一種半導體晶片測試裝置製造方法
2023-06-26 10:23:06
一種半導體晶片測試裝置製造方法
【專利摘要】本實用新型涉及半導體晶片測試領域，具體的說是涉及一種半導體晶片測試裝置，主要由測試探針、引線和臺座組成，用於完成片電極與測量電路的電氣連接的裝置，它包括一基底，在所述基底上、電極在雙側的晶片，粘貼有銀漿層。本實用新型在所述基底上、電極在雙側的晶片，粘貼有銀漿層，銀漿層具有吸附晶片作用，可以將晶片很穩定的固定在基板上，不會使其亂動，在測試過程中，可以達到百分之百的準確測量，不再會將合格品當作不良品被報廢掉。另外在晶片右上方設置有光闌，可以有效的消除雜散光，提高晶片的測量準確率。
【專利說明】一種半導體晶片測試裝置
【技術領域】
[0001] 本實用新型涉及半導體晶片測試領域，具體的說是涉及一種半導體晶片測試裝 置。
【背景技術】
[0002] 半導體晶片測試裝置主要應用於半導體行業、光電行業、集成電路以及封裝的測 試。廣泛應用於複雜、高速器件的精密電氣測量的研發，旨在確保質量及可靠性，並縮減研 發時間和器件製造工藝的成本。
[0003] 從功能上來區分有：溫控型，真空型(超低溫探針臺），RF型，IXD平板型，霍爾效應 型，表面電阻率型。
[0004] 隨著現今電子設備的高端化，小型化，對半導體晶片的封裝與測試流程的性能提 出了更高的要求，特別是到行動電話、個人電腦到電子消費品的製造更是如此。而在產品組 裝過程中，最不可或缺的關鍵就是快速精確穩定。客戶在檢測微小的晶片的裸晶的篩選，抓 取，移動，插件等與後續製程上遇到了諸多品質障礙。在此過程中，必須採用高端運動控制 結合配合機器視覺系統一起相輔相成達成晶片光學質量檢測與封裝工藝，藉以提高生產效 率。
[0005] 現有技術中，由於晶片測試過程中，晶片都是單片的被放置在託盤中，每測試一片 都需重複對晶片進行拾放動作，容易損傷晶片，導致良率下降的可能，並且定位精度不好， 使測試裝置常出現異常處理，拾放動作需要較長的輔助時間，測試裝置的測試效率也很低。 由於晶片放置在晶片放置在基板上，雖然在基板上設置有晶片放置區域標識，但晶片由於 人工操作，容易偏既定區域，導致晶片測試不合格，即相當於本身是好的晶片，被測成不良 品，這樣就導致資源的浪費。
[0006] 因此，半導體晶片測試裝置需要改進。 實用新型內容
[0007] 針對上述技術中的不足，本實用新型提供了一種晶片測試穩定、測試探針接觸良 好的半導體晶片測試裝置。
[0008] 為解決上述技術問題，本實用新型通過以下方案來實現：
[0009] -種半導體晶片測試裝置，主要由測試探針、引線和臺座組成，用於完成片電極與 測量電路的電氣連接的裝置，它包括一基底，在所述基底上、電極在雙側的晶片，粘貼有銀 漿層，所述晶片右上方設有消除雜散光的光闌。
[0010] 進一步的，在晶片左右兩側的銀漿層被晶片壓住部分區域。
[0011] 進一步的，所述銀楽層厚度在0· 1-lmm之間。
[0012] 進一步的，所述光闌置於晶片右上方80°?85°之間。
[0013] 本實用新型的有益效果是：在所述基底上、電極在雙側的晶片，粘貼有銀漿層，銀 漿層具有吸附晶片作用，可以將晶片很穩定的固定在基板上，不會使其亂動，在測試過程 中，可以達到百分之百的準確測量，不再會將合格品當作不良品被報廢掉。另外在晶片右上 方設置有光闌，可以有效的消除雜散光，提高晶片的測量準確率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0014] 圖1為本實用新型測量晶片原理圖。
[0015] 圖2為本實用新型基底上的晶片及銀漿層結構示意圖。
[0016] 附圖中標記：基底10 ;晶片20 ;銀漿層30 ;光度探測器1 ;光闌3。
【具體實施方式】
[0017] 以下結合附圖對本實用新型作詳細說明。
[0018] 本實用新型主要由測試探針、引線和臺座組成，用於完成片電極與測量電路的電 氣連接的裝置。
[0019] 請參照附圖1、2,本實用新型的一種半導體晶片測試裝置，包括一基底10,在所述 基底10上、電極在雙側的晶片20,粘貼有銀漿層30。在晶片20左右兩側的銀漿層30被芯 片20壓住部分區域。所述銀漿層30厚度在0.1-lmm之間。所述晶片20右上方設有消除 雜散光的光闌3。
[0020] 如圖1所示，光度探測器1的相對光譜響應度應該校準到和CIE國際照明委員會） 標準光度觀測者光譜光視效率函數V( λ) -致；測試輻射參數時應採用無光譜選擇性的 光探測器。測試系統應該按距離d和光闌D1用標準器校正。測量距離d必須大於光度 探測器直徑5倍?10倍。要求被測器件的機械軸通過探測器孔徑的中心。
[0021] 將測試探針壓在晶片的電極上或引出端上，完成與晶片的電氣連接。光度探測器 的相對光譜響應度應該校準到和CIE國際照明委員會)標準光度觀測者光譜光視效率函數 V( λ) -致；測試輻射參數時應採用無光譜選擇性的光探測器。測試系統應該按距離d 和光闌D1用標準器校正。測量距離d必須大於光度探測器直徑5倍?10倍。要求被 測器件的機械軸通過探測器孔徑的中心。對於脈衝測量，電流源應該提供所要求的幅度、寬 度和重複率的電流脈衝。探測器上升時間相對於脈衝寬度應該足夠小，系統應該是一個峰 值測量儀器。
[0022] 所述光闌置於晶片右上方80°?85°之間，這個角度對晶片的測量數據具 有很大的貢獻，晶片測試時，測試探針會檔光，以及通常發光強度測量因方法不同引 進的誤差都會影響晶片最後測試的結果。規定統一的校準方法是測試結果一致性的 保證。按本標準方法使用測試探針點亮晶片，用晶片測量系統測得晶片20發光強 度讀數值為I V1。假定影響測試探針點亮晶片的發光強度主要因數是測試探針，則 ;這裡灸#是測試探針影響係數，心·是晶片虛擬發光強度.它表示沒有 探針和引線影響的理想片的發光強度。將此已檢測晶片封裝在Τ05標準管殼中，無任何光 學系統。用標準發光強度測試系統測量發光強度讀數得/?$，假定影響片亮的主要因數是 ^ / 引線，/η = .，該公式可用於校準晶片測試系統。
[0023] 以上所述僅為本實用新型的優選實施方式，並非因此限制本實用新型的專利範 圍，凡是利用本實用新型說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間 接運用在其它相關的【技術領域】，均同理包括在本實用新型的專利保護範圍內。
【權利要求】
1. 一種半導體晶片測試裝置，主要由測試探針、引線和臺座組成，用於完成片電極與測 量電路的電氣連接的裝置，它包括一基底（10)，其特徵在於：在所述基底（10)上、電極在雙 側的晶片（20)，粘貼有銀漿層（30)，所述晶片（20)右上方設有消除雜散光的光闌（3)。
2. 根據權利要求1所述的一種半導體晶片測試裝置，其特徵在於：在晶片（20)左右兩 側的銀漿層（30)被晶片（20)壓住部分區域。
3. 根據權利要求1所述的一種半導體晶片測試裝置，其特徵在於：所述銀漿層（30)厚 度在0· 1-lmm之間。
4. 根據權利要求1所述的一種半導體晶片測試裝置，其特徵在於：所述光闌（3)置於芯 片（20)右上方80°?85°之間。
【文檔編號】G01R31/26GK203909230SQ201420328888
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年6月19日 優先權日:2014年6月19日
【發明者】高新華 申請人:高新華