用於處理大面積矩形基板的高頻等離子體反應器的電壓非均勻性補償方法
2023-06-06 07:23:06
專利名稱：用於處理大面積矩形基板的高頻等離子體反應器的電壓非均勻性補償方法
技術領域：
本發明涉及一種用於大面積和/或高頻等離子體反應器的電壓和電場非均勻性補償方法。該方法一般適用於(但不限於)在LCD、等離子體顯示器和太陽能電池的生產中使用的矩形(或正方形)大面積等離子體處理設備，或是任何其他使用電磁波(RF，VHF)進行加工的反應器。
背景技術：
當今，工業中大多數情況下使用的射頻發生器的標準頻率為13.56MHz。國際電信規程規定，該頻率可在工業中應用。然而，從等離子體電容器應用的早期階段開始，便對更低或更高的頻率進行了討論，並希望將它們投入使用。當前，在PECVD(等離子體增強的化學氣相澱積)應用中，有一種將RF頻率值改變成高於13.56MHz的頻率的趨勢，其優選值為27.12MHz和40.68MHz(13.56MHz的諧波)。更高的頻率允許在PECVD工藝中採用更高的澱積速度，從而提高了生產率，降低了產品成本。因此，本發明適用於1至100MHz範圍內的RF頻率，但是它與高於10MHz的頻率最為相關。此外，也可以將本發明用於高達幾個GHz的微波頻率範圍。
使用大面積等離子體加工設備時，當所述RF頻率高於13.56MHz且使用了大尺寸(大的表面)的基板時，出現了一些嚴重的問題。如下所述，當平面型電容性反應器的最大尺寸(其對角線)等於或大於驅動等離子體的RF電功率的自由空間波長的3-5％時，本發明處理的問題便具有了實際的重要性。在這樣的條件下，與RF電磁波的自由空間波長相比，所述反應器的尺寸不再是可忽略的因素。在這樣的情況下，沿所述反應器的等離子體強度不再是均勻的。從物理上說，這種局限的根源在於所述RF波是根據所述反應器內的「駐波」空間振蕩的開始進行分布的。在反應器中也可以出現其他的非均勻性，如由用於等離子體加工的反應氣體引發的非均勻性。
相同申請人的美國專利US 6,228,438(以下稱US `438)說明了解決駐波問題的不同方法，該駐波造成了反應器電極上的電壓非均勻分布。美國專利6,631,692說明了一種等離子體CVD成膜裝置，在其中，兩個電極均具有凹的表面。根據美國專利6,631,692，這導致了更為均勻的等離子體，但是該文獻沒有研究以下說明的「駐波問題」。而US `438致力於研究圓柱對稱的平行板反應器問題。尚沒有現有技術研究致力於解決具有矩形或正方形基板和電極的方形盒狀反應器的複雜補償問題。
當在空腔內形成駐波時，由於等離子體維持於反應器間隙(處於陰極和陽極之間，在基板的上方)之中，電壓的非均勻性分布可導致等離子體的非均勻性。取決於希望的應用(如澱積和蝕刻)，這將導致對基板上的層的非均勻加工和或所述層的非均勻特性。也可以將本發明用於不一定使用等離子的反應器如使用高頻電磁波進行加熱的反應器。
為理解和預測駐波問題，已進行了試驗來確定這種非均勻性的形狀和強度以及它對於反應器尺寸(大小)和激勵頻率的依賴性。US`438說明，駐波引發的非均勻性與反應器的大小和激勵頻率密切相關。在兩種類型的反應器中進行了試驗i)將較大的圓柱形反應器(直徑為1m)用於定量研究，其中，在高頻(67.8MHz和100MHz)處，由駐波引起的非均勻性非常明顯。圖1-a示出了用於兩種極端的氬等離子體條件(壓力和RF功率)的、橫貫所述反應器直徑測得的和規格化的等離子體光強度。在該試驗中，選取等離子體條件，使得所有其他等離子體條件導致處於紅色和綠色曲線之間的光強度分布。在沒有等離子體時，可以將距離中心RF注入點為2400mm處的電場計為零。在67.8MHz處，通過在不同的功率和壓力情況下點燃等離子體，可以在圖1-a中看出，接近於零的等離子體密度出現在距反應器中心約450mm處。當存在等離子體時，這種均勻性的顯著降低是由以下因素造成的與真空計算相比，引發駐波的電磁波波長的減小，和等離子體的有效介電常數以及電極間間隙中的離子層分布(sheath distribution)。通過進一步將等離子體激勵頻率增加到100MHz，可以看出，所述等離子體光密度區已從圖1-a中的400mm移到圖1-b中的約300mm。
ii)用較小的矩形反應器(0.4m×0.4m)來衡量氬等離子體中的離子流均勻性。在圖2-a、2-b和2-c中，示出了用等離子體中的離子流均勻性衡量的等離子體均勻性。這種離子流均勻性與電子和離子的密度均勻性直接相關。應當注意，等離子體的離子密度和電子密度均勻性是與等離子體加工均勻性最為相關的參數。從這些圖中可看出，在13.6MHz處，等離子體是相當均勻的，而當激勵頻率增大到60MHz和81MHz時，變得不均勻了。這種非均勻性是由駐波效應造成的，當激勵頻率增大時，所述效應更為明顯。該試驗證據表明，由駐波造成的等離子體非均勻性取決於激勵頻率和反應器大小。換言之，它取決於激勵波長和反應器典型尺寸之間的比例差(scalingdifference)。
已知的矩形案例中存在的問題US `438沒有具體提及矩形反應器和非常大的反應器面積(＞1m2，更典型的為3-4m2)的駐波問題，在所述面積中，產生了關於RF注入點的另一些實際問題。當反應器面積增加時，為將RF電流在幾個點上分配，從而降低RF電流密度並降低由於過熱和諸如熔化、機械變形、疲勞等等的熱衝擊造成的故障風險，需要增加受激勵電極(陰極)上的注入點。
對於在PECVD生產中得到廣泛使用的矩形反應器(用於諸如TFT顯示器、等離子體顯示器、太陽能電池等應用和設備)，由於所述反應器角部或其電極的角部的各自強烈影響，因而由電磁波傳播建立的駐波形式具有非圓柱對稱的形狀(該解決方案中，在沿所述電極的兩個軸上仍然是對稱的)。此外，等離子體區中的波形取決於RF注入的幾何結構，同時，該注入發生在所述電極的背面。即使只使用一個正好處於反應器電極的背面中心位置的RF注入點，也必須考慮由於駐波而造成的角部影響。US `438中描述，補償電介質層的形狀基本為圓柱形幾何結構，且該電介質層的厚度從中心向邊緣遞減。
嚴格地說，該方法優化了圓柱形幾何結構的反應器，但是在使用矩形反應器時，它不能足夠地補償所述非均勻性。
發明內容
US `438的教導中，作為「最低程度」(閾值)，給出了反應器尺寸(電極尺寸)和/或激勵頻率的某些參數量級，從這些量級起駐波開始對等離子體加工產生重要影響。為對該程度進行量化，可以用電極尺寸[m]與頻率[MHz]的乘積給出的值「r×f」，其中，「尺寸」是指從(矩形或正方形)電極的中心起到其最遠角部測得的距離。用幾何術語來說，這代表了包圍一個電極的各角部的虛擬圓的半徑。
作為「最低程度」的實例，可以定義等離子體均勻性的2-4％的偏差範圍。這種等離子體均勻性定義為反應器表面的電子密度或離子密度的均勻性。在某些情況下，不容易局部地測得所述電子和離子密度，因此代之以測量等離子體綜合光強度(亮度)，因為光強度與電子密度直接相關。從而，將等離子體亮度的均勻性作為一種衡量等離子體均勻性的方法(圖2a和2b)。另一方面，一般假設等離子體密度(電子)與電極電壓的平方成正比。因此，等離子體的2-4％的偏差範圍意味著1-2％的電壓偏差(為等離子體偏差值的一半)。應當強調，由於反應器內的化學平衡在很大程度上有助於薄膜加工的均勻性，因此等離子加工的均勻性不僅受到等離子體均勻性(電子和離子)單方面因素的影響。然而，在等離子體加工設備的設計中，要求至少在進行加工的整個表面上具有均勻的(均一的)等離子體。
用r×f來表示，該閾值處於5m·MHz(或5×106m·Hz)的量級內。此例與13.6MHz的頻率和0.5m的反應器(電極)尺寸(半徑或半對角線)相對應。
另一方面，「r×f」存在一個上限，其中，以下說明的技術發現了它的限定。該上限處於50m·MHz(或5×107m·Hz)的量級內。此外，對於激勵頻率也存在一個上限，目前這個上限處於2500MHz的量級內。
因此，根據本發明的真空處理設備包括真空容器、至少兩個規定內部加工空間的電極和至少一個可連接到所述電極的電源。並且，在所述內部加工空間內提供了被處理基板的基板座和進氣口裝置(如根據噴頭原理的裝置)。至少一個所述電極沿第一橫截面具有凹的輪廓，並且沿第二橫截面具有凸的輪廓，且所述第一橫截面平行於所述第二橫截面。在以下部分，藉助一些附圖對此進行了詳細說明。
在一個實施例中，容器中的兩個所述電極中的每一個沿第一橫截面具有凹的輪廓，並且沿第二橫截面具有凸的輪廓，且所述第一橫截面平行於所述第二橫截面。有利之處是，可以將這些電極加工成相同的形狀。所述電源可以是13.56MHz或更高頻率的射頻電源，在一個優選實施例中，該電源與這些電極中的至少一個電極可以在至少兩個連接點處進行連接。根據本發明的另一個實施例，在所述基板和其中一個電極之間的空隙中至少部分地設置了矯正性的電介質層，該電介質層(另一個實施例)成為對電極的形狀的補充，並適於支持基板。
為利用本發明，一種用於在這樣的真空處理設備中處理至少一個平基板的方法包括以下步驟將所述基板放置在內部加工空間中，通過進氣口裝置將氣體引入內部加工空間，通過所述電極將電能加到內部加工空間，然後處理所述基板，包括對所述基板進行加熱、鍍覆或蝕刻。
圖1-a67.8MHz激勵頻率時，對於兩種極端氬等離子體條件在反應器直徑上的等離子體光強度分布。
所有其他條件導致了處於這兩條曲線之間的光強度分布。由駐波效應引發的等離子體密度變化很明顯，在67.8MHz的頻率處，如圖所示，駐波效應導致了半徑＝400mm處的接近於零密度的等離子體。在所述試驗條件下，在沒有等離子體時，預測密度降低到零的位置在r＝2400mm處。這表明等離子體的存在增強了駐波效應，導致所述場的強度在更小的半徑上降低為零(r～450mm)。
圖1-b100MHz激勵頻率時，對於處於10和500mbar之間的壓力級(在PECVD範圍中)的各種等離子體放電條件和現有技術的扁平電極，在反應器直徑上的等離子體光強度分布。注意67.8MHz的最小光強度位置(圖2-a中約為450mm)與100MHz的的最小光強度位置(圖2-b中約為300mm)之間的偏移。
圖2-a、2-b和2-c對於3種不同激勵頻率，通過電極(64＝8×8個電極)測得的0.4m×0.4m的反應器的等離子體離子流(Ji)的均勻性分布。2a13.6MHz處點燃的等離子體，2b60MHz處點燃的等離子體，2c81.4MHz處點燃的等離子體。
圖3-a矩形反應器的電極的3-D形狀。將玻璃放置在CDL上。從而，CDL處於玻璃和電極之間。注意，最小的CDL厚度可大於零，這意味著玻璃基板不一定直接放置在電極上。
圖3-b本發明電極的3-D形狀。CDL是所述電極的補充部分(即所述電極的「反面」)。
圖3-c當沿圖3-b中的從F至C的直線移動時，電極的表面一般具有凸的形狀(在AFD中)，然後，該形狀漸漸地變成了凹的(在ECH中)。對所有朝向中心C的、形成半長度點(E、F、G、H)的對應移動而言，情況相同。在圖3-c中，也可以看出，電極在E和H處最厚，在F和G處變薄，在A、B、D處進一步變薄，在C處最薄。
圖3-d電極形狀的另一示圖。
圖3-e示出了現有技術(淺灰色)與本發明(深灰色)的電極形狀之間的差異。與本發明的與凸曲線邊緣相交不同，US `438的高斯曲線與凹曲線的邊緣相交。從而，反應器角部中的等離子體非均勻性沒有得到補償。
圖4反應器及補償配置的變體1。
圖5反應器及補償配置的變體2。
圖6反應器及補償配置的變體3。在這種情況下，重要的是基板與電極的金屬部分接觸，否則等離子體會填充這兩者之間的空間並破壞補償效應。該圖放大了邊緣處的距離。
圖7反應器及補償配置的變體4。
圖8aCDL形狀的輪廓線(俯視圖)。這些輪廓線說明了怎樣對電極進行加工。
圖8bCDL和電極組合的側視圖。選擇臺階數，以使理想形狀與近似的臺階形狀之間的差異最小化。
本發明的解決方案本發明引入了一種對於矩形或正方形反應器中的駐波問題的補償方案。該補償建立在補償性電介質層(以下稱CDL或「透鏡」)基礎上。所述CDL層可以由包括真空、氣體、液體或固體的任何電介質材料製成。在朝向等離子體的一側，所述CDL具有扁平表面，而在朝向電極一側，具有經過複雜彎曲的表面。
如果將CDL的這種經過複雜彎曲的表面看成幾何意義上的正，則電極的所述表面便形成了與之對應的幾何意義上的負(圖3-a)。為容納本發明的CDL層，需要對電極形狀進行相應的加工。以下，應當對電極的彎曲表面(它實質上與CDL上的反向表面相同)進行說明。
與用於圓柱對稱的反應器的相當平滑的、凹的和形狀規則的透鏡(如US `438中所述)相反，我們發現，用於矩形幾何形狀中的補償長度的最佳設計並不如此簡單。我們在下面說明這種最佳的幾何形狀。
將具有最大電極厚度的平面作為基準，該平面放置在圖3-b中的點E和H之間，並與XY平面平行。這並不意味著CDL在點H和E處厚度為零，而要取決於使用何種電介質材料。(圖3-a、3-b和3-d)。在圖3-b中，描述了四種電極厚度輪廓截面AFD和ECH與YZ平面平行(短邊方向)，且截面AEB和FCG處於XZ平面內(長邊方向)。C位於電極中心，而E、F、G和H分別位於各自所在邊的半長度處。
在電極中心處CDL的厚度為最厚，電極上的最大厚度減少發生在該中心處，因此，電極在C處最薄。電極在E和H處最厚(長邊的半長度)。從而，所述電極的厚度從E和H到F和G到A、B和D一直到C連續減少。
圖3-c還描繪了容納CDL的矩形電極的必要形狀當沿直線從F移動到C時，電極表面一般為凸的形狀(在AFD中)逐漸變為凹的(在ECH中)。對所有朝向中心C的、形成半長度點(E、F、G、H)的對應移動而言，情況相同。在圖3-c中也可以看出，電極在E和H處最厚，在F和G處變薄，在A、B、D處進一步變薄，在C處最薄。
對於正方形反應器，CF與CE等長，且AD與AB等長，可以很容易地推出，電極在E、F、G和H處厚度相等，並且電極在這些點處的厚度大於其在A、B和D處的厚度。
典型的CDL尺寸可以是-X、Y方向(長度、寬度)的尺寸為0至5m-Z方向的尺寸通常為幾個毫米(但是，對於大型裝置和較高頻率，也可以高達幾個釐米)。
圖3-c示出一個數字例對於用真空形成的CDL和27MHz的激勵頻率，AB＝2.2m，AD＝2m，最大間隙(dmax)為3.2毫米量級。
圖3-e示出現有技術(US `438)的簡單調整與本發明之間的差異CDL的形狀不是讓矩形電極改為高斯曲線(淺灰色)的形狀，而是本發明精心設計的形狀(黑色)，該形狀採取了特別的措施來補償矩形反應器角部中的等離子體非均勻性。
具體實施例方式
本發明致力於提供一種具有經過補償的底部電極和使用真空(或氣體)作為電介質的解決方案。也可採用電介質補償的其他實施例和反應器配置的不同變體-可以使用兩種反應器配置I)可以將CDL用於通常用作基板座的底部電極，II)可以將CDL用於頂部電極，該電極通常作為用於等離子加工目的(PECVD、PVD、蝕刻和其他這樣的工藝)的所謂的氣體噴頭。
增加在兩個電極上均設置透鏡的方案是有益的。在該方案中，每個透鏡的厚度可以是單個電極中的一個透鏡厚度的一半。該方案還提供了在反應器的對稱性方面的(兩個電極是相同的)一些優點。它還能夠減小由電極形狀導致的電場徑向分量的幅值。當所述透鏡變厚或當等離子體變成高導電性物質(低壓下的高密度等離子體)時，該徑向電場會成為均勻性方面的限制因素。
還有兩種主要的CDL實施例可供使用I)所述電介質可以為真空或氣體(具有近似為1的相對介電常數εr，)II)或者，它可以填充合適的電介質材料(εr＞1)，如氧化鋁、氧化鋯、石英或任何其他能滿足目標加工的熱和化學兼容性規定的材料。
通過將上述變體進行組合，最後可匯總得到四個主要的實施例-變體1(圖4)CDL放置在頂部電極之中，且真空作為主電介質。在這種情況下，為維持具有均勻間隙(Z軸方向上的等離子體厚度)的等離子體，可以在頂部電極上使用電介質板。加工氣體從頂部電極開始，經過給定的分配裝置(噴頭)，然後流過所述電介質板，在所述電介質板中，分布了合適的孔洞，以便讓所述氣體通過併到達等離子體區。
-變體2(圖5)CDL放置在頂部電極之中，且使用了一種電介質材料(εr＞1)。該電介質材料可以是多孔的，以便讓所述氣體通過而到達等離子體區，或者，可以在該材料上加工一些散布的小孔來實現同樣目的。
-變體3(圖6)CDL放置在底部電極區域中。將真空用作電介質，並將基板作為在整個反應器體積內維持恆定的等離子體間隙的手段。通常將基板設置在電介質上方，並放置在支柱上，這些支柱的分布方式使基板處於基本平直的位置。為了給基板提供足夠的支持，規定了支柱的分布方式，使得支柱到支柱的距離在100mm的量級，以便在溫度為約300℃時維持通常為0.7mm厚的玻璃基板的平直性。所述支柱設計得對等離子體的性能的影響儘可能小，因為這種影響將直接幹擾在所述基板上加工的膜，從而影響膜的局部缺陷(厚度、電性能)。已經發現，使用細小的支柱(通常r＜2mm)能將這種影響減少到＜2％的程度。(也可參閱DE10134513 A1)-變體4(圖7)CDL在底部電極之中成形，並使用一種電介質材料(εr＞1)。
-變體5CDL在底部電極之中成形，並使用一種電介質材料組合(εr＝1和εr＞1)。
顯然，對本領域技術人員而言，可以將幾乎所有這些變體進行重新組合。
由於CDL的形狀相當複雜，因而容納CDL的電極的形狀也同樣複雜。在實踐中，為節省加工成本，可以用給定高度的更為簡單的臺階近似來加工包含CDL和/或CDL的電介質材料的電極。在這些臺階不影響等離子加工的前提下，可以給出正確確定所述電極形狀所需的臺階數目。在PECVD中，實際的臺階高度不應超過0.1mm。因此對於3mm的CDL，應當加工至少30級0.1mm高的臺階。
實際上，我們可以更為一般地估算臺階數。我們可以根據所想要的均勻性來估計所需的臺階數。對於扁平電極，如果Uflat為電場均勻性，則對於n級臺階，可以通過Uflat/(nsteps+1)來給出所述均勻性的估計，即如果Uflat＝10％，則9級臺階可提供1％的均勻性。
在圖8-a中，示出了一例輪廓線。可以用這些輪廓線來規定要加工的臺階的位置。從而，可以簡化生產過程。在圖8-b中示出了與之對應的截面圖。
本發明的另一些優點也可以將本發明的CDL層和對應的電極用於其他工藝，這些工藝不一定指等離子體工藝。可以將其應用於電磁波加熱(或烘乾)室。在這樣的應用中，所述工藝可以是加熱工藝，且通過CDL進行的電場非均勻性補償將有助於實現均勻的溫度分布。
通過用本發明實現均勻的等離子體密度，對LCD、等離子體顯示器或半導體應用中使用的各層而言，一個非常關鍵的參數是所謂的溼蝕刻速度均勻性，該均勻性與層的化學計量緊密相關本發明導致了在整個基板區域內各層的更為均勻的溼蝕刻速度，因此可以減小層的總厚度並在PECVD澱積與幹或溼蝕刻工藝中節省成本。
通過得到更為均勻的等離子體分布，本發明形成了一系列優勢，這些優勢是由於增強的層均勻性和層厚度均勻性造成的可以實現在整個基板區域內實現更高的半導體層摻雜均勻性。例如，在LCD技術中，以更均勻的方式蝕刻了更為均勻的各層，而這對後溝道(backchannel)蝕刻優化而言是一個優勢，從而導致了更薄的摻雜層、更薄的HDR層、更短的蝕刻時間、更好的遷移率和一般而言更低的生產成本。
此外，PECVD工藝中的一個關鍵問題是對將基板從底部電極升起的支柱(即相對於所述的支撐支柱的移動支柱)的配置問題。用這些移動支柱在工藝的不同階段來升起基板(例如在襯墊的裝入和卸下過程中)，從而，需要可靠地設計這些支柱，以便使它們不發生斷裂。在標準的反應器中，這些移動支柱的存在可能對膜的生長造成幹擾(通過溫度非均勻性、靜電場擾動)，而這將導致非均勻的蝕刻速度。如果所述支柱配置在裝置的工作區內或與之接近(如配置在LCD TFT陣列的工作區內)，則這種影響更令人困擾。而使用本發明，基板之下的電介質透鏡在很大程度上減小了移動支柱幹擾的影響。從而，本發明允許使用更大直徑的支柱來實施更為可靠的支柱設計方案。應當強調，可以將靜態的支柱(如圖6所示)製造得足夠小，以將其對工藝的幹擾降低到可忽略的程度。
權利要求
1.一種真空處理設備，包括一個真空容器；至少兩個限定內部加工空間的電極；至少一個能與所述電極連接的電源；在所述內部加工空間內被處理基板的基板座；以及進氣口裝置，其中，所述電極中至少一個具有沿第一橫截面凹陷的輪廓和沿第二橫截面凸起的輪廓，且所述第一橫截面平行於所述第二橫截面。
2.如權利要求1所述的真空處理設備，其中，兩個所述電極各有沿第一橫截面凹陷的輪廓和沿第二橫截面凸起的輪廓，且所述第一橫截面平行於所述第二橫截面。
3.如權利要求2所述的真空處理設備，其中，所述電極成為相同的形狀。
4.如權利要求1所述的真空處理設備，其中，所述電源是用於13.56MHz或更高頻率的射頻電源。
5.如權利要求1所述的真空處理設備，其中，至少一個所述電極能與所述電源在至少兩個連接點處進行連接。
6.如權利要求1所述的真空處理設備，其中，所述基板與其中一個電極之間的空間中至少部分地設有矯正電介質層。
7.如權利要求6所述的真空處理設備，其中，所述矯正電介質層的一個表面補充所述電極的形狀。
8.如權利要求6所述的真空處理設備，其中，所述矯正電介質層的一個表面被進行修改，以支持所述基板。
9.如權利要求6所述的真空處理設備，其中，所述矯正電介質層包括真空、氣體、氧化鋁、氧化鋯或石英。
10.如權利要求1和/或6所述的真空處理設備，其中，所述進氣系統包含在電極和/或所述矯正電介質層中的一組孔，以向所述內部加工空間供給氣體。
11.一種在如權利要求1所述的真空處理設備中處理至少一個扁平基板的方法，包括以下步驟-將所述基板放入限定於至少兩個電極之間的內部加工空間，-將氣體通過進氣口裝置供給所述內部加工空間，-經由所述電極將電能施加到所述內部加工空間，-處理所述基板。
12.如權利要求11所述的方法，其中，所述處理包括加熱、鍍覆或蝕刻中的一種。
13.如權利要求11所述的方法，其中，所述基板包括玻璃基板、平板顯示器、半導體基板中的一種。
全文摘要
公開了一種真空處理設備和對於大面積和/或高頻等離子體反應器中的電壓和電場非均勻性的補償方法。該方法一般適用於生產LCD、等離子體顯示器和太陽能電池的矩形(或方形)大面積等離子體加工設備或任何其他使用電磁波(RF，VHF)進行加工的反應器。所述設備包括真空容器、至少兩個限定內部加工空間的電極、至少一個能夠與所述電極連接的電源、在所述內部加工空間內被處理基板的基板座以及進氣口裝置，其中，至少一個所述電極具有沿第一橫截面凹陷的輪廓和沿第二橫截面凸起的輪廓，且所述第一橫截面平行於所述第二橫截面。
文檔編號C23C16/00GK1879189SQ200480032865
公開日2006年12月13日 申請日期2004年9月8日 優先權日2003年9月10日
發明者J·施米特, L·桑松嫩斯, M·埃爾亞庫比, M·伊爾日克 申請人:尤納克西斯巴爾策斯公司