晶片圓片級封裝及其封裝方法
2023-06-06 07:41:46
專利名稱：晶片圓片級封裝及其封裝方法
技術領域：
本發明涉及一種MEMS和微電子工藝製造技術領域，尤其是一種晶片圓片級 封裝及其封裝方法。
背景技術：
隨著應用的需求和發展，無論對軍用還是民用的各種電子系統，都提出了 輕量化、小體積、多功能的要求。而通過目前大量使用的管殼和倒裝焊封裝技 術來實現更小的體積、更高的封裝密度，已經遇到了技術和成本上的巨大挑戰。 目前我們正在經歷這樣一個時期，即使用圓片級封裝工藝WLP解決以上問題， 有人稱之為零級封裝，因為它真正實現了最小化的體積，同時降低成本，不再 使用管殼，甚至還可以在這項技術上延伸，進而發展為不同種類晶片在三維方 向的堆疊，實現最高的封裝密度。
圓片級封裝技術作為這樣一種關鍵的基礎製造技術，最初是由MEMS技術提 出並發展而來的。開始是考慮到消除灰塵、潮氣對可動結構的影響，所以給可 動結構加一個蓋帽來保護它；後來發現還具有提高MEMS器件性能、減小體積、 降低成本等優勢。經過圓片級封裝，可以控制腔體內的氣壓和阻尼，從而調整 器件性能，這一點對於MEMS器件具有重要意義，因此提出了密封的問題。後來 圓片級封裝技術在很多微電子器件上都得到了應用，帶來了封裝概念的革新， 如果能夠保持密封，保證器件的長期可靠性，完全可以替代管殼或者外部的塑 封和框架。
通過上述應用發現，圓片級封裝的密封性至為關鍵，它影響到器件的長期 可靠性和性能，決定了圓片封裝技術能否最終大量應用。而能否實現密封並保 持同工藝和結構的設計都有很大關係。
目前國內外發展的圓片級封裝，主要有以下這些工藝手段-
陽極鍵合一一陽極鍵合是最廣泛使用的圓片級封裝方式之一。矽和玻璃通 過電場形成可靠的鍵合，可以保持氣密性，但是玻璃通孔製備困難，而且玻璃 和矽表面要求高，適用範圍小；
矽直接鍵合一一通過吸附的水分子群之間的範德華吸引力，由溼化學元素 或等離子體激活所造成的親水性表面可在接觸孔處立即鍵合。鍵合之後，間歇性熱退火可用於將鍵合轉換為共價鍵的Si-0-Si鍵合，並獲得相當於體矽的鍵
合強度。可以保持氣密性，但是鍵合難度大，適用範圍小。
熱壓鍵合——熱壓鍵合包括三個主要子範疇玻璃熔封，共晶和擴散。 玻璃熔封鍵合中，當加熱超過玻璃軟化溫度時，中間層界面在壓力的影響 下開始流動。玻璃可用於過孔擠壓、絲網印刷、噴塗或沉澱方法。目前正在開 展工作改善玻璃熔料的性能，因此它與共晶和擴散鍵合在高真空封裝方面的競
爭已日趨激烈。這項工作的難點是材料鍵合溫度高，而且微電子和MEMS需要的 精細圖形化技術比較困難。
共晶鍵合利用冶金相變，其中由組分形成的二元相比其中任一組分的熔點 都低。鍵合技術採用金屬作為媒介層，通常會形成密封以及高真空的兼容性(低 除氣材料與低滲透性)。本質上講，共晶鍵合是擴散鍵合的一個特殊情況，允許 在相對低的溫度下形成很強的金屬間化合鍵合。當兩種材料的擴散時，就會在 共晶的成分中形成熔點很低的混合物。 一旦共晶形成並變成液體，在液相擴散 的影響下，在液-固界面處加速反應。德國弗朗霍弗研究中心使用這種技術實現 了真空封裝。
固態熱壓鍵合類似於共晶鍵合，因為它也會形成合金。然而，這些反應不 涉及擴散界面的熔融。在固態鍵合中，關鍵是找出系統的低溫固相相變和快速 擴散係數。最常見的相位形式是一種可為組裝提供結構穩定性的金屬間化合物。
擴散鍵合也是一種熱壓鍵合，普遍應用於在相對低的溫度時擴散係數變得 很快的系統中。這常常發生在如金(Au)、銅(Cu)的材料中，因此可進行Au-Au 或者Cu-Cu鍵合，甚至在低溫下利用溫度驅動動力學進行Cu-Au鍵合。在這些 情況下，沒有形成合金，界面是兩種溶質的混合物。在某些應用中，相對於金 屬間化合或共晶合金的形式，擴散鍵合是一種更好的選擇，因為合金比較脆弱。
粘接鍵合——通過聚合物，環氧膠類等實現粘接鍵合，工藝簡單，便於應 用、材料成本低、有足夠的粘結強度和滲透率，但是密封保持性能上，在更為 嚴酷的考核時會遇到問題，使其應用範圍受到限制。
通過比較可以發現，由於使用中間焊料或者粘接層的熱壓鍵合(含共晶、 固態熱壓和擴散鍵合)和粘接鍵合工藝靈活性大，易於圖形化，適用於微電子 和微機械工藝，溫度較低等，成為目前研究和應用較多的主流圓片級封裝技術 手段。在結構設計上， 一般既有在管芯結構周圍設計一定寬度的環帶，布線在鍵 合環下通過的方式，也有信號直接通過通孔引出的方式。但是目前的鍵合環帶 上都是平面的，沒有結構，這樣對表面和設備的要求就很高，整片內的應力會 極大地影響整片的鍵合質量，壓力過大又容易造成圓片破裂，除非鍵合質量很 高的部分可以保證密封性能，其他部分則不能達到密封，造成成品率下降。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種密封性能好的晶片圓片級封裝，本發 明還提供了晶片圓片級封裝的封裝方法，以在較低的溫度和壓力下提高密封的 成品率，減小裂片。
為解決上述技術問題，本發明的第一個技術方案是由上蓋板圓片和下蓋板 圓片封裝而成，在上蓋板圓片設有上密封環帶，在下蓋板圓片上設有與下密封
環帶相配合的下密封環帶；上密封環帶和下密封環帶共晶共熔或者熱壓擴散實 現封裝。
本發明第一個技術方案的封裝方法是採用熱壓鍵合將上蓋板圓片和下蓋板 圓片實現封裝，先在上蓋板圓片和下蓋板圓片上分別形成相互配合的密封環帶， 然後通過熱壓鍵合將上蓋板圓片和下蓋板圓片封裝。
本發明第一個技術方案的封裝方法中所述的在上蓋板圓片和下蓋板圓片上 分別形成相互配合的密封環帶的方法採用下述工藝步驟(1)上蓋板圓片的準 備製備帶有通孔或者不帶通孔的同需要封裝的圓片尺寸一樣的上蓋板圓片；
(2) 上蓋板園片濺射利用磁控濺射在上蓋板園片上濺射金屬種子層；
(3) 上蓋板園片光刻利用光刻技術將金屬焊盤及對位標記圖形轉移到上 蓋板園片的金屬種子層上；
(4) 上蓋板園片電鍍在上蓋板園片經光刻後的金屬種子層上電鍍實現第 一層焊層的基底結構；
(5) 上蓋板園片二次光刻利用光刻技術將密封環帶的上齒圖形轉移到第 一層焊層的基底結構上；
(6) 上蓋板園片二次電鍍在上齒圖形上電鍍形成上蓋板圓片的上密封環
帶；
(7) 下蓋板圓片的準備製備帶有通孔或者不帶通孔的同需要封裝的圓片 尺寸一樣的下蓋板圓片；(8) 下蓋板園片濺射利用磁控濺射在下蓋板園片上濺射金屬種子層；
(9) 下蓋板園片光刻利用光刻技術將金屬焊盤、布線和對位標記的圖形 轉移到下蓋板園片上；
(10) 下蓋板園片電鍍使用電鍍實現第二層焊層基底結構，電鍍所採用 的金屬能與上蓋板園片二次電鍍所採用的金屬形成共晶或者擴散鍵合；
(11) 下蓋板園片二次光刻利用光刻技術將密封環帶的下齒圖形轉移到 第二層焊層基底結構上；
(12) 下蓋板園片二次電鍍在下齒圖形上電鍍形成下蓋板圓片的下密封環帶。
本發明第二個技術方案是由上蓋板圓片和下蓋板圓片封裝而成，其特徵在 於在上蓋板圓片上塗敷上環氧樹脂、聚合物、金屬或合金材料的鍵合層，在 下蓋板圓片上設有與下密封環帶相配合的下密封環帶；下密封環帶擠壓到鍵合 層實現封裝。
本發明第二個技術方案的封裝方法是採用壓力鍵合將上蓋板圓片和下蓋板 圓片實現封裝，先在上蓋板圓片塗敷上環氧或者聚合物，在下蓋板圓片上形成 密封環帶，然後通過壓力鍵合將上蓋板圓片和下蓋板圓片封裝。
本發明第二個技術方案的封裝方法中所述的在上蓋板圓片塗敷上環氧、金 屬或者聚合物和在下蓋板圓片上形成密封環帶的方法採用下述工藝步驟(1) 上蓋板圓片的準備製備帶有通孔或者不帶通孔的同需要封裝的圓片尺寸一樣 的上蓋板圓片；
(2) 旋塗在上蓋板圓片上塗敷環氧樹脂或聚合物，或者電鍍金屬或合金；
(3) 下蓋板圓片的準備製備帶有通孔或者不帶通孔的同需要封裝的圓片 尺寸一樣的下蓋板圓片；
(4) 下蓋板園片濺射利用磁控濺射在下蓋板園片上濺射金屬種子層；
(5) 下蓋板園片光刻利用光刻技術將金屬焊盤、布線和對位標記的圖形 轉移到下蓋板園片上；
(6) 下蓋板園片電鍍使用電鍍實現第二層焊層基底結構；
(7) 下蓋板園片二次光刻利用光刻技術將密封環帶的契型密封環圖形轉 移到第二層悍層基底結構上；
(8) 下蓋板園片二次電鍍在契型密封環圖形上電鍍形成下蓋板圓片的密封環帶。
採用上述技術方案所產生的有益效果在於本發明的總的技術構思是在圓 片級封裝時，在封裝的蓋板園片之間形成密封環帶的結構，在結構上提出的優 化手段。針對熱壓鍵合，設計交叉咬合的密封環帶，通過加溫加壓鍵合後，既 增大了相對鍵合面積，鍵合的多圈密封環結構，又可以形成多道隔離牆，提高 封裝內外部環境的密封性能；壓力的使用，使環氧樹脂、或聚合物金屬發生變 形，從而增加鍵合的強度。針對壓力健合，由於環氧樹脂或者聚合物可以產生 塑性變形的特點，提出在另一層圓片上電鍍楔型密封環帶的結構，.通過壓力使 聚合物或環氧樹脂產生塑性變形的辦法實現密封，這種方法也適用於使用比較 軟、容易發生塑性變形的金屬或合金替代聚合物，直接冷壓焊的場合。通過本 發明方法，能夠大大提高鍵合後的成品率，提高密封質量，保證長期可靠性。
下面結合附圖和具體實施方式
對本發明作進一步詳細的說明。 圖l-l 圖1-8是本發明第一個技術方案中上蓋板圓片形成密封環帶的過 程結構示意圖2-l 圖2-5是本發明下蓋板圓片形成密封環帶的過程結構示意圖； 圖3-l 圖3-2是本發明第一個技術方案中熱壓鍵合過程結構示意圖； 圖4-l 圖4-2是本發明第二個技術方案中上蓋板圓片塗敷過程結構示意
圖5-l 圖5-2是本發明第二個技術方案中粘接鍵合過程結構示意圖。
具體實施例方式
實施例l:圖3—2所示，本晶片圓片級封裝由矽片製成的上蓋板圓片和下 蓋板圓片封裝而成。在上蓋板圓片設有上密封環帶，在下蓋板圓片上設有與下 密封環帶相配合的下密封環帶；上密封環帶和下密封環帶共晶共熔或者熱壓擴 散實現封裝。
本晶片圓片級封裝使用錫鉛和金的熱壓鍵合進行圓片級封裝。具體的工藝 步驟如下
1、上蓋板圓片的準備製備帶有通孔或者不帶通孔的同需要封裝的圓片尺
寸一樣的上蓋板圓片1。上蓋板圓片的材料可以為矽片、玻璃片或陶瓷片等，
通孔的實現方式不限，可以為刻蝕、雷射打孔、磨砂等手段。本實施例以3吋300微米厚的矽片為例，通過溼法腐蝕形成通孔，為了保證電性能，腐蝕後整 個矽片氧化6000A (埃米)以上，所得到的結構如圖l-l所示；上述的單位吋 為英寸，1吋=25.4毫米。
2、 上蓋板園片濺射利用磁控濺射在上蓋板園片1上濺射金屬種子層2， 濺射的金屬分別為鈦300 A、金IOOO A，所得到的結構如圖l-2所示。
3、 上蓋板園片光刻利用光刻技術將金屬焊盤及對位標記圖形3轉移到上 蓋板園片1的金屬種子層2上，所得到的結構如圖1-3所示。
4、 上蓋板園片電鍍在上蓋板園片經光刻後的金屬種子層上電鍍實現第一 層焊層的基底結構4。使用Cu電鍍液、SnPb鍍液實現第一層焊層基底結構，Cu 層厚度可以控制在1.5 3um， SnPb層厚度可以控制在2 6um，所得到的結 構如圖1-4、 1-5所示;
5、 上蓋板園片二次光刻利用光刻技術將密封環帶的上齒圖形5轉移到第 一層焊層的基底結構4上，所得到的結構如圖1-6所示。
6、 上蓋板園片二次電鍍在上齒圖形5上電鍍形成上蓋板圓片的上密封環 帶6，使用SnPb鍍液實現上密封環帶的上齒結構，SnPb層厚度可以控制在4 8um，所得到的結構如圖l-7、 1-8所示。
7、 下蓋板圓片的準備製備帶有通孔或者不帶通孔的同需要封裝的圓片尺 寸一樣的下蓋板圓片。在MEMS或者微電子工藝中，下蓋板圓片的材料一般為矽 片，本實施例以3吋300微米厚的壓阻MEMS傳感器矽片為例。
8、 下蓋板園片濺射利用磁控濺射在下蓋板園片7上濺射金屬種子層8， 濺射的金屬分別為鉻300 A、 Pt500 A、金1000 A，所得到的結構如圖2-1所
不0
9、 下蓋板園片光刻利用光刻技術將金屬焊盤、布線和對位標記的圖形9
轉移到下蓋板園片上，所得到的結構如圖2-2所示。
10、 下蓋板園片電鍍使用電鍍實現第二層焊層基底結構IO，電鍍所採用
的金屬能與上蓋板園片二次電鍍所採用的金屬形成共晶或者擴散鍵合，比如針
對上面提到的PbSn金屬層，使用Au電鍍實現第二層悍層基底結構，Au層厚度 可以控制在2 4um，所得到的結構如圖2-3所示。
11、 下蓋板園片二次光刻利用光刻技術將密封環帶的下齒圖形11轉移到 第二層焊層基底結構上，所得到的結構如圖2-4所示。12、 下蓋板園片二次電鍍在下齒圖形上電鍍形成下蓋板圓片的下密封環
帶12，使用Au鍍液，Au層厚度可以控制在4 8pm，所得到的結構如圖2_5 所示。
13、 將上蓋板園片1和下蓋板圓片7對準，使相互配合的上密封環帶6和 下密封環帶12互相對咬，對準精度士3um，所得到的結構如圖3-l所示。
14、 在上蓋板園片和下蓋板圓片之間施加溫度和壓力實現金屬的變形，使 上蓋板園片和下蓋板圓片共晶共熔或者熱壓擴散。本實施例中用Au-PbSn共晶， 溫度183。C，對三吋圓片，壓力可以為20 40Kg。得到結構如圖3-2所示的本 晶片圓片級封裝。
實施例2:圖5 — 2所示，本晶片圓片級封裝由矽片製成的上蓋板圓片和下 蓋板圓片封裝而成。在上蓋板圓片上塗敷上BCB材料的鍵合層，在下蓋板圓片 上設有與下密封環帶相配合的下密封環帶；下密封環帶擠壓到鍵合層實現封裝。
本晶片圓片級封裝使用BCB和金的冷壓鍵合進行圓片級封裝，具體的工藝 步驟如下
1、 上蓋板圓片的準備製備帶有通孔或者不帶通孔的同需要封裝的圓片尺 寸一樣的上蓋板圓片。上蓋板圓片的材料可以為矽片、玻璃片或陶瓷片等，通 孔的實現方式不限，可以為刻蝕、雷射打孔、磨砂等手段。本實施例以3吋300 微米厚的矽片為例，通過溼法腐蝕形成通孔，為了保證電性能，腐蝕後整個矽 片氧化6000埃以上，所得到的結構如圖4-1所示。
2、 旋塗在上蓋板圓片1上塗敷環氧樹脂、環氧聚合物或者軟性的金屬或 合金。聚合物最好選用環氧密封膠、苯並環丁烯或聚醯亞胺，塗敷厚度在 5-100um之間；金屬最好選用金、銅、SnCu、 PbSn或SnAg。本實施例中塗敷BCB 材料(苯並環丁烯)12,厚度10um，所得到的結構如圖4-l所示；
3、 下蓋板圓片的準備製備帶有通孔或者不帶通孔的同需要封裝的圓片尺 寸」樣的下蓋板圓片。在MEMS或者微電子工藝中，下蓋板圓片的材料一般為矽 片，這裡以3吋300微米厚的壓阻MEMS傳感器矽片為例
4、 下蓋板園片濺射利用磁控濺射在下蓋板園片上濺射金屬種子層，濺射 金屬分別為鈦300 A、金1000 A，所得到的結構如圖2-1所示。
5、 下蓋板園片光刻利用光刻技術將金屬焊盤、布線和對位標記的圖形轉 移到下蓋板園片上；所得到的結構如圖2-2所示。6、 下蓋板園片電鍍使用電鍍實現第二層焊層基底結構；使用Au電鍍液 實現第一層焊層基底結構，Au層厚度可以控制在2 4um，所得到的結構如圖 2-3所示。
7、 下蓋板園片二次光刻利用光刻技術將密封環帶的契型密封環圖形轉移 到第二層焊層基底結構上；所得到的結構如圖2-4所示。
8、 下蓋板園片二次電鍍在契型密封環圖形上電鍍形成下蓋板圓片的密封 環帶，使用Au鍍液，Au層厚度可以控制在4 8um，所得到的結構如圖2_5 所示。
9、 將上蓋板園片和下蓋板圓片對準，如圖5-l所示；
10、 在上蓋板園片和下蓋板圓片之間施加壓力實現金屬的變形，契型結構 的密封環帶插入比較軟的上層BCB材料13中，得到的結構如圖5-2所示的封裝 器件。
權利要求
1、一種晶片圓片級封裝，其由上蓋板圓片和下蓋板圓片封裝而成，其特徵在於在上蓋板圓片設有上密封環帶，在下蓋板圓片上設有與下密封環帶相配合的下密封環帶；上密封環帶和下密封環帶共晶共熔或者熱壓擴散實現封裝。
2、 根據權利要求l所述的晶片圓片級封裝，其特徵在於所述的上蓋板園 片和下蓋板圓片均可選用矽片、玻璃片或陶瓷片。
3、 權利要求1所述的晶片圓片級封裝的封裝方法，其採用熱壓鍵合將上蓋 板圓片和下蓋板圓片實現封裝，其特徵在於先在上蓋板圓片和下蓋板圓片上 分別形成相互配合的密封環帶，然後通過熱壓鍵合將上蓋板圓片和下蓋板圓片 封裝。
4、 根據權利要求3所述的晶片圓片級封裝的封裝方法，其特徵在於所述的 在上蓋板圓片和下蓋板圓片上分別形成相互配合的密封環帶的方法採用下述工 藝步驟(1)上蓋板圓片的準備製備帶有通孔或者不帶通孔的同需要封裝的 圓片尺寸一樣的上蓋板圓片；(2) 上蓋板園片濺射利用磁控濺射在上蓋板園片上濺射金屬種子層；(3) 上蓋板園片光刻利用光刻技術將金屬焊盤及對位標記圖形轉移到上 蓋板園片的金屬種子層上；(4) 上蓋板園片電鍍在上蓋板園片經光刻後的金屬種子層上電鍍實現第 一層焊層的基底結構；(5) 上蓋板園片二次光刻利用光刻技術將密封環帶的上齒圖形轉移到第 一層焊層的基底結構上；(6) 上蓋板園片二次電鍍在上齒圖形上電鍍形成上蓋板圓片的上密封環帶；(7) 下蓋板圓片的準備製備帶有通孔或者不帶通孔的同需要封裝的圓片 尺寸一樣的下蓋板圓片；(8) 下蓋板園片濺射利用磁控濺射在下蓋板園片上濺射金屬種子層；(9) 下蓋板園片光刻利用光刻技術將金屬焊盤、布線和對位標記的圖形 轉移到下蓋板園片上；(10) 下蓋板園片電鍍使用電鍍實現第二層焊層基底結構，電鍍所採用 的金屬能與上蓋板園片二次電鍍所採用的金屬形成共晶或者擴散鍵合；(11) 下蓋板園片二次光刻利用光刻技術將密封環帶的下齒圖形轉移到第二層悍層基底結構上；(12)下蓋板園片二次電鍍在下齒圖形上電鍍形成下蓋板圓片的下密封環帶。
5、 根據權利要求4所述的晶片圓片級封裝的封裝方法，其特徵在於所述的 上蓋板園片和下蓋板圓片均可選用矽片、玻璃片或陶瓷片；所述的上蓋板園片 和下蓋板圓片上的通孔均可選用刻蝕、雷射打孔或磨砂方法製成。
6、 根據權利要求3、 4或5所述的晶片圓片級封裝的封裝方法，其特徵在 於所述的熱壓鍵合是先將上蓋板園片和下蓋板圓片對準，使相互配合的上密封 環帶和下密封環帶互相對咬；然後通過在上蓋板園片和下蓋板圓片之間施加溫 度和壓力實現金屬的變形，使上蓋板園片和下蓋板圓片共晶共熔或者擴散鍵合。
7、 一種晶片圓片級封裝，其由上蓋板圓片和下蓋板圓片封裝而成，其特徵 在於在上蓋板圓片上塗敷上環氧樹脂、聚合物、金屬或合金材料的鍵合層， 在下蓋板圓片上設有與下密封環帶相配合的下密封環帶；下密封環帶擠壓到鍵 合層實現封裝。
8、 根據權利要求7所述的晶片圓片級封裝，其特徵在於所述的上蓋板園片 和下蓋板圓片均可選用矽片、玻璃片或陶瓷片。
9、 根據權利要求7或8所述的晶片圓片級封裝，其特徵在於所述的的聚合 物為環氧密封膠、苯並環丁烯或聚醯亞胺；所述的金屬為金、銅；所述的合金為SnCu、 PbSn或SnAg。
10、 權利要求7所述的晶片圓片級封裝的封裝方法，其採用壓力鍵合將上 蓋板圓片和下蓋板圓片實現封裝，其特徵在於先在上蓋板圓片上塗敷上環氧 樹脂、聚合物、金屬或合金以形成，在下蓋板圓片上形成密封環帶；然後通過 壓力使密封環帶嵌入上蓋板圓片的鍵合層，將上蓋板圓片和下蓋板圓片鍵合在 一起，進行封裝。
11、 根據權利要求IO所述的晶片圓片級封裝的封裝方法，其特徵在於所述 的在上蓋板圓片塗敷上環氧或者聚合物和在下蓋板圓片上形成密封環帶的方法 採用下述工藝步驟(1)上蓋板圓片的準備製備帶有通孔或者不帶通孔的同 需要封裝的圓片尺寸一樣的上蓋板圓片；(2) 旋塗在上蓋板圓片上塗敷環氧樹脂或聚合物或者，電鍍金屬或合金;(3) 下蓋板圓片的準備製備帶有通孔或者不帶通孔的同需要封裝的圓片尺寸一樣的下蓋板圓片；(4) 下蓋板園片濺射利用磁控濺射在下蓋板園片上濺射金屬種子層；(5) 下蓋板園片光刻利用光刻技術將金屬焊盤、布線和對位標記的圖形 轉移到下蓋板園片上；(6) 下蓋板園片電鍍使用電鍍實現第二層焊層基底結構；(7) 下蓋板園片二次光刻利用光刻技術將密封環帶的契型密封環圖形轉 移到第二層焊層基底結構上；(8) 下蓋板園片二次電鍍在契型密封環圖形上電鍍形成下蓋板圓片的密 封環帶。
12、 根據權利要求10所述的晶片圓片級封裝的封裝方法，其特徵在於所述 的上蓋板園片和下蓋板圓片均可選用矽片、玻璃片或陶瓷片；所述的上蓋板園 片和下蓋板圓片上的通孔均可選用刻蝕、雷射打孔或磨砂方法製成。
13、 根據權利要求IO所述的晶片圓片級封裝的封裝方法，其特徵在於所述 的熱壓鍵合是先將上蓋板園片和下蓋板圓片對準，然後通過在上蓋板園片和下 蓋板圓片之間施加壓力使環氧樹脂、聚合物、金屬或合金變形與下密封環帶形 成鍵合。
14、 根據權利要求9 —13所述的任意一種晶片圓片級封裝的封裝方法，其 特徵在於所述的聚合物為環氧密封膠、苯並環丁烯或聚醯亞胺；所述的金屬為 金、銅；所述的合金為SnCu、 PbSn或SnAg。
全文摘要
本發明公開了一種晶片圓片級封裝及其封裝方法，其在上蓋板圓片設有上密封環帶，在下蓋板圓片上設有與下密封環帶相配合的下密封環帶，上密封環帶和下密封環帶共晶共熔或者熱壓擴散實現封裝或；在上蓋板圓片上塗敷上環氧樹脂、聚合物、金屬或合金材料的鍵合層，在下蓋板圓片上設有與下密封環帶相配合的下密封環帶，下密封環帶擠壓到鍵合層實現封裝。本晶片圓片級封裝提高封裝內外部環境的密封性能，封裝方法能夠大大提高鍵合後的成品率，提高密封質量，保證長期可靠性。
文檔編號H01L21/60GK101552263SQ20091007436
公開日2009年10月7日 申請日期2009年5月18日 優先權日2009年5月18日
發明者何洪濤, 徐永青 申請人:中國電子科技集團公司第十三研究所