一種高壓電晶體及其製備方法
2023-07-28 21:12:11
一種高壓電晶體及其製備方法
【專利摘要】本發明提供一種高壓電晶體及其製備方法，該製備方法至少包括以下步驟：在半導體襯底中的高壓阱區上自下而上依次沉積形成柵氧化物層、第一多晶矽層及多晶矽間介質層；去除部分或全部多晶矽間介質層；製作第二多晶矽層；製作源區和漏區；沉積刻蝕阻擋層和絕緣膜層，所述刻蝕阻擋層和絕緣膜層覆蓋所述第二多晶矽層、源區及漏區；分別製作暴露第二多晶矽層、源區及漏區的接觸孔。本發明通過去除第一多晶矽層上的部分或全部多晶矽間介質層，之後製作接觸孔於第二多晶矽層上，高壓電晶體中起作用的多晶矽厚度為第一多晶矽層厚度與第二多晶矽層厚度的總和，這樣就有效地增大了多晶矽層的厚度，更好地滿足高壓電晶體耐壓能力和驅動能力等性能的要求。
【專利說明】-種高壓電晶體及其製備方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及半導體工藝領域，特別是涉及一種高壓電晶體及其製備方法。
【背景技術】
[0002] 隨著集成電路製造工藝的不斷進步，半導體器件的尺寸變得越來越小，對於邏輯 器件而言，為了確保其運行速度，要求不斷減小多晶矽柵的厚度。一般，多晶矽柵的厚度小 於1000埃。但是對於非邏輯器件，比如，高壓電晶體，由於其耐壓能力、驅動能力等的要求， 需要將多晶矽做得較厚，一般高壓電晶體的多晶矽厚度需要大於1000埃。而在非易失性存 儲器（Non-volatile memory, NVM)中，高壓電晶體是不可缺少的器件，因此，當將邏輯晶體 管與高壓電晶體進行集成時，在多晶矽厚度方面就產生了矛盾。
[0003] 傳統製備的商壓電晶體的局部結構如圖la和lb所不，其中，圖la是傳統商壓晶 體管的俯視圖；圖lb是圖la沿AA'方向的剖面圖，所述高壓電晶體製備方法至少包括：在 半導體襯底1A上依次形成柵氧化層3A、第一多晶矽層4A、多晶矽間介質層5A及第二多晶 娃層6A ;在第二多晶娃層6A上形成具有開口的掩膜，利用掩膜開口刻蝕所述多晶娃間介質 層5A和第二多晶娃層6A直至暴露出第一多晶娃層4A的表面；在所述第一多晶娃層4A兩 側的半導體襯底1A內離子注入形成源區9A和漏區10A ;在第一多晶矽層4A上形成第一接 觸孔131A。
[0004] 在高壓電晶體器件中，多晶矽間介質層5A屬於寄生介質層，這種寄生介質層的存 在會導致高壓電晶體無法工作，因此，在現有技術中，形成第二多晶矽層6A之後需要對第 二多晶娃層6A和多晶娃間介質層5A進行刻蝕，把第一接觸孔131A做在第一多晶娃層4A 上，這樣，高壓電晶體才可以正常工作，但是對器件起作用多晶矽柵的只有第一多晶矽層 4A，其厚度很薄，小於1000埃，不能滿足高壓電晶體的對多晶矽柵厚度的要求。
[0005] 因此，提供一種具有更厚多晶矽柵厚度的高壓電晶體是本領域技術人員需要解決 的課題。
【發明內容】
[0006] 鑑於以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在於提供一種高壓電晶體及其製備 方法，用於解決現有技術中高壓電晶體的多晶矽厚度太薄的問題。
[0007] 為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種高壓電晶體及其製備方法，所 述製備方法至少包括步驟：
[0008] 1)在半導體襯底中的高壓阱區上自下而上依次沉積形成柵氧化物層、第一多晶矽 層及多晶娃間介質層；
[0009] 2)採用刻蝕工藝去除所述第一多晶矽層上的部分或全部多晶矽間介質層；
[0010] 3)在所述步驟2)獲得的結構表面沉積第二多晶矽層，並在第一多晶矽層和第二多 晶娃層兩側形成側牆；
[0011] 4)在所述第一多晶矽層和第二多晶矽層兩側的高壓阱區內離子注入形成源區和 漏區；
[0012] 5)在所述半導體襯底上依次沉積刻蝕阻擋層和絕緣膜層，所述刻蝕阻擋層和絕緣 膜層覆蓋所述第二多晶矽層、源區及漏區；
[0013] 6)刻蝕所述刻蝕阻擋層和絕緣膜層，分別形成暴露所述第二多晶矽層、源區及漏 區的第一接觸孔、第二接觸孔及第三接觸孔，在所述接觸孔中填塞導電材料後獲得高壓晶 體管。
[0014] 優選地，採用化學氣相沉積方法製備形成所述第一多晶矽層和第二多晶矽層。
[0015] 優選地，沉積形成的第一多晶矽層的厚度為1?1000埃，第二多晶矽層的厚度為 100 ?2000 埃。
[0016] 優選地，所述多晶矽間介質層為三層的疊層結構，其中，所述疊層結構的最下層和 最上層為二氧化矽，所述疊層結構的中間層為氮化矽；所述多晶矽間介質層中每一層的厚 度為10?100埃。
[0017] 優選地，形成所述源區和漏區的步驟包括：先在第一多晶矽層和第二多晶矽層兩 側的高壓阱區內離子注入形成輕摻雜區，然後在所述輕摻雜區內離子注入形成重摻雜源區 和漏區。
[0018] 優選地，採用幹法刻蝕刻蝕阻擋層和絕緣膜層，所述刻蝕阻擋層為氮化物層，所述 絕緣膜層為矽酸鹽玻璃。
[0019] 本發明還提供一種高壓電晶體，其特徵在於，所述高壓電晶體至少包括：
[0020] 半導體襯底；
[0021] 高壓阱區，形成於所述半導體襯底中；
[0022] 柵氧化物層，沉積於所述高壓阱區上；
[0023] 第一多晶矽層，沉積於所述柵氧化物層上；
[0024] 多晶娃間介質層，形成於所述第一多晶娃層上；
[0025] 第二多晶娃層，沉積於所述第一多晶娃層和多晶娃間介質層上；
[0026] 側牆，形成於所述第一多晶矽層和第二多晶矽層兩側；
[0027] 源區和漏區，離子注入於所述第一多晶矽層和第二多晶矽層兩側的高壓阱區內；
[0028] 刻蝕阻擋層，覆蓋於所述第二多晶矽層、源區及漏區上；
[0029] 絕緣膜層，覆蓋於整個半導體襯底上；
[0030] 第一接觸孔、第二接觸孔及第三接觸孔，分別形成於所述第二多晶矽層、源區及漏 區上。
[0031] 優選地，第一多晶矽層的厚度為1?1000埃，第二多晶矽層的厚度為100?2000 埃。
[0032] 優選地，所述多晶矽間介質層為三層的疊層結構，其中，所述疊層結構的最下層和 最上層為二氧化矽，所述疊層結構的中間層為氮化矽，所述多晶矽間介質層中每一層的厚 度為10?100埃。
[0033] 本發明還提供另一種高壓電晶體，其特徵在於，所述高壓電晶體至少包括：
[0034] 半導體襯底；
[0035] 高壓阱區，形成於所述半導體襯底中；
[0036] 柵氧化物層，沉積於所述高壓阱區上；
[0037] 第一多晶矽層，沉積於所述柵氧化物層上；
[0038] 第二多晶矽層，沉積於所述第一多晶矽層上；
[0039] 側牆，形成於所述第一多晶娃層和第二多晶娃層兩側；
[0040] 源區和漏區，離子注入於所述第一多晶矽層和第二多晶矽層兩側的高壓阱區內；
[0041] 刻蝕阻擋層，覆蓋於所述第二多晶矽層、源區及漏區上；
[0042] 絕緣膜層，覆蓋於整個半導體襯底上；
[0043] 第一接觸孔、第二接觸孔及第三接觸孔，分別形成於所述第二多晶矽層、源區及漏 區上。
[0044] 如上所述，本發明的高壓電晶體及其製備方法，具有以下有益效果：通過將第一多 晶矽層上的多晶矽間介質層部分或完全去除，之後製作第一接觸孔於第二多晶矽層上，這 樣，高壓電晶體中起作用的多晶矽厚度為第一多晶矽層厚度與第二多晶矽層厚度的總和。 本發明提供的高壓電晶體製備方法有效地增大了多晶矽的厚度，更好地滿足了高壓電晶體 耐壓能力和驅動能力等性能的要求。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0045] 圖la為現有技術的高壓電晶體結構俯視圖。
[0046] 圖lb為現有技術的高壓電晶體沿AA'方向的剖面示意圖。
[0047] 圖2a為本發明高壓電晶體結構俯視圖。
[0048] 圖2b?2c為本發明的高壓電晶體沿AA'方向的剖面示意圖。
[0049] 圖2d?2k為本發明高壓電晶體製備流程結構正視圖。
[0050] 元件標號說明
[0051] 1，1A 半導體襯底
[0052] 2 高壓阱區
[0053] 3, 3A 柵氧化物層
[0054] 4,4A 第一多晶矽層
[0055] 5, 5A 多晶娃間介質層
[0056] 6,6A 第二多晶矽層
[0057] 7 側牆
[0058] 8 輕摻雜區
[0059] 9,9A 源區
[0060] 10, 10A 漏區
[0061] 11 刻蝕阻擋層
[0062] 12 絕緣膜層
[0063] 13 接觸孔
[0064] 131, 131A 第一接觸孔
[0065] 132 第二接觸孔
[0066] 133 第三接觸孔
【具體實施方式】
[0067] 以下通過特定的具體實例說明本發明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書 所揭露的內容輕易地了解本發明的其他優點與功效。本發明還可以通過另外不同的具體實 施方式加以實施或應用，本說明書中的各項細節也可以基於不同觀點與應用，在沒有背離 本發明的精神下進行各種修飾或改變。
[0068] 請參閱附圖。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發明 的基本構想，遂圖式中僅顯示與本發明中有關的組件而非按照實際實施時的組件數目、形 狀及尺寸繪製，其實際實施時各組件的型態、數量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布 局型態也可能更為複雜。
[0069] 實施例一
[0070] 請參閱附圖2a?2k，本發明提供一種高壓電晶體的製備方法，所述製備方法至少 包括以下步驟：
[0071] 首先進行步驟1)，如圖2d所示，在半導體襯底1中的高壓阱區2上自下而上依次 沉積形成柵氧化物層3、第一多晶矽層4及多晶矽間介質層5。
[0072] 其中，所述半導體襯底1為矽襯底或SOI襯底等一切可以支持形成高壓電晶體的 半導體襯底。本實施中，所述半導體襯底1為矽襯底。
[0073] 所述柵氧化物層3形成於半導體襯底1中的高壓阱區2上，優選地，所述柵氧化物 層3採用熱氧化的方法，在乾燥氧氣氣氛中升溫直接在半導體襯底1表面上氧化形成。所 述柵氧化物層3可以採用單層的二氧化矽。
[0074] 優選地，採用化學氣相沉積方法製備形成所述第一多晶矽層4和多晶矽間介質層 5,沉積形成的第一多晶娃層4的厚度為1?1000埃。本實施例中，所述第一多晶娃層4的 厚度為800埃。可選地，所述多晶矽間介質層5為三層的疊層結構，其中，所述疊層結構的 最下層和最上層為二氧化矽，所述疊層結構的中間層為氮化矽，所述多晶矽間介質層5中 每一層的厚度為10?100埃。本實施例中，所述多晶矽間介質層5中每一層的厚度為30 埃。
[0075] 然後進行步驟2)，採用刻蝕工藝去除所述第一多晶矽層4上的部分或全部多晶矽 間介質層5,得到的結構如圖2e和2f所示，其中，圖2e是去除全部多晶矽間介質層5後的 結構不意圖；圖2f是去除部分多晶娃間介質層5後的結構不意圖。
[0076] 在高壓電晶體製備工藝中，形成於高壓電晶體中的所述多晶矽間介質層5是寄生 介質層，該介質層的存在會導致高壓電晶體無法正常工作，因此，在形成第二多晶矽層6之 前，需要將所述第一多晶矽層4上的部分或全部多晶矽間介質層5去除掉。本實施例中，採 用幹法刻蝕工藝去除所述第一多晶矽層4上的部分或全部多晶矽間介質層5。
[0077] 接著進行步驟3)，在所述步驟2)獲得的結構表面沉積第二多晶矽層6,並在第一 多晶矽層4和第二多晶矽層6兩側形成側牆7,如圖2g所示。
[0078] 採用化學氣相沉積方法製備形成所述第二多晶矽層6,製備形成的第二多晶矽層 6的厚度為100?2000埃，本實施例中，第二多晶矽層6的厚度為1000埃。形成第二多晶 矽層6後，所述第一多晶矽層4和第二多晶矽層6形成高壓電晶體的柵極結構。
[0079] 由此可以看出，本發明製備的高壓電晶體的多晶矽厚度為第一多晶矽層4和第二 多晶矽層6的厚度之和，而傳統的製備方法製備的高壓電晶體中起作用的多晶矽厚度僅僅 為第一多晶矽層4的厚度，因此，本發明的高壓電晶體中多晶矽厚度遠遠大於傳統的高壓 電晶體中多晶矽厚度，也就具有更好的工作性能。
[0080] 本實施例中，具體形成側牆7的方法如下：先利用化學氣相沉積法在半導體襯底1 和柵極結構上形成一氮化矽層，當然也可以形成是氮化矽-二氧化矽-氮化矽的疊層結構， 之後採用回蝕法刻蝕這一氮化矽層，形成側牆7。
[0081] 接著進行步驟4)，在所述第一多晶矽層4和第二多晶矽層6兩側的高壓阱區2內 離子注入形成源區9和漏區10,如圖2h所示。
[0082] 形成所述源區9和漏區10的步驟包括：先在第一多晶矽層4和第二多晶矽6層兩 側的高壓阱區2內離子注入形成輕摻雜區8,然後在所述輕摻雜區8內離子注入形成重摻雜 源區9和漏區10。具體地，是在形成所述側牆7之前，先以所述第一多晶矽層4和第二多晶 矽層6形成的柵極結構為掩膜，向該柵極結構兩側的高壓阱區2內注入摻雜離子，形成輕摻 雜區8 ;之後形成側牆7,這時，再以柵極結構和側牆7為掩膜，向輕摻雜區8中繼續進行離 子注入，形成重摻雜源區9和重摻雜漏區10,從重摻雜源區9和重摻雜漏區10即可分別引 出源極和漏極。其中，所述輕摻雜區8具有延伸到柵極結構下方高壓阱區2的延伸區，如圖 2h所示。
[0083] 再進行步驟5)，在所述半導體襯底1上依次沉積刻蝕阻擋層11和絕緣膜層12,所 述刻蝕阻擋層11和絕緣膜層12覆蓋所述第二多晶矽層6、源區9及漏區10。
[0084] 如圖2i所示，所述刻蝕阻擋層11為氮化物層，所述絕緣膜層12為矽酸鹽玻璃。本 實施例中，所述刻蝕阻擋層11為氮化矽。
[0085] 最後進行步驟6)，刻蝕所述刻蝕阻擋層11和絕緣膜層12,分別形成暴露所述第二 多晶矽6層、源區9及漏區10的第一接觸孔131、第二接觸孔132及第三接觸孔133,在所 述接觸孔13中填塞導電材料後獲得高壓電晶體，形成的高壓電晶體結構如圖2j和圖2k所 示，其中，圖2j是去除全部多晶矽間介質層後形成的高壓電晶體整體結構圖；圖2k是去除 部分多晶矽間介質層後形成的高壓電晶體整體結構圖。
[0086] 具體形成第一接觸孔131、第二接觸孔132及第三接觸孔133的步驟為：在所述絕 緣膜層12上旋塗光刻膠(未予以圖示)，並將所述光刻膠圖形化，以圖形化光刻膠為掩膜，對 所述刻蝕阻擋層11和絕緣膜層12進行刻蝕，形成第二多晶矽層接觸孔、源區接觸孔及漏區 接觸孔，這些接觸孔分別定義為第一接觸孔131、第二接觸孔132及第三接觸孔133。形成的 第一接觸孔131，如圖2a、2b和2c所示，其中，2b和2c是圖2a沿AA'方向的剖面示意圖， 具體地，圖2b是全部去除多晶矽間介質層5後第一接觸孔131製作在第二多晶矽層6上的 高壓電晶體局部結構示意圖；圖2c是部分去除多晶矽間介質層5後第一接觸孔131製作在 第二多晶矽層6上的高壓電晶體局部結構示意圖。與傳統高壓電晶體中第一接觸孔131A 不同，本發明的第一接觸孔131製作在第二多晶矽層6上，而傳統的第一接觸孔131A製作 在第一多晶矽層4A上，這就意味著兩種高壓電晶體中參與工作的多晶矽層厚度是明顯不 同的，本發明高壓電晶體的多晶矽層厚度可以更好地滿足性能的要求。
[0087] 實施例二
[0088] 本發明還提供一種高壓電晶體，該高壓電晶體可以由實施例一所述的製備方法制 備獲得，如圖2k所示，該高壓電晶體至少包括：
[0089] 半導體襯底1 ;
[0090] 高壓阱區2,形成於所述半導體襯底中1 ;
[0091] 柵氧化物層3,沉積於所述高壓阱區2上；
[0092] 第一多晶矽層4,沉積於所述柵氧化物層3上；
[0093] 多晶娃間介質層5,形成於所述第一多晶娃層上4 ;
[0094] 第二多晶娃層6,沉積於所述第一多晶娃層4和多晶娃間介質層5上；
[0095] 側牆7,形成於所述第一多晶矽層4和第二多晶矽層6兩側；
[0096] 源區9和漏區10,離子注入於所述第一多晶矽層4和第二多晶矽層6兩側的高壓 阱區2內；
[0097] 刻蝕阻擋層11，覆蓋於所述第二多晶矽層6、源區9及漏區10上；
[0098] 絕緣膜層12,覆蓋於整個半導體襯底1上；
[0099] 第一接觸孔131、第二接觸孔132及第三接觸孔133,分別形成於所述第二多晶矽 層6、源區9及漏區10上。
[0100] 優選地，沉積形成的第一多晶矽層4的厚度為1?1000埃。本實施例中，所述第 一多晶矽層4的厚度為800埃。可選地，所述多晶矽間介質層5為三層的疊層結構，其中， 所述疊層結構的最下層和最上層為二氧化矽，所述疊層結構的中間層為氮化矽，所述多晶 矽間介質層5中每一層的厚度為10?100埃。本實施例中，所述多晶矽間介質層5中每一 層的厚度為30埃。
[0101] 製備形成的第二多晶矽層6的厚度為100?2000埃，本實施例中，第二多晶矽層 6的厚度為1000埃。形成第二多晶娃層6後，所述第一多晶娃層4和第二多晶娃層6形成 高壓電晶體的柵極結構。
[0102] 實施例三
[0103] 本發明還提供另一種高壓電晶體，該高壓電晶體可以由實施例一所述的製備方法 製備獲得，如圖2j所示，其至少包括 ：
[0104] 半導體襯底1 ;
[0105] 高壓阱區2,形成於所述半導體襯底1中；
[0106] 柵氧化物層3,沉積於所述高壓阱區2上；
[0107] 第一多晶矽層4,沉積於所述柵氧化物層3上；
[0108] 第二多晶娃層6,沉積於所述第一多晶娃層4上；
[0109] 側牆7,形成於所述第一多晶娃層4和第二多晶娃層6兩側；
[0110] 源區9和漏區10,離子注入於所述第一多晶矽層4和第二多晶矽層6兩側的高壓 阱區2內；
[0111] 刻蝕阻擋層11，覆蓋於所述第二多晶矽層6、源區9及漏區10上；
[0112] 絕緣膜層12,覆蓋於整個半導體襯底1上；
[0113] 第一接觸孔131、第二接觸孔132及第三接觸孔133,分別形成於所述第二多晶矽 層6、源區9及漏區10上。
[0114] 本實施例與實施例二的區別在於，本實施例是將多晶矽間介質層5完全去除，高 壓電晶體中無多晶矽間介質層5,當高壓電晶體工作時，參與工作的多晶矽層的厚度仍是第 一多晶矽層4和第二多晶矽層6的厚度之和。除了無多晶矽間介質層5,本實施例的高壓晶 體管中其他結構與實施例二相同。
[0115] 優選地，沉積形成的第一多晶矽層4的厚度為1?1000埃。本實施例中，所述第 一多晶矽層4的厚度為800埃。
[0116] 製備形成的第二多晶矽層6的厚度為100?2000埃，本實施例中，第二多晶矽層 6的厚度為1000埃。形成第二多晶娃層6後，所述第一多晶娃層4和第二多晶娃層6形成 高壓電晶體的柵極結構。
[0117] 綜上所述，本發明提供一種高壓電晶體及其製備方法，該製備方法通過將第一多 晶矽層上的多晶矽間介質層部分或完全去除，之後製作第一接觸孔於第二多晶矽層上，這 樣，高壓電晶體中起作用的多晶矽厚度為第一多晶矽層厚度與第二多晶矽層厚度的總和。 本發明提供的高壓電晶體製備方法有效地增大了多晶矽的厚度，更好地滿足了高壓電晶體 耐壓能力和驅動能力等性能的要求。
[0118] 所以，本發明有效克服了現有技術中的種種缺點而具高度產業利用價值。
[0119] 上述實施例僅例示性說明本發明的原理及其功效，而非用於限制本發明。任何熟 悉此技術的人士皆可在不違背本發明的精神及範疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因 此，舉凡所屬【技術領域】中具有通常知識者在未脫離本發明所揭示的精神與技術思想下所完 成的一切等效修飾或改變，仍應由本發明的權利要求所涵蓋。
【權利要求】
1. 一種高壓電晶體的製備方法，其特徵在於，所述製備方法至少包括步驟： 1) 在半導體襯底中的高壓阱區上自下而上依次沉積形成柵氧化物層、第一多晶矽層及 多晶娃間介質層； 2) 採用刻蝕工藝去除所述第一多晶矽層上的部分或全部多晶矽間介質層； 3) 在所述步驟2)獲得的結構表面沉積第二多晶矽層，並在第一多晶矽層和第二多晶矽 層兩側形成側牆； 4) 在所述第一多晶矽層和第二多晶矽層兩側的高壓阱區內離子注入形成源區和漏 區； 5) 在所述半導體襯底上依次沉積刻蝕阻擋層和絕緣膜層，所述刻蝕阻擋層和絕緣膜層 覆蓋所述第二多晶矽層、源區及漏區； 6) 刻蝕所述刻蝕阻擋層和絕緣膜層，分別形成暴露所述第二多晶矽層、源區及漏區的 第一接觸孔、第二接觸孔及第三接觸孔，在所述接觸孔中填塞導電材料後獲得高壓電晶體。
2. 根據權利要求1所述的高壓電晶體的製備方法，其特徵在於：採用化學氣相沉積方 法製備形成所述第一多晶矽層和第二多晶矽層。
3. 根據權利要求2所述的高壓電晶體的製備方法，其特徵在於：沉積形成的第一多晶 矽層的厚度為1?1000埃，第二多晶矽層的厚度為100?2000埃。
4. 根據權利要求1所述的高壓電晶體的製備方法，其特徵在於：所述多晶矽間介質層 為三層的疊層結構，其中，所述疊層結構的最下層和最上層為二氧化矽，所述疊層結構的中 間層為氮化娃；所述多晶娃間介質層中每一層的厚度為10?100埃。
5. 根據權利要求1所述的高壓電晶體的製備方法，其特徵在於：形成所述源區和漏區 的步驟包括：先在第一多晶矽層和第二多晶矽層兩側的高壓阱區內離子注入形成輕摻雜 區，然後在所述輕摻雜區內離子注入形成重摻雜源區和漏區。
6. 根據權利要求1所述的高壓電晶體的製備方法，其特徵在於：採用幹法刻蝕刻蝕阻 擋層和絕緣膜層，所述刻蝕阻擋層為氮化物層，所述絕緣膜層為矽酸鹽玻璃。
7. -種高壓電晶體，其特徵在於，所述高壓電晶體至少包括： 半導體襯底； 高壓阱區，形成於所述半導體襯底中； 柵氧化物層，沉積於所述高壓阱區上； 第一多晶矽層，沉積於所述柵氧化物層上； 多晶娃間介質層，形成於所述第一多晶娃層上； 第二多晶矽層，沉積於所述第一多晶矽層和多晶矽間介質層上； 側牆，形成於所述第一多晶矽層和第二多晶矽層兩側； 源區和漏區，離子注入於所述第一多晶矽層和第二多晶矽層兩側的高壓阱區內； 刻蝕阻擋層，覆蓋於所述第二多晶矽層、源區及漏區上； 絕緣膜層，覆蓋於整個半導體襯底上； 第一接觸孔、第二接觸孔及第三接觸孔，分別形成於所述第二多晶矽層、源區及漏區 上。
8. 根據權利要求7所述的高壓電晶體，其特徵在於：第一多晶矽層的厚度為1?1000 埃，第二多晶矽層的厚度為1〇〇?2000埃。
9. 根據權利要求7所述的高壓電晶體，其特徵在於：所述多晶矽間介質層為三層的疊 層結構，其中，所述疊層結構的最下層和最上層為二氧化矽，所述疊層結構的中間層為氮化 娃，所述多晶娃間介質層中每一層的厚度為10?100埃。
10. -種高壓電晶體，其特徵在於，所述高壓電晶體至少包括： 半導體襯底； 高壓阱區，形成於所述半導體襯底中； 柵氧化物層，沉積於所述高壓阱區上； 第一多晶矽層，沉積於所述柵氧化物層上； 第二多晶矽層，沉積於所述第一多晶矽層上； 側牆，形成於所述第一多晶矽層和第二多晶矽層兩側； 源區和漏區，離子注入於所述第一多晶矽層和第二多晶矽層兩側的高壓阱區內； 刻蝕阻擋層，覆蓋於所述第二多晶矽層、源區及漏區上； 絕緣膜層，覆蓋於整個半導體襯底上； 第一接觸孔、第二接觸孔及第三接觸孔，分別形成於所述第二多晶矽層、源區及漏區 上。
【文檔編號】H01L29/423GK104157570SQ201310178587
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2013年5月15日 優先權日:2013年5月15日
【發明者】李紹彬 申請人:中芯國際集成電路製造(上海)有限公司