雙半導體晶片單次壓模工藝的製作方法
2023-07-19 02:01:36 1
專利名稱：雙半導體晶片單次壓模工藝的製作方法
技術領域：
本發明涉及半導體封裝技術領域，特別是涉及雙半導體晶片單次壓模工藝。
背景技術：
在半導體晶片焊接封裝技術領域中，首先用壓模頭將焊錫壓成均勻的厚度和形狀，然後將晶片貼在焊錫上再進行焊接。壓模頭用於調節晶片與基板之間的焊錫的平整度、 厚度和寬度。目前對並列焊接布置的雙半導體晶片進行焊接採用的壓模工藝是採用兩個不同的壓模頭進行的。用第一壓模頭壓出第一晶片需要的錫形狀，然後放置第一晶片在錫上並下壓形成第一晶片與基板焊接；用第二壓模頭去壓出第二晶片所需要的錫形狀，然後放置第二晶片在錫上並下壓形成第二晶片與基板焊接。由於是焊接兩個晶片，所以用兩次分別壓出兩個晶片所需要的焊錫形狀大小，然後分兩次進行焊接晶片的動作。由於壓模頭越小，壓模成型性越差，兩次壓模每次壓模錫形成的形狀很小，所以兩個晶片交界處的錫形狀很不完美，可能造成錫溢到基板以外。例如，在壓出第二晶片所需的焊錫形狀的同時，第二壓模頭會壓到第一壓模頭的邊界，在此處容易造成兩次壓模所形成的焊錫連接在一起並形成回流，從而造成兩個晶片中間比較高，兩邊比較低的晶片傾斜，從而造成下一流程中焊線設備視覺系統不能正確認識，從而不能進行焊線作業的問題。
發明內容
本發明的目的在於避免現有技術中的不足之處而提供一種雙半導體晶片單次壓模工藝，其節約改機時間，壓模所形成錫的形狀更完美。本發明的目的通過以下技術措施實現。雙半導體晶片單次壓模工藝，步驟包括
(a)用壓模面尺寸超過雙晶片並列大小的壓模頭壓出錫形狀，然後放置第一晶片在錫上並下壓形成晶片與基板焊接；
(b)放置第二晶片在錫上並下壓形成晶片與基板焊接。所述壓模頭的壓模面四周設置有構成長方形的四條周邊排氣槽。所述壓模面的深度為0. 04mm,所述周邊排氣槽的深度為0. 16mm。所述周邊排氣槽的對角線設置有交叉排氣槽。所述交叉排氣槽與所述周邊排氣槽的深度和寬度相同。所述交叉排氣槽的深度小於所述周邊排氣槽的深度。本發明用單個較大壓模頭壓出兩個晶片所需要的焊錫形狀大小，壓模頭愈大，壓出錫的形狀越完美，然後依次進行焊接第一晶片和第二晶片的動作，可以形成比較完美的錫的形狀，並且傾斜度較小，利於後續作業；同時節約改機時間。
具體實施方式
結合以下實施例對本發明作進一步說明。雙半導體晶片單次壓模工藝，步驟包括
(a)用壓模面尺寸超過雙晶片並列大小的壓模頭壓出錫形狀，然後放置第一晶片在錫上並下壓形成晶片與基板焊接；
(b)放置第二晶片在錫上並下壓形成晶片與基板焊接。由於是焊接兩個晶片，所以用單個較大壓模頭壓出兩個晶片所需要的焊錫形狀大小，然後分依次進行焊接晶片的動作，但不進行壓模動作。可以形成比較完美的錫的形狀， 並且傾斜度較小，利於後續作業。而且，節約改機時間，壓模所形成錫的形狀更完美，解決晶片傾斜有利於後續焊線作業。所述壓模頭的壓模面四周設置有構成長方形的四條周邊排氣槽。所述壓模面的深度為0. 04mm，所述周邊排氣槽的深度為0. 16mm。所述周邊排氣槽的對角線設置有交叉排氣槽。所述交叉排氣槽與所述周邊排氣槽的深度和寬度相同。所述交叉排氣槽的深度小於所述周邊排氣槽的深度。最後應當說明的是，以上實施例僅用於說明本發明的技術方案而非對本發明保護範圍的限制，儘管參照較佳實施例對本發明作了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發明的技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發明技術方案的實質和範圍。
權利要求
1.雙半導體晶片單次壓模工藝，其特徵在於步驟包括(a)用壓模面尺寸超過雙晶片並列大小的壓模頭壓出錫形狀，然後放置第一晶片在錫上並下壓形成晶片與基板焊接；(b)放置第二晶片在錫上並下壓形成晶片與基板焊接。
2.根據權利要求1所述的雙半導體晶片單次壓模工藝，其特徵在於所述壓模頭的壓模面四周設置有構成長方形的四條周邊排氣槽。
3.根據權利要求2所述的雙半導體晶片單次壓模工藝，其特徵在於所述壓模面的深度為0. 04mm，所述周邊排氣槽的深度為0. 16mm。
4.根據權利要求2所述的雙半導體晶片單次壓模工藝，其特徵在於所述周邊排氣槽的對角線設置有交叉排氣槽。
5.根據權利要求4所述的雙半導體晶片單次壓模工藝，其特徵在於所述交叉排氣槽與所述周邊排氣槽的深度和寬度相同。
6.根據權利要求4所述的雙半導體晶片單次壓模工藝，其特徵在於所述交叉排氣槽的深度小於所述周邊排氣槽的深度。
全文摘要
雙半導體晶片單次壓模工藝，步驟包括(a)用壓模面尺寸超過雙晶片並列大小的壓模頭壓出錫形狀，然後放置第一晶片在錫上並下壓形成晶片與基板焊接；(b)放置第二晶片在錫上並下壓形成晶片與基板焊接。本發明用單個較大壓模頭壓出兩個晶片所需要的焊錫形狀大小，壓模頭愈大，壓出錫的形狀越完美，然後依次進行焊接第一晶片和第二晶片的動作，可以形成比較完美的錫的形狀，並且傾斜度較小，利於後續作業；同時節約改機時間。
文檔編號H01L21/56GK102270591SQ201110213819
公開日2011年12月7日 申請日期2011年7月29日 優先權日2011年7月29日
發明者桑林波, 陶少勇, 韓福彬 申請人:傑群電子科技(東莞)有限公司