電子設備短路專用納米導電鐵粉的製作方法
2023-06-05 22:52:21 2
專利名稱：電子設備短路專用納米導電鐵粉的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種納米級鐵粉，具體為一種電子設備短路專用納米導電鐵粉。
技術背景專利申請號為2006100481685記載了一種金屬納米粉體零界顆粒切割生產 工藝，該專利申請記載了一種全新的零界顆粒切割金屬納米粉體材料工藝，以 鐵粉為例，步驟包括，將鐵粉置於一1(TC^+2(TC的零界加工溫度狀態下，然後 對鐵粉顆粒進行高速切割，每分鐘控制在4000 6000次，然後對切割後的鐵粉 顆粒4000 6000轉/分鐘的高頻研磨，再進行物理還原，表面處理，即可得到產 品，最後分級分選。能夠加工出不同納米級別的鐵粉，利用該方法生產出的特 定顆粒直徑的鐵粉具有以往技術生產出的材料不同的優異特性，該工藝生產出 的各個不同級別的納米鐵粉特性有著明顯的區別，經過分級篩選和配比後可廣 泛用於不同行業或領域。專利申請號為2006101620469公開了一種金屬微、納 米顆粒包覆工藝，該申請的技術方案能在金屬粉體材料的表面形成一層厚度為 lnm—3nm的高質量防氧化保護層，以下稱為"DQ包覆法"。目前，美國在反恐 戰爭中使用的納米導電粉，基本上是不規則的片型粉體材料，不規則的片型粉 體材料作為導電粉體，在使用中最大的缺點是導電電流小，破壞力弱，容易氧 化，不宜下落，實際使用量大。發明內容本發明為了解決現有技術中存在的不規則的片型粉體材料作為導電粉體導 電電流小，破壞力弱，容易氧化，不宜下落，實際使用量大等問題而提供了一 種電子設備短路專用納米導電鐵粉。本發明是由以下技術方案實現的， 一種電子設備短路專用納米導電鐵粉， 是由以下方法製備，利用零界顆粒切割金屬納米粉體材料工藝在-25t -32°C 的情況下，高頻切割次數設定在每分鐘5000次——6000次的情況下生產納米鐵 粉，分選出D3=18nm， D25=32 nm， D50=60 nm， D75=85nm， D97=100nm的顆粒分
布的粉體材料，而後利用"DQ包覆法"對鐵粉顆粒進行厚度為2nm 3nm的防氧 化包覆。將納米尺寸的鐵粉(納米球型顆粒)作為導電物體進行使用，其最大的優 點是；球型顆粒的橫截面面積要比片型粉體顆粒大得多，在實際使用中承載電 流大，短路效果好，破壞力大，不宜氧化，使用量小。本發明技術優勢，利用"零界顆粒切割金屬納米粉體材料工藝"可以大規 模生產納米導電粉，其技術優勢如下；1、 物理生產工藝，能充分保持鐵分子的原有良好導電性能，相比片狀粉體 材料，其導電性能提高了一個數量級。2、 短路效果良好，同樣是30納米的粉體材料，片狀粉體的承載電流是球 狀粉體顆粒的1/10。3、 破壞力大，片狀粉體在破壞短路時，往往是本身被短路電流溶化或是斷 裂為更小的粉體材料，從而失去了本能的短路破壞作用。球狀粉體因為承載電 流大，所以在破壞短路時，要麼發生熱熔粘連，引發電子設備短路起火，導致 電子設備全部報廢。要麼發生電流短路跳躍，使其發生連續跳躍短路，造成電 子設備全面癱瘓，失去正常使用功能。4、 眾所周知，金屬納米粉體材料在高空中基本上是懸浮物質。作為戰爭中 使用的，目的在於破壞敵方的電子、通訊設備。所以，只在離地面1000米的低 空範圍內布灑，但是，地面1000米的低空範圍內空氣中水分的含量比較大，這 樣就導致金屬納米粉體材料顆粒非常容易氧化，特別是橫截面面積相對小的片 狀粉體顆粒更是容易氧化，從而難以達到預期效果。本技術的顯著特點是；金 屬納米球體顆粒的表面是經過"氮氫包覆法"對鐵粉顆粒進行厚度為2nm-3nm 的防氧化包覆。這種防氧化包覆在不影響金屬顆粒導電短路的前提下，還能從 根本上防止了金屬納米粉體顆粒在低空下落時的氧化。5、 使用量小是本技術的又一亮度，因為片狀金屬粉體顆粒在實際使用中懸 浮力大，不宜下落，容易氧化，短路破壞力小等原因，所以實際使用量較大。
相反，用本技術生產的金屬納米球體顆粒材料在使用中懸浮力小，下落速度快， 不宜氧化，短路破壞力大，所以，使用量小，戰爭成本低。6、本技術的另一亮度是；可以在高於1000米的高空進行布灑，從而降低 了布灑的危險性和難度。
具體實施方式
實施例1，利用專利申請號為2006100481685所記載的"零界顆粒切割金 屬納米粉體材料工藝"在-25r的情況下，高頻切割次數設定在每分鐘5000次 的情況下生產納米鐵粉，(10 ii m為例)分選出D3=18nm， D25=32nm， D50=60 nm， D75=85nm， D97=100nm的顆粒分布較為集中的粉體材料，而後利用專利申請號 為2006101620469所記載的"DQ包覆法"對鐵粉顆粒進行厚度為，2nm 3nm的 防氧化包覆。對鐵粉的分選可以選擇"旋風分級工藝"，該工藝主要利用鐵粉顆粒的受 力表面積和鐵粉顆粒在受力情況下的拋物曲線以及鐵粉顆粒在旋風容器中的自 重下落速度、時間。利用人工風力和速度在一密閉容器中對直徑不同的鐵粉顆 粒進行有效的分級。納米鐵粉旋風式分級設備分為四級，每級配置4KW調速電機一臺，同時配 置20KW負壓電機一臺。首先開動負壓電機在分級設備的各級容器中形成負壓狀 態，而後分別開啟l級——4級旋風分級器電機在各自密閉容器中形成軸流旋風。 將需要分級的鐵粉限量吸入第一密閉容器，在軸流旋風中分選出顆粒直徑最大 的鐵粉顆粒，剩餘鐵粉顆粒進入第二密閉容器，在大於第一軸流旋風中分級出 所需鐵粉顆粒，順序二、三級進行逐級分級。這樣可以同時得到四個顆粒區間 相對集中的鐵粉產品。實施例2，利用專利申請號為2006100481685所記載的"零界顆粒切割金 屬納米粉體材料工藝"在-32'C的情況下，高頻切割次數設定在每分鐘6000次 一6000次的情況下生產納米鐵粉，(10um為例)分選出D348nm， D25=32nm， D50=60 nm, D75=85nm， D97=100nm的顆粒分布較為集中的粉體材料，而後利用 專利申請號為2006101620469所記載的"DQ包覆法"對鐵粉顆粒進行厚度為，
2nm 3nm的防氧化包覆。實施例3，利用專利申請號為2006100481685所記載的"零界顆粒切割金 屬納米粉體材料工藝"在-29'C的情況下，高頻切割次數設定在每分鐘5500次 一6000次的情況下生產納米鐵粉，(lOlxm為例)分選出D3二18nm， D25二32nm， D50=60 nm， D75二85nm， D97=100nm的顆粒分布較為集中的粉體材料，而後利用 專利申請號為2006101620469所記載的"DQ包覆法"對鐵粉顆粒進行厚度為， 2nm 3nm的防氧化包覆。
權利要求
1、一種電子設備短路專用納米導電鐵粉，其特徵在於是由以下方法製備，利用零界顆粒切割金屬納米粉體材料工藝在-25℃～-32℃的情況下，高頻切割次數設定在每分鐘5000次--6000次的情況下生產納米鐵粉，分選出D3＝18nm，D25＝32nm，D50＝60nm，D75＝85nm，D97＝100nm的顆粒分布的粉體材料，而後利用「DQ包覆法」對鐵粉顆粒進行厚度為2nm～3nm的防氧化包覆。
2、根據權利要求l所述的電子設備短路專用納米導電鐵粉，其特徵在於 在-29。C的情況下，高頻切割次數設定在每分鐘5500次的情況下生產納米鐵粉顆 粒。
全文摘要
本發明涉及一種納米級鐵粉，具體為一種電子設備短路專用納米導電鐵粉。解決了現有技術中存在的不規則的片型粉體材料作為導電粉體導電電流小，破壞力弱，容易氧化，不宜下落，實際使用量大等問題。是由以下方法製備，在-25℃～-32℃的情況下，高頻切割次數設定在每分鐘5000次-6000次的情況下生產納米鐵粉，分選出D3＝18nm，D25＝32nm，D50＝60nm，D75＝85nm，D97＝100nm的顆粒分布較為集中的粉體材料，而後對鐵粉顆粒進行厚度為2nm～3nm的防氧化包覆。球型顆粒的橫截面面積要比片型粉體顆粒大得多，在實際使用中承載電流大，短路效果好，破壞力大，不宜氧化，使用量小。
文檔編號B22F9/04GK101157138SQ20071013967
公開日2008年4月9日 申請日期2007年10月29日 優先權日2007年10月29日
發明者王惠民 申請人:王惠民