基材支撐單元以及使用它的基材處理設備和方法

2023-06-14 14:44:31 2

專利名稱：基材支撐單元以及使用它的基材處理設備和方法
技術領域：
本發明涉及處理基材的設備和方法。更具體而言，本發明涉及一種 基材支撐單元以及使用該基材支撐單元處理基材的設備和方法。
背景技術：
通常的基材處理設備用於處理諸如製造半導體集成電路(IC)晶片用 的晶片、製造平板顯示器用的玻璃基材等基材。在這種基材處理設備中， 是在將基材裝載在基材支撐單元上時進行處理。 一般來說，基材支撐單 元在處理中藉助機械夾具或靜電力或由真空引起的吸附力支撐基材，並 且在處理中旋轉基材。基材支撐單元包括在處理中裝載晶片的夾板和用於夾住晶片的邊緣 以防止晶片W從夾板脫落的卡銷。然而，因為通常的基材支撐單元在將晶片裝載在夾板上之後在化學 保持晶片的同時進行處理，所以晶片上經由固持裝置與晶片機械接觸的 部分被汙染或損壞。例如，旋轉清潔器、旋轉蝕刻器、光致抗蝕劑塗布 器和晶片斜角蝕刻器在使晶片旋轉的同時進行處理。因為這些設備在使 固持裝置所固持的晶片旋轉的同時進行處理，所以在與固持裝置接觸的 晶片表面出現汙染和刮擦。此外，因為這些設備藉助馬達等機械組件旋 轉基材，所以機械驅動會產生諸如微粒等汙染物。這些汙染物汙染晶片 和裝置，從而降低處理產量。當晶片被靜電力或真空支撐時，晶片的後 表面緊密附著在夾板上。因此，晶片的後表面不能被清潔或蝕刻
發明內容
本發明示例性實施例涉及一種基材支撐單元。在示例性實施例中， 所述基材處理單元可以包括夾板；以及渦流供應部件，用於向與所述夾板相對的基材表面供應渦流，以使所述基材從所述夾板上漂浮。 本發明示例性實施例涉及一種處理基材的設備。在示例性實施例中，所述設備可以包括杯狀體，其中限定進行處理的空間；基材支撐單元， 包括配置在所述杯狀體內部的夾板；以及處理流體供應部件，用於在處 理中向與所述夾板相對的基材供應處理流體，其特徵在於，所述基材支撐單元包括渦流供應部件，用於向與所述夾板相對的基材表面供應渦流， 以使所述基材從所述夾板上漂浮。本發明示例性實施例涉及一種處理基材的方法。在示例性實施例中， 所述方法可以包括在支撐基材時進行基材處理，其特徵在於，通過向 所述基材底面供應渦流以使所述基材漂浮來進行所述基材的支撐。


圖1為本發明實施例的基材處理設備的立體圖。圖2為圖l所示的基材處理設備的內部構造圖。圖3為本發明另一實施例的基材處理設備的內部構造圖。圖4為圖2所示的基材支撐單元的剖視圖。圖5為圖4所示的基材支撐單元的剖視圖。圖6為沿著圖4的線A-A'的剖視圖，示出了渦流產生部件的例子。圖7-圖11分別為示出渦流產生器的其他例子的剖視圖。圖12和圖13為圖4所示的基材支撐單元的另一例子的剖視圖。圖14和圖15示出圖4所示的基材支撐單元的另一例子。圖16示出基材支撐單元的另一例子。圖17為示出本發明的基材處理方法的剖視圖。
圖18為沿著圖17的線C-C'的剖視圖。圖19和圖20示出由本發明的渦流供應部件供應的渦流的流動。 圖21示出本發明的渦流產生體內部的渦流的產生。
具體實施方式
下面參考顯示本發明優選實施例的附圖，將更完整地描述本發明。 然而，可以以許多不同的形式體現本發明，並且不應當認為本發明限制 於在此描述的實施例。相反，提供這些實施例將使本發明內容清楚、完 整，並向本領域技術人員充分表達本發明的範圍。雖然結合為進行半導體晶片的溼法蝕刻而配置的半導體製造設備描述本發明的實施例，但是 本發明可以應用於所有的基材處理設備。圖1為本發明實施例的基材處理設備的立體圖，圖2為圖1所示的 基材處理設備的內部構造圖。參照圖1和圖2，基材處理設備1包括工序處理部件IO和處理流體 供應部件20。工序處理部件10配置成藉助單晶片工序來處理基材(以下 稱為"晶片")。例如，基材的處理工序可以是在晶片表面塗布光致抗蝕 劑的塗布處理，去除晶片表面上的不希望異物的蝕刻和清潔處理，或者 蝕刻晶片邊緣部分的斜角蝕刻處理。處理流體供應部件20配置成供應處理中使用的處理流體。處理流體 可以是各種化學品、有機溶劑或處理氣體。例如，處理流體可以是光致 抗蝕劑、蝕刻劑(或剝離劑)、諸如清潔液體等處理溶液、惰性氣體或者諸 如乾燥氣體等處理氣體。工序處理部件10包括杯狀體12和基材支撐單元100。杯狀體12限 定了將要進行晶片處理工序的空間。杯狀體12顯示出頂部敞開的圓柱體 形狀。杯狀體12的敞開頂部用作把晶片W放入該空間或者從該空間取 出的入口。在處理中，基材支撐單元IOO配置成支撐杯狀體12內部的晶 片W並使其旋轉。排放管線12a與杯狀體12的底部連接。在處理中使 用的處理溶液順著排放管線12a排出。處理流體供應部件20包括噴嘴22和噴嘴轉送部件24。在處理中，
噴嘴22配置成向晶片W噴射處理流體。噴嘴轉送部件24配置成在處理 位置"a"與等待位置"b"之間轉送噴嘴22。處理位置"a"為噴嘴22 向晶片W的處理表面噴射處理流體的位置，等待位置"b"為噴嘴22移 動至處理位置"a"之前在杯狀體12外面等待的位置。噴嘴轉送部件24 包括第一臂24a、第二臂24b和驅動器24c。第一臂24a和第二臂24b均 呈條狀。第一臂24a水平地安裝在杯狀體12上，第二臂24b垂直地安裝 在杯狀體12側部。噴嘴22與第一臂24a的一端連接，第二臂24b與其 另一端軸向連接。驅動器24c允許第一臂24a和第二臂24b有機地 (organically)運行，從而使噴嘴22在處理位置"a"與等待位置"b"之間 移動。雖然本實施例的特徵在於，基材處理設備1包括杯狀體12和一個處 理流體供應部件20，但是設備1的構造和結構可以修改、變化成各種不 同形式。例如，圖3示出了本發明另一實施例的基材處理設備l'。設備 l'包括工序處理部件10和多個處理流體供應部件20a和20b，其中該工 序處理部件還包括回收部件14。回收部件14配置成回收處理中使用的處 理溶液。回收部件14包括第一回收容器14a和第二回收容器14b，這些 容器環形地排列成包圍杯狀體12內的基材支撐單元100。在第一回收容 器14a中限定了空間Sl，在第二回收容器14b中限定了空間S2。在空間 Sl中容納有第一處理溶液，在空間S2中容納有第二處理溶液。第一回 收容器14a形成有開口 14a'，第二回收容器14b形成有開口 14b'。在處 理中使用的第一處理溶液經開口 14a'流入第一容器14a，在處理中使用的 第二處理溶液經開口 14b'流入第二容器14b。每個開口 14b鄰開口 14a' 彼此上下布置。第一回收管線14a"連接在第一回收容器14a上，第二回 收管線14b"連接在第二回收容器14b上。沿著第一回收管線14a"回收空 間Sl中容納的第一處理溶液，沿著第二回收管線14b"回收空間S2中容 納的第二處理溶液。每個處理流體供應部件20a和20b都具有與上述處 理流體供應部件20相同的構造。處理流體供應部件20a配置成噴射第一 處理溶液，處理流體供應部件20b配置成噴射第二處理溶液。例如，第 一處理溶液為用於去除殘留在晶片W表面上的異物的清潔溶液，第二處 理溶液為用於去除殘留在晶片W表面上的清潔溶液的漂洗溶液。 前述設備l'配置成獨立回收處理中使用的第一處理溶液和第二處理溶液。也就是說，由於晶片W的離心力，處理流體供應部件20a所噴射 的第一處理溶液從晶片W散開，並且將被容納在第一回收容器14a的空 間Sl中。通過相同的方式，處理流體供應部件20b所噴射的第二處理溶 液將被容納在第二回收容器14b的空間S2中。根據處理過程，基材支撐 單元IOO移動到與開口 14a'或14b'相對應的位置，以將處理中使用的第 一和第二處理溶液回收到空間Sl或S2。因此，獨立地回收處理中使用 的第一和第二處理溶液。下面將詳細描述基材支撐單元100的構造。圖4為圖2所示的基材 支撐單元的剖視圖，圖5為圖4所示的基材支撐單元的剖視圖。圖6為 沿著圖4的線A-A'的剖視圖，示出了渦流產生部件的例子。參照圖4-圖6，基材支撐單元IOO包括夾板110、基座120、驅動部 件130和渦流供應部件。夾板IIO大致呈圓盤形狀。夾板110具有在處 理中與晶片W相對的頂面112。夾板110的中心形成有開口 114。開口 114為在處理中噴射渦流的孔。基座120與夾板110底部連接以支撐夾板110，並且該基座呈直徑 大於夾板110的圓盤形狀。因為基座120從中心到邊緣向下傾斜，所以 在處理中落在基座120上的處理溶液沿著基座120邊緣形成的斜面向下 流動。基座120設置有多個側導引銷124，以防止晶片W從夾板IIO上 橫向脫離。側導引銷124的內側面是圓形的，相應於晶片W的側面，並 且即使在晶片W與內側面124a接觸時，該側導引銷也可抑制晶片W側 面上的刮擦。側導引銷124配置成比晶片W的直徑更寬，使得這些側導 引銷在處理中不與晶片W的側面接觸。因此，晶片W在處理中不與側 導引銷124接觸，並且在晶片W從夾板110的預設處理位置脫離的情況 下晶片W的運動被限制。支撐軸126與基座120的中心底部連接以支撐 基座120。支撐軸126配置成穿過杯狀體12底面的中心。驅動部件130配置成使夾板110和基座120上升或下降。驅動部件 130與基座120的支撐軸126連接。驅動部件130使支撐軸126上升或下 降以調節夾板IIO所支撐的晶片W的高度。也就是說，當裝載和卸載晶 片W時，驅動部件130使夾板IIO上升，以通過杯狀體12的敞開頂部
將夾板IIO的頂面暴露於外部，並且當清潔晶片W時，該驅動部件使升 高的夾板IIO下降到杯狀體12中。該渦流供應部件配置成在處理中向面對夾板110的晶片側供應渦 流。該渦流供應部件包括氣體供應部件140和渦流產生體150。氣體供應 部件140包括氣體供應源142和氣體供應管線。該氣體供應管線包括主 供應管線144、歧管146和多條噴射管線148。噴射管線148包括第一噴 射管線148a和第二噴射管線148b。主供應管線144配置成從氣體供應源 142向歧管146供應氣體。主供應管線144安裝有流動控制部件144a， 以控制經由主供應管線144供應的氣體的流速。流動控制部件144a可以 是質量流量計控制器(MFC)。歧管146配置成向各個噴射管線148a和 148b均勻分配供應的氣體。噴射管線148配置成向渦流產生體150供應 由歧管146分配的氣體。噴射管線148的一端連接在歧管146上，其另 一端連接在渦流產生體150上。在示例性實施例中，各個噴射管線148a 和148b的另一端連接在渦流產生體150的側底面上。在外殼152周圍， 沿著外殼152的側面以規則的角度配置各個噴射管線148a和148b。噴射 管線148配置成向渦流產生體150的進氣孔152b供應氣體。進氣孔152b 將在後面描述。渦流產生體150接收來自噴射管線148的氣體並產生渦流。渦流產 生體150包括配置在夾板IIO底部中心的桶形外殼152。外殼152具有與 夾板110的開口 114連接的敞開頂部。外殼150內部限定了圓柱形空間。 外殼150形成有進氣孔152b。沿著噴射管線148a和148b供應的氣體經 過進氣孔152b流入外殼150。進氣孔152b允許沿著噴射管線148供應的 氣體沿著外殼150的內側面152a的切線方向流動。多個進氣孔152b以 規則間隔設置在外殼152周圍。進氣孔152b允許在水平方向上供應氣體。 進氣孔152b設置有用於使進氣孔152b與噴射管線148連接的連接裝置 154。連接裝置154可以為接頭或連接器。在處理中，上述渦流產生體150 接收來自氣體供應部件140的氣體並產生渦流。向基材W的底面噴射所 產生的渦流，使基材W從夾板110的頂面112上漂浮。漂浮的基材W因 渦流而旋轉。如圖7B所示，雖然本實施例的特徵在於，渦流產生體150設置有進
氣孔152b以允許氣體沿著渦流產生體150的內側面的切線方向流動，但 是噴射管線148a和148b可以直接延伸至渦流產生體150的內側面以沿 著渦流產生體150的內側面的切線方向噴射氣體。雖然圖6示出了接收來自兩個噴射管線148a和148b的氣體並產生 渦流的渦流產生部件，但是可以設置一個噴射管線或至少三個噴射管線 以向渦流產生部件供應氣體。例如，圖8所示的渦流供應部件接收來自 三個噴射管線148a、 148b和148c的氣體並產生渦流。可選擇的是，圖9 所示的渦流供應部件接收四個噴射管線148a、 148b、 148c和148d並產 生渦流。此外，雖然本實施例的特徵在於，噴射管線148和進氣孔152b設置 成在水平方向上向外殼152供應氣體，但是氣體的供應角度可以改變。 例如，圖IO所示的渦流供應部件150c裝配有用於允許氣體朝渦流產生 體150內部向上供應的噴射管線148和進氣孔152b。如果供應至外殼152 的氣體的上升氣流比圖2所示的渦流產生體150中的上升氣流更大，則 渦流產生部件150c配置成產生渦流。此外，雖然本實施例的特徵在於，渦流產生體150具有圓柱形內側 面152a，但是外殼150的內側面152a可以具有各種變化和修改形式。另 外，如圖11所示，本發明另一實施例的渦流產生體150的內側面可以設 置有螺紋式凹槽152a'。此外，雖然本實施例的特徵在於，夾板110的中心配置有一個渦流 產生體150,但是渦流產生體150的位置和數量可以變化。例如，圖12 和圖13所示的基材支撐單元100a可以包括四個以規則間隔設置在夾板 IIO周圍的渦流產生體150。此外，雖然本實施例的特徵在於，僅通過一個渦流產生部件供應的 渦流使晶片W漂浮，但是基材支撐單元可以進一步設置有使晶片W漂 浮的輔助裝置。例如，基材支撐單元100b可以設置有輔助漂浮裝置160， 以在處理中向晶片W的底面噴射氣體。輔助漂浮裝置160包括形成在 夾板110上的噴射孔162和氣體沿其供應至噴射孔162的氣體供應管線 164。噴射孔162配置成包圍夾板110的開口 114。噴射孔162的形狀和
尺寸可以變化。氣體供應管線164配置成向各個噴射孔162供應氣體。 向晶片W的底面噴射沿著氣體供應管線164供應的氣體以使晶片W漂 浮。因此，基材支撐單元100b可以利用渦流供應部件和氣體噴射部件160 使晶片W漂浮。結果，晶片W可以更有效地漂浮。此外，雖然本實施例的特徵在於，僅利用渦流產生部件供應的渦流 使晶片W旋轉，但是基材支撐單元可以設置有利用渦流使晶片W旋轉 的輔助裝置。例如，圖16所示的基材支撐單元還包括輔助旋轉裝置170。 輔助旋轉裝置170包括旋轉體172和卡銷174。旋轉體172製造成大致呈 環形形狀並且圍繞基座120'安裝。旋轉軸172a設置在旋轉體172的中心， 並且該旋轉軸安裝在基座120'的支撐軸126上，以便可以從支撐軸126 的外面旋轉。旋轉軸172a與支撐軸126之間設置有軸承176。旋轉體172 藉助旋轉馬達(圖中未示)旋轉。旋轉體172的邊緣安裝有卡銷174，以在 處理中卡住支撐在夾板110上的晶片W的部分邊緣。在處理中，輔助旋轉裝置170利用旋轉馬達使晶片W機械地旋轉。 因此，基材支撐單元100c可以利用渦流供應部件和輔助旋轉裝置170使 晶片W旋轉。結果，晶片W可以更加有效地旋轉。特別的是，在處理 中，上述基材支撐單元100c可以利用渦流供應部件或輔助旋轉裝置170 選擇性地使晶片W旋轉。也就是說，在要求晶片W低速旋轉的處理中， 通過供應渦流使晶片W旋轉，並且在要求晶片W高速旋轉的處理中， 利用輔助旋轉裝置170使晶片W旋轉。例如，典型的晶片清潔處理包括 化學清潔處理和晶片乾燥處理，在化學清潔處理中利用化學品清潔晶片 W，在晶片乾燥處理中利用乾燥氣體使清潔的晶片W乾燥，這兩種處理 可以依次進行。晶片W在乾燥處理中以高速旋轉，在清潔處理中以相對 較低速度旋轉。因此，晶片W在化學清潔處理中可以利用渦流供應部件 旋轉，在乾燥處理中可以利用輔助旋轉裝置170旋轉。下面，詳細描述本發明的基材處理設備1的工序處理。使用相同的 附圖標記表示相同的元件，並且將不再詳細描述。圖17為示出本發明的基材處理方法的剖視圖，圖18為沿著圖17的 線C-C'的剖視圖。圖19示出由本發明的渦流供應部件供應的渦流的流 動，圖20為沿著圖19的線D-D'的剖視圖。圖21示出本發明的渦流產生
體內部的渦流的產生。參照圖17和圖18，當處理開始時，晶片W被裝載在基材支撐單元 100的夾板110上。通過形成在夾板110的開口 114，渦流供應部件向與 夾板110的頂面112相對的晶片表面供應渦流。也就是說，參照圖19和 圖20，機械供應管線140向渦流產生體150供應氣體。在這一點上，流 動控制部件144a預先控制主供應管線144內部流動的氣體，從而以預設 流速供應。噴射到渦流產生體150的外殼152中的氣體產生渦流，同時 沿著外殼152的內側面152a形成漩渦。所產生的渦流通過夾板110的開 口114噴射，以供應至晶片W的中心部分。向晶片W供應的渦流使晶片W從夾板110的頂面112上漂浮。經 過晶片W的底面與夾板110的頂面112之間的空間"c"排放的渦流使 漂浮的晶片W支撐在夾板110的上方。也就是說，空間"c"的內部壓 力因經過空間"c"排放的渦流而上升，從而能夠使晶片W通過Bernoulli (柏努利)效應緊密地支撐在夾板上方。在晶片W裝載在夾板110上之前， 供應渦流以使晶片W漂浮。可選擇的是，可以在晶片W裝載在夾板llO 的頂面112之後，供應渦流以使晶片W漂浮。利用供應的渦流使晶片W以預設的處理旋轉速度旋轉。也就是說， 因為供應至晶片W中心的渦流漩渦式地從空間"c"的中心向邊緣移動， 所以晶片W旋轉。根據從渦流供應部件供應的渦流量來控制晶片W的 旋轉速度。也就是說，渦流供應部件的流動控制部件144a控制主供應管 線144中的氣體流速，以將晶片W的旋轉速度設置到預設的旋轉速度。 在利用流動控制部件144a進行的流速控制中，在進行處理之前設置數值， 從而以預設流速供應氣體。可選擇的是，實時感測晶片W的旋轉速度以 控制主供應管線144中的氣體流速，使得晶片W的旋轉速度符合預設速 度。如果晶片W以預設處理速度旋轉，那麼處理流體供應部件20向旋 轉的晶片W的處理表面供應處理溶液。也就是說，處理流體供應部件20 的噴嘴轉送部件將噴嘴22從等待位置"b"轉送到處理位置"a"。當噴 嘴22配置在處理位置"a"時，噴嘴22向晶片W的處理表面供應處理 溶液。在供應處理溶液並處理晶片W的表面之後，該處理溶液經過杯狀 體12的排放管線12a排放。處理過的晶片W在從基材支撐單元100上 卸載之後被取出放到杯狀體12外部。如上文所述，向晶片W供應渦流，以使晶片W在處理中漂浮並旋 轉。在處理中，在不接觸諸如基材支撐單元100的夾板110和側導引銷 124等的晶片支撐裝置的情況下處理晶片W。因此，使晶片W免於受到 由接觸晶片W的裝置引起的損壞。另外，晶片W從夾板110上漂浮並旋轉，以處理夾板110上的晶片 表面。例如，向漂浮的晶片W的底面供應處理氣體或處理溶液以處理晶 片W。另外，控制使晶片W漂浮並旋轉的渦流的供應量。因此，根據處理 條件控制渦流的供應量，以調節晶片W的漂浮程度和晶片W的旋轉速 度。另外，不提供用於緊密保持晶片W並使其旋轉的部件，從而簡化了 設備的構造並降低了製造成本。儘管已經結合附圖中所示的本發明實施例描述了本發明，但是本發 明不限於此。顯然，在不脫離本發明的範圍和精神的情況下，本領域技 術人員可以做出各種替換、修改和變化。
權利要求
1.一種基材支撐單元，包括夾板；以及渦流供應部件，用於向與所述夾板相對的基材表面供應渦流，以使所述基材從所述夾板上漂浮。
2. 如權利要求1所述的基材支撐單元，其特徵在於，所述渦流供應 部件包括.-桶形渦流產生體，其具有敞開頂部；以及氣體供應管線，用於向所述渦流產生體中噴射氣體，以允許氣體沿 著所述渦流產生體的內側面在所述渦流產生體的內部空間中形成漩渦。
3. 如權利要求2所述的基材支撐單元，其特徵在於，所述渦流產生 體的內部空間呈圓柱體形狀；並且所述氣體供應管線配置成沿著所述渦流產生體的內側面的切線方向 供應氣體。
4. 如權利要求2所述的基材支撐單元，其特徵在於，所述渦流產生 體的內部空間呈圓柱體形狀；並且所述渦流產生體包括進氣孔，經過所述進氣孔沿著所述渦流產生體 的內側面的切線方向使氣體流入。
5. 如權利要求4所述的基材支撐單元，其特徵在於，所述氣體供應 管線包括多條噴射管線，所述噴射管線與所述渦流產生體連接，以在所 述渦流產生體內部沿著相同方向旋轉。
6. 如權利要求2所述的基材支撐單元，還包括側導引銷，設置在所述夾板上裝載的基材周圍，以在處理中防止所 述基材從所述夾板脫落。
7. 如權利要求2所述的基材支撐單元，其特徵在於，所述渦流產生 體安裝在所述夾板的中心。
8. 如權利要求2所述的基材支撐單元，還包括流動控制部件，其安裝在所述氣體供應管線上，以控制向所述氣體 供應管線供應的氣體的量。
9. 如權利要求l所述的基材支撐單元，還包括 輔助漂浮裝置，用於在處理中輔助基材漂浮，其特徵在於，所述輔助漂浮裝置包括噴射孔和氣體供應管線，所述 氣體供應管線向所述噴射孔供應氣體，所述噴射孔形成在所述夾板中並 且向所述基材的底面噴射氣體。
10. 如權利要求9所述的基材支撐單元，其特徵在於，所述渦流產 生體安裝在所述夾板的中心；並且所述噴射孔環形地排列成包圍所述渦流產生體的敞開頂部。
11. 如權利要求l所述的基材支撐單元，還包括輔助旋轉裝置，用於在處理中輔助基材旋轉，所述輔助旋轉裝置包 括卡銷，用於在處理中卡住所述基材的側面；其上安裝所述卡銷的旋 轉體；以及驅動馬達，用於使所述旋轉體旋轉。
12. 如權利要求ll所述的基材支撐單元，其特徵在於，所述旋轉體 設置成環形形狀。
13. —種處理基材的設備，包括 杯狀體，其中限定進行處理的空間；基材支撐單元，包括配置在所述杯狀體內部的夾板；以及 處理流體供應部件，用於在處理中向與所述夾板相對的基材供應處 理流體，其特徵在於，所述基材支撐單元包括渦流供應部件，用於向與所述表示了所述晶片10的平面、及放大了其一部分的圖。此晶片IO例如由單晶矽基板形成。 另外，在晶片10的主面的周邊部，配置了多個焊墊(電極)11，所述焊墊ll與形成在芯 片10內的半導體集成電路電氣連接。夾板相對的基材表面供應渦流，以使所述基材從所述夾板上漂浮。
14. 如權利要求13所述的設備，其特徵在於，所述渦流供應部件包括桶形渦流產生體，其具有敞開頂部；以及氣體供應管線，用於向所述渦流產生體中噴射氣體，以允許氣體沿 著所述渦流產生體的內側面在所述渦流產生體的內部空間中形成漩渦。
15. 如權利要求14所述的設備，其特徵在於，所述渦流產生體的內 部空間呈圓柱體形狀；並且所述氣體供應管線配置成沿著所述渦流產生體的內側面的切線方向 供應氣體。
16. 如權利要求14所述的設備，其特徵在於，所述渦流產生體的內 部空間呈圓柱體形狀；並且所述渦流產生體包括進氣孔，經過所述進氣孔沿著所述渦流產生體 的內側面的切線方向使氣體流入。
17. 如權利要求15所述的設備，其特徵在於，所述氣體供應管線包 括多條噴射管線，所述噴射管線與所述渦流產生體連接，以在所述渦流 產生體內部沿著相同方向旋轉。
18. 如權利要求17所述的設備，還包括側導引銷，設置在所述夾板上裝載的基材周圍，以在處理中防止所 述基材從所述夾板脫落。
19. 如權利要求14所述的設備，其特徵在於，所述渦流產生體安裝 在所述夾板的中心。
20. 如權利要求14所述的設備，還包括流動控制部件，其安裝在所述氣體供應管線上，以控制向所述氣體圖7是將所述薄膜片材2的形成了探針7的區域的一部分放大表示的主要部分平面 圖，圖8是薄膜片材2的主要部分剖面圖。圖8中，將形成了探針7的區域表示為B — B區域， 將薄膜片材2粘接到探卡的接合環6 (參照圖3)時位於接合環6下方的區域表示為A — A 區域及C一C區域。所述探針7是薄膜片材2中被圖案化為平面四角形的金屬膜21A的一部分，並且是在 金屬膜21A中的薄膜片材2的下表面突出為四角錐狀或者四角錐臺狀的部分。探針7在薄 膜片材2的主面上與形成在所述晶片10上的焊墊11的位置對準而配置，圖7中表示了與焊 墊ll (圖7中以虛線圖示)相對應的探針7的配置。另外，圖7中也圖示了兩個晶片10的 晶片外周10A的一部分(以點劃線表示)。金屬膜21A例如從下層依次層疊銠膜及鎳膜而形成。在金屬膜21A上形成了聚醯亞 胺膜(第一絕緣膜)22，在聚醯亞胺膜22上形成了與各金屬膜21A電氣連接的配線(第 一配線)23。另外，在與配線23相同的配線層上，也形成了不與金屬膜21A電氣連接的 配線23A。配線23在形成在聚醯亞胺膜22上的通孔(第一通孔)24的底部與金屬膜21A 接觸。另外，在聚醯亞胺膜22及配線23、 23A上，形成了聚醯亞胺膜(第二絕緣膜)25。 在聚醯亞胺膜25上，選擇性地形成了到達一部分配線23的通孔(第二通孔)26，在聚醯 亞胺膜22上形成了在通孔26的底部與配線23接觸的配線(第二配線)27。然後，在與配 線27相同的配線層上，也形成了不與金屬膜21A及配線23電氣連接的配線27A。在聚醯 亞胺膜25及配線27、 27A上，形成了聚醯亞胺膜28。如圖8所示，在薄膜片材2上，在接合環6下方的位置6A (參照A — A區域及C一C區域)產生了臺階。在產生如此臺階的部分，與其他部分相比聚醯亞胺膜22、 25、 28的厚度不均勻。另外，因為配線23、 23A、 27、 27A的厚度及寬度也不均勻，所以相對於薄膜片材2的應力的機械強度容易下降。因此，本實施形態l中，在產生了此臺階的部分將供應管線供應的氣體的量。
21. 如權利要求13所述的設備，還包括 輔助漂浮裝置，用於在處理中輔助基材漂浮，其特徵在於，所述輔助漂浮裝置包括噴射孔和氣體供應管線，所述 氣體供應管線向所述噴射孔供應氣體，所述噴射孔形成在所述夾板中並且向所述基材的底面噴射氣體。
22. 如權利要求20所述的設備，其特徵在於，所述渦流產生體安裝 在所述夾板的中心；並且所述噴射孔環形地排列成包圍所述渦流產生體的敞開頂部。
23. 如權利要求13所述的設備，還包括輔助旋轉裝置，用於在處理中輔助基材旋轉，所述輔助旋轉裝置包 括卡銷，用於在處理中卡住所述基材的側面；其上安裝所述卡銷的旋 轉體；以及驅動馬達，用於使所述旋轉體旋轉。
24. 如權利要求23的基材支撐單元，其特徵在於，所述旋轉體設置 成環形形狀。
25. —種處理基材的方法，包括在支撐基材時進行基材處理，其特徵在於，通過向所述基材底面供 應渦流使所述基材漂浮來進行所述基材的支撐。
26. 如權利要求25所述的方法，還包括 在利用渦流旋轉基材時進行基材處理。
27. 如權利要求26所述的方法，其特徵在於，向所述基材的中心噴 射渦流。
28. 如權利要求25所述的方法，其特徵在於，向所述基材的中心噴射渦流；在處理中向所述基材噴射氣體，以幫助利用渦流進行的基材漂浮；以及在圍繞噴射渦流部分的位置進行氣體噴射。
29. 如權利要求25所述的方法，其特徵在於，在銷的幫助下利用渦 流使基材旋轉，所述銷與基材側面接觸以使基材旋轉。
30. 如權利要求25所述的方法，其特徵在於，所述基材旋轉包括 當基材的處理旋轉速度低於參考速度時，供應渦流使基材旋轉；以及當基材的處理旋轉速度高於參考速度時，利用旋轉馬達使基材機械 地旋轉。
全文摘要
在處理中，基材支撐單元向基材供應渦流以使基材旋轉並從夾板上漂浮。在使基材旋轉並漂浮時進行處理。因此，當基材以無接觸方式從夾板漂浮時支撐並旋轉該基材。
文檔編號H01L21/683GK101211811SQ200710199078
公開日2008年7月2日 申請日期2007年12月12日 優先權日2006年12月27日
發明者李澤燁, 金奉主 申請人:細美事有限公司