布線電路基板及其製造方法

2023-06-10 06:37:16

專利名稱：布線電路基板及其製造方法
技術領域：
本發明涉及布線電路基板及其製造方法。
背景技術：
在手機等信息通信設備中，作為中央運算處理裝置(以下，稱為CPU)與液晶顯示器之間的數位訊號的傳送路徑，使用柔性布線電路(以下，稱為FPC)基板。FP C基板主要包括絕緣層及形成在該絕緣層之上的差動傳送路徑。近年來，伴隨著由信息通信設備傳送的信息量的增大，而謀求所使用的數位訊號的高頻化。然而，在FPC基板中，由於傳送高頻區域的數位訊號，有時差動傳送路徑會產生由高次諧波引起的高頻噪聲。
為了將高頻噪聲隔斷，在形成有差動傳送路徑的絕緣層之上設置金屬制的屏蔽層。這種情況下，在差動傳送路徑中，數位訊號的傳送損失增大。因此，數位訊號的高頻化存在極限。另一方面，通過增加差動傳送路徑的條數，能夠增大在FPC基板中可傳送的信息量。這種情況下，伴隨著FPC基板上的差動傳送路徑的高密度化，差動傳送路徑的布局的自由度受到限制。因此，在差動傳送路徑的長度方向上，當構成差動傳送路徑的導體線路的寬度及間隔不連續時，難以確保差動傳送路徑的差動阻抗的連續性。在日本特開2002-158411號公報中記載有如下情況使絕緣層的與導體電路圖案的局部區域重疊的部分的厚度比絕緣層的與導體電路圖案的其他區域重疊的部分的厚度薄，由此來調整導體電路圖案的局部區域的特性阻抗。這種情況下，通過調整絕緣層的厚度來局部調整差動傳送路徑的差動阻抗，從能夠確保差動阻抗的連續性。然而，在無法調整絕緣層的厚度時，無法確保差動阻抗的連續性。因此，差動傳送路徑的布局的自由度受到限制。

發明內容
本發明的目的在於提供一種能夠確保差動傳送路徑的差動阻抗的連續性並提高差動傳送路徑的布局的自由度的布線電路基板及其製造方法。(I)本發明的一個技術方案的布線電路基板包括第一絕緣層、由第一傳送線路及第二傳送線路構成的差動傳送路徑及第一導體層，以第一導體層隔著第一絕緣層與差動傳送路徑相對的方式層疊第一導體層、第一絕緣層及差動傳送路徑，差動傳送路徑的一部分中的第一傳送線路與第二傳送線路的間隔小於差動傳送路徑的其他的部分中的第一傳送線路與第二傳送線路的間隔，第一導體層的與差動傳送路徑的一部分重疊的部分的厚度小於第一導體層的與差動傳送路徑的其他的部分重疊的部分的厚度。在該布線電路基板中，差動傳送路徑的一部分中的第一傳送線路與第二傳送線路的間隔小於差動傳送路徑的其他的部分中的第一傳送線路與第二傳送線路的間隔。在第一導體層的厚度為恆定的情況下，第一傳送線路與第二傳送線路的間隔較小的差動傳送路徑的部分的差動阻抗小於第一傳送線路與第二傳送線路的間隔較大的差動傳送路徑的部分的差動阻抗。因此，在第一導體層的厚度為恆定時，差動傳送路徑的上述一部分的差動阻抗低於差動傳送路徑的上述其他的部分的差動阻抗。另一方面，差動阻抗與差動傳送路徑的每單位長度的電感的平方根成正比。通過使第一導體層的與差動傳送路徑的上述一部分重疊的部分的厚度小於第一導體層的與差動傳送路徑的上述其他的部分重疊的部分的厚度，能夠提高差動傳送路徑的上述一部分的電感。由此，能夠提高差動傳送路徑的上述一部分的差動阻抗。因此，能夠確保差動阻抗的連續性。另外，能夠確保差動阻抗的連續性且在差動傳送路徑的不同的部分使第一傳送線路與第二傳送線路的間隔不同。因此，差動傳送路徑的布局的自由度提高。如此，能夠確保差動傳送路徑的差動阻抗的連續性並提高差動傳送路徑的布局的自由度。 (2)也可以是，第一絕緣層具有一面及另一面，差動傳送路徑形成在第一絕緣層的一面之上，第一導體層形成在第一絕緣層的另一面之上。這種情況下，能夠使用第一導體層作為接地導體層。由此，差動傳送路徑作為微波帶狀線發揮功能。通過使接地導體層的與差動傳送路徑的上述一部分相對的部分的厚度小於接地導體層的與差動傳送路徑的上述其他的部分相對的部分的厚度，能夠確保差動阻抗的連續性。(3)也可以是，布線電路基板還包括以覆蓋差動傳送路徑的方式形成在第一絕緣層的一面之上的第二絕緣層；以隔著第二絕緣層與差動傳送路徑相對的方式形成在第二絕緣層之上的第二導體層，第二導體層的與差動傳送路徑的一部分重疊的部分的厚度小於第二導體層的與差動傳送路徑的其他的部分重疊的部分的厚度。這種情況下，通過使第二導體層的與差動傳送路徑的上述一部分相對的部分的厚度小於第二導體層的與差動傳送路徑的上述其他的部分相對的部分的厚度，能夠充分地提高差動傳送路徑的上述一部分的差動阻抗。其結果，能夠確保差動阻抗的連續性。(4)布線電路基板還包括第二絕緣層，該第二絕緣層具有一面，差動傳送路徑形成在第二絕緣層的一面之上，第一絕緣層以覆蓋差動傳送路徑的方式形成在第二絕緣層的一面之上，第一導體層以隔著第一絕緣層與差動傳送路徑相對的方式形成在第一絕緣層之上。這種情況下，能夠使用第一導體層作為用於將從差動傳送路徑放射的噪聲隔斷的屏蔽層。通過使屏蔽層的與差動傳送路徑的上述一部分相對的部分的厚度小於屏蔽層的與差動傳送路徑的上述其他的部分相對的部分的厚度，能夠確保差動阻抗的連續性。(5)也可以是，第一導體層的與差動傳送路徑的一部分重疊的部分的厚度小於第一導體層的與在差動傳送路徑中傳送的信號的頻率相對應的趨膚深度。在第一導體層處於小於第一導體層的與在差動傳送路徑中傳送的信號的頻率相對應的趨膚深度的範圍內時，差動阻抗相對於第一導體層的厚度的變化率變大。由此，通過使第一導體層的與差動傳送路徑的上述一部分重疊的部分的厚度小於第一導體層的與在差動傳送路徑中傳送的信號的頻率相對應的趨膚深度，能夠增大差動阻抗的可調整的範圍。其結果，能夠容易地確保差動阻抗的連續性。
(6)本發明的另ー技術方案的布線電路基板的製造方法包括製作層疊體的エ序，該製作層疊體的エ序以第一導體層隔著第一絕緣層與由第一傳送線路及第ニ傳送線路構成的差動傳送路徑相対的方式層疊第一導體層、第一絕緣層及差動傳送路徑，製作層疊體的エ序包括以差動傳送路徑的一部分中的第一傳送線路與第二傳送線路的間隔小於差動傳送路徑的其他的部分中的第一傳送線路與第二傳送線路的間隔的方式形成差動傳送路徑的エ序；以第一導體層的與差動傳送路徑的一部分重疊的部分的厚度小於第一導體層的與差動傳送路徑的其他的部分重疊的部分的厚度的方式形成第一導體層的エ序。在該布線電路基板的製造方法中，以差動傳送路徑的一部分中的第一傳送線路與第二傳送線路的間隔小於差動傳送路徑的其他的部分中的第一傳送線路與第二傳送線路的間隔的方式形成差動傳送路徑。在第一導體層的厚度為恆定時，第一傳送線路與第二傳送線路的間隔較小的差動傳送路徑的部分的差動阻抗小於第一傳送線路與第二傳送線路的間隔較大的差動傳送路徑的部分的差動阻杭。因此，在第一導體層的厚度為恆定時，差動傳送路徑的上述一部分的差動阻抗低於差動傳送路徑的上述其他的部分的差動阻杭。 另ー方面，差動阻抗與差動傳送路徑的每單位長度的電感的平方根成正比。以第一導體層的與差動傳送路徑的上述一部分重疊的部分的厚度小於第一導體層的與差動傳送路徑的上述其他的部分重疊的部分的厚度的方式形成第一導體層。由此，能夠提高差動傳送路徑的上述一部分的電感。由此，能夠提高差動傳送路徑的上述一部分的差動阻杭。因此，能夠確保差動阻抗的連續性。另外，能夠確保差動阻抗的連續性且在差動傳送路徑的不同的部分使第一傳送線路與第二傳送線路的間隔不同。因此，差動傳送路徑的布局的自由度提高。如此，能夠確保差動傳送路徑的差動阻抗的連續性並提高差動傳送路徑的布局的自由度。(7)也可以是，第一絕緣層具有一面及另一面，形成差動傳送路徑的エ序包括將差動傳送路徑形成在第一絕緣層的一面之上的エ序，形成第一導體層的エ序包括將第一導體層形成在第一絕緣層的另一面之上的エ序。這種情況下，能夠使用第一導體層作為接地導體層。由此，差動傳送路徑作為微波帯狀線發揮功能。通過使接地導體層的與差動傳送路徑的上述一部分相対的部分的厚度小於接地導體層的與差動傳送路徑的上述其他的部分相対的部分的厚度，能夠確保差動阻抗的連續性。(8)也可以是，布線電路基板的製造方法還包括以覆蓋差動傳送路徑的方式在第一絕緣層的一面之上形成第二絕緣層的エ序；以第二導體層隔著第二絕緣層與差動傳送路徑相對的方式在第二絕緣層之上形成第二導體層的エ序，形成第二導體層的エ序包括以第ニ導體層的與差動傳送路徑的一部分重疊的部分的厚度小於第二導體層的與差動傳送路徑的其他的部分重疊的部分的厚度的方式形成第二導體層的エ序。這種情況下，通過使第二導體層的與差動傳送路徑的上述一部分相対的部分的厚度小於第二導體層的與差動傳送路徑的上述其他的部分相対的部分的厚度，能夠充分地提高差動傳送路徑的上述一部分的差動阻杭。其結果，能夠確保差動阻抗的連續性。(9)也可以是，製作層疊體的エ序還包括形成第一絕緣層的エ序，形成差動傳送路徑的エ序包括在具有一面的第二絕緣層的一面之上形成差動傳送路徑的エ序，形成第一絕緣層的エ序包括以覆蓋差動傳送路徑的方式在第二絕緣層的一面之上形成第一絕緣層的エ序，形成第一導體層的エ序包括以隔著第一絕緣層與差動傳送路徑相対的方式在第一絕緣層之上形成第一導體層的エ序。這種情況下，能夠使用第一導體層作為用於將從差動傳送路徑放射的噪聲隔斷的屏蔽層。通過使屏蔽層的與差動傳送路徑的上述一部分相対的部分的厚度小於屏蔽層的與差動傳送路徑的上述其他的部分相対的部分的厚度，能夠確保差動阻抗的連續性。(10)也可以是，形成第一導體層的エ序包括使第一導體層的與差動傳送路徑的一部分重疊的部分的厚度小於第一導體層的與在差動傳送路徑中傳送的信號的頻率相對應的趨膚深度的エ序。在第一導體層處於小於第一導體層的與在差動傳送路徑中傳送的信號的頻率相對應的趨膚深度的範圍內時，能夠增大差動阻抗相對於第一導體層的厚度的變化率。由此，通過使第一導體層的與差動傳送路徑的上述一部分重疊的部分的厚度小於第一導體層的 與在差動傳送路徑中傳送的信號的頻率相對應的趨膚深度，能夠增大差動阻抗的可調整的範圍。其結果，能夠容易地確保差動阻抗的連續性。


圖I是第一實施方式的FPC基板的示意性俯視圖。圖2的(a)是圖I的A-A剖視圖。圖2的(b)是圖I的B-B剖視圖。圖3的(a) (d)是表示圖I及圖2的FPC基板的製造方法的一例的示意性エ序首1J視圖。圖4的(a) (d)是表示圖I及圖2的FPC基板的製造方法的一例的示意性エ序首1J視圖。圖5是表不第一模擬的結果的圖。圖6是表示第二模擬的結果的圖。圖7是表示第三模擬的結果的圖。圖8的(a)及圖8的(b)是表示第二實施方式的FPC基板的結構的剖視圖。圖9是表示第四模擬的結果的圖。圖10的(a)及圖10的(b)是表示第三實施方式的FPC基板的結構的剖視圖。圖11的(a) (d)是表示第四實施方式的FPC基板的製造方法的示意性エ序剖視圖。圖12的(a) (d)是表示第四實施方式的FPC基板的製造方法的示意性エ序剖視圖。圖13的(a) (d)是表示第五實施方式的FPC基板的製造方法的示意性エ序剖視圖。圖14是表不第六實施方式的FPC基板的不意性俯視圖。圖15的(a)及圖15的(b)是表不第七實施方式的FPC基板的不意性剖視圖。
具體實施例方式參照附圖，說明本發明的實施方式的布線電路基板及其製造方法。以下，作為本發明的實施方式的布線電路基板，說明具有彎曲性的柔性布線電路基板(以下，稱為FPC基板)的結構及其製造方法。[I]第一實施方式(I) FPC基板的結構圖I是第一實施方式的FPC基板的示意性俯視圖。圖2的(a)是圖I的A-A剖視圖，圖2的(b)是圖I的B-B剖視圖。如圖I及圖2的(a)、(b)所示，FPC基板I主要具有基體絕緣層10、兩個差動傳送路徑20、覆蓋絕緣層30及接地導體層40。在基體絕緣層10的上表面設有第一區域al、第二區域a2、第三區域a3及第四區域a4。以從第一區域al向第二區域a2延伸的方式設置兩個差動傳送路徑20。各差動傳 送路徑20用於傳送差動信號，由ー對傳送線路20a、20b構成。兩個差動傳送路徑20彼此相鄰配置。在兩個差動傳送路徑20的長度方向上，第二區域a2的寬度小於第一區域al的寬度。第二區域a2、第三區域a3及第四區域a4沿著與兩個差動傳送路徑20的長度方向正交的方向排列設置。第二區域a2位於第三區域a3及第四區域a4之間。在各傳送線路20a、20b的一端部及另一端部分別形成有連接焊盤21、22。ー對傳送線路20a、20b從一端部到另一端部彼此隔開間隔而相鄰。在基體絕緣層10的第一區域al及第ニ區域a2之上設有覆蓋絕緣層30，該覆蓋絕緣層30覆蓋ー對傳送線路20a、20b的除了連接焊盤21、22之外的部分。各傳送線路20a、20b的連接焊盤21、22用於與電子設備等的端子連接。在基體絕緣層10的第三區域a3之上安裝有電子部件2。三條傳送線路90以規定的圖案形成在基體絕緣層10的第四區域a4之上。在各傳送線路90的一端部及另一端部分別形成有連接焊盤91、92。而且，在基體絕緣層10的第四區域a4之上設有覆蓋絕緣層30，該覆蓋絕緣層30覆蓋傳送線路90的除了連接焊盤91、92之外的部分。各傳送線路90的連接焊盤91、92用於與電子設備等的端子連接。在基體絕緣層10的下表面形成有接地導體層40。由此，接地導體層40與差動傳送路徑20隔著基體絕緣層10相対。接地導體層40包括第二導體層41及金屬薄膜42。在基體絕緣層10的上表面，為了確保電子部件2的安裝區域而設有第三區域a3，為了確保差動傳送路徑20以外的傳送線路90的形成區域而設有第四區域a4。因此，差動傳送路徑20的形成區域被限制在設置於第三區域a3與第四區域a4之間的第二區域a2之上。由此，FPC基板I的與第二區域a2之上的ー對傳送線路20a、20b正交的任意的截面中的一對傳送線路20a、20b的間隔S設定得小於FPC基板I的與第一區域al之上的一對傳送線路20a、20b正交的任意的截面中的ー對傳送線路20a、20b的間隔S。如後述的第一模擬結果所示，在第一區域al 第四區域a4中，當接地導體層40的厚度設定為恆定時，在FPC基板I的與ー對傳送線路20a、20b正交的任意的截面中，當一對傳送線路20a、20b的間隔S減小吋，差動傳送路徑20的間隔S較小的部分的差動阻抗降低。這種情況下，為了確保差動傳送路徑20的差動阻抗的連續性，優選調整傳送線路20a的寬度Wl及傳送線路20b的寬度W2。在本例中，第二區域a2之上的ー對傳送線路20a、20b的間隔S小於第一區域al之上的傳送線路20a、20b的間隔S。因此，在第二區域a2之上的傳送線路20a、20b的寬度Wl、W2與第一區域al之上的傳送線路20a、20b的寬度Wl、W2相等時，第二區域a2的差動阻抗降低。根據後述的第一模擬結果，通過減小傳送線路20a的寬度Wl及傳送線路20b的寬度W2，能夠提高第二區域a2的差動阻杭。然而，在恆定的誤差範圍內能夠形成的傳送線路20a、20b的尺寸存在極限。即，傳送線路20a的寬度Wl及傳送線路20b的寬度W2的值存在下限值。因此，在無法減小傳送線路20a的寬度Wl及傳送線路20b的寬度W2吋，無法提高第二區域a2的差動阻杭。因此，無法確保差動阻抗的連續性。根據後述的第二模擬結果及第三模擬結果，即使在傳送線路20a的寬度W1、傳送線路20b的寬度W2及ー對傳送線路20a、20b的間隔S恆定的情況下，通過變更接地導體層40的厚度，也能夠調整差動傳送路徑20的差動阻抗。 因此，在本實施方式中，接地導體層40的與第二區域a2重疊的部分的厚度t42設定得小於接地導體層40的與第一區域al、第三區域a3及第四區域a4重疊的部分的厚度t40。由此，能夠將第二區域a2中的差動傳送路徑20的差動阻抗調整成與第一區域al中的差動傳送路徑20的差動阻抗一致。其結果，能確保差動傳送路徑20的差動阻抗的連續性。另外，接地導體層40的厚度t42處於遠小於接地導體層40的與在差動傳送路徑20中傳送的數位訊號的頻率相對應的趨膚深度的範圍內時，差動阻抗相對於接地導體層40的厚度t42的變化率増大。因此，在圖I及圖2的FPC基板I中，第二區域a2中的接地導體層40的厚度t42優選設定成小於接地導體層40的與在差動傳送路徑20中傳送的數位訊號的頻率相對應的趨膚深度。由此，能夠增大差動阻抗的可調整的範圍。其結果，能夠容易確保差動阻抗的連續性。如上所述，能夠確保差動阻抗的連續性並使第一區域al中的傳送線路20a、20b的間隔S與第二區域a2中的傳送線路20a、20b的間隔S不同。因此，能夠確保差動傳送路徑20的差動阻抗的連續性並提高差動傳送路徑20的布局的自由度。而且，基體絕緣層10之上的電子部件2的安裝區域及3條傳送線路90的布局的自由度提高。(2) FPC基板I的製造方法圖3及圖4是表示圖I及圖2的FPC基板I的製造方法的一例的示意性エ序剖視圖。圖I及圖2的FPC基板I例如通過減去法來製作。圖3的(a)、(c)及圖4的(a)、(c)表示與圖I的A-A截面相當的截面，圖3的(b)、(d)及圖4的(b)、(d)表示與圖I的B-B截面相當的截面。以下，省略在圖I的第三區域a3之上安裝電子部件2這一點及在圖I的第四區域a4之上形成3條傳送線路90這一點的說明。因此，在圖3及圖4中，省略圖I的電子部件2及傳送線路90的圖示。首先，如圖3的(a)、(b)所示，準備三層基材3。在三層基材3中，在基體絕緣層10的上表面及下表面分別設有第一導體層20x及第ニ導體層41。基體絕緣層10由聚醯亞胺構成，第一導體層20x及第ニ導體層41由銅構成。基體絕緣層10的厚度tlO例如為5 μ m 50 μ m，優選為10 μ m 25 μ m。第一導體層20x的厚度t20例如為3 μ m 40 μ m,優選為8 μ m 25 μ m。同樣地,第二導體層41的厚度t41例如為3 μ m 40 μ m,優選為8 μ m 25 μ m。接下來，如圖的3 (c)、(d)所示，利用通常的光致抗蝕劑形成エ序、曝光エ序、顯影エ序及蝕刻エ序，對第一導體層20x進行圖案形成，從而在基體絕緣層10的上表面形成兩個差動傳送路徑20。在各差動傳送路徑20中，ー對傳送線路20a、20b相鄰。同樣地，利用通常的光致抗蝕劑形成エ序、曝光エ序、顯影エ序及蝕刻エ序，對第ニ導體層41進行圖案形成。在本例中，第二導體層41的在與基體絕緣層10正交的方向上與基體絕緣層10的第二區域a2重疊的部分被除去。ー對傳送線路20a、20b的寬度Wl、W2例如為10 μ m 100 μ m，優選為10 μ m 75 μ m。在本例中，第一區域al中的傳送線路20a的寬度Wl與第二區域a2中的傳送線路20a的寬度Wl相等。而且，第一區域a I中的傳送線路20b的寬度W2與第二區域a2中的傳送線路20b的寬度W2相等。ー對傳送線路20a、20b的間隔S例如為20 μ m 200 μ m,優 選為20μπι ΙΟΟμπι。在本例中，第一區域a I中的ー對傳送線路20a、20b的間隔S大於第二區域a2中的ー對傳送線路20a、20b的間隔S。另外，在圖I及圖2的FPC基板I中，第四區域a4的3條傳送線路90在上述的差動傳送路徑20的形成エ序中通過對第一導體層20x進行圖案形成而與差動傳送路徑20 —起形成在基體絕緣層10之上。接下來，如圖4的(a)、(b)所示，通過濺射、蒸鍍或非電解鍍等一般的方法，以覆蓋基體絕緣層10的下表面、第二導體層41的下表面及由圖案形成所形成的第二導體層41的側面的方式形成金屬薄膜42。如此，在基體絕緣層10的下表面形成由第二導體層41及金屬薄膜42構成的接地導體層40。金屬薄膜42是銅薄膜。金屬薄膜42的厚度t42例如為O. 08 μ m I μ m，優選為O. I μ m O. 5 μ m。接下來，如圖4的(C)、(d)所示，在基體絕緣層10的上表面上形成由聚醯亞胺構成的覆蓋絕緣層30。覆蓋絕緣層30的厚度t 30例如為5μπι 50μπι，優選為IOym 25 μ m0如上述那樣，完成FPC基板I。作為基體絕緣層10及覆蓋絕緣層30的材料，也可以取代聚醯亞胺而使用環氧材料等其他的絕緣材料。作為第一導體層20x、第二導體層41及金屬薄膜42的材料，可以取代銅而使用金、鎳或鋁等其他的金屬，也可以使用銅合金或鋁合金等合金。第二導體層41及金屬薄膜42構成接地導體層40。在本實施方式中，說明了使用三層基材3在基體絕緣層10的上表面形成差動傳送路徑20且在基體絕緣層10的下表面形成接地導體層40的例子，但差動傳送路徑20及接地導體層40的形成方法並不限於此。例如，也可以準備單層的基體絕緣層10來作為基材，在其上表面及下表面分別形成導體層，並通過圖案形成來形成差動傳送路徑20及接地導體層40。如上所述，在本實施方式中，說明了在基體絕緣層10的上表面及下表面通過減去法形成差動傳送路徑20及接地導體層40的例子。並不限於此，差動傳送路徑20及接地導體層40也可以使用半添加法或添加法等其他的方法形成。
在圖I的FPC基板I中，在第三區域a3設置電子部件2，但也可以取代電子部件2而在第三區域a3設置其他的接地導體層。(3)各構成要素的尺寸與差動傳送路徑的傳送特性之間的關係(3-1)第一模擬在此，關於傳送線路20a、20b的間隔S不同的多種FP C基板1，通過第一模擬求出了傳送線路20a、20b的寬度Wl、W2與差動阻抗Zdiff之間的關係。具體而言，關於傳送線路20a、20b的間隔S為40 μ m、50 μ m、75 μ m及100 μ m這四種FPC基板I，求出了傳送線路20a、20b的寬度Wl、W2與差動阻抗Zdiff之間的關係。將傳送線路20a、20b的寬度W1、W2設定為從10 μ m到100 μ m。接地導體層40的厚度t40恆定為13 μ m。
在第一模擬中，傳送線路20a、20b的寬度Wl、W2從一端部到另一端部設定成彼此相等且恆定。而且，ー對傳送線路20a、20b的間隔S也從一端部到另一端部設定成彼此相等且恆定。而且，隔著基體絕緣層10與傳送線路20a、20b相対的接地導體層40的厚度t40設定成恆定。傳送線路20a、20b的厚度t20為13μπι，基體絕緣層10的厚度tlO為25 μ m。覆蓋絕緣層30的厚度t30為28 μ m。圖5是表示第一模擬的結果的圖。在圖5中，縱軸表示差動傳送路徑20的差動阻抗Zdiff，橫軸表示傳送線路20a、20b的寬度Wl、W2。如圖5所示，在傳送線路20a、20b的間隔S為40 μ m時，傳送線路20a、20b的寬度Wl、W2越小、差動阻抗Zdiff越高，傳送線路20a、20b的寬度Wl、W2越大、差動阻抗Zdiff越低。同樣地，在傳送線路20a、20b的間隔S為50 μ m、75 μ m及100 μ m時，傳送線路20a、20b的寬度Wl、W2越小、差動阻抗Zdiff也越高，傳送線路20a、20b的寬度Wl、W2越大、差動阻抗Zdiff也越低。另ー方面，在傳送線路20a、20b的寬度W1、W2為恆定時，傳送線路20a、20b的間隔S越小、差動阻抗Zdiff越低，傳送線路20a、20b的間隔S越大、差動阻抗Zdiff越高。因此，可知在傳送線路20a、20b的長度方向上，當傳送線路20a、20b的寬度W1、W2為恆定且傳送線路20a、20b的間隔S局部變小吋，差動傳送路徑20的傳送線路20a、20b的間隔S變小的部分的差動阻抗ZdifT低於差動傳送路徑20的其他的部分的差動阻抗Zdiff0這種情況下，考慮將傳送線路20a、20b的間隔S變小的部分的傳送線路20a、20b的寬度W1、W2減小。由此，通過提高傳送線路20a、20b的間隔S變小的部分的差動阻抗Zdiff，能夠確保傳送線路20a、20b的長度方向的差動阻抗Zdiff的連續性。然而，如上所述，傳送線路20a的寬度Wl及傳送線路20b的寬度W2的值存在下限值。因此，在無法減小傳送線路20a的寬度Wl及傳送線路20b的寬度W2吋，無法確保差動阻抗Zdiff的連續性。(3-2)第二模擬在向差動傳送路徑20傳送的數位訊號的頻率較高的情況下(例如，IOOMHz以上)，差動傳送路徑20的差動阻抗ZdifT能夠通過下式(I)來近似。Zdiff=^(Zzc) · ■ ■ (I)在式(I)中，L表示差動傳送路徑20的每單位長度的電感，C表示差動傳送路徑20的每單位長度的電容。在此，通過第二模擬求出了差動傳送路徑20的差動阻抗Zdiff與在差動傳送路徑20中傳送的數位訊號的頻率之間的關係。具體而言，關於傳送線路20a、20b的間隔S為50 μ m、75 μ m及100 μ m、接地導體層40的厚度t40恆定為10 μ m、且傳送線路20a、20b的寬度Wl、W2恆定為50 μ m這三種FPC基板1，求出了差動阻抗Z diff與數位訊號的頻率之間的關係。同樣地，關於傳送線路20a、20b的間隔S為50 μ m、75 μ m及ΙΟΟμπι、接地導體層40的厚度t40恆定為O. I μ m、且傳送線路20a、20b的寬度Wl、W2恆定為50 μ m這三種FPC基板1，求出了差動阻抗Zdiff與數位訊號的頻率之間的關係。將數位訊號的頻率設定在30MHz左右至IGHz的範圍。在第二模擬中，傳送線路20a、20b的寬度Wl、W2從一端部到另一端部設定成彼此相等且恆定。而且，ー對傳送線路20a、20b的間隔S也從一端部到另一端部設定成彼此相等且恆定。此外，隔著基體絕緣層10與傳送線路20a、20b相対的接地導體層40的厚度t40設定成恆定。傳送線路20a、20b的厚度t20為13μπι，基體絕緣層10的厚度tlO為25 μ m。 覆蓋絕緣層30的厚度t30為28 μ m。圖6是表示第二模擬的結果的圖。在圖6中，縱軸表示差動傳送路徑20的電感L，橫軸表示在差動傳送路徑20中傳送的數位訊號的頻率。如圖6所示，可知在接地導體層40的厚度t40為10 μ m且數位訊號的頻率處於從30MHz左右到IGH z的範圍內時，傳送線路20a、20b的間隔S越大、電感L越高，傳送線路20a、20b的間隔S越小、電感L越低。同樣地可知在接地導體層40的厚度t40為O. I μ m且數位訊號的頻率處於從30MHz左右到IGHz的範圍內時，傳送線路20a、20b的間隔S越大、電感L越高，傳送線路20a、20b的間隔S越小、電感L越低。此外，在傳送線路20a、20b的間隔S為50 μ m且數位訊號的頻率處於從30MHz左右到IGH z的範圍內的情況下，接地導體層40的厚度t40為O. I μ m時的電感L高於接地導體層40的厚度t40為IOym時的電感し同樣地，在傳送線路20a、20b的間隔S為75 μ m及100 μ m且數位訊號的頻率處於從30MHz左右到IGHz的範圍內的情況下，接地導體層40的厚度t40為O. I μ m時的電感L高於接地導體層40的厚度t40為10 μ m時的電感し根據第二模擬結果可知在數位訊號的頻率處於從30MHz左右到IGHz的範圍內時，通過變更接地導體層40的厚度t40，能夠調整差動傳送路徑20的電感し由此，從上式(I)可知通過變更接地導體層40的厚度t40，能夠調整差動傳送路徑20的差動阻抗Zdiff0在此，在接地導體層40的厚度t40大於接地導體層40的與在差動傳送路徑20中傳送的數位訊號的頻率相對應的趨膚深度的情況下，當數位訊號在差動傳送路徑20中傳送時，在接地導體層40中容易產生充分的渦電流。因此，在接地導體層40的厚度t40大於接地導體層40的與數位訊號的頻率相對應的趨膚深度的範圍內，差動阻抗Zdiff相對於接地導體層40的厚度t40的變化率減小。另ー方面，接地導體層40的厚度t40比接地導體層40的表皮深度越小，當數位訊號在差動傳送路徑20中傳送時，在接地導體層40中產生的渦電流越小。因此，在接地導體層40的厚度t40比接地導體層40的與數位訊號的頻率相對應的趨膚深度越小時，差動阻抗Zdiff相對於接地導體層40的厚度t40的變化率越大。如上所述，優選使接地導體層40的厚度t40遠小於接地導體層40的與數位訊號的頻率相對應的趨膚深度。由此，能夠增大差動阻抗Zdiff的可調整的範圍。其結果，能夠容易地確保差動阻抗Zdiff的連續性。例如，在差動傳送路徑20為銅且在差動傳送路徑20中傳送的數位訊號的頻率為IGHz時，接地導體層40的趨膚深度為2.09 μ m。因此，在將IGHz以下的頻率的數位訊號向差動傳送路徑20傳送吋，圖I的第二區域a2中的接地導體層40的厚度t42優選設定在大於Oym且遠小於2. 09μηι的範圍內。(3-3)第三樽擬通過第三模擬求出了差動傳送路徑20的差動阻抗Zdiff與接地導體層40的厚度t40之間的關係。 具體而言，關於傳送線路20a、20b的間隔S為50 μ m、75 μ m及100 μ m、且傳送線路20a、20b的寬度W1、W2恆定為50 μ m這三種FPC基板1，求出了差動阻抗Zdiff與接地導體層40的厚度t40之間的關係。將接地導體層40的厚度t40設定為從O. I μ m到10 μ m。在本例中，在差動傳送路徑20中傳送的數位訊號的頻率為1GHz。因此，接地導體層40的趨膚深度為2. 09 μ m。在第三模擬中，傳送線路20a、20b的寬度Wl、W2從一端部到另一端部設定成彼此相等且恆定。而且，ー對傳送線路20a、20b的間隔S也從一端部到另一端部設定成彼此相等且恆定。此外，隔著基體絕緣層10與傳送線路20a、20b相対的接地導體層40的厚度t40設定成恆定。傳送線路20a、20b的厚度t20為13 μ m，基體絕緣層10的厚度tlO為25 μ m。覆蓋絕緣層30的厚度t30為28 μ m。圖7是表示第三模擬的結果的圖。在圖7中，縱軸表示差動傳送路徑20的差動阻抗Zdiff，橫軸表示接地導體層40的厚度t40。如圖7所示，在傳送線路20a、20b的間隔S為50 μ m時，差動傳送路徑20的差動阻抗ZdifT隨著接地導體層40的厚度t40從O. I μ m接近I μ m而變小。在接地導體層40的厚度t40處於從I μ m到10 μ m的範圍內吋，差動傳送路徑20的差動阻抗Zdiff的值大致恆定。同樣地，在傳送線路20a、20b的間隔S為75 μ m及100 μ m時，差動傳送路徑20的差動阻抗ZdifT隨著接地導體層40的厚度t40從O. I μ m接近I μ m而變小。在接地導體層40的厚度t40處於從I μ m到10 μ m的範圍內吋，差動傳送路徑20的差動阻抗Zdiff的值大致恆定。由此可知在傳送線路20a、20b的間隔S為恆定時，通過在比趨膚深度(2. 09 μ m)小的O. I μ m至I μ m的範圍內調整接地導體層40的厚度t40，能夠充分地調整差動傳送路徑20的差動阻抗Zdiff。[2]第二實施方式(I) FPC基板的結構關於第二實施方式的FPC基板的結構，說明與第一實施方式的FPC基板I不同的點。
圖8是表示第二實施方式的FPC基板的結構的剖視圖。圖8的(a)表示與圖I的A-A截面相當的截面，圖8的(b)表示與圖I的B-B截面相當的截面。如圖8的(a)、(b)所示，在第二實施方式的FPC基板I中，在圖I的覆蓋絕緣層30的上表面設有屏蔽層，該屏蔽層用於將從差動傳送路徑20放射的高頻噪聲隔斷。如圖8的(a)、(b)所示，屏蔽層50與差動傳送路徑20隔著覆蓋絕緣層30相対。屏蔽層50包含金屬薄膜51及鍍層52。金屬薄膜51及鍍層52由銅構成。金屬薄膜51的厚度例如為O. 08 μ m I μ m,優選為O. I μ m O. 5 μ m。鍍層52的厚度例如為2 μ m 25 μ m,優選為3 μ m 20 μ m。根據後述的第四模擬結果，在傳送線路20a的寬度W1、傳送線路20b的寬度W2及ー對傳送線路20a、20b的間隔S為恆定吋，差動傳送路徑20的差動阻抗Zdiff隨著屏蔽層50的厚度增大而降低，隨著屏蔽層50的厚度減小而升高。因此，屏蔽層50的與第二區域a2重疊的部分的厚度設定成比屏蔽層50的與第一 區域al、第三區域a3及第四區域a4重疊的部分的厚度小。由此，差動阻抗Zdiff的可調整的範圍擴大。S卩，在即便調整接地導體層40的厚度t40也無法充分提高第二區域a2中的差動阻抗Zdiff的情況下，使屏蔽層50的與第二區域a2重疊的部分的厚度比其他的部分小。由此，能夠進ー步提高差動阻抗Zdiff。其結果，能確保差動傳送路徑20中的差動阻抗ZdifT的連續性。屏蔽層50的與第二區域a2重疊的部分的厚度優選設定成遠小於屏蔽層50的與數位訊號的頻率相對應的趨膚深度。這種情況下，也能夠增大差動阻抗ZdifT的可調整的範圍。其結果，能夠容易地確保差動阻抗Zdiff的連續性。本例的FPC基板I如下那樣製作。在圖4的(c)、(d)的エ序之後，通過濺射、蒸鍍或非電解鍍等一般的方法，在覆蓋絕緣層30的上表面形成金屬薄膜51。接下來，在除了與第二區域a2重疊的部分的區域，通過電解鍍而在金屬薄膜51之上形成鍍層52。由此，完成圖8的FPC基板I。在本實施方式中，作為金屬薄膜51及鍍層52的材料，可以取代銅而使用金、鎳或鋁等的其他的金屬，也可以使用銅合金或鋁合金等合金。(2)第四模擬關於設有屏蔽層50的FPC基板1，通過第四模擬求出了差動傳送路徑20的差動阻抗Zdiff與屏蔽層50的厚度之間的關係。具體而言，關於傳送線路20a、20b的間隔S為50 μ m、75 μ m及100 μ m且傳送線路20a、20b的寬度W1、W2恆定為40 μ m這三種FPC基板1，求出了差動阻抗Zdiff與接地導體層40的厚度t40之間的關係。將屏蔽層50的厚度設定為從0.07 μ m左右到10 μ m。在本例中，在差動傳送路徑20中傳送的數位訊號的頻率為IGH Z0因此，屏蔽層50的趨膚深度為 2. 09 μ m。在第四模擬中，傳送線路20a、20b的寬度Wl、W2從一端部到另一端部設定成彼此相等且恆定。而且，ー對傳送線路20a、20b的間隔S也從一端部到另一端部設定成彼此相等且恆定。此外，隔著基體絕緣層10與傳送線路20a、20b相対的接地導體層40的厚度t40設定成恆定。而且，隔著覆蓋絕緣層30與傳送線路20a、20b相対的屏蔽層50的厚度設定成恆定。傳送線路20a、20b的厚度t20為13 μ m，基體絕緣層10的厚度tlO為25 μ m。覆蓋絕緣層30的厚度t30為38 μ m。圖9是表示第四模擬的結果的圖。在圖9中，縱軸表示差動傳送路徑20的差動阻抗Zdiff，橫軸表示屏蔽層50的厚度。如圖9所示，在傳送線路20a、20b的間隔S為50 μ m時，差動傳送路徑20的差動阻抗Zdiff隨著屏蔽層50的厚度從O. 07 μ m左右接近I μ m而變小。在屏蔽層50的厚度從I μ m到10 μ m的範圍內，差動傳送路徑20的差動阻抗Zdiff的值為大致恆定。同樣地，在傳送線路20a、20b的間隔S為75 μ m及100 μ m的情況下，隨著屏蔽層50的厚度從O. 07 μ m左右接近I μ m而差動傳送路徑20的差動阻抗Zdiff變小。在屏蔽層50的厚度處於從I μ m到10 μ m的範圍內吋，差動傳送路徑20的差動阻抗Zdiff的值為大致恆定。
由此可知在傳送線路20a、20b的間隔S為恆定的情況下，通過在比趨膚深度(2. 09 μ m)小的O. 07 μ m左右至I μ m的範圍內調整屏蔽層50的厚度，能夠調整差動傳送路徑20的差動阻抗Zdiff。[3]第三實施方式關於第三實施方式的FPC基板的結構，說明與第二實施方式的FPC基板I不同的點。圖10是表示第三實施方式的FPC基板的結構的剖視圖。圖10的(a)表示與圖I的A-A截面相當的截面，圖10的(b)表示與圖I的B-B截面相當的截面。如圖10的(a)、(b)所示，在第三實施方式的FPC基板I中，在圖8的基體絕緣層10的下表面形成了具有恆定的厚度t40的第二導體層41。而且，在第二導體層41的下表面未形成圖8的金屬薄膜42。如圖10所示，在本實施方式的FPC基板I中，在屏蔽層50的與第二區域a2重疊的部分的厚度設定成小於屏蔽層50的與第一區域al、第三區域a3及第四區域a4重疊的部分的厚度時，第一區域al至第四區域a4中的接地導體層40的厚度t40也可以設定成恆定。這種情況下，也能夠調整差動傳送路徑20的差動阻抗Zdiff。因此，能夠確保差動阻抗Zdiff的連續性。[4]第四實施方式關於第四實施方式的FPC基板，說明與第一實施方式的FPC基板I不同的點及製造方法。圖11及圖12是表示第四實施方式的FPC基板的製造方法的示意性エ序剖視圖。圖11的(a)、(C)及圖12的(a)、(C)表示與圖I的A-A截面相當的截面，圖11的(b)、(d)及圖12的(b)、(d)表示與圖I的B-B截面相當的截面。首先，如圖11的(a)、(b)所示，準備雙層基材3B。在雙層基材3B中，在基體絕緣層10的上表面設有第一導體層20X。接下來，如圖11的(C)、(d)所示，通過對第一導體層20x進行圖案形成，而在基體絕緣層10的上表面形成兩個差動傳送路徑20。接下來，如圖12的(a)、(b)所示，通過濺射、蒸鍍或非電解鍍等一般的方法，以覆蓋基體絕緣層10的下表面的方式形成金屬薄膜42。金屬薄膜42為銅薄膜。金屬薄膜42的厚度t42例如為O. 08 μ m I μ m,優選為O. I μ m O. 5 μ m。
然後，如圖12的(C)、(d)所示，除了金屬薄膜42的與第二區域a2重疊的部分之夕卜，在金屬薄膜42的下表面形成鍍層43。鍍層43由銅構成。鍍層43的厚度例如為2 μ m 25 μ m, 13 μ m 20 μ m。最後，與圖4的(c)、(d)的エ序同樣地在基體絕緣層10的上表面之上形成由聚醯亞胺構成的覆蓋絕緣層30。由此，完成FP C基板I。作為金屬薄膜42及鍍層43的材料，可以取代銅而使用金、鎳或鋁等其他的金屬，也可以使用銅合金或鋁合金等合金。[5]第五實施方式關於第五實施方式的FPC基板，說明與第四實施方式的FPC基板I不同的點及製造方法。圖13是表示第五實施方式的FPC基板的製造方法的示意性エ序剖視圖。圖13的
(a)、(c)表示與圖I的A-A截面相當的截面，圖13的(b)、(d)表示與圖I的B-B截面相當的截面。在圖11的(a)、(b)的エ序之後，如圖13的(a)、(b)所示，在基體絕緣層10的上表面形成兩個差動傳送路徑20，以覆蓋基體絕緣層10的下表面的方式形成金屬薄膜42。金屬薄膜42是銅薄膜。金屬薄膜42的厚度t42例如為O. 08 μ m I μ m，優選為O. I μ m O. 5 μ m0接下來，如圖13的(C)、Cd)所示，除了金屬薄膜42的與第二區域a2重疊的部分之外，在金屬薄膜42的下表面形成導電性的粘接劑層49，在粘接劑層49的下表面粘貼金屬膜44。作為導電性的粘接劑層49，可以使用分散有金屬等導電性材料的微粒子的環氧系樹月旨。粘接劑層49的厚度t49例如為5 μ m 25 μ m，優選為5 μ m 15 μ m。金屬膜44為銅膜。金屬膜44的厚度t44例如為2μπι 25μπι，優選為3μπι 20 μ m0最後，與圖4的(C)、(d)的エ序同樣地在基體絕緣層10的上表面上形成由聚醯亞胺構成的覆蓋絕緣層30。由此，完成FPC基板I。作為金屬薄膜42及金屬膜44的材料，可以取代銅而使用金、鎳或鋁等其他的金屬，也可以使用銅合金或鋁合金等合金。[6]第六實施方式圖14是表示第六實施方式的FPC基板的示意性俯視圖。如圖14所示，在本實施方式的FPC基板I中，基體絕緣層10的與圖I的第三區域a 3及第四區域a4相當的部分不存在。因此，在兩個差動傳送路徑20的長度方向上，FPC基板I的寬度逐級變化。這種情況下，通過對以與第一區域al及第ニ區域a2重疊的方式設置的接地導體層40的厚度t40進行局部調整，能夠確保被形成在基體絕緣層10之上的差動傳送路徑20的差動阻抗ZdifT的連續性。[7]第七實施方式圖15是表示第七實施方式的FPC基板的示意性剖視圖。圖15的(a)表示傳送線路20a、20b的間隔S較小的區域中的FPC基板I的截面，圖15的(b)表示傳送線路20a、20b的間隔S較大的區域中的FPC基板I的截面。如圖15的(a)、(b)所示，在本實施方式的FPC基板I中，在基體絕緣層10的上表面及下表面分別形成差動傳送路徑20。在基體絕緣層10的上表面及下表面分別形成差動傳送路徑20吋，以隔著基體絕緣層10相対的方式配置差動傳送路徑20及接地導體層40。由此，差動傳送路徑20的布局的自由度進一步提尚。[8]權利要求的各構成要素與實施方式的各要素的對應以下，說明權利要求的各構成要素與實施方式的各要素的對應的例子，但本發明並未限定為下述的例子。在上述實施方式中，基體絕緣層10或覆蓋絕緣層30是第一絕緣層的例子，傳送線路20a、20b分別是第一傳送線路及第ニ傳送線路的例子，差動傳送路徑20是差動傳送路徑的例子，接地導體層40或屏蔽層50是第一導體層的例子。
另外，差動傳送路徑20的形成在第二區域a2之上的部分是差動傳送路徑的一部分的例子，差動傳送路徑20的形成在第一區域a I之上的部分是差動傳送路徑的其他的部分的例子，接地導體層40的與第二區域a2重疊的部分的厚度t42及金屬薄膜51的與第二區域a2重疊的部分的厚度是第一導體層的與差動傳送路徑的一部分重疊的部分的厚度的例子。此外，接地導體層40的與第一區域al重疊的部分的厚度t40及屏蔽層50的與第一區域al重疊的部分的厚度是第一導體層的與差動傳送路徑的其他的部分重疊的部分的厚度的例子，覆蓋絕緣層30或基體絕緣層10是第二絕緣層的例子，屏蔽層50是第二導體層的例子。作為權利要求的各構成要素，也可以使用具有權利要求所記載的結構或功能的其他的各種要素。
權利要求
1.一種布線電路基板，其中， 該布線電路基板包括 第一絕緣層； 由第一傳送線路及第二傳送線路構成的差動傳送路徑； 第一導體層， 以上述第一導體層隔著上述第一絕緣層而與上述差動傳送路徑相對的方式層疊上述第一導體層、上述第一絕緣層及上述差動傳送路徑， 上述差動傳送路徑的一部分中的上述第一傳送線路與上述第二傳送線路的間隔小於 上述差動傳送路徑的其他的部分中的上述第一傳送線路與上述第二傳送線路的間隔， 上述第一導體層的與上述差動傳送路徑的上述一部分重疊的部分的厚度小於上述第一導體層的與上述差動傳送路徑的上述其他的部分重疊的部分的厚度。
2.根據權利要求I所述的布線電路基板，其中， 上述第一絕緣層具有一面及另一面， 上述差動傳送路徑形成在上述第一絕緣層的上述一面之上， 上述第一導體層形成在上述第一絕緣層的上述另一面之上。
3.根據權利要求2所述的布線電路基板，其中， 該布線電路基板還包括 以覆蓋上述差動傳送路徑的方式形成在上述第一絕緣層的上述一面之上的第二絕緣層； 以隔著上述第二絕緣層與上述差動傳送路徑相對的方式形成在上述第二絕緣層之上的第二導體層， 上述第二導體層的與上述差動傳送路徑的上述一部分重疊的部分的厚度小於上述第二導體層的與上述差動傳送路徑的上述其他的部分重疊的部分的厚度。
4.根據權利要求I所述的布線電路基板，其中， 該布線電路基板還包括第二絕緣層，該第二絕緣層具有一面， 上述差動傳送路徑形成在上述第二絕緣層的上述一面之上， 上述第一絕緣層以覆蓋上述差動傳送路徑的方式形成在上述第二絕緣層的上述一面之上， 上述第一導體層以隔著上述第一絕緣層與上述差動傳送路徑相對的方式形成在上述第一絕緣層之上。
5.根據權利要求I所述的布線電路基板，其中， 上述第一導體層的與上述差動傳送路徑的上述一部分重疊的部分的厚度小於上述第一導體層的與在上述差動傳送路徑中傳送的信號的頻率相對應的趨膚深度。
6.—種布線電路基板的製造方法，其中， 布線電路基板的製造方法包括製作層疊體的工序，該製作層疊體的工序以第一導體層隔著第一絕緣層與由第一傳送線路及第二傳送線路構成的差動傳送路徑相對的方式，層疊上述第一導體層、上述第一絕緣層及上述差動傳送路徑， 製作上述層疊體的工序包括 以上述差動傳送路徑的一部分中的上述第一傳送線路與上述第二傳送線路的間隔小於上述差動傳送路徑的其他的部分中的上述第一傳送線路與上述第二傳送線路的間隔的方式形成上述差動傳送路徑的工序； 以上述第一導體層的與上述差動傳送路徑的上述一部分重疊的部分的厚度小於上述第一導體層的與上述差動傳送路徑的上述其他的部分重疊的部分的厚度的方式形成上述第一導體層的工序。
7.根據權利要求6所述的布線電路基板的製造方法，其中， 上述第一絕緣層具有一面及另一面， 形成上述差動傳送路徑的工序包括將上述差動傳送路徑形成在上述第一絕緣層的上述一面之上的工序， 形成上述第一導體層的工序包括將上述第一導體層形成在上述第一絕緣層的上述另一面之上的工序。
8.根據權利要求7所述的布線電路基板的製造方法，其中， 布線電路基板的製造方法還包括 以覆蓋上述差動傳送路徑的方式在上述第一絕緣層的上述一面之上形成第二絕緣層的工序； 以第二導體層隔著上述第二絕緣層與上述差動傳送路徑相對的方式在上述第二絕緣層之上形成上述第二導體層的工序， 形成上述第二導體層的工序包括以上述第二導體層的與上述差動傳送路徑的上述一部分重疊的部分的厚度小於上述第二導體層的與上述差動傳送路徑的上述其他的部分重疊的部分的厚度的方式形成上述第二導體層的工序。
9.根據權利要求6所述的布線電路基板的製造方法，其中， 製作上述層疊體的工序還包括形成上述第一絕緣層的工序， 形成上述差動傳送路徑的工序包括在包括一面的第二絕緣層的上述一面之上形成上述差動傳送路徑的工序， 形成上述第一絕緣層的工序包括以覆蓋上述差動傳送路徑的方式在上述第二絕緣層的上述一面之上形成上述第一絕緣層的工序， 形成上述第一導體層的工序包括以隔著上述第一絕緣層與上述差動傳送路徑相對的方式在上述第一絕緣層之上形成上述第一導體層的工序。
10.根據權利要求6所述的布線電路基板的製造方法，其中， 形成上述第一導體層的工序包括使上述第一導體層的與上述差動傳送路徑的上述一部分重疊的部分的厚度小於上述第一導體層的與在上述差動傳送路徑中傳送的信號的頻率相對應的趨膚深度的工序。
全文摘要
本發明提供一種布線電路基板及其製造方法。在基體絕緣層的上表面形成有由一對傳送線路構成的差動傳送路徑。在基體絕緣層的下表面形成有接地導體層。接地導體層隔著基體絕緣層與差動傳送路徑相對。差動傳送路徑的一部分中的傳送線路的間隔小於差動傳送路徑的其他的部分中的傳送線路的間隔。接地導體層的與差動傳送路徑的一部分重疊的部分的厚度小於接地導體層的與差動傳送路徑的其他的部分重疊的部分的厚度。
文檔編號H05K3/46GK102833940SQ20121020273
公開日2012年12月19日 申請日期2012年6月15日 優先權日2011年6月16日
發明者大川忠男 申請人:日東電工株式會社