製造快閃記憶體卡的方法

2023-06-14 11:13:46 1

專利名稱：製造快閃記憶體卡的方法
技術領域：
本發明的實施例涉及製作快閃記憶體卡的方法。
背景技術：
對可攜式消費者電子裝置的需求的強勁增長正推動對高容量存儲裝置的需要。非 易失性半導體存儲器裝置(例如，快閃記憶體存儲卡)正變得廣泛地用於滿足對數字 信息存儲及交換的不斷增長的需求。其便攜性、多功能性及堅固的設計連同其較高的 可靠性及大容量已使此類存儲器裝置理想地用於各種各樣的電子裝置中。
用於快閃記憶體卡的一個實例性標準是所謂的SD快閃記憶體卡。SD(安全數字) 卡是一種大約郵票大小的安全快閃記憶體。由SanDisk (晟碟)、Toshiba (東芝)及 Matsushita Electronic (松下電器)聯合研發，SD卡重約兩克且用於各種各樣的數字產 品中的存儲器存儲，包括(例如)數位音樂播放器、蜂窩式電話、手持式PC、數碼相 機、數字攝影機、智慧型電話、汽車導航系統及電子書籍。
在過去，例如SD卡等電子裝置已經包括集成電路系統，其由各自操作不同功能 的數個單獨封裝的集成電路組成，包括用於信息處理的邏輯電路、用於存儲信息的存 儲器及用於與外界進行信息交換的I/O電路。所述單獨封裝的集成電路已分離地安裝 在襯底(例如，印刷電路板)上以形成所述集成電路系統。在在印刷電路板上包括單 獨封裝的組件的舊式SD卡中，所述印刷電路板佔據所述卡內的全部或幾乎全部可用 空間。將所述印刷電路板形成為所述大小，以便包含全部所述單獨封裝的組件。最近， 己研發出封裝內系統("SiP")及多晶片模塊("MCM")，其中將多個集成電路 組件封裝在一起以在單個封裝中提供完整的電子系統。通常，MCM包括多個晶片， 其並排安裝在襯底上且然後加以封裝。SiP通常包括多個晶片，可將所述多個晶片中 的某些晶片或所有晶片堆疊在襯底上且然後加以封裝。
通常在面板上批量處理集成電路，且然後在完成所述製作工藝之後將所述集成電 路單個化為單獨的封裝。已知數種方法用於從經囊封的集成電路的面板單個化具有不 規則或曲線形狀邊緣的半導體封裝。舉例來說，熟知的切割方法包括水刀切割、雷射 切割、水引導雷射切割、幹媒介切割及金剛石塗布線切割。此類切割方法能夠實現單 獨化的集成電路封裝的精巧直線及/或曲線形狀。雖然這些方法有效地在單獨化的半導 體封裝中實現曲線及不規則形狀，但這些方法需要精確切割，且增加半導體製作工藝
的複雜性及成本。

發明內容
本發明的實施例涉及一種製造包括半導體封裝的快閃記憶體卡的方法。在實施例 中，通常可通過衝孔及切割工藝來形成所述封裝以界定各種各樣所需形狀的半導體封 裝。製作所述半導體封裝的工藝可以襯底面板開始，舉例來說其可以是引線框架。首 先通過使用化學蝕刻或衝壓工藝在所述引線框架上形成電跡線來在所述面板上形成多 個集成電路。此後，可將無源組件及半導體電路小片安裝在所述面板上以形成多個集 成電路。
一旦已在所述面板上形成所述多個集成電路，可通過模製化合物來囊封所述集成 電路的每一者。在所述囊封工藝期間，可遮罩所述面板的部分並使其沒有模製化合物。 隨後可從所述面板衝孔沒有模製化合物的部分。這些經衝孔區域可在成品半導體封裝 的外部邊緣中界定斜面、凹口或各種其它曲線、直線及/或不規則形狀。
在將所述面板衝孔之後，可沿筆直切割線進行鋸割來將所述集成電路中的每一者 單個化為多個大體矩形的半導體封裝。所述半導體封裝包括至少一個外部邊緣(例如， 斜面及/或凹口)，其不同於所述經單個化封裝的大體矩形形狀。通過從所述面板衝孔 區域，且然後沿筆直邊緣進行鋸割，本發明提供一種用於獲得各種所需形狀中的任一 形狀的成品半導體封裝的簡單、有效且具成本效率的方法。


圖1是根據本發明的實施例的製作快閃記憶體卡的方法的流程圖。
圖2是集成電路面板的一部分在根據本發明的製作工藝期間的俯視圖。
圖3是穿過圖2中的線3-3的截面圖。
圖4是根據本發明的實施例的模製集成電路的面板在切割為單獨的集成電路封裝 之前的俯視圖。
圖5是在用以在所述面板上囊封所述集成電路的模製工藝期間使用的模製工藝衝 模板的仰視透視圖。
圖6是經囊封集成電路面板的一部分在根據本發明的製作工藝期間的俯視圖。
圖7是根據本發明的實施例的集成電路封裝的俯視圖。
圖8是根據本發明的實施例的集成電路封裝的第一邊緣的邊緣圖。
圖9是根據本發明的實施例的集成電路封裝的第二邊緣的邊緣圖。
圖10是根據本發明的實施例的集成電路封裝的第三邊緣的邊緣圖。
圖11是根據本發明的實施例的集成電路封裝的第四邊緣的邊緣圖。
圖12是根據本發明的實施例的集成電路封裝的仰視圖。
圖13是包括圖7的集成電路封裝的安裝在頂部及底部蓋子中的快閃記憶體卡的
透視圖。
圖14是包括圖7的集成電路封裝的安裝在頂部及底部蓋子中的快閃記憶體卡的
俯視圖。
圖15是包括圖7的集成電路封裝的安裝在頂部及底部蓋子中的快閃記憶體卡的 仰視圖。
具體實施例方式
現在將參照圖1至15說明本發明的實施例，其所述圖式涉及製造快閃記憶體卡 的方法。應了解，本發明可以許多不同的形式來體現且不應被視為限定於本文所論述 的實施例。而是，提供這些實施例以使本揭示內容將詳盡且完整，並將向所屬領域的 技術人員全面地傳達本發明。實際上，本發明既定覆蓋這些實施例的替代方案、修改 及等效物，其包括於隨附權利要求書所界定的範圍及精神內。此外，在本發明的以下 詳細說明中，論述許多具體細節，以便提供對本發明的透徹了解。然而，所屬領域的 技術人員應清楚，可在無此類具體細節的情況下實踐本發明。
現在將參照圖1的流程圖來說明根據本發明的實施例的用於形成快閃記憶體卡的 方法。所述製作工藝在步驟50中以面板100開始，例如部分顯示於圖2及3中。舉例 來說，用於本發明的面板100的類型可以是引線框架、印刷電路板("PCB")、用 於巻帶自動接合("TAB")工藝的巻帶或在其上裝配並囊封集成電路的其它熟知的 基底。
在其中面板100是以引線框架為基礎的實施例中，引線框架100可由平面或大體 平面金屬片來形成，例如銅或銅合金、鍍銅或鍍銅合金、合金42 (42Fe/58Ni)或鍍銅 鋼。引線框架100可由其它金屬及用於引線框架的熟知材料來形成。在其中引線框架 100經鍍敷的實施例中，引線框架100可鍍有銀、金、鎳鈀、銅或其它材料。
在所述集成電路形成在引線框架襯底上的情況下，可在步驟52中通過熟知的制 作工藝(例如，舉例來說化學蝕刻)來形成每一引線框架的導電跡線及布局。在化學 蝕刻中，可將光致抗蝕劑膜施加到所述引線框架。然後，可將包含電路小片插板102、 電引線104、接觸墊106及槽110的輪廓的圖案光掩模放置在所述光致抗蝕劑膜上方。 然後可曝光並顯影所述光致抗蝕劑膜以從將要蝕刻的導電層上的區域移除所述光致抗 蝕劑。下一步使用蝕刻劑(例如，氯化鐵或類似物)來蝕刻掉所述曝光的區域以在引 線框架100中界定所述圖案。然後可移除所述光致抗蝕劑。已知其它化學蝕刻工藝。 所述導電跡線可形成用於所述集成電路組件與外部電子裝置之間的電連接的接觸墊、 引線指狀元件或其它外部連接器。
另一選擇為，可使用級進模在機械衝壓工藝中形成引線框架100。如所知曉，機 械衝壓使用衝模組以在連續的步驟中機械地將金屬從金屬帶移除。在其中面板100是PCB的實施例中，所述PCB可由電介質核心形成，所述電介 質核心具有在所述核心的頂及/或底表面上形成的一個或一個以上導電層。在此種實施 例中，如上所述，可在步驟52中在面板100的所述導電層上形成電導圖案，以在安裝 在面板IOO上的組件之間建立電連接。
可在批量工藝中在面板IOO上形成多個離散集成電路02以實現規模經濟。在實 施例中，如圖4所示，可將所述面板形成為50個集成電路的5xl0陣列，但應了解， 在替代實施例中在面板100上形成的集成電路的數量可大於或小於50。如在下文中所 解釋，在形成於面板IOO上之後，然後可囊封所述集成電路102中的每一者並加以單 個化以形成多個集成電路封裝。
在面板100上形成的每一集成電路102可包括在步驟54中表面安裝到面板100 的一個或一個以上無源組件104。無源組件104的類型及數量對於本發明並不關鍵且 可在替代實施例中廣泛地變化。在實施例中，如所屬領域的技術人員所熟知，無源組 件104可包括物理並電耦合到面板100的電容器及/或電阻器。
本發明的實施例可進一步包括在步驟56中表面安裝到面板100的發光二極體 ("LED" ) 108。 LED108可嵌入到成品封裝內且具有從所述成品封裝的邊緣發出光 的有源端。塔基爾(Takiar)等人在2005年5月13日提出申請且標題為"裝配具有 LED的半導體裝置的方法(Method Of Assembling Semiconductor Devices With LEDs)" 的第11/129,637號美國實用專利申請案中說明包括此種LED 108的封裝，此申請案的 全部內容以引用的方式併入本文中。可在本發明的實施例中省略LED108。
每一集成電路102可進一步包括一個或一個以上半導體電路小片114，其在步驟 58中在熟知的粘著或共熔電路小片接合工藝中使用熟知的電路小片附著化合物安裝 到面板IOO。在本發明的替代實施例中，半導體電路小片114的數量及類型可廣泛地 變化。在一個實施例中，所述一個或一個以上電路小片114可包括快閃記憶體陣列(例 如，NOR、 NAND或其它)、SRAM或DDT、及/或控制器晶片，例如ASIC。涵蓋其 它半導體電路小片。可在步驟60中在熟知的導線接合工藝中通過導線接合116將所述 一個或一個以上電路小片114電連接到面板100。所述電路小片可堆疊為SiP布置、 並排地安裝為MCM布置或以另一封裝配置而粘附。
雖然在圖1的流程圖中將無源組件104、 LED 108及半導體電路小片114的安裝 作為分離的步驟來揭示，但應了解，可按不同次序來執行這些步驟，且可在替代實施 例中組合這些步驟中的一者或一者以上。雖然在圖1的流程圖上未明確顯示，但可在 面板100上的多個集成電路102的上述製作期間進行各種視覺及自動檢查。
一旦已在面板100上形成多個集成電路102，便可在步驟62中且如圖4所示使用 模製化合物120囊封集成電路102中的每一者。模製化合物120可以是環氧樹脂，例 如，舉例來說從住友公司(Sumitomo Corp.)及日東電工公司(Nitto Denko Co卬.)購
得的環氧樹脂，兩個公司總部均在日本。涵蓋來自其它製造商的其它模製化合物。可 根據各種工藝(包括通過轉移模製或注入模製技術)來施加所述模製化合物以囊封集 成電路102中的每一者。
某些集成電路封裝(例如，用於SD卡的那些集成電路封裝)具有不規則形狀。 舉例來說，如圖6所示，囊封在面板100上的集成電路封裝中的每一者在成品封裝中 包括斜面144及大體矩形凹口 146。根據本發明的方面，可使不形成成品半導體封裝 的部分的不規則狀部分(例如，斜面144及凹口 146)在步驟62的囊封工藝期間沒有 模製化合物。可使用各種方法來使面板100的所選擇區域沒有模製化合物。
舉例來說，圖5圖解說明上及下模帽衝模板160及162。如圖所示，上模帽衝模 板160包括突出部分164a及164b,其在形狀及位置上分別匹配斜面144及凹口 146 的形狀及位置。在所述模製工藝期間，可將面板100 (在圖5中從底部觀看)放在模 帽衝模板160、 162之間。當將所述衝模板合在一起且將所述模製化合物引入所述板之 間時，突出部分164a及164b接觸面板100的上側並防止模製化合物在對應於斜面144 及凹口 146的區域中沉積。因此，成品經囊封面板IOO在對應於所述斜面及凹口的區 域中無模製化合物。應了解，可在上模帽衝模板160上形成任何突出部分圖案以在面 板100上形成任何對應的模製化合物圖案。所述無模製化合物的區域可具有直線邊緣、 曲線邊緣、不規則狀邊緣或直線、曲線及/或不規則狀邊緣中的一者或一者以上的組合。 應進一步了解，除上模帽衝模板160上的突出部分之外，可通過方法在面板100上形 成所需的模製化合物圖案。
上述及圖5中部分顯示的模製工藝62可用於模製襯底(例如，印刷電路板)， 印刷電路板可在所述板的一個側上接納模製。應了解，舉例來說，(例如)在所述襯 底是引線框架的情況下，所述襯底可在所述襯底的兩個側上接納模製化合物。在此種 實施例中，下衝模板162還可形成有突出部分164a及16b，其是在上衝模板160上形 成的那些突出部分的鏡像。因此，在所述襯底的頂及底表面兩者上界定上覆區域，其 無模製化合物並可如下文所述加以衝孔。
在模製步驟62之後，可在步驟64中將標記施加到模製化合物120。舉例來說， 所述標記可以是印在每一集成電路102的模製化合物120的表面上的標識或其它信息。 舉例來說，所述標記可指示裝置的製造商及/或類型。可在本發明的替代實施例中省略 標記步驟64。
根據本發明的其它方面，可在步驟66將在步驟62的模製工藝之後未經囊封的區 域衝孔出來，如由圖6中的面板100的局部視圖中的陰影區域所指示。特定來說，使 用熟知的衝孔及衝模壓制，可從所述面板衝孔在所述囊封工藝之後仍暴露的區域以在 成品封裝中界定斜面144、凹口 146及/或其它省略的形狀。可一次一個、 一次一行或 一列或者一次一個二維陣列地衝孔所述斜面、凹口或其它區域。如在所屬技術中所熟
知，可將所述面板向前移動穿過衝孔工具。可通過在面板1oo的外圍周圍形成的基準 凹口或孔168 (圖5)來光學識別將要衝孔區域的位置。
在實施例中，面板100的選擇性囊封允許僅在那些無模製組合物的面板區域上執 行所需要的衝孔。即，作為所述選擇性囊封工藝的結果，可將所述面板衝孔以在成品 封裝中界定斜面144、凹口 146或其它形狀而不必衝孔穿過所述面板上的模製化合物。 應了解，在替代實施例中，可能穿過模製化合物來進行某些衝孔，而將要移除的某些 區域可能包括模製化合物。在實施例中，在面板100上衝孔出來的區域的形狀及位置 對應於並匹配成品封裝的無模製化合物的區域的形狀及位置。應了解，在實施例中， 從面板100衝孔出來的區域的形狀不必與無模製化合物的區域的形狀相同。
雖然將所述衝孔工藝說明為所述集成電路形成並囊封在面板100上之後發生，但 應了解，可在所述集成電路形成在面板100上並加以囊封之前衝孔面板100。在此實 施例中，在步驟52的在面板100上形成電導圖案之前、期間或之後，可在衝孔工藝中 移除在面板100上形成斜面144、凹口 146的區域或其它區域。另一選擇為，可通過 其它工藝(例如，化學蝕刻所述區域)來移除在面板100上形成斜面144、凹口 146 的區域或將要移除的其它區域。應了解，可在面板100是引線框架、PCB、巻帶或上 面可裝配並囊封集成電路的其它襯底的情況下執行在面板100內形成用於斜面144、 凹口 146或其它區域的開口的步驟。
下一步可在步驟68中單個化集成電路102中的每一者。單個化步驟68涉及將面 板100上的集成電路102切割為多個單獨的集成電路封裝，每一單獨的集成電路封裝 具有大體矩形形狀(如本文所使用，矩形包括不相等長度的鄰邊或相等長度的鄰邊(即 正方形))。所述半導體封裝包括至少一個外部邊緣，例如斜面144及/或凹口 146， 其不同於所述經單個化封裝的大體矩形形狀。可通過沿圖6中部分顯示的筆直切割線 170鋸割進行的切割來單個化每一集成電路。如本文所使用，術語"切割"用於指代 各種切開方法，包括鋸割、雷射、水刀切割、衝孔或用於將集成電路102分離為單獨 的集成電路封裝的其它方法。所述切割可具有約0.3mm的鋸口，但所述鋸口可能窄於 或寬於替代實施例中的鋸口。
鋸割通常比經常用於在半導體封裝中實現不規則或曲線切割形狀的其它切割方 法(舉例來說，例如水刀切割或雷射切割)更低廉，消耗時間更小且需要更少的設備。 然而，通常僅可沿筆直邊緣進行鋸割。通過從所述面板衝孔多個區域，且然後沿筆直' 邊緣進行鋸割，所述筆直邊緣切割中的至少一者與所述經衝孔區域鄰接，本發明提供 一種用於獲得各種所需形狀中的任一形狀的成品半導體封裝的簡單、有效且具成本效 率的方法。
雖然鋸割在降低成本及複雜性方面提供優點，但應了解，在替代實施例中，可通 過各種切割方法(舉例來說，例如水刀切割、雷射切割、水導引雷射切割、幹媒介切
割及金剛石塗布線)來單個化面板100。水還可與雷射切割一起使用以幫助補充或集 中其效果。在標題為"用於高效地生產可抽換式外圍卡的方法(Method For Efficiently Producing Removable Peripheral Cards)"的第2004/0259291號已出版美國申請案中揭 示對從面板切割集成電路及從而可實現的形狀的進一步說明，所述申請案受讓予本發 明的所有者且所述申請案的全部內容已以引用的方式併入本文中。應了解，在替代實 施例中，可通過上述工藝之外的其它工藝來形成所述單個化的集成電路。
可通過上述工藝獲得的集成電路("IC")封裝126的實例顯示在圖7至11中。 圖7是IC封裝126的俯視圖，其從面板100切割而來並包括囊封在上述模製化合物 120內的集成電路102。 IC封裝126可包括頂表面132、第一邊緣134、第二邊緣136、 第三邊緣138及所述封裝的外圍周圍的第四邊緣140。圖8至11分別是封裝126的所 述第一至第四邊緣的邊緣圖。圖12是IC封裝126的底表面142的視圖，其顯示用於 在所述成品快閃記憶體卡內在所述卡與主電子裝置之間建立電連接的接觸指狀元件 143。在IC封裝126用於SD卡的情況下，可將IC封裝126構建為接點柵格陣列(LGA) 封裝。涵蓋其它類型的封裝，例如引腳柵格陣列(PGA)及球柵陣列(BGA)封裝。
如上所解釋，斜面144是形成於第一邊緣134與第四邊緣140之間的角中以符合 如下文更加詳細地加以解釋的快閃記憶體卡蓋子中的斜面。凹口 146可形成於第二邊 緣136與第三邊緣138之間的角中以用於如下文更加詳細地加以解釋的快閃記憶體卡 蓋子中的開關的位置。與現有技術中發現的更複雜的製作工藝相比，可僅使用簡單的 衝孔及筆直邊緣切割工藝來獲得包括斜面144及凹口 146的IC封裝126的形狀。
再次參照圖1的流程圖及圖13-15的視圖，可在步驟70中將完成的IC封裝126 進一步裝進外部封裝或蓋子(或一對蓋子)150內。此種蓋子150可提供IC封裝126 的外部覆蓋並建立外部產品特徵。舉例來說，如上所示，IC封裝126可經成形以用於 具有標準SD卡蓋子配置及覆蓋區的SD卡152內。在此種實施例中，蓋子150在第一 對邊緣之間包括斜面154以防止不正確地將所述卡插入主機裝置上的標準SD卡插槽 內。特定來說，每一卡插槽將包括有角度角，其在卡152正確插入時與斜面154配合， 但在倚靠所述主插槽內的有角度角來插入卡152的某些其它角的情況下，將會防止卡 152被完全插入。
如上所示，IC封裝126包括斜面144。 IC封裝126經切割以使斜面144完全匹配 並符合斜面154的大小及形狀。同樣，標準SD卡形成有開關156，其與所述主機裝置 中的機構協作以啟用並停用從/到所述卡的讀取/寫入操作。IC封裝126經切割，以使 封裝126中的凹口 146經大小調整並定位以在其在其啟用與停用位置之間移動時不妨 礙開關156。
在實施例中，IC封裝126僅佔據卡152內的可用空間的小部分。舉例來說，IC 封裝126可具有約2cm的最大長度(在第二邊緣136與第四邊緣140之間)及約lcm
的最大寬度(在第一邊緣134與第三邊緣138之間)。在這些尺寸下，所述IC封裝佔 據卡152中少於二分之一的可用空間。應了解，在替代實施例中，IC封裝126可佔據 卡152內多於二分之一的可用空間。
已說明本發明的實施例，包括適配於標準SD卡的覆蓋區內的IC封裝。然而，應 了解，本發明的實施例可替代性地在單個封裝內形成SiP、 MCM或其它電子系統以適 配於眾多其它快閃記憶體標準中的外部蓋子或外殼內。此類標準包括但不限於小型快 閃、智能媒體、迷你SD卡、MMC、 xD卡、Transflash存儲器卡或存儲器棒。涵蓋其 它裝置。
出於例示及說明的目的已提供對本發明的以上詳細說明。並非打算包攬無遺或將 本發明限定於所揭示的精確形式。根據以上教示可進行許多修改及變更。選擇所說明 的實施例目的在於最好地解釋本發明的原理及其實際應用，從而使所屬領域的其他技 術人員能夠最好地利用各個實施例中的本發明且通過所涵蓋的適用於特定用途的各種 修改來最好地利用本發明。本發明的範圍既定由本文隨附權利要求書來界定。
權利要求
1、一種製作具有大體矩形形狀外部外圍的半導體封裝的方法，所述半導體封裝具有不同於所述大體矩形形狀的至少一個外部邊緣，所述半導體封裝是通過以下步驟從面板而形成(a)將所述面板囊封在模製化合物中，同時使至少一個區域沒有模製化合物，及(b)從所述面板衝孔所述至少一個區域以在所述半導體封裝中界定所述至少一個外部邊緣。
2、 如權利要求1所述的製作半導體封裝的方法，其進一步包含通過穿過所述面板的筆直邊緣切割從所述面板單個化所述半導體封裝的步驟，至少一個筆直邊緣切割 與所述至少一個外部邊緣鄰接。
3、 如權利要求2所述的製作半導體封裝的方法，所述單個化所述半導體封裝的 步驟包含穿過所述面板進行鋸割的步驟。
4、 如權利要求1所述的製作半導體封裝的方法，所述從所述面板衝孔所述至少 一個區域的步驟(b)在所述半導體封裝中將所述至少一個外部邊緣形成為斜面。
5、 如權利要求1所述的製作半導體封裝的方法，所述從所述面板衝孔所述至少 一個區域的步驟(b)在所述半導體封裝中將所述至少一個外部邊緣形成為凹口。
6、 如權利要求1所述的製作半導體封裝的方法，所述從所述面板衝孔所述至少 一個區域的步驟(b)在所述半導體封裝中將所述至少一個外部邊緣形成為曲線、直線及 不規則形狀邊緣中的至少一者。
7、 如權利要求1所述的製作半導體封裝的方法，所述從所述面板衝孔所述至少 一個區域的步驟(b)包含穿過引線框架的至少一個未囊封區域進行衝孔的步驟。
8、 如權利要求1所述的製作半導體封裝的方法，所述從所述面板衝孔所述至少 一個區域的步驟(b)包含穿過印刷電路板的至少一個未囊封區域進行衝孔的步驟。
9、 如權利要求1所述的製作半導體封裝的方法，所述將所述面板囊封於模製化 合物中同時使鄰近所述至少一個外部邊緣的至少一個區域沒有模製化合物的步驟(a) 包含將所述面板放置在一對模帽衝模板之間，所述模帽衝模板中的一者包括用於接觸 所述面板以界定所述沒有模製化合物的至少一個區域的至少一個突出部分。
10、 一種從集成電路的面板製作半導體封裝的方法，其包含以下步驟(a) 囊封所述面板，使所述面板的多個部分無模製化合物；(b) 從所述面板衝孔所述無模製化合物的多個部分以在所述面板中形成通孔；及(c) 從所述面板單個化所述多個半導體封裝，在所述從所述面板單個化所述多 個半導體封裝的步驟(c)之後，所述多個通孔形成所述多個半導體封裝的所述外部外圍的區段。
11、 如權利要求10所述的製作半導體封裝的方法，所述單個化所述多個半導體 封裝的步驟(c)包含穿過所述面板進行鋸割的步驟。
12、 如權利要求10所述的製作半導體封裝的方法，在所述從所述面板單個化所 述多個半導體封裝的步驟(c)之後，所述多個通孔在所述多個半導體封裝的所述外部外 圍中形成斜面。
13、 如權利要求10所述的製作半導體封裝的方法，在所述從所述面板單個化所 述多個半導體封裝的步驟(c)之後，所述多個通孔在所述多個半導體封裝的所述外部外 圍中形成凹口。
14、 如權利要求10所述的製作半導體封裝的方法，在所述從所述面板單個化所 述多個半導體封裝的步驟(c)之後，所述多個通孔在所述多個半導體封裝的所述外部外 圍中形成曲線、直線及不規則形狀邊緣中的至少一者。
15、 如權利要求10所述的製作半導體封裝的方法，所述從所述面板衝孔所述至 少一個區域的步驟(b)在所述半導體封裝中將所述至少一個外部邊緣形成為曲線、直線 及不規則形狀邊緣中的至少一者。
16、 一種從集成電路的面板製作半導體封裝的方法，其包含以下步驟(a)在所述面板的第一部分中形成通孔，所述通孔界定所述半導體封裝的外 部邊緣的第一區段；及(b) 沿直線切割所述面板的第二部分以界定所述半導體封裝的所述外部邊 緣的與所述第一區段鄰接的第二區段。
17、 如權利要求16所述的從集成電路製作半導體封裝的方法，其進一步包含用 模製化合物囊封所述面板的步驟，所述囊封步驟使所述面板的所述第一部分沒有模製 化合物。
18、 如權利要求16所述的從集成電路製作半導體封裝的方法，所述在所述面板 的第一部分中形成通孔的步驟(a)在所述半導體封裝的所述外部邊緣中界定斜面。
19、 如權利要求16所述的從集成電路製作半導體封裝的方法，所述在所述面板 的第一部分中形成通孔的步驟(a)在所述半導體封裝的所述外部邊緣中界定凹口 。
20、 如權利要求16所述的從集成電路製作半導體封裝的方法，其中所述半導體 封裝的所述外部邊緣的所述第一區段具有曲線及不規則形狀中的至少一者。
21、 如權利要求16所述的從集成電路製作半導體封裝的方法，所述在所述面板 的第一區段中形成通孔的步驟(a)包含穿過所述面板進行衝孔的步驟。
22、 如權利要求16所述的從集成電路製作半導體封裝的方法，所述在所述面板 的第一區段中形成通孔的步驟(a)包含穿過所述面板進行蝕刻的步驟。
23、 一種快閃記憶體卡，其包括從集成電路的面板形成的半導體封裝，所述快閃 存儲器卡是通過包含以下步驟的工藝而形成(a) 用模製化合物囊封所述面板，使所述面板的一部分無模製化合物；(b) 從所述面板衝孔所述面板的所述無模製化合物的部分以在所述面板中形成 通孔；(c) 從所述面板單個化所述半導體封裝，在所述從所述面板單個化所述半導體 封裝的步驟(c)之後，所述通孔形成所述半導體封裝的所述外部外圍的區段；及(d) 將所述半導體封裝裝入一個或一個以上蓋子內。
24、 如權利要求23所述的快閃記憶體卡，所述半導體封裝包含引線框架。
25、 如權利要求23所述的快閃記憶體卡，所述半導體封裝包含印刷電路板。
26、 如權利要求23所述的快閃記憶體卡，所述快閃記憶體卡包含安全數字(SD)卡。
27、 如權利要求23所述的快閃記憶體卡，所述快閃記憶體卡包含小型快閃、智 能媒體、迷你SD卡、MMC、 xD卡、Transflash存儲器卡及存儲器棒中的一者。
全文摘要
本發明揭示一種用於通過從集成電路的面板衝孔及切割封裝的工藝來形成半導體封裝的方法。在用於將所述封裝囊封到模製化合物中的囊封工藝期間，可使所述面板的部分沒有模製化合物。隨後可從所述面板衝孔所述面板的沒有模製化合物的部分。這些經衝孔的區域可在成品半導體封裝的外部邊緣中界定斜面、凹口或各種其它曲線、直線或不規則的形狀。在將所述面板衝孔之後，可將所述集成電路單個化。通過從所述面板衝孔區域，且然後沿筆直邊緣進行切割，本發明揭示一種用於獲得各種所需形狀的成品半導體封裝的簡單、有效且具成本效率的方法。
文檔編號H01L21/56GK101341586SQ200680044334
公開日2009年1月7日 申請日期2006年11月1日 優先權日2005年11月2日
發明者什裡卡·巴加斯, 赫姆·塔克亞爾, 邱錦泰 申請人:桑迪士克股份有限公司