1.5mmol)、se4.501g(57.00mmol)、dmso27.00g及28％的nh3水溶液10.4g進行混合，於室溫攪拌6小時。然後，於70℃攪拌1天，進行1小時超聲波處理，得到均勻系塗布液10。針對均勻系塗布液10，與上述同樣地實施icp測定。將結果示於表2中。(比較例1)參照國際公開第2011/013657號的實施例來製備cigs塗布液。將苯硒酚4.949g(47.1mmol)和吡啶3.726g(47.1mmol)混合，製備混合溶劑。向該混合溶劑中，以固態成分濃度為14％、且金屬比率成為cu/(in+ga)＝0.78、in/(in+ga)＝0.60、ga/(in+ga)＝0.40的方式混合cu0.230g(3.619mmol)、in0.320g(2.787mmol)、ga0.130g(1.865mmol)、和se0.720g(9.119mmol)，於室溫攪拌2周，得到比較用均勻系塗布液1。利用icp對得到的溶液的上清液的金屬比率進行確認，結果，cu/(in+ga)＝0.93，in/(in+ga)＝0.62，ga/(in+ga)＝0.38。[表2]均勻系塗布液cu/(in+ga)in/(in+ga)ga/(in+ga)塗布液9-11.0900.5940.406塗布液9-20.7750.7950.205塗布液90.9400.7020.298塗布液100.4850.690.31比較用塗布液10.930.620.38[tga分析]針對實施例4及7中得到的均勻系塗布液4及7，使用tga2950(tainstruments公司制)，以2℃/分鐘的升溫速度進行熱重分析(tga)。結果，確認到通過溫度上升使得過量的se或s被除去。<光吸收層的形成＞(實施例11～16)將實施例9中製作的均勻系塗布液9塗布於蒸鍍有mo的玻璃基板上，於325℃進行2分鐘的溫和烘烤。進行該工序共計15次之後，在少量的硒的存在下，在表3中所示的條件下進行退火，由此，製作以膜狀形成有cigs層的cigs基板。利用sem對上文中製作的cigs基板進行觀察，結果，均確認到了cigs的晶粒生長(grain-growth)。另外，確認到形成了均勻的單層膜。(實施例17)將實施例9中製作的均勻系塗布液9-1塗布於蒸鍍有mo的玻璃基板上，於325℃進行2分鐘的溫和烘烤。進行該工序共計15次之後，在少量的硒的存在下，在表3中所示的條件下進行退火，由此，製作以膜狀形成有cigs層的cigs基板。利用sem對上文中製作的cigs基板進行觀察，結果，確認到了cigs的晶粒生長。另外，確認到形成了均勻的單層膜。(實施例18)將實施例9中製作的均勻系塗布液9-2塗布於蒸鍍有mo的玻璃基板上，於325℃進行2分鐘的溫和烘烤。進行該工序共計15次之後，在少量的硒的存在下，在表3中所示的條件下進行退火，由此，製作以膜狀形成有cigs層的cigs基板。利用sem對上文中製作的cigs基板進行觀察，結果，確認到了cigs的晶粒生長。另外，確認到形成了均勻的單層膜。(實施例19)將實施例10中製作的均勻系塗布液10塗布於蒸鍍有mo的玻璃基板上，於325℃進行2分鐘的溫和烘烤。進行該工序共計15次之後，在少量的硒的存在下，在表3中所示的條件下進行退火，由此，製作以膜狀形成有cigs層的cigs基板。利用sem對上文中製作的cigs基板進行觀察，結果，確認到了cigs的晶粒生長。另外，確認到形成了多種粒子層合而成的均勻的膜。[表3](實施例20)將退火時間變更為50分鐘，在不存在硒的條件下進行退火，除此以外，與實施例11同樣地操作，製作以膜狀形成有cigs層的cigs基板。利用sem對上文中製作的cigs基板進行觀察，結果，即使在不存在硒的條件下進行退火，仍確認到了cigs的晶粒生長。另外，確認到形成了均勻的單層膜。(實施例21)使用均勻系塗布液4來代替均勻系塗布液9，在不存在硒的條件下於560℃進行50分鐘退火，除此以外，與實施例11同樣地操作，形成cigs基板。(實施例22)在少量的硒的存在下進行退火，除此以外，與實施例21同樣地操作，形成cigs基板。(比較例2)將比較例1中製備的比較用均勻系塗布液1塗布於蒸鍍有mo的玻璃基板上，以120℃1分鐘、300℃3分鐘的條件進行溫和烘烤。然後，在少量的硒的存在下，於540℃進行30分鐘退火，由此，製作以膜狀形成有cigs層的cigs基板。(比較例3)將比較例1中製備的比較用均勻系塗布液1塗布於蒸鍍有mo的玻璃基板上，以120℃1分鐘、300℃3分鐘的條件進行溫和烘烤。進行該工序共計2次之後，在少量的硒的存在下，於540℃進行30分鐘退火，由此，製作以膜狀形成有cigs層的cigs基板。[拉曼分光測定]針對實施例21、22及比較例2、3中製作的cigs基板，進行拉曼分光分析。結果，對於實施例21、22的cigs基板而言，在1500cm-1附近未觀察到峰，確認了在cigs膜中未殘留碳成分。另一方面，對於比較例2、3的cigs基板而言，在1500cm-1附近觀察到峰，確認了在cigs膜中殘留有碳成分。[xrd分析]對實施例11及20中製作的各cigs基板進行xrd測定，結果，在2θ＝約27°、45°及52～53°處分別確認到相當於cigs的(112)面、(220)/(204)面、(312)/(116)面的強峰。這些結果與現有的cigs膜的結果(souilah,m.,lafond,a.,guillotdeudon,c.,harel,s.,evain,m.j.solidstatechem.183(2010)2274)顯示出良好的一致性，由此確認了cigs膜的生成。當前第1頁12