基板處理裝置以及基板處理方法

2023-06-01 13:37:41 4

基板處理裝置以及基板處理方法
【專利摘要】基板處理裝置具有基板保持部、基板旋轉機構和腔室。基板旋轉機構具有在腔室的內部空間配置的環狀的轉子部和在腔室外配置在轉子部的周圍的定子部。基板保持部在腔室的內部空間安裝在轉子部上。在基板旋轉機構中，在定子部和轉子部之間產生以中心軸為中心的旋轉力。由此，轉子部與基板以及基板保持部一起以中心軸為中心以漂浮狀態進行旋轉。在基板處理裝置中，能夠在具有高的密閉性的內部空間內使基板容易進行旋轉。其結果，能夠容易實現在密閉的內部空間中的基板的單張處理。
【專利說明】基板處理裝置以及基板處理方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及對基板進行處理的基板處理裝置以及基板處理方法。
【背景技術】
[0002]一直以來，在半導體基板(以下僅稱為「基板」。)的製造工序中，使用基板處理裝置來對基板實施各種處理。例如，通過向在表面上形成有抗蝕劑的圖案的基板供給藥液，來對基板的表面進行蝕刻等處理。另外，在蝕刻處理結束後，還進行除去基板上的抗蝕劑或對基板進行清洗的處理。
[0003]在日本特開平9-246156號公報(文獻I)的裝置中，通過衝洗液衝洗掉晶片上的顯影液等後，對晶片進行乾燥。具體地說，向衝洗處理部搬入晶片，並由晶片吸附部吸附晶片，在衝洗處理部的開口由閘門堵住後，對衝洗處理部的內部空間進行排氣。然後，在處於減壓環境的內部空間中，使晶片與晶片吸附部一起以低速旋轉，並供給衝洗液，由此進行衝洗處理，然後，使晶片以高速旋轉，由此對晶片進行乾燥。
[0004]但是，在如文獻I的裝置中，用於使晶片吸附部進行旋轉的伺服馬達等驅動部設置在衝洗處理部的外部，通過貫穿衝洗處理部的外壁的旋轉軸，與晶片吸附部以機械方式連接。因此，在旋轉軸從衝洗處理部的外部貫通到內部空間的部位需要設置用於防止處理液流出和顆粒進入的密封件。另外，如文獻I那樣，在使衝洗處理部的內部空間為減壓環境的情況下，還需要通過該密封件防止氣體的流入以及流出。但是，由於這樣的密封件具有非常複雜的結構，所以有可能導致裝置複雜或大型化，並且，即使使用密封件，完全密閉內部空間也並不容易。

【發明內容】

[0005]本發明面向對基板進行處理的基板處理裝置，其目的在於能夠容易實現在被密閉的空間中的基板的單張處理。本發明還面向對基板進行處理的基板處理方法。
[0006]本發明的基板處理裝置具有:腔室(chamber)，具有腔室主體以及腔室蓋部，通過由所述腔室蓋部堵塞所述腔室主體的上部開口，來形成被密閉的內部空間，基板保持部，配置在所述腔室的所述內部空間內，將基板保持為水平狀態，基板旋轉機構，以朝向上下方向的中心軸為中心，使所述基板與所述基板保持部一起進行旋轉，處理液排出部，將供給到所述基板上的處理液向所述腔室外排出；所述基板旋轉機構具有:環狀的轉子部，配置在所述腔室的所述內部空間內，並安裝有所述基板保持部，定子部，在所述腔室外配置在所述轉子部的周圍，在所述定子部與所述轉子部之間產生旋轉力。由此，能夠更容易地實現在被密閉的空間中的基板的單張處理。
[0007]在本發明的一個優選的實施方式中，基板處理裝置還具有:處理液供給部，向所述腔室內供給處理液，控制部，對所述基板旋轉機構以及所述處理液供給部進行控制；通過所述控制部的控制，在所述基板保持部未保持基板的狀態下向所述腔室內供給所述處理液並進行貯存，在所述內部空間內，在所述基板保持部的至少一部分浸潰在所述處理液中的狀態下，使所述基板保持部進行旋轉，由此進行所述腔室內的清洗處理。由此，能夠容易對腔室內進行清洗。
[0008]在本發明的另一個優選的實施方式中，所述處理液排出部從所述內部空間的下部排出處理液，所述轉子部配置在所述基板保持部的周圍，所述轉子部具有接受液體面，該接受液體面與所述基板的外周緣在徑向上相向，接受從所述基板的外周緣飛散的處理液並向下方引導。由此，能夠抑制處理液向基板的彈回。
[0009]在本發明的另一個優選的實施方式中，所述處理液排出部從所述內部空間的下部排出處理液，所述轉子部配置在所述基板保持部的周圍，所述轉子部的上表面的內周緣與所述基板的所述上表面的外周緣接觸或接近，所述腔室具有環狀的流路形成部，在該環狀的流路形成部和所述轉子部之間形成用於將所述處理液向所述處理液排出部引導的流路，在所述轉子部的所述上表面的所述內周緣和所述流路形成部之間，形成有用於向所述流路引導處理液的狹縫狀的開口。由此，能夠抑制處理液向基板的彈回。
[0010]在本發明的另一個優選的實施方式中，所述基板保持部具有:多個基板支撐部，對所述基板從下側進行支撐，多個基板按壓部，對所述基板從上側進行按壓；各基板支撐部能夠以朝向水平方向的第一旋轉軸為中心，在第一待機位置和第一保持位置之間進行旋轉，通過在第一基板抵接部上載置所述基板，基板支撐部從所述第一待機位置向所述第一保持位置旋轉，來對所述基板從下側進行支撐，各基板按壓部能夠以朝向水平方向的第二旋轉軸為中心在第二待機位置和第二保持位置之間進行旋轉，所述基板按壓部藉助由所述基板旋轉機構產生的旋轉的離心力，從所述第二待機位置向所述第二保持位置旋轉，來由第二基板抵接部對所述基板從上側進行按壓。由此，能夠在不設置用於驅動基板保持部的驅動機構的情況下容易保持基板。
[0011]在本發明的另一個優選的實施方式中，該基板處理裝置還具有:處理液供給部，在所述內部空間內向所述基板上供給處理液，氣體供給部，向所述內部空間內供給氣體，緩衝罐，與所述內部空間經由連接配管連接，暫時貯存從所述內部空間引導來的處理液，並且，該緩衝罐的內部的氣體經由所述連接配管內的氣體與所述內部空間的氣體總是連續,氣體排出部，排出所述緩衝罐內的氣體，壓力控制部，對所述氣體供給部以及所述氣體排出部進行控制，來控制所述腔室的所述內部空間的壓力；所述處理液排出部用於排出在所述緩衝罐貯存的處理液。由此，能夠高精度地控制腔室的內部空間的壓力。
[0012]本發明的基板處理方法包括:a工序，在腔室內的被密閉的內部空間配置的基板保持部未保持基板的狀態下，向所述腔室內供給處理液並進行貯存；b工序，在所述內部空間內，所述基板保持部的至少一部分浸潰在所述處理液中的狀態下，通過使所述基板保持部旋轉，來進行所述腔室內的清洗處理。。
[0013]通過參見所附的附圖並閱讀以下的詳細說明，本發明的其他目的、特徵及優點可
一目了然。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1是表示第一實施方式的基板處理裝置的結構的圖。
[0015]圖2是表示控制部的功能的框圖。
[0016]圖3是基板保持部的俯視圖。[0017]圖4是放大表示卡盤部的俯視圖。
[0018]圖5是卡盤部的剖視圖。
[0019]圖6是卡盤部的剖視圖。
[0020]圖7是卡盤部的剖視圖。
[0021]圖8是卡盤部的剖視圖。
[0022]圖9是轉子部的剖視圖。
[0023]圖10是基板處理裝置的剖視圖。
[0024]圖11是基板處理裝置的剖視圖。
[0025]圖12是基板處理裝置的剖視圖。
[0026]圖13是表示基板處理的流程的圖。
[0027]圖14是基板處理裝置的剖視圖。
[0028]圖15是表示腔室內的清洗處理的流程的圖。
[0029]圖16是基板處理裝置的剖視圖。
[0030]圖17是基板處理裝置的剖視圖。
[0031]圖18是第二實施方式的基板處理裝置的局部剖視圖。
[0032]圖19是第三實施方式的基板處理裝置的局部剖視圖。
[0033]圖20是第四實施方式的基板處理裝置的剖視圖。
[0034]圖21是基板處理裝置的剖視圖。
[0035]圖22是基板處理裝置的剖視圖。
[0036]圖23是第五實施方式的基板處理裝置的剖視圖。
[0037]圖24是詳細表示壓力控制涉及的結構的圖。
[0038]圖25是表示基板處理的流程的一部分的圖。
[0039]圖26是詳細表示壓力控制涉及的其他結構的圖。
[0040]圖27是第六實施方式的基板處理裝置的剖視圖。
[0041]圖28是基板處理裝置的剖視圖。
[0042]圖29是基板處理裝置的剖視圖。
[0043]其中，附圖標記說明如下
[0044]1、Ia?Ie基板處理裝置
[0045]2 基板保持部
[0046]5 基板旋轉機構
[0047]7 腔室
[0048]9 基板
[0049]11控制部
[0050]22基板支撐部
[0051]23基板按壓部
[0052]25旋轉軸
[0053]31第一處理液供給部
[0054]32第二處理液供給部
[0055]33第三處理液供給部[0056]35掃描噴嘴
[0057]41升降銷
[0058]42升降銷移動機構
[0059]51、51a 定子部
[0060]52、52a、52b 轉子部
[0061]60緩衝罐
[0062]60a第一緩衝罐
[0063]60b第二緩衝罐
[0064]60c第三緩衝罐
[0065]61氣體供給部
[0066]62吸引部
[0067]63處理液排出部
[0068]64、64a~64c氣體排出部
[0069]70內部空間
[0070]71腔室主體
[0071]73腔室蓋部
[0072]75第一上部噴嘴
[0073]76下部噴嘴
[0074]91(基板的)上表面
[0075]92(基板的)下表面
[0076]112壓力控制部
[0077]222第一阻擋件
[0078]223第一基板抵接部
[0079]224第一配重部
[0080]225第一抵接面
[0081]232第二阻擋件
[0082]233第二基板抵接部
[0083]234第二配重部
[0084]235第二抵接面
[0085]411頂端部
[0086]521永久磁鐵
[0087]523接受液體面
[0088]524環狀突出部
[0089]525保護壁
[0090]526(保護壁的)上端
[0091]527(保護壁的)下端
[0092]533(轉子部的)上表面
[0093]534流路
[0094]535環狀開口[0095]621慢漏氣部
[0096]622強制排氣部
[0097]711腔室底部
[0098]715流路形成部
[0099]731蓋突出部
[0100]771連接閥
[0101]777、777a ~777d 連接配管
[0102]812第一回收部
[0103]822第二回收部
[0104]832第三回收部
[0105]Jl中心軸
[0106]Sll ~S21、S31 ~S35、S191 ~S194 步驟【具體實施方式】
[0107]圖1是表示本發明的第一實施方式的基板處理裝置I的結構的圖。基板處理裝置I是向大致圓板狀的半導體基板9 (以下僅稱為「基板9」。)供給處理液來對基板9 一張一張進行處理的單張式的裝置。
[0108]基板處理裝置I具有基板保持部2、第一處理液供給部31、第二處理液供給部32、第三處理液供給部33、基板移動機構4 (參照圖10)、基板旋轉機構5、氣體供給部61、吸引部62、腔室7、加熱部79、對這些機構進行控制的控制部11 (參照圖2)。在圖1中，以剖面表示基板旋轉機構5以及腔室7等。基板保持部2能夠保持基板9，在圖1中描繪出保持著基板9的狀態。
[0109]腔室7具有腔室主體71、腔室蓋部73和蓋部移動機構74。腔室主體71以及腔室蓋部73由非磁性體形成。腔室主體71具有腔室底部711和腔室側壁部712。腔室底部711是以朝向上下方向的中心軸Jl為中心的大致圓板狀，並在外周部具有環狀凹部714。腔室側壁部712是以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀，與腔室底部711的環狀凹部714的外周連續。並且，由環狀凹部714和腔室側壁部712包圍的空間成為下部環狀空間717。環狀凹部714形成為，在對基板9進行處理時，基板保持部2所保持的基板9的外周緣處於環狀凹部714的寬度的範圍內。因此，在對基板9進行處理時，下部環狀空間717位於基板9的外周緣的下方。腔室蓋部73是以中心軸Jl中心的大致圓盤狀，用於對腔室主體71的上部開口進行堵塞。腔室蓋部73與基板9的形成有微細圖案的一個主面91 (以下稱為「上表面91」。)在上下方向上相向，腔室底部711與基板9的另一個主面即下表面92在上下方向上相向。在腔室底部711的內部設置有作為加熱部79的加熱器。
[0110]蓋部移動機構74使腔室蓋部73在上下方向上進行移動。在基板處理裝置I中，在腔室蓋部73移動到上方而從腔室主體71離開的狀態下，向腔室7內搬入基板9或從腔室?搬出基板9。另外，通過將腔室蓋部73加載在腔室側壁部712的上部來對腔室主體71的上部開口進行堵塞，由此形成被密閉的內部空間70。
[0111]腔室蓋部73具有向下方突出的蓋突出部731。蓋突出部731是以中心軸Jl為中心的大致圓柱狀，並具有以中心軸Jl為中心的筒狀的外周面733。在通過腔室蓋部73堵塞腔室主體71的上部開口而形成了內部空間70的狀態、即腔室7被密閉的狀態下，蓋突出部731的外周面733和腔室側壁部712的內周面713之間的空間成為上部環狀空間732。大致圓柱狀的蓋突出部731的底面比基板保持部2所保持的基板9小一些，因此在對基板9進行處理時，上部環狀空間732位於基板9的外周緣的上方。
[0112]在腔室蓋部73的中央部安裝有第一上部噴嘴75，在第一上部噴嘴75的周圍設置有剖面為圓環狀的第二上部噴嘴78。在第一上部噴嘴75上經由上部切換部751連接有第一處理液供給部31、第二處理液供給部32以及第三處理液供給部33。在第二上部噴嘴78上連接有氣體供給部61。
[0113]在腔室底部711的中央部安裝有下部噴嘴76。在下部噴嘴76上經由下部切換部761連接有第一處理液供給部31以及第二處理液供給部32。另外，在腔室底部711的外周部，在以中心軸Jl為中心的周向上等間距地設置有多個下部排出部77。在多個下部排出部77上連接有吸引部62。
[0114]圖2是表示控制部11的功能的框圖。在圖2中，對與控制部11連接的各結構也一起描繪出來。如圖2所示，控制部11具有液體供給控制部111、壓力控制部112、旋轉控制部113和溫度控制部114。
[0115]在基板處理裝置I中，由液體供給控制部111對第一處理液供給部31、上部切換部751以及下部切換部761進行控制，由此，在圖1所示的內部空間70中從第一上部噴嘴75向基板9的上表面91的中央部供給第一處理液，從下部噴嘴76向基板9的下表面92的中央部供給第一處理液。另外，由液體供給控制部111對第二處理液供給部32、上部切換部751以及下部切換部761進行控制，由此從第一上部噴嘴75向基板9的上表面91的中央部供給第二處理液，從下部噴嘴76向基板9的下表面92的中央部供給第二處理液。
[0116]進而，由液體供給控制部111對第三處理液供給部33以及上部切換部751進行控制，由此從第一上部噴嘴75向基板9的上表面91的中央部供給第三處理液。在本實施方式中，第一處理液是氫氟酸或氫氧化四甲銨水溶液等蝕刻液，第二處理液是純水(DIW:Deionized Water (去離子水))。另外,第三處理液是異丙醇(IPA)。此外,在停止從第一上部噴嘴75以及下部噴嘴76供給處理液時，也對上部切換部751以及下部切換部761進行控制。
[0117]在基板處理裝置I中，由圖2所示的壓力控制部112對氣體供給部61進行控制，由此，從圖1所示的第二上部噴嘴78向腔室7的內部空間70供給氣體。在本實施方式中，通過氣體供給部61向腔室7內供給氮氣(N2)。吸引部62經由多個下部排出部77進行吸弓丨，由此將腔室7的內部空間70的氣體排出到腔室7外。這樣，吸引部62以及下部排出部77發揮氣體排出部的作用。
[0118]在基板處理裝置I中，由壓力控制部112對氣體供給部61以及吸引部62進行控制，由此對腔室7的內部空間70的壓力進行控制。具體地說，在吸引部62停止吸引的狀態下，從氣體供給部61向腔室7內供給氣體，由此使腔室7的內部空間70的壓力增大並高於常壓(大氣壓)，內部空間70成為加壓環境。另外，在停止從氣體供給部61供給氣體的狀態下，由吸引部62將腔室7內的氣體排出到腔室7外，由此，使內部空間70的壓力減小而小於常壓，內部空間70成為減壓環境。
[0119]吸引部62還經由多個下部排出部77進行吸引，由此將從第一處理液供給部31、第二處理液供給部32以及第三處理液供給部33供給到基板9上的處理液從內部空間70的下部排出到腔室7外。這樣，吸引部62以及下部排出部77還發揮處理液排出部的作用。
[0120]基板旋轉機構5是所謂的中空馬達。基板旋轉機構5具有環狀的定子部51和環狀的轉子部52。轉子部52配置在腔室7的內部空間70內。轉子部52的下部位於腔室主體71的下部環狀空間717內。轉子部52具有大致圓環狀的永久磁鐵521。永久磁鐵521的表面被氟樹脂塗敷。在轉子部52上安裝有基板保持部2。
[0121]定子部51在腔室7外(即內部空間70的外側)配置在轉子部52的周圍。在本實施方式中，定子部51在與腔室側壁部712的外周面接觸的狀態下被固定。定子部51具有在以中心軸Jl為中心的周向上排列的多個線圈部。
[0122]在基板旋轉機構5中，通過向定子部51供給電流,在定子部51和轉子部52之間產生以中心軸Jl為中心的旋轉力。由此，轉子部52與基板9以及基板保持部2 —起以中心軸Jl為中心以水平狀態進行旋轉。在基板處理裝置I中，向定子部51的供給電流產生在定子部51和轉子部52之間作用的磁力，轉子部52利用該磁力在內部空間70中既不會直接也不會間接與腔室7接觸地漂浮，以漂浮狀態進行旋轉。
[0123]當停止向定子部51供給電流時，轉子部52利用在永久磁鐵521和定子部51的鐵心等磁性體之間作用的磁力，被拉向腔室側壁部712。並且，轉子部52的外周面的一部分與腔室側壁部712的內周面713相接觸，隔著腔室側壁部712由定子部51支撐。轉子部52在不與腔室底部711和腔室蓋部73接觸的情況下靜止。
[0124]基板保持部2如上所述安裝在轉子部52上並配置在腔室7的內部空間70。基板9在上表面91與中心軸Jl大致垂直並朝向上側的狀態下由基板保持部2保持。換言之，基板保持部2將基板9保持為水平狀態。
[0125]圖3是基板保持部2的俯視圖。在圖3中，也一起描繪出對基板保持部2進行支撐的卡盤支撐部26。如圖1以及圖3所示，基板保持部2具有分別從上下夾持基板9的外緣部來進行保持的多個卡盤部21。在本實施方式中，六個卡盤部21在周向以等角度間隔(60°間隔)排列。卡盤支撐部26具有大致圓環板狀的環狀部261和從環狀部261向徑向內側突出的多個突出部262。如圖1所示，環狀部261固定在轉子部52的下端。多個突出部262在以中心軸Jl為中心的徑向上位於轉子部52的內側，在各突出部262上安裝有卡盤部21。多個卡盤部21也配置在轉子部52的徑向內側。另外，各卡盤部21的下部以及卡盤支撐部26位於環狀凹部714內。
[0126]圖4是放大表示一個卡盤部21的俯視圖。其他卡盤部21的結構也與圖4所示的結構同樣。如圖4所示，各卡盤部21具有從下側對基板9進行支撐的I個基板支撐部22、從上側按壓基板9的兩個基板按壓部23。在卡盤部21中，兩個基板按壓部23在基板支撐部22的在周向上的兩側與基板支撐部22相鄰配置。
[0127]圖5是在圖4中的V-V位置剖切卡盤部21的剖視圖。圖6是在圖4中的V1-VI的位置剖切卡盤部21的剖視圖。在圖5以及圖6中，同時描繪出比卡盤部21的剖面更靠裡側的部位、以及轉子部52的剖面(在圖7以及圖8也同樣。)，如圖4至圖6所示，卡盤部21還具有框架24和旋轉軸25。如圖5以及圖6所示，框架24配置在轉子部52的內周面522的內側。框架24的下端部經由卡盤支撐部26安裝在轉子部52的下端部。旋轉軸25沿著水平方向安裝在框架24的上端部。[0128]如圖5所示，基板支撐部22具有支撐部主體221和第一阻擋件222。在支撐部主體221上設置有用於旋轉軸25插入的貫通孔，支撐部主體221能夠以旋轉軸25為中心進行旋轉。第一阻擋件222通過與在框架24的上部設置的沿上下方向的螺紋孔螺合，安裝在框架24上。通過使第一阻擋件222旋轉而能夠容易變更第一阻擋件222在上下方向上的位置。
[0129]支撐部主體221具有第一基板抵接部223和第一配重部224。第一基板抵接部223相比旋轉軸25位於徑向內側，從下側與基板9的外緣部接觸。第一配重部224位於旋轉軸25的下方。第一阻擋件222位於第一配重部224的上方，與第一配重部224的上部接觸。由此，防止第一配重部224從圖5所示的狀態向逆時針方向旋轉而移動到上側。
[0130]在基板支撐部22中，支撐部主體221的重心位置Gl與旋轉軸25相比位於下方且靠徑向外側。因此，當將基板9從第一基板抵接部223上取下時，支撐部主體221從圖5所示的位置向順時針旋轉，如圖7所示，處於重心位置Gl位於旋轉軸25的鉛垂下方(即正下方)的狀態。在以下的說明中，將圖5所示的支撐部主體221的位置稱為「第一保持位置」，將圖7所示的支撐部主體221的位置稱為「第一待機位置」。
[0131]如上所述，支撐部主體221能夠以旋轉軸25為中心在第一待機位置和第一保持位置之間進行旋轉。在基板支撐部22中，在第一基板抵接部223上載置基板9，基板9的重量施加在第一基板抵接部223上，由此，支撐部主體221從圖7所示的第一待機位置向圖5所示的第一保持位置旋轉，來從下側對基板9進行支撐。另外，在第一基板抵接部223上載置基板9時的支撐部主體221的移動因第一配重部224與第一阻擋件222接觸而被限制。
[0132]第一基板抵接部223具有與基板9的外緣部接觸的面即第一抵接面225。如圖5所示，第一抵接面225為如下的傾斜面，即，在基板支撐部22位於第一保持位置的狀態下，越靠近徑向內側則越靠近下側。準確地說，第一抵接面225是圓錐面的一部分。另外，如圖7所示，在基板支撐部22位於第一待機位置的狀態下，第一抵接面225為大致水平的圓環面。在基板支撐部22位於第一待機位置的狀態下的第一抵接面225的徑向外側的邊緣226，與在基板支撐部22位於第一保持位置的狀態下的邊緣226相比，位於徑向外側。由此，與和有無基板9無關地將基板支撐部固定在第一保持位置的結構相比，能夠載置基板9的區域變大，因此，能夠使基板9向第一基板抵接部223的第一抵接面225的載置變得容易。
[0133]如圖6所示，基板按壓部23具有按壓部主體231。在按壓部主體231上設置有用於旋轉軸25插入的貫通孔，按壓部主體231能夠以旋轉軸25為中心進行旋轉。若將上述的支撐部主體221的旋轉中心稱為第一旋轉軸，將按壓部主體231的旋轉中心稱為第二旋轉軸，則基板支撐部22的第一旋轉軸和與基板支撐部22相鄰配置的基板按壓部23的第二旋轉軸為同一旋轉軸25。
[0134]按壓部主體231具有第二基板抵接部233和第二配重部234。第二基板抵接部233與旋轉軸25相比位於徑向內側，從上側與基板9的外緣部接觸。第二配重部234位於旋轉軸25的下方。
[0135]就基板按壓部23而言，在轉子部52以及基板保持部2靜止的狀態下，按壓部主體231利用其自重從圖6的位置旋轉，然後如圖8所示那樣，重心位置G2位於旋轉軸25的鉛垂下方(即正下方)。此外，第二配重部234的形狀為在圖8所示的狀態下與徑向內側的腔室底部711等不接觸的形狀。在圖8所示的狀態下，第二基板抵接部233從基板9離開到上方，相比基板9的外周緣位於徑向外側。在以下的說明中，將圖6所示的按壓部主體231的位置稱為「第二保持位置」，將圖8所示的按壓部主體231的位置稱為「第二待機位置」。
[0136]按壓部主體231能夠以旋轉軸25為中心在第二待機位置和第二保持位置之間進行旋轉。在基板處理裝置I中，當基板保持部2與轉子部52 —起進行旋轉時，由基板旋轉機構5帶來的旋轉的離心力作用於第二配重部234上，由此按壓部主體231從圖8所示的第二待機位置向圖6所示的第二保持位置旋轉，而由第二基板抵接部233從上側按壓基板9。第二基板抵接部233具有與基板9的外緣部接觸的面即第二抵接面235。如圖6所示，第二抵接面235為如下的傾斜面，S卩，在基板按壓部23位於第二保持位置的狀態下，越靠近徑向內側則越靠近上側的傾斜面。
[0137]另外，當轉子部52的旋轉停止而解除作用於第二配重部234的離心力時，按壓部主體231從第二保持位置向圖6中的順時針方向旋轉。並且，如圖8所示，在第二配重部234的重心位置G2位於旋轉軸25的鉛垂下方的狀態下，按壓部主體231的旋轉停止，按壓部主體231位於第二待機位置。
[0138]圖9是在未設置卡盤部21的位置剖切轉子部52得到的縱向剖視圖。在圖9中，一起描繪出基板保持部2 (參照圖3)四平保持的基板9。如圖9所示，轉子部52在上下方向上從基板9的上表面91的上側的位置設置至基板9的下表面92的下側的位置。轉子部52的內周面522包括筒狀的接受液體面523，該接受液體面523在徑向上與基板9的外周緣相向，用於接受從基板9的外周緣飛散的處理液。接受液體面523在上下方向上擴展到基板9的上表面91的上側，並擴展到基板9的下表面92的下側。另外，接受:液體面523為越靠近下方則逐漸靠近徑向外側的傾斜面，將從基板9接收到的處理液向下方引導。在本實施方式中，圖9所示的接受液體面523的剖面為大致圓弧狀。此外，接受液體面523的剖面可以為各種形狀，例如可以為越靠近下方則越靠近徑向外側的直線狀。轉子部52具有在接受液體面523的上側向徑向內側突出的環狀突出部524。
[0139]圖10是表示在通過中心軸Jl並且在與圖1不同的位置剖切基板處理裝置I得到的剖面的圖。在圖10中，省略了第一處理液供給部31、第二處理液供給部32、第三處理液供給部33、氣體供給部61以及吸引部62等結構的圖示，而圖示基板移動機構4、蓋部移動機構74等的側面(在圖11、12、14、16、17等中也同樣)。
[0140]如圖10所示，基板移動機構4具有多個升降銷41、升降銷移動機構42、多個升降銷旋轉機構43和升降銷支撐部44。多個(在本實施方式中為4個)升降銷41在基板9的外緣部的上方在以中心軸Jl為中心的周向上以等角度間隔排列。4個升降銷41在周向上避開多個卡盤部21 (參照圖3)而配置。各升降銷41插入在貫通腔室蓋部73的貫通孔內，該貫通孔被密封為不會產生氣體的流動。
[0141]各升降銷41的下部從腔室蓋部73向下突出。在腔室7被密閉的狀態下，多個升降銷41配置在蓋突出部731的周圍的上部環狀空間732內。換言之，腔室蓋部73的蓋突出部731與多個升降銷41相比位於徑向內側。各升降銷41具有從頂端部411 (即下端部)向大致水平方向突出的鉤部412。在圖10所示的狀態下，升降銷41的頂端部411以及鉤部412位於基板保持部2 (參照圖1)所保持的基板9的上表面91的上方。在以下的說明中，將圖10所示的升降銷41以及頂端部411的位置稱為「退避位置」。
[0142]各升降銷41的上部在腔室蓋部73的上方經由升降銷旋轉機構43由升降銷支撐部44支撐。升降銷支撐部44經由升降銷移動機構42安裝在蓋部移動機構74上。在基板移動機構4中，通過驅動升降銷移動機構42，升降銷支撐部44在上下方向上移動。由此，在腔室蓋部73靜止的狀態下，多個升降銷41相對於腔室蓋部73在上下方向上移動。
[0143]在將基板保持部2所保持的基板9向腔室7外搬出時，通過驅動升降銷移動機構42，多個升降銷41從圖10所示的退避位置向下方移動，如圖11所示，多個升降銷41的頂端部411位於基板9的下表面92的稍微下方的位置。在以下的說明中，將圖11所示的升降銷41以及頂端部411相對腔室蓋部73的相對位置稱為「交接位置」。在各升降銷41的移動中，升降銷41的鉤部412朝向周向。接著，驅動多個升降銷旋轉機構43，多個升降銷41分別旋轉90°，使鉤部412朝向徑向內側。在該狀態下，升降銷41的鉤部412位於基板9的下表面92的稍微下方的位置，與由基板支撐部22支撐的基板9不接觸。然後，通過蓋部移動機構74使腔室蓋部73上升，由此，多個升降銷41也稍微向上方移動，多個升降銷41的鉤部412與基板9的下表面92接觸，從基板保持部2向多個升降銷41交付基板9。
[0144]在基板移動機構4中，這樣通過升降銷移動機構42，多個升降銷41各自的頂端部411從圖10所示的退避位置下降至圖11所示的交接位置，在交接位置，在多個升降銷41和基板保持部2 (參照圖1)之間交接基板9。當多個升降銷41分別旋轉90°，而使鉤部412朝向徑向內側並位於基板9的下方時，通過驅動蓋部移動機構74，基板移動機構4的各結構與腔室蓋部73 —起向上方移動。此時，轉子部52靜止，基板按壓部23位於圖8所示的第二待機位置。因此，基板按壓部23的第二基板抵接部233從基板9離開，並位於基板9的外周緣的徑向外側，由此基板按壓部23不會妨礙基板9的上升。另外，由於基板9從基板支撐部22離開，所以基板支撐部22從圖5所示的第一保持位置向圖7所示的第一待機位置旋轉。
[0145]在基板處理裝置I中，如圖12所示，在腔室蓋部73從腔室主體71離開到上方的狀態下，在多個升降銷41的鉤部412上保持的基板9由省略圖示的臂部搬出。在以下的說明中，將圖12所示的腔室蓋部73的位置、即從腔室主體71離開到上方的位置稱為「開放位置」。另外，將圖10以及圖11中的腔室蓋部73的位置、即腔室蓋部73堵塞腔室主體71的開口而形成內部空間70的位置稱為「堵塞位置」。
[0146]在將基板9搬入腔室7內時，在省略圖示的臂部上保持的基板9向位於圖12所示的開放位置的腔室蓋部73接近，並在多個升降銷41的鉤部412上載置基板9。接著，通過蓋部移動機構74，腔室蓋部73向下方移動並位於堵塞位置。在腔室蓋部73的下降的過程中，如圖11所示，從位於交接位置的多個升降銷41的鉤部412向基板保持部2的多個基板支撐部22 (參照圖5)交付基板9。
[0147]並且，當多個升降銷41的鉤部412從基板9離開時，通過多個升降銷旋轉機構43使升降銷41分別旋轉90°。由此，多個鉤部412從基板9的下方移動到基板9的外周緣的徑向外側。然後，通過升降銷移動機構42，使多個升降銷41上升，並位於圖10所示的退避位置。即，在腔室蓋部73位於堵塞位置，升降銷41位於退避位置的情況下，升降銷41如圖10所示那樣保存在上部環狀空間732內。
[0148]接著，參照圖13對基板處理裝置I中的基板9的處理流程進行說明。在基板處理裝置I中，首先，圖12所示的由多個升降銷41保持著基板9的腔室蓋部73從開放位置下降到圖11所示的堵塞位置。由此，形成腔室7的內部空間70，並且，由多個基板支撐部22(參照圖5)從下側支撐基板9。當形成內部空間70時，驅動氣體供給部61以及吸引部62，使內部空間70成為常壓的氮氣環境。並且，多個升降銷41上升到退避位置，由控制部11的旋轉控制部113 (參照圖2)來控制基板旋轉機構5，由此圖1所示的轉子部52、基板保持部2以及基板9開始旋轉(步驟S11)。在基板保持部2中，由於旋轉的離心力發揮作用，使按壓部主體231旋轉，如圖6所示，由第二基板抵接部233從上側按壓基板9。由此，基板9由基板保持部2保持(步驟S12)。
[0149]接著，由溫度控制部114(參照圖2)控制加熱部79，由此在常壓的內部空間70內，對基板9加熱規定的時間(步驟S13)。當對基板9的加熱結束，由液體供給控制部111控制第一處理液供給部31，從圖1所示的第一上部噴嘴75向旋轉中的基板9的上表面91上連續供給蝕刻液即第一處理液。供給到基板9的上表面91的中央部的第一處理液因基板9的旋轉而向外周部擴展，整個上表面91被第一處理液覆蓋(步驟S14)。另外，從下部噴嘴76向基板9的下表面92的中央部也供給第一處理液，第一處理液因基板9的旋轉而向外周部擴展。從基板9的上表面91上流出的第一處理液、以及從基板9的下表面92流出的第一處理液由吸引部62吸引，並經由下部排出部77排出到腔室7外。
[0150]當第一處理液對基板9的上表面91的覆蓋結束時，由壓力控制部112控制氣體供給部61以及吸引部62，使腔室7的內部空間70的壓力增大，處於比常壓高的規定的壓力(優選比常壓高且在比常壓高約0.1MPa的壓力以下)。另外，控制第一處理液供給部31以及基板旋轉機構5，來減少來自第一處理液供給部31的第一處理液的每單位時間的供給量(以下稱為「流量」。)，並且減小基板9的轉速。當腔室7的內部空間70處於規定的加壓環境時，以比步驟S14低的轉速向旋轉中的基板9的上表面91上，以比步驟S14小的流量連續供給第一處理液，進行規定的時間的蝕刻處理(步驟S15)。
[0151]在步驟S15中，基板9的上表面91被第一處理液覆蓋後，使腔室7的內部空間70的壓力增大而成為加壓環境，由此第一處理液被擠入基板9上的微細圖案的間隙(以下稱為「圖案間隙」。)。其結果，能夠使第一處理液容易進入圖案間隙。由此，能夠適當地進行圖案間隙內的蝕刻處理。另外，與在常壓下相比，能夠抑制基板9上的第一處理液發生氣化，由此能夠抑制隨著從基板9的中央部朝向外周部，基板9的溫度因氣化熱而變低。其結果，能夠提高利用第一處理液進行的蝕刻處理中的基板9的上表面91的溫度的均勻性，並能夠提高在基板9的整個上表面91上的蝕刻處理的均勻性。另外，還能夠提高在基板9的整個下表面92上的蝕刻處理的均勻性。
[0152]如上所述，在步驟S15中對基板9進行蝕刻處理時的基板9的轉速小於在步驟S14中利用第一處理液覆蓋基板9的上表面91時的基板9的轉速。由此，進一步抑制來自基板9的第一處理液的氣化，能夠進一步提高蝕刻處理中的基板9的上表面91的溫度的均勻性。其結果，能夠進一步提高在基板9的整個上表面91上的蝕刻處理的均勻性。
[0153]接著，由壓力控制部112控制氣體供給部61以及吸引部62，來使腔室7的內部空間70的壓力返回到常壓。然後，停止從第一處理液供給部31供給第一處理液，並且也停止利用加熱部79對基板9進行加熱。
[0154]接著，由液體供給控制部111控制第二處理液供給部32，來從第一上部噴嘴75向旋轉中的基板9的上表面91上連續供給純水即第二處理液。供給到由第一處理液覆蓋的上表面91的中央部的第二處理液利用基板9的旋轉而向外周部擴展，上表面91上的第一處理液向徑向外側移動並從基板9的外周緣向外側飛散。另外，從下部噴嘴76向基板9的下表面92的中央部供給第二處理液，第二處理液利用基板9的旋轉向外周部擴展。並且，通過持續從第一上部噴嘴75以及下部噴嘴76供給第二處理液，對基板9的上表面91以及下表面92進行規定時間的衝洗處理(步驟S16)。
[0155]從基板9的上表面91飛散的第一處理液以及第二處理液由轉子部52的接受液體面523 (參照圖9)接受，並向下方即下部排出部77引導。並且，與來自基板9的下表面92的第二處理液一起，被吸引部62吸引，經由下部排出部77向腔室7外排出。
[0156]當衝洗處理結束時，停止從第二處理液供給部32供給第二處理液，由液體供給控制部111控制第三處理液供給部33，來從第一上部噴嘴75向旋轉中的基板9的上表面91上連續供給IPA即第三處理液。供給到被第二處理液覆蓋的上表面91的中央部的第三處理液在第二處理液的液膜和基板9的上表面91之間通過基板9的旋轉向外周部擴展，並覆蓋基板9的上表面91。第二處理液的液膜從基板9的上表面91離開,位於第三處理液的液膜上。換言之，在基板9的上表面91上，進行IPA置換處理(步驟S17)。
[0157]接著，由壓力控制部112控制氣體供給部61以及吸引部62，來使腔室7的內部空間70處於規定的加壓環境(步驟S18)。內部空間70的壓力優選比常壓高且在比常壓高約
0.1MPa的壓力以下。由此，能夠使第三處理液容易進入圖案間隙，能夠將圖案間隙內的第二處理液高效地置換為第三處理液。
[0158]第三處理液的液膜上的第二處理液因基板9的旋轉而向徑向外側移動，並從基板9的外周緣向外側飛散。從基板9上飛散的第二處理液由轉子部52的接受液體面523接受並向下方引導，並且由吸引部62經由下部排出部77向腔室7外排出。
[0159]當內部空間70處於加壓環境並經過了規定的時間時，控制氣體供給部61以及吸引部62，來使腔室7的內部空間70的壓力減小，變為比常壓低的規定的壓力(優選比常壓低且在約15kPa以上的壓力)(步驟S19)。另外，控制加熱部79來對基板9進行加熱。
[0160]並且，在內部空間70處於規定的減壓環境的狀態下，控制基板旋轉機構5，來使基板9的轉速增大，基板9以高速旋轉。由此，基板9的上表面91的第三處理液向徑向外側移動，從基板9的外周緣向外側飛散。從基板9上飛散的第三處理液也由轉子部52的接受液體面523接受並向下方引導，並且，通過吸引部62經由下部排出部77向腔室7外排出。在基板處理裝置I中，從基板9上除去第三處理液，結束基板9的乾燥處理(步驟S20)。
[0161]在步驟S20中，在使腔室7的內部空間70處於減壓環境的狀態下，使基板9旋轉來進行基板9的乾燥，因此與在常壓下相比能夠在短時間內進行基板9的乾燥。另外，在進行基板9的減壓乾燥的期間，同時利用加熱部79對基板9進行加熱，由此能夠促進基板9的乾燥。
[0162]當基板9的乾燥結束時，停止基板9的旋轉(步驟S21)，並使腔室7的內部空間70返回到常壓。然後，從基板保持部2向多個升降銷41交付基板9，腔室蓋部73從堵塞位置向開放位置上升，之後，由省略圖示的臂部搬出基板9。基板9的處理流程在後述的第二至第六實施方式中也同樣。
[0163]如以上說明那樣，在基板處理裝置I中，保持基板9的基板保持部2、以及安裝有基板保持部2的轉子部52配置在作為密閉空間的腔室7的內部空間70內，在與轉子部52之間產生旋轉力的定子部51在腔室7外配置在轉子部52的周圍。由此，與在腔室外設置用於使基板旋轉的伺服馬達等的裝置相比，容易構成具有高密閉性的內部空間70，在該內部空間70內能夠容易使基板9旋轉。其結果，能夠容易實現在被密閉的內部空間70內的基板9的單張處理。另外，與將上述伺服馬達等設置在腔室底部的下方的裝置相比，能夠容易在腔室底部711設置下部噴嘴76等各種結構。
[0164]在基板處理裝置I中，由於設置有向內部空間70供給氣體的氣體供給部61、從內部空間70排出氣體的吸引部62、以及對內部空間70的壓力進行控制的壓力控制部112，所以能夠在各種環境(例如低氧環境)和各種壓力下對基板9進行處理。由此，能夠縮短處理基板9所需的時間，並且能夠對基板9進行各種處理。
[0165]如上所述，在基板旋轉機構5中，轉子部52在內部空間70以漂浮狀態進行旋轉。因此，無需在內部空間70設置對轉子部52進行支撐的結構，能夠使基板處理裝置I小型化，並且還使裝置結構簡化。另外，由於不會因轉子部52和支撐結構的摩擦產生粉塵等，所以能夠提高內部空間70的清潔性。進而，由於由支撐結構產生的摩擦阻力不會作用於轉子部52，所以能夠容易實現轉子部52的高速旋轉。另外，將轉子部52配置於在基板9的周圍形成的環狀空間(在本實施方式中主要為下部環狀空間717)內，由此能夠使蓋突出部731的下表面接近基板9的上表面91，使腔室底部711的上表面接近下表面92。由此，防止內部空間70的容積大到所需以上，能夠高效地進行內部空間70的加壓和減壓。
[0166]在基板處理裝置I中，如上所述，第一上部噴嘴75安裝在腔室蓋部73上，由此能夠容易向在內部空間70配置的基板9的上表面91供給處理液。另外，下部噴嘴76安裝在腔室底部711，由此也能夠容易向在內部空間70配置的基板9的下表面92供給處理液。
[0167]如上所述，在基板處理裝置I中，利用從腔室蓋部73向下突出的多個升降銷41，在與基板保持部2之間交接基板9。由此，無需在腔室7的下側設置用於交接基板9的機構，因此能夠在腔室7的下側設置其他結構(例如、超聲波清洗機構)時，提高該其他結構的配置的自由度。另外，腔室蓋部73具有位於多個升降銷41的徑向內側並向下方突出的蓋突出部731，由此在密閉腔室7而形成內部空間70的狀態下，減小基板9上的處理空間。由此，在基板9的上表面91和腔室蓋部73之間充滿處理液進行處理的情況下，能夠容易進行該處理。另外，在處理基板9時，升降銷41保存在上部環狀空間732內，因此能夠防止從基板9上流出的處理液與升降銷41發生碰撞彈回而附著在基板9上。
[0168]如上所述，在基板保持部2中，各基板支撐部22因基板9載置在第一基板抵接部223上，而從第一待機位置向第一保持位置旋轉，來從下側支撐基板9。並且，各基板按壓部23因由基板旋轉機構5帶來的旋轉的離心力，從第二待機位置向第二保持位置旋轉，由第二基板抵接部233從上側按壓基板9。這樣，在基板保持部2中，在不設置與基板支撐部22以及基板按壓部23機械連接來驅動基板支撐部22以及基板按壓部23的驅動機構的情況下，能夠在被密閉的內部空間70內容易保持基板9。由此，與設置該驅動機構的情況相比，能夠使基板處理裝置I小型化，並且，能夠使裝置結構簡化。另外，與該驅動機構設置在腔室外並與基板保持部連接的情況相比，能夠提高腔室7的內部空間70的密閉性。
[0169]在基板保持部2中，各卡盤部21中的基板支撐部22的旋轉軸和基板按壓部23的旋轉軸為同一旋轉軸25。由此，能夠使基板保持部2的結構簡化。在各卡盤部21中，與基板支撐部22的周向兩側相鄰地設置兩個基板按壓部23。由此，在作用於基板按壓部23上的旋轉的離心力小的情況下，即轉子部52的轉速低的情況下，也能夠在各卡盤部21從上側以強的力按壓基板9，能夠牢固地保持基板9。
[0170]在基板支撐部22中，在支撐部主體221位於第一保持位置的狀態下，第一基板抵接部223的第一抵接面225為越靠近徑向內側則越靠近下側的傾斜面。在第一抵接面225上載置的基板9利用自重在第一抵接面225上滑動，來向規定的位置移動。由此，在上下方向以及水平方向上，能夠容易對基板9進行定位。另外，第一基板抵接部223利用作為傾斜面的第一抵接面225與基板9的外緣部接觸，由此能夠減小第一基板抵接部223和基板9的接觸面積，能夠降低基板9因與基板保持部2的接觸而被汙染的可能性。
[0171]在基板按壓部23中，在按壓部主體231位於第二保持位置的狀態下，第二基板抵接部233的第二抵接面235為越靠近徑向內側則越靠近上側的傾斜面。第二基板抵接部233利用作為傾斜面的第二抵接面235與基板9的外緣部接觸，由此能夠抑制基板9的上表面91與第二基板抵接部233的接觸。其結果，能夠抑制基板9的上表面91因與基板保持部2的接觸而被汙染的可能性。
[0172]在基板支撐部22中，設置有用於對在第一基板抵接部223上載置有基板9時的第一配重部224的移動進行限制的第一阻擋件222。由此，能夠容易決定基板9在上下方向上的位置。另外，通過改變第一阻擋件222在上下方向上的位置，能夠容易改變由基板支撐部22支撐的基板9在上下方向上的位置。在基板按壓部23中，按壓部主體231的形狀為在解除作用於第二配重部234的離心力時，第二配重部234等不與腔室底部711等的周圍的結構接觸的形狀。由此，能夠防止在基板保持部2以及轉子部52的旋轉停止的狀態下，基板按壓部23與周圍的結構發生幹涉。此外，也可以為了防止第二配重部234和腔室底部711等的接觸或幹涉，而設置在作用於第二配重部234的離心力解除時，對第二配重部234的旋轉範圍(移動範圍)進行限制的阻擋件(省略圖示)。
[0173]在基板處理裝置I中，轉子部52具有接受從基板9的外周緣飛散的處理液並向下方引導的接受液體面523。由此，能夠抑制從基板9飛散的處理液彈回而附著在基板9上。另外，能夠將從基板9飛散的處理液迅速地向內部空間70的下部引導，並迅速地向腔室7外排出。在基板處理裝置I中，還由於轉子部52的接受液體面523擴展到基板9的上表面91的上側並且越靠近下方則越靠近徑向外側，由此能夠進一步抑制從基板9飛散的處理液彈回。另外，還能夠將從基板9飛散出來的處理液迅速地排出到腔室7外。
[0174]如上所述，在轉子部52中，設置有在接受液體面523的上側向徑向內側突出的環狀突出部524。由此，能夠抑制處理液向接受液體面523的上方飛散。其結果，能夠抑制基板9飛散的處理液附著在腔室側壁部712的內周面713和腔室蓋部73的下表面上。另外，還能夠抑制處理液從接受液體面523彈回到基板9而附著在基板9上。
[0175]在基板處理裝置I中，如圖14所示，在腔室蓋部73從腔室主體71離開到上方的狀態下，也可以從在腔室蓋部73和腔室主體71之間插入的掃描噴嘴35向基板9的上表面91供給處理液。掃描噴嘴35與省略圖示的處理液供給部連接並連續地噴出處理液，並且，在旋轉中的基板9的上方在水平方向上反覆進行往復移動。這樣，在基板處理裝置I中，在腔室7開放的狀態下，也能使用掃描噴嘴35進行基板處理。此時，從基板9飛散的處理液也由轉子部52的接受液體面523接受而向下方引導。由此，能夠抑制從基板9飛散的處理液彈回而附著在基板9上。另外，能夠將從基板9飛散出來的處理液迅速排出到腔室7外。此外，掃描噴嘴35在上下方向上的位置也可以根據基板處理的種類等適當變更。[0176]在圖1所示的基板處理裝置I中，當對規定張數的基板9的處理(在上述的步驟Sll?S21所示的處理或掃描噴嘴35的處理)結束時，進行腔室7內的清洗處理。圖15是表示腔室7內的清洗處理的流程的圖。在基板處理裝置I中，首先，如圖16所示，在基板保持部2未保持基板9的狀態下，由腔室蓋部73堵塞腔室主體71的上部開口來形成內部空間70。在圖16中，示出基板保持部2等的側面(在圖17中也同樣)。
[0177]接著，由控制部11的液體供給控制部111 (參照圖2)控制第二處理液供給部32，來向腔室7的內部空間70供給作為純水的第二處理液320。在基板處理裝置I中，由於吸引部62 (參照圖1)被停止，所以來自第二處理液供給部32的第二處理液320貯存在腔室7的內部空間70中(步驟S31)。
[0178]在內部空間70中，當轉子部52以及基板保持部2整體浸潰在第二處理液320時，停止從第二處理液供給部32供給第二處理液320。此時，在基板保持部2以及轉子部52的上方的上部環狀空間732內存在氣體。並且，在轉子部52以及基板保持部2整體浸潰在第二處理液320中的狀態下，由旋轉控制部113 (參照圖2)控制基板旋轉機構5，來使轉子部52以及基板保持部2旋轉。由此，攪拌內部空間70的第二處理液320，進行腔室7內的清洗處理(步驟S32)。
[0179]具體地說，利用由轉子部52以及基板保持部2攪拌的第二處理液320，來除去在腔室7的內表面附著的其他處理液和異物。環狀凹部7中的腔室側壁部712的內周面713、腔室蓋部73的下表面以及蓋突出部731的外周面733也被攪拌的第二處理液320的清洗。此外，基板保持部2的旋轉可以與步驟S31同時或在步驟S31之前開始。
[0180]在步驟S32中，轉子部52以及基板保持部2可以僅向周向上的一個方向旋轉，但優選向周向上的一個方向旋轉後，向另一個方向旋轉。例如，轉子部52以及基板保持部2向逆時針方向旋轉規定時間後，向順時針方向旋轉規定時間。
[0181]當腔室7內的清洗結束時，由吸引部62將內部空間70內的第二處理液320與從腔室7的內表面除去的異物等一起排出到腔室7外(步驟S33)。並且，通過控制氣體供給部61以及吸引部62，來使內部空間70處於規定的減壓環境(步驟S34)。內部空間70的壓力優選比常壓低且在約15kPa以上。另外，通過加熱部79，來對腔室7的內表面以及腔室7內的各結構進行加熱。
[0182]然後，在內部空間70處於規定的減壓環境的狀態下，控制基板旋轉機構5來使轉子部52的轉速增大，轉子部52以及基板保持部2以高速進行旋轉。由此，在轉子部52以及基板保持部2上附著的第二處理液320向周圍飛散，並被向內部空間70的下部引導，由吸引部62排出到腔室7外。在基板處理裝置I中從腔室7的內表面以及腔室7內的各結構上除去第二處理液，結束乾燥處理(步驟S35)。
[0183]當乾燥處理結束時，停止轉子部52以及基板保持部2的旋轉，腔室7的內部空間70返回到常壓，結束腔室7內的清洗處理。步驟S31?S35所示的腔室7內的清洗處理的流程在後述的第二至第六實施方式中也同樣。
[0184]如以上說明那樣，在基板處理裝置I中，使未保持基板9的狀態的基板保持部2在貯存在腔室7的內部空間70內的第二處理液320中旋轉，由此能夠容易對腔室7內進行清洗。另外，如上述那樣，腔室7內的清洗在腔室7被密閉的狀態下來進行，因此能夠防止在清洗中第二處理液320等向腔室7外飛散。[0185]如上所述，在步驟S32中，使轉子部52以及基板保持部2向周向的一個方向旋轉後，向另一個方向旋轉，由此能夠變更腔室7內的第二處理液320的流動方向和速度。其結果，也能除去利用均勻的液流不容易除去的異物等，從而能夠提高腔室7內的清洗效率。
[0186]在步驟S35中，在使腔室7的內部空間70處於減壓環境的狀態下，使轉子部52以及基板保持部2旋轉來進行乾燥處理。由此，與在常壓下相比能夠在短時間內進行乾燥處理。另外，在進行腔室7內的減壓乾燥的期間，利用加熱部79同時進行加熱，由此能夠促進腔室7內的乾燥。此外，如果腔室7內的乾燥在比較短的時間內完成，則也可以在常壓下進行乾燥處理。
[0187]在基板處理裝置I中，安裝有基板保持部2的轉子部52利用在與定子部51之間發揮作用的磁力，在內部空間70以漂浮狀態旋轉。因此，如上所述，能夠防止因轉子部52和支撐結構的摩擦而產生粉塵等，另外，能夠容易實現轉子部52的高速旋轉。其結果，能夠高效地進行腔室7內的清洗處理。
[0188]在步驟S32中，轉子部52以及基板保持部2的旋轉未必在轉子部52以及基板保持部2整體浸潰在第二處理液320中的狀態下進行。在基板處理裝置I中，可以在基板保持部2的至少一部分浸潰在第二處理液320中的狀態下，通過使基板保持部2旋轉，來進行腔室7內的清洗處理。在該情況下與上述同樣，能夠容易對腔室7內進行清洗。
[0189]在步驟S32中，還可以如圖17所示那樣，在第二處理液320充滿內部空間70的狀態下使轉子部52以及基板保持部2旋轉，來進行腔室7內的清洗。在該情況下，在步驟S31中，例如在腔室蓋部73從腔室主體71稍微離開到上方的狀態下供給第二處理液320，將第二處理液320供給到腔室主體71的接近上部開口的附近。然後，停止供給第二處理液320，由腔室蓋部73堵塞腔室主體71的上部開口，由此在內部空間70內充滿第二處理液320。在第二處理液320充滿內部空間70的狀態下進行清洗處理，由此使腔室7的內表面整體與第二處理液320可靠地接觸，而容易進行清洗。
[0190]圖18是放大表示本發明的第二實施方式的基板處理裝置Ia的一部分的剖視圖。基板處理裝置Ia除了轉子部52具有保護壁525這一點外，具有與圖1所示的基板處理裝置I同樣的結構。在以下的說明中，對對應的結構標註相同的附圖標記。
[0191]保護壁525為在基板9以及基板保持部2的多個卡盤部21與永久磁鐵521之間配置的薄的筒狀的構件。保護壁525的上端526位於腔室蓋部73附近，與腔室蓋部73的下表面隔著微小間隙相向。保護壁525的下端527位於腔室底部711附近，與腔室底部711的上表面隔著微小間隙相對。保護壁525的下端527也可以位於腔室側壁部712附近，與腔室側壁部712的內周面713隔著微小間隙相向。即，保護壁525的下端527與腔室主體71的內表面隔著微小間隙相向。通過保護壁525，轉子部52的永久磁鐵521與基板9隔離。
[0192]保護壁525在上下方向上的中央部的內周面成為與基板9的外周緣在徑向相向並接受從基板9的外周緣飛散的處理液的筒狀的接受液體面523。換言之，在保護壁525的上端526和下端527之間設置接受液體面523。接受液體面523如上述那樣在上下方向上擴展到基板9的上表面91的上側，並且擴展到基板9的下表面92的下側。另外，接受液體面523為越靠近下方則越靠近徑向外側的傾斜面，將從基板9接受到的處理液朝向下部排出部77引導至下方。
[0193]保護壁525的內周面中的比接受液體面523靠上側的部位528為與上下方向大致平行地擴展的圓筒面。保護壁525的內周面中的比永久磁鐵521靠下側的部位529也為與上下方向是大致平行地擴展的圓筒面，並與接受液體面523的下端相連續，將接受液體面523從基板9接受到的處理液向下方引導。
[0194]在基板處理裝置Ia中，如上所述，通過保護壁525將永久磁鐵521與基板9隔離，因此即使基板9發生破損，也能夠防止基板9的破片碰撞到永久磁鐵521的表面上的覆蓋膜(即通過塗敷氟樹脂形成的覆蓋膜)或永久磁鐵521。其結果，能夠防止基板9的破片對永久磁鐵521以及上述覆蓋膜造成的損傷。
[0195]圖19是放大表示本發明的第三實施方式的基板處理裝置Ib的一部分的剖視圖。在圖19中，示出在從設置卡盤部21的位置在周向上稍微偏移的位置的剖面。另外，卡盤部21也用雙點劃線一起描繪出來。在基板處理裝置Ib中，取代圖1所示的定子部51以及轉子部52，而設置與定子部51以及轉子部52的形狀不同的定子部51a以及轉子部52a。另夕卜，腔室側壁部712的形狀也與圖1所示的不同。其他結構與圖1所示的基板處理裝置I幾乎同樣，在以下的說明中，對對應的結構標註相同的附圖標記。
[0196]如圖19所示，轉子部52a為環狀，具有下表面531、內周面532和上表面533。下表面531為在水平方向上擴展的大致圓環面。內周面532為從下表面531的內周緣與中心軸Jl (參照圖1)大致平行地向上方擴展的大致圓筒面。上表面533從內周面532的上端緣向徑向外側且下方擴展併到達下表面531的外周緣。上表面533是越靠近徑向外側則逐漸靠近下方的光滑的傾斜面。轉子部52a的上表面533的內周緣、即內周面532的上端緣除了設置卡盤部21的部位外，與基板9的上表面91的外周緣接觸。在設置有卡盤部21的部位，在轉子部52a的內周部設置有凹部，在該凹部內容置卡盤部21。
[0197]腔室側壁部712具有環狀的流路形成部715，流路形成部715在與轉子部52a的上表面533隔著規定的間隙(後述的環狀的流路534)分離的狀態下，覆蓋上表面533的上方。流路形成部715具有與轉子部52a的上表面533相向的下表面716，下表面716沿著轉子部52a的大致整個上表面533配置。流路形成部715的下表面716與轉子部52a的上表面533同樣，也為越靠近徑向外側則逐漸靠近下方的光滑的傾斜面。在流路形成部715的下表面716和轉子部52a的上表面533之間，形成環狀的流路534。在轉子部52a的上表面533的內周緣和流路形成部715的下表面716的內周緣之間，形成有作為流路534的上部開口的狹縫狀的環狀開口 535。定子部51a從轉子部52a的徑向外側設置到流路形成部715的上側，並覆蓋轉子部52a的上方。
[0198]在基板處理裝置Ib中，如上所述，轉子部52a的上表面533的內周緣與基板9的上表面91的外周緣接觸，轉子部52a的上表面533與基板9的上表面91相連續。因此，因基板9的旋轉而在基板9的上表面91上向徑向外側移動的處理液，不會因表面張力等在基板9的上表面91的外周緣滯留，而經由環狀開口 535順利地被弓I導至流路534，並且通過流路534向在內部空間70的下方設置的下部排出部77引導。
[0199]這樣，從基板9的上表面91的外周緣向徑向外側移動的處理液流入流路534並被引導至下部排出部77，由此能夠抑制從基板9的上表面91上除去的處理液彈回而附著在基板9上。另外，能夠將從基板9上除去的處理液迅速地從內部空間70的下部向腔室7外排出。進而，由於流路形成部715的下表面716是越靠近徑向外側則逐漸靠近下方的光滑的傾斜面，所以能夠進一步抑制處理液彈回而附著在基板9上。另外，在第三實施方式中，能夠減少與第一實施方式中的上部環狀空間732相當的部分的容積。其結果，能夠減小內部空間70的容積，並能夠高效地進行內部空間70的加壓和減壓。
[0200]在基板處理裝置Ib中，轉子部52a的上表面533的內周緣未必與基板9的上表面91的外周緣接觸。如果進行旋轉的基板9的上表面91上的處理液不會因表面張力等在基板9的上表面91的外周緣滯留，而順利地被引導至流路534，則轉子部52a的上表面533的內周緣可以與基板9的上表面91的外周緣接近配置。例如，轉子部52a的上表面533的內周緣與基板9的上表面91的外周緣相比稍微離開到徑向外側，或者稍微離開到下方來配置。
[0201]此外，流路形成部715未必設置在腔室側壁部712，也可以設置在腔室蓋部73。或者，流路形成部715的徑向內側的部位設置在腔室蓋部73，而徑向外側的部位設置在腔室側壁部712上也可以。換言之，流路形成部715設置在腔室7即可。
[0202]圖20是表示本發明的第四實施方式的基板處理裝置Ic的剖視圖。在圖20中，取代圖1所示的卡盤部21以及轉子部52，而設置與卡盤部21以及轉子部52的結構不同的卡盤部21a以及轉子部52b。另外，在定子部51的下方設置有液體回收部8，腔室7的形狀與圖1所示的形狀不同。如後面所述，液體回收部8具有分別能夠暫時貯存處理液的第一接受液體部81、第二接受液體部82以及第三接受液體部83等。其他結構與圖1所示的基板處理裝置I大致同樣，在以下的說明中，對對應的結構標註相同的附圖標記。在圖20中，省略圖1所示的第一處理液供給部31、第二處理液供給部32、第三處理液供給部33、氣體供給部61以及蓋部移動機構74等結構的圖示，關於基板保持部2等示出側面(在圖21以及圖22中也同樣)。
[0203]在基板處理裝置Ic中，基板保持部2的多個卡盤部21a安裝在大致圓筒狀的轉子部52b的下側。多個卡盤部21a上下夾持基板9的外緣部。由多個卡盤部21a保持的基板9配置在轉子部52b的下方，基板9的上表面91位於轉子部52b的下端的下側。此外，在轉子部52b上未設置上述的接受液體面523 (參照圖9)。
[0204]在由腔室蓋部73堵塞腔室主體71的上部開口而形成內部空間70的狀態下，腔室蓋部73的大致圓柱狀的蓋突出部731位於轉子部52b的大致圓筒狀的內周面522的徑向內側。蓋突出部731位於基板保持部2以及基板9的上方，蓋突出部731的外周面733與轉子部52b的內周面522接近並且在徑向上相向。
[0205]腔室底部711具有在上下方向上與基板9的下表面92相向的大致圓板狀的中央部711a、在中央部711a的周圍位於中央部711a的下方的階梯部711b。在中央部711a設置的下部噴嘴76的周圍設置有與氣體供給部61 (參照圖1)連接的剖面為圓環狀的下部噴嘴78a。階梯部711b位於基板旋轉機構5的定子部51的下方。腔室側壁部712從腔室底部711的階梯部711b的外周緣向上方擴展。由此，腔室7的內部空間70擴展到定子部51的下部。
[0206]在基板處理裝置Ic中，通過腔室底部711的階梯部711b和腔室側壁部712，形成接受從基板9飛散的處理液的環狀的第一接受液體部81。第一接受液體部81在內部空間70中位於定子部51的下方，從基板9的周圍向下側擴展。第一接受液體部81具有位於基板9的周圍的環狀的開口(以下稱為「接受液體開口 80」)。從基板9飛散的處理液經由接受液體開口 80向第一接受液體部81內移動，並由第一接受液體部81接受並暫時貯存。[0207]在第一接受液體部81的底部設置有第一接受液體排出部811，第一回收部812經由第一接受液體排出部811與第一接受液體部81相連接。第一接受液體部81所接受的處理液由第一回收部812吸引，從而排出到腔室7外並被回收。此外，供給到基板9的下表面92等而落下到腔室底部711的中央部711a上的處理液被吸引部62經由在中央部711a設置的下部排出部77而吸引。
[0208]在第一接受液體部81的內部設置有用於接受從基板9飛散的處理液的其他接受液體部即第二接受液體部82。進而，在第二接受液體部82的內部設置有用於接受從基板9飛散的處理液的其他接受液體部即第三接受液體部83。第二接受液體部82以及第三接受液體部83分別是在內部空間70中位於定子部51的下方的環狀的構件。第二接受液體部82的上部具有用於接受從基板9飛散的處理液並向下方引導的傾斜面(圓錐面)，第三接受液體部83的上部也同樣具有用於接受從基板9飛散的處理液並向下方引導的傾斜面(圓錐面)。第二接受液體部82以及第三接受液體部83的上述傾斜面在上下方向上重疊配置。在第二接受液體部82的底部設置有第二接受液體排出部821，第二回收部822經由第二接受液體排出部821與第二接受液體部82連接。另外，在第三接受液體部83的底部設置有第三接受液體排出部831，第三回收部832經由第三接受液體排出部831與第三接受液體部83相連接。進而，在第二接受液體部82上連接有接受液體部升降機構823，在第三接受液體部83連接有另一個接受液體部升降機構833。第二接受液體部82以及第三接受液體部83通過接受液體部升降機構823、833以彼此的上部不接觸的方式在上下方向上移動。
[0209]在液體回收部8中，從圖20所示的狀態(以下稱為「第一接受液體狀態」。)驅動接受液體部升降機構823，在第三接受液體部83不移動的情況下，第二接受液體部82上升到圖21所示的位置。以下，將圖21所示的液體回收部8的狀態稱為「第二接受液體狀態「。在圖21中，省略吸引部62的圖示(在圖22中也同樣)。在第二接受液體狀態下，第二接受液體部82在第一接受液體部81的內部從基板9的周圍向下側擴展，從基板9飛散的處理液經由接受液體開口 80向第二接受液體部82內移動，由第二接受液體部82接受並暫時貯存。第二接受液體部82所接受的處理液被第二回收部822吸引，由此被排出到腔室7外並被回收。
[0210]另外，在液體回收部8中，從圖21所示的第二接受液體狀態驅動接受液體部升降機構833，由此第三接受液體部83上升到圖22所示的位置。以下，將圖22所示的液體回收部8的狀態稱為「第三接受液體狀態」。在第三接受液體狀態下，第三接受液體部83在第二接受液體部82的內部從基板9的周圍向下側擴展，從基板9飛散的處理液經由接受液體開口 80向第三接受液體部83內移動，由第三接受液體部83接受並暫時貯存。第三接受液體部83所接受的處理液被第三回收部832吸引，由此被排出到腔室7外並被回收。
[0211]這樣，在基板處理裝置Ic中，利用接受液體部升降機構823、833使第二接受液體部82以及第三接受液體部83在上下方向移動，由此能夠有選擇地在由第一接受液體部81接受處理液、由第二接受液體部82接受處理液和由第三接受液體部83接受處理液之間進行切換。並且，分別由第一接受液體部81、第二接受液體部82以及第三接受液體部83接受的處理液通過作為處理液排出部的第一回收部812、第二回收部822以及第三回收部832排出到腔室7外。
[0212]在上述的步驟Sll?S21所示的基板處理中，例如在步驟S15的蝕刻處理和步驟S16的衝洗處理之間，使液體回收部8為圖21所示的第二接受液體狀態，並增大基板9的轉速。由此，蝕刻液即第一處理液從基板9上飛散而由第二接受液體部82接受，並由第二回收部822回收。第二回收部822所回收的第一處理液在進行雜質的除去等後，再次利用於基板處理裝置Ic中的基板處理等。
[0213]接著，驅動接受液體部升降機構833而使液體回收部8為圖22所示的第三接受液體狀態後，進行步驟S16的衝洗處理，由此純水即第二處理液與在基板9上殘留的第一處理液一起從基板9上飛散，由第三接受液體部83接受並由第三回收部832回收。另外，在步驟S17、S18中，從基板9上飛散的第二處理液也由第三接受液體部83接受並由第三回收部832回收。第三回收部832所回收的處理液被廢棄。
[0214]接著，驅動接受液體部升降機構823、833而使液體回收部8為第一接受液體狀態後，進行步驟S20的乾燥處理，由此，IPA即第三處理液從基板9上飛散，由第一接受液體部81接受並由第一回收部812回收。第一回收部812所回收的第三處理液在進行雜質的除去等後，再次利用於基板處理裝置Ic中的基板處理等。
[0215]如以上說明那樣，在基板處理裝置Ic中，基板保持部2所保持的基板9的上表面91位於轉子部52b的下端的下側。由此，能夠抑制從基板9上飛散的處理液與轉子部52b碰撞。其結果，能夠抑制處理液從轉子部52b彈回到基板9，並且容易將處理液排出到腔室7外。
[0216]如上所述，在基板處理裝置Ic中，設置有在腔室7的內部空間70位於定子部51的下方的第一接受液體部81，由第一接受液體部81接受並暫時貯存的處理液由第一回收部812排出到腔室7外。由此，即使在腔室7密閉的狀態下使用大量處理液進行處理時，也在遠離基板9的位置暫時貯存從基板9飛散出來的處理液，能夠防止該處理液再次附著在基板9上並且能夠容易將處理液排出到腔室7外。
[0217]另外，在液體回收部8中，在第一接受液體部81的內部設置有第二接受液體部82，通過使第二接受液體部82在上下方向上移動，能夠有選擇地在由第一接受液體部81接受處理液和由第二接受液體部82接受處理液之間進行切換。由此，能夠對多種處理液分別獨立地回收，提高處理液的回收效率。進而，在第二接受液體部82的內部設置有第三接受液體部83，通過使第三接受液體部83與第二接受液體部82獨立地在上下方向上移動，能夠有選擇地在由第一接受液體部81接受處理液、由第二接受液體部82接受處理液和由第三接受液體部83接受處理液之間進行切換。其結果，能夠進一步提高處理液的回收效率。在液體回收部8中，第一接受液體部81、第二接受液體部82以及第三接受液體部83在上下方向上重合(即在俯視下重疊)配置，液體回收部8整體配置在定子部51的下方。這樣，能夠高效地利用定子部51的下方的空間，由此能夠使基板處理裝置Ic小型化。
[0218]在基板處理裝置Ic中，腔室蓋部73的蓋突出部731位於轉子部52b的內周面522的徑向內側，蓋突出部731的外周面733與轉子部52的內周面522在徑向上相向。由此，即使基板9發生破損，也能夠抑制基板9的破片向寬的範圍飛散。此外，蓋突出部731可以為以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀。
[0219]圖23是表示本發明的第五實施方式的基板處理裝置Id的剖視圖。在基板處理裝置Id中，取代圖1所示的下部排出部77以及吸引部62，而設置有連接配管777、緩衝罐60、氣體排出部64以及處理液排出部63。另外，在腔室7上設置有用於測定內部空間70的壓力的壓力計69。其他結構與圖1所示的基板處理裝置I幾乎同樣，在以下的說明中，對對應的結構標註相同的附圖標記。
[0220]連接配管777設置在腔室底部711的外周部，並貫通腔室底部711。連接配管777具有比較大的內徑，連接配管777的下端與在腔室7的下方配置的緩衝罐60相連接。在緩衝罐60上連接有氣體排出部64以及處理液排出部63。氣體排出部64由圖2所示的壓力控制部112控制。
[0221]圖24是詳細表示壓力控制部112對腔室7的內部空間70的壓力控制涉及的結構的圖。在圖24中，為了便於圖示，縮小腔室7且簡化以矩形描繪出來。另外，在圖24中，以剖面示出腔室7以及緩衝罐60。在圖26中也同樣。
[0222]如圖24所示，氣體供給部61具有第一氣體供給部611和第二氣體供給部612。第一氣體供給部611以及第二氣體供給部612經由第二上部噴嘴78並列地與腔室7連接。第一氣體供給部611以及第二氣體供給部612還與氣體供給源610相連接。
[0223]第一氣體供給部611具有氣壓調節器(APR) 614、質量流量控制器(MFC) 615和閥616。在第一氣體供給部611中，從氣體供給源610向腔室7，依次設置有氣壓調節器614、質量流量控制器615以及閥616。第二氣體供給部612具有壓電閥(PV:Piezo valve>617,流量計618和閥619。在第二氣體供給部612中，從氣體供給源610向腔室7依次設置有壓電閥617、流量計618以及閥619。在本實施方式中，作為閥616、619使用機械式的閥，但也可以使用其他結構的閥(對後述的其他閥也同樣)。
[0224]在氣體供給部61中，有選擇地利用第一氣體供給部611以及第二氣體供給部612，來向腔室7的內部空間70供給氣體。具體地說，通過打開閥616並關閉閥619，來自氣體供給源610的氣體經由第一氣體供給部611以及第二上部噴嘴78供給到腔室7的內部空間70。另外，通過關閉閥616並打開閥619，來自氣體供給源610的氣體經由第二氣體供給部612以及第二上部噴嘴78供給到腔室7的內部空間70。在本實施方式中通過氣體供給部61向腔室7內供給氮氣(N2)。
[0225]位於腔室7的下方的緩衝罐60經由連接配管777與腔室7的內部空間70相連接。在連接配管777上設置有機械式的連接閥771。供給到腔室7的內部空間70的處理液經由連接配管777引導至緩衝罐60。
[0226]在緩衝罐60的內部的空間即緩衝空間600內，設置有從緩衝罐60的內底面向上方擴展的間隔壁601。間隔壁601與緩衝罐60的內部上表面分離，緩衝空間600的下部通過間隔壁601分割成兩個空間602、603。連接配管777在空間602的上方與緩衝罐60的上部相連接。從腔室7的內部空間70經由連接配管777引導至緩衝罐60的處理液暫時貯存在空間602內，不向在緩衝空間600中的除空間602以外的空間流出。
[0227]在以下的說明中，將空間602、603分別稱為「液體貯存空間602」以及「分離空間603」，將液體貯存空間602以及分離空間603的上方的空間604稱為「上部空間604」。連接配管777與未貯存處理液的上部空間604相連接。在基板處理裝置Id中，由於連接配管777的內徑比較大，所以在處理液在連接配管777內流過時，處理液不會充滿連接配管777內。因此,緩衝罐60的內部的氣體(即上部空間604以及分離空間603的氣體)經由連接配管777內的氣體與腔室7的內部空間70的氣體總是連續。
[0228]在緩衝罐60的液體貯存空間602的底部連接有處理液排出部63。處理液排出部63具有從緩衝罐60向下方延伸的配管631和在配管631上設置的閥632。處理液排出部63將在緩衝罐60內貯存的處理液向基板處理裝置Id的外部排出。在處理基板9時，閥632關閉，在基板9的處理中使用過的處理液貯存在緩衝罐60的液體貯存空間602內。並且，在基板9的處理結束時等打開閥632，由此液體貯存空間602內的處理液藉助重力經由配管631向基板處理裝置Id的外部排出。
[0229]氣體排出部64具有慢漏氣(Slow leak)部621和強制排氣部622。慢漏氣部621和強制排氣部622並列地與緩衝罐60連接。慢漏氣部621以及強制排氣部622在分離空間603的上方與上部空間604連接。由此，防止從腔室7引導至緩衝罐60的處理液流入氣體排出部64。
[0230]慢漏氣部621從接近緩衝罐60 —側開始依次具有節流部623和閥624。強制排氣部622從接近緩衝罐60 —側開始依次具有閥625和真空發生器626。真空發生器626經由閥627和電-氣調壓閥(electric pneumatic regulator) 628與空氣供給源620相連接。作為真空發生器626，能夠利用例如株式會社妙德製造的CONVUM (註冊商標)。
[0231]在氣體排出部64中，有選擇地利用慢漏氣部621以及強制排氣部622，來將緩衝罐60內的氣體向基板處理裝置Id的外部排出。具體地說，通過打開閥624並關閉閥625、627，緩衝罐60的緩衝空間600的氣體經由慢漏氣部621向基板處理裝置Id的外部排出。在慢漏氣部621中，通過控制節流部623的開度，來調整從緩衝罐60排出的氣體的流量。
[0232]另外，通過關閉閥624並打開閥625、627，從空氣供給源620向真空發生器626供給壓縮空氣，通過真空發生器626吸引緩衝罐60的緩衝空間600的氣體。由此，緩衝罐60內的氣體經由強制排氣部622向基板處理裝置Id的外部強制排出。
[0233]在基板處理裝置Id中，由圖2所示的壓力控制部112基於來自壓力計69的輸出來控制氣體供給部61以及氣體排出部64，由此控制腔室7的內部空間70的壓力。在使內部空間70的壓力高於常壓(大氣壓)而使內部空間70處於加壓環境的情況下，在圖24所示的氣體供給部61中選擇第一氣體供給部611，在氣體排出部64選擇慢漏氣部621。並且，由第一氣體供給部611的質量流量控制器615，基於從壓力計69輸出的內部空間70的壓力的測定值，來控制向腔室7的內部空間70的氣體的供給量。在慢漏氣部621中，節流部623的開度為恆定，緩衝罐60內的氣體經由慢漏氣部621以小流量排出(洩漏)到外部。由此，腔室7的內部空間70、以及緩衝罐60的緩衝空間600維持在規定的加壓環境。
[0234]另一方面，在使內部空間70的壓力低於常壓而使內部空間70處於減壓環境的情況下，在氣體供給部61中選擇第二氣體供給部612，在氣體排出部64中選擇強制排氣部622。並且，在強制排氣部622對來自緩衝罐60的氣體的排出量維持在恆定的狀態下，由第一氣體供給部611的壓電閥617，基於從壓力計69出力的內部空間70的壓力的測定值，來控制向腔室7的內部空間70的氣體的供給量。由此，腔室7的內部空間70以及緩衝罐60的緩衝空間600維持在規定的減壓環境。
[0235]在基板處理裝置Id中，在從第一氣體供給部611向腔室7供給氣體的供給量維持在恆定的狀態下，可以基於來自壓力計69的輸出，來控制從空氣供給源620向真空發生器626供給的壓縮空氣的流量。由此，控制從緩衝罐60排出氣體的排出量，腔室7的內部空間70以及緩衝罐60的緩衝空間600維持在規定的減壓環境。
[0236]此外，在將內部空間70的壓力維持在常壓並向內部空間70供給氣體的情況下，與使內部空間70處於加壓環境的情況同樣地，在氣體供給部61中選擇第一氣體供給部611，在氣體排出部64中選擇慢漏氣部621。
[0237]基板處理裝置Id中的對基板9的處理流程與圖13所示的步驟Sll?S21幾乎同樣。在基板處理裝置Id中，在步驟S14中，從基板9的上表面91以及下表面92流出的第一處理液經由連接配管777引導至緩衝罐60。處理液排出部63的閥632 (參照圖24)被關閉，引導至緩衝罐60的處理液暫時貯存在緩衝空間600的液體貯存空間602中。
[0238]在基板處理裝置Id中，可以在步驟S15和步驟S16之間，停止從第一處理液供給部31供給第一處理液後，在處理液排出部63中打開閥632，將液體貯存空間602內的第一處理液向基板處理裝置Id的外部排出，之後再次關閉閥632。另外，在步驟S16中，從基板9的上表面91飛散出來的第一處理液以及第二處理液由轉子部52的接受液體面523接受而引導至下方，並經由連接配管777引導至緩衝罐60，在液體貯存空間602內暫時貯存。
[0239]在步驟S18中，從基板9上飛散出來的第二處理液由轉子部52的接受液體面523接受而引導至下方，並經由連接配管777引導至緩衝罐60，在液體貯存空間602內暫時貯存。在處理液排出部63中，可以打開閥632，將液體貯存空間602內的第二處理液排出到基板處理裝置Id的外部後，再次關閉閥632。
[0240]圖25是表示基板處理裝置Id中的步驟S19的詳細流程的圖。在基板處理裝置Id中，首先，在使腔室7的內部空間70的壓力返回到常壓後，關閉在連接配管777上設置的圖24所示的連接閥771，使腔室7的內部空間70和緩衝罐60的緩衝空間600非連續(步驟S191)。然後，在關閉連接閥771的狀態下驅動強制排氣部622，來將緩衝罐60的緩衝空間600的氣體強制地向基板處理裝置Id的外部排出，使緩衝罐60內處於減壓環境(步驟S192)。
[0241]然後，打開連接閥771 (步驟S193)，在腔室7的內部空間70和緩衝罐60的緩衝空間600連續的狀態下，繼續驅動強制排氣部622。由此，腔室7內的氣體也經由緩衝罐60被強制性地向基板處理裝置Id的外部排出，腔室7的內部空間70以及緩衝罐60的緩衝空間600變為規定的減壓環境(步驟S194)。
[0242]在基板處理裝置Id中，在步驟S20中從基板9上飛散的第三處理液也由轉子部52的接受液體面523接受而引導至下方，並經由連接配管777引導至緩衝罐60，由液體貯存空間602暫時貯存。另外，在步驟S21之後，當腔室7的內部空間70返回到常壓時，在處理液排出部63中，打開閥632，將液體貯存空間602內的處理液排出到基板處理裝置Id的外部。
[0243]在基板處理裝置Id中，通過設置接受液體面523，能夠將從基板9飛散的處理液迅速向內部空間70的下部引導，並經由連接配管777迅速向緩衝罐60引導。另外，接受液體面523擴展到基板9的上表面91的上側並且越靠近下方則越靠近徑向外側，由此能夠將從基板9飛散的處理液更迅速地向緩衝罐60引導。
[0244]在基板處理裝置Id中，設置有向內部空間70供給氣體的氣體供給部61、從內部空間70排出氣體的氣體排出部64、以及對內部空間70的壓力進行控制的壓力控制部112，由此能夠在各種環境(例如低氧環境)和各種壓力下對基板9進行處理。由此，能夠縮短處理基板9所需的時間，並且能夠對基板9進行各種處理。
[0245]如上所述，在基板處理裝置Id中，通過連接配管777與腔室7的內部空間70連接並暫時貯存從內部空間70引導來的處理液的緩衝罐60，設置在腔室7的下方。並且，緩衝罐60的緩衝空間600的氣體經由連接配管777內的氣體與腔室7的內部空間70的氣體總是連續。由此，能夠使被密閉的內部空間70與氣體排出部64總是連續。其結果，即使在內部空間70使用大量的處理液進行處理的情況下，也能夠總是高精度地控制腔室7的內部空間70的壓力，將內部空間70的壓力維持在所希望的壓力。另外，通過從腔室7的上部向內部空間70供給氣體，從內部空間70的下部排出氣體，由此在內部空間70內形成向下的氣流(所謂的下降流)。由此，能夠抑制顆粒等附著在基板9上，提高基板9的清潔度。
[0246]在基板處理裝置Id中，使緩衝罐60內的氣體和腔室7內的氣體總是連續的連接配管777也可以與腔室側壁部712的上部或腔室蓋部73相連接，並設置用於防止處理液到達該連接部的間隔壁等。在該情況下，在腔室底部711設置將腔室7內的處理液引導至緩衝罐60的其他配管。即使是該結構，也能夠總是高精度地控制腔室7的內部空間70的壓力。其中，如上述實施方式所示那樣，通過採用將腔室7內的處理液經由連接配管777向緩衝罐60引導的結構，能夠使基板處理裝置Id的結構簡化。
[0247]在氣體排出部64中，通過設置並列地與緩衝罐60連接的慢漏氣部621以及強制排氣部622，由此能夠容易從加壓環境到減壓環境對腔室7的內部空間70的環境進行控制。另外，在步驟S19中，使緩衝罐60內預先處於減壓環境後，使緩衝罐60和腔室7連續來對腔室7內進行減壓，由此能夠使腔室7的內部空間70迅速地變為規定的減壓環境。此外，步驟S192中的緩衝罐60內的壓力在步驟S194中的腔室7內以及緩衝罐60內的壓力以上，但優選小於該壓力。由此，使腔室7的內部空間70更迅速地變為規定的減壓環境。
[0248]在基板處理裝置Id中，與圖14所示的基板處理裝置I同樣，可以在腔室蓋部73從腔室主體71離開到上方的狀態下，從在插入在腔室蓋部73和腔室主體71之間的掃描噴嘴35向基板9的上表面91供給處理液。在該情況下，從基板9飛散的處理液也由轉子部52的接受液體面523接受而引導至下方。由此，能夠抑制從基板9飛散的處理液彈回而附著在基板9上。另外，能夠將從基板9飛散的處理液迅速地引導至緩衝罐60。
[0249]基板處理裝置Id中的腔室7內的清洗處理的流程與圖16所示的步驟S31?S35幾乎同樣。在基板處理裝置Id中，在步驟S31中，在腔室7的內部空間70貯存第二處理液時，關閉連接閥771 (參照圖24)。在步驟S33中，打開連接閥771，並打開處理液排出部63的閥632，由此內部空間70內的第二處理液與從腔室7的內表面除去的異物等一起經由緩衝罐60排出到基板處理裝置Id的外部。在步驟S34中，關閉閥632並控制氣體供給部61以及氣體排出部64，來使內部空間70以及緩衝空間600處於規定的減壓環境。步驟S34通過與圖25所示的步驟S191?S194同樣的順序進行。由此，能夠使腔室7內迅速地處於規定的減壓環境。在步驟S35中，在轉子部52以及基板保持部2上附著的第二處理液向周圍飛散，被引導至內部空間70的下部，並經由連接配管777引導至緩衝罐60。
[0250]圖26是詳細表示腔室7的內部空間70的壓力控制涉及的結構的其他優選的例子的圖。在圖26中省略氣體供給部61的圖示。在圖26所示的例子中，在腔室7的下方設置有三個緩衝罐60a、60b、60c。在以下的說明中，將緩衝罐60a、60b、60c分別稱為「第一緩衝罐60a」、「第二緩衝罐60b」以及「第三緩衝罐60c」。
[0251]第一緩衝罐60a、第二緩衝罐60b以及第三緩衝罐60c經由連接配管777並列地與腔室7的內部空間70相連接。在連接配管777上設置有分別與第一緩衝罐60a、第二緩衝罐60b以及第三緩衝罐60c對應的三個連接閥771，通過切換這些連接閥771的開閉，來有選擇地使用第一緩衝罐60a、第二緩衝罐60b以及第三緩衝罐60c。所使用的緩衝罐內的氣體經由連接配管777內的氣體與腔室7的內部空間70的氣體總是連續。
[0252]在第一緩衝罐60a、第二緩衝罐60b以及第三緩衝罐60c上分別連接有上述的處理液排出部63。在第一緩衝罐60a的上部連接有上述的強制排氣部622來作為氣體排出部64a。在第二緩衝罐60b的上部連接有上述的慢漏氣部621來作為氣體排出部64b。在第三緩衝罐60c的上部連接有向大氣開放的排氣用配管來作為氣體排出部64c。
[0253]在圖26所示的例子中，在步驟S15 (參照圖13)中，在加壓環境下進行蝕刻處理的情況下，有選擇地利用連接有慢漏氣部621的第二緩衝罐60b。作為蝕刻液的第一處理暫時貯存在第二緩衝罐60b內，並經由處理液排出部63被回收。所回收的第一處理液在進行雜質的除去等後再次利用於基板處理裝置Id中的基板處理等。
[0254]另外，在步驟S16中，在常壓下進行衝洗處理的情況下，有選擇地利用第三緩衝罐60c，作為衝洗液的第二處理液暫時貯存在第三緩衝罐60c內。第二處理液經由處理液排出部63排出到基板處理裝置Id的外部並被廢棄。
[0255]在步驟S20中，在減壓環境下進行乾燥處理的情況下，有選擇地利用連接有強制排氣部622的第一緩衝罐60a。IPA即第三處理液暫時貯存在第一緩衝罐60a內，並經由處理液排出部63被回收。所回收的第三處理液在進行雜質的除去等後，再次利用於基板處理裝置Id中的基板處理等。
[0256]這樣，在圖26所示的例子中，通過有選擇地利用第一緩衝罐60a、第二緩衝罐60b以及第三緩衝罐60c，由此能夠對多種處理液分別獨立地回收，提高處理液的回收效率。另夕卜，通過設置多個緩衝罐，能夠減小各緩衝罐的容量。其結果，能夠縮短腔室7的內部空間70的加壓以及減壓所需的時間。
[0257]在圖26所示的例子中，可以在第一緩衝罐60a、第二緩衝罐60b以及第三緩衝罐60c上分別連接慢漏氣部621以及強制排氣部622。在該情況下，由於能夠使未與減壓環境的腔室7的內部空間70連接的緩衝罐預先處於與內部空間70同樣的減壓環境，所以能夠在減壓環境下的基板9的處理中，防止腔室7內的壓力變動的同時，將使用中的緩衝罐切換為其他緩衝罐。此外，若在各緩衝罐上連接與上述的氣體供給部61同樣的氣體供給部，則即使在加壓環境下的基板9的處理中，也能夠防止腔室7內的壓力變動的同時，切換緩衝罐。
[0258]在基板處理裝置Id中，也可以將圖18所示的保護壁525設置在轉子部52上。在該情況下，來自基板9的處理液由保護壁525向下方引導，並經由在內部空間70的下方設置的連接配管777引導至緩衝罐60 (參照圖23)。另外，在基板處理裝置Id中，可以取代圖23所示的定子部51以及轉子部52，而設置圖19所示的定子部51a以及轉子部52a，腔室側壁部712的形狀也為圖19所示的形狀。在該情況下，基板9的上表面91上的處理液經由流路534被引導至在內部空間70的下方設置的連接配管777，並經由連接配管777被引導至緩衝罐60。
[0259]圖27是表示本發明的第六實施方式的基板處理裝置Ie的剖視圖。在基板處理裝置Ie中，在圖20所示的基板處理裝置Ic的液體回收部8上連接與圖23所示的基板處理裝置Id的連接配管777以及緩衝罐60同樣的連接配管以及緩衝罐。其他結構與圖20所示的基板處理裝置Ic幾乎同樣，在以下的說明中，對對應的結構標註相同的附圖標記。
[0260]如圖27所示，在第一接受液體部81的底部連接有第一連接配管777a，圖26所示的第一緩衝罐60a經由第一連接配管777a與第一接受液體部81相連接。在第一緩衝罐60a上，如圖26所示那樣連接有氣體排出部64a以及處理液排出部63。由圖27所示的第一接受液體部81接受到的處理液經由第一連接配管777a被弓I導至第一緩衝罐60a，並被暫時貯存。此外，供給到基板9的下表面92等並落下到腔室底部711的中央部711a的處理液經由在中央部711a設置的連接配管777d被引導至省略圖示的緩衝罐內。
[0261 ] 在第二接受液體部82的底部設置有第二連接配管777b，第二緩衝罐60b經由第二連接配管777b與第二接受液體部82連接。由第二接受液體部82接受到的處理液經由第二連接配管777b被引導至第二緩衝罐60b，並被暫時貯存。另外，在第三接受液體部83的底部設置有第二連接配管777c，第三緩衝罐60c經由第三連接配管777c與第三接受液體部83連接。由第三接受液體部83接受到的處理液經由第三連接配管777c被引導至第三緩衝罐60c，並被暫時貯存。
[0262]在基板處理裝置Ie中，與圖20所示的基板處理裝置Ic同樣，通過接受液體部升降機構823、833使第二接受液體部82以及第三接受液體部83在上下方向移動，由此有選擇地在由第一接受液體部81接受處理液、由第二接受液體部82接受處理液和由第三接受液體部83接受處理液之間進行切換。並且，由第一接受液體部81、第二接受液體部82以及第三接受液體部83接受到的處理液分別由第一緩衝罐60a、第二緩衝罐60b以及第三緩衝罐60暫時貯存。
[0263]在上述的步驟Sll?S21所示的基板處理中，在步驟S15中，利用與第二緩衝罐60b連接的氣體排出部64b的慢漏氣部621，來使腔室7的內部空間70以及第二緩衝罐60b內處於加壓環境。並且，在步驟S15的蝕刻處理和步驟S16的衝洗處理之間，使液體回收部8處於圖28所示的第二接受液體狀態，並增大基板9的轉速。由此，蝕刻液即第一處理液從基板9上飛散，由第二接受液體部82接受，並在第二緩衝罐60b內暫時貯存。第二緩衝罐60b內的第一處理液通過處理液排出部63 (參照圖26)向基板處理裝置Ie的外部排出而被回，並且，在進行雜質的除去等之後，再次利用於基板處理裝置Ie中的基板處理等。
[0264]接著，在驅動接受液體部升降機構833而使液體回收部8處於圖29所示的第三接受液體狀態後，進行步驟S16的衝洗處理，由此，純水即第二處理液與在基板9上殘留的第一處理液一起從基板9上飛散，由第三接受液體部83接受，並在第三緩衝罐60c內暫時貯存。另外，在步驟S17、S18中，從基板9上飛散的第二處理液也由第三接受液體部83接受並在第三緩衝罐60c內暫時貯存。第三緩衝罐60c內的第二處理液由處理液排出部63排出到基板處理裝置Ie的外部並被廢棄。
[0265]接著，在驅動接受液體部升降機構823、833使液體回收部8處於圖27所示的第一接受液體狀態後，在步驟S19，利用與第一緩衝罐60a連接的氣體排出部64a的強制排氣部622 (參照圖26)，來使腔室7的內部空間70以及第一緩衝罐60a內處於減壓環境。並且，通過進行步驟S20的乾燥處理，IPA即第三處理液從基板9上飛散，由第一接受液體部81接受並在第一緩衝罐60a內暫時貯存。第一緩衝罐60a內的第三處理液由處理液排出部63向基板處理裝置Ie的外部排出並被回收，在進行雜質的除去等後，再次利用於基板處理裝置Ie中的基板處理等。[0266]如上所述，在基板處理裝置Ie中，在第一接受液體部81、第二接受液體部82以及第三接受液體部83上分別連接有第一緩衝罐60a、第二緩衝罐60b以及第三緩衝罐60c。並且，在進行基板9的處理時，有選擇地使用第一緩衝罐60a、第二緩衝罐60b以及第三緩衝罐60c。所使用的緩衝罐內的氣體經由連接配管內的氣體與腔室7的內部空間70的氣體總是連續。由此，與圖23所示的基板處理裝置Id同樣，總是高精度地控制腔室7的內部空間70的壓力，能夠將內部空間70的壓力維持在所希望的壓力。
[0267]以上，對本發明的實施方式進行了說明，但本發明並不限於上述實施方式，能夠進行各種各樣的變更。
[0268]例如，基板旋轉機構5的定子部51、51a以及轉子部52、52a、52b的形狀以及結構可以進行各種變更。基板保持部2的卡盤部21、21a的結構和向轉子部安裝的安裝位置也可以進行各種變更。例如，可以是如下結構，即，卡盤部安裝在轉子部的上部，在基板9的下表面92位於轉子部的上端的上側的狀態下，基板9被保持在基板保持部2上。
[0269]在圖4所示的卡盤部21中，基板支撐部22的旋轉軸和基板按壓部23的旋轉軸未必是同一旋轉軸，基板支撐部22和各基板按壓部23可以各自獨立具有旋轉軸。另外，也可以與基板支撐部22相鄰地設置一個或三個以上的基板按壓部23。基板支撐部22的與基板9接觸的面、以及基板按壓部23與基板9接觸的面可以是在水平方向擴展的面。
[0270]上述的轉子部未必以漂浮狀態進行旋轉，也可以在腔室7的內部空間70設置以機械方式支撐轉子部的引導部等結構，轉子部沿著該引導部進行旋轉。
[0271]在圖9所示的轉子部52中，如果來自基板9的處理液不怎麼向接受液體面523的上方飛散，則未必設置環狀突出部524。另外，接受液體面523未必採用越靠近下方則越靠近徑向外側的傾斜面，而例如可以是與上下方向大致平行的圓筒面。在圖19所示的基板處理裝置Ib中，只要在轉子部52a和流路形成部715之間形成有流路534即可，流路形成部715的下表面716未必採用越靠近徑向外側則逐漸靠近下方的光滑的傾斜面，而可以是各種形狀。
[0272]在圖20所示的基板處理裝置Ic以及圖27所示的基板處理裝置Ie中，在無需對多種處理也分別單獨回收的情況下，可以省略第二接受液體部82以及第三接受液體部83。另外，在腔室7被密閉的狀態下，在使用大量的處理液進行處理時，如果能夠抑制從基板9飛散的處理液再次附著在基板9上並能夠向腔室7外排出，則也可以省略第一接受液體部81。在該情況下，在基板處理裝置Ie中，在腔室7上經由連接配管777並列連接圖27所示的第一緩衝罐60a、第二緩衝罐60b以及第三緩衝罐60c。
[0273]在上述的基板處理裝置中，基板9相對於腔室7的搬入搬出可以由上述的基板移動機構4以外的各種機構來進行。另外，在腔室蓋部73中，也可以不設置蓋突出部731。
[0274]在步驟Sll?S21的處理中，步驟S13中的加熱部79對基板9的加熱可以在腔室7的內部空間70處於減壓環境的狀態進行。由此，抑制熱從基板9向周圍的氣體的移動，與在常壓下相比在短時間內加熱基板9。另外，加熱部79並不限於加熱器。例如，腔室底部711以及腔室蓋部73可以由石英等具有透光性的構件形成，從光照射部經由腔室底部711以及腔室蓋部73向基板9照射光，由此對基板9進行加熱。
[0275]步驟S14中的第一處理液對基板9的上表面91的覆蓋也可以在腔室7的內部空間70處於減壓環境的狀態下來進行。由此，第一處理液在上表面91上從中央部相外周部迅速擴展，因此與在常壓下相比能夠在短時間內進行第一處理液對基板9的上表面91的覆蓋。另外，由於在基板9上的圖案間隙內存在的氣體的量與在常壓下相比減少，因此供給到基板9的上表面91上的第一處理液容易進入圖案間隙。由此，能夠更適當地進行圖案間隙內的蝕刻處理。
[0276]在步驟S16中，可以在使腔室7的內部空間70處於減壓環境的狀態下，利用第二處理液對基板9的上表面91進行覆蓋後，使內部空間70的壓力返回到常壓。由此，第二處理液在上表面91上從中央部向外周部迅速擴展，與在常壓下相比能夠在短時間內進行從第一處理液向第二處理液的置換、以及、第二處理液對基板9的上表面91的覆蓋。另外，在第二處理液覆蓋基板9的上表面91後使內部空間70的壓力增大，由此第二處理液被擠入圖案間隙。其結果，能夠使第二處理液容易進入圖案間隙，更可靠地進行從第一處理液向第二處理液的置換。
[0277]在步驟S16中，可以在使腔室7的內部空間70處於加壓環境的狀態下，進行基板9的衝洗處理。由此，與在常壓下相比能夠抑制基板9上的第二處理液發生氣化，並能夠抑制隨著從基板9的中央部朝向外周部，基板9的溫度因氣化熱而變低。其結果，在第二處理液的衝洗處理中，能夠提高基板9的上表面91的溫度的均勻性，並能夠提高在基板9的上表面91整體的衝洗處理的均勻性。另外，還能夠提高在基板9的下表面92整體的衝洗處理的均勻性。
[0278]在步驟S17中的第三處理液對基板9的上表面91的覆蓋，可以在腔室7的內部空間70處於減壓環境的狀態下來進行。由此，第三處理液在上表面91上從中央部向外周部迅速擴展，因此與在常壓下相比能夠在短時間內進行第三處理液對基板9的上表面91的覆
至JHL ο
[0279]在圖27所示的基板處理裝置Ie中，在步驟S19，未必使預先處於減壓環境的緩衝罐60與腔室7連接，也可以使由連接配管777連接的常壓的緩衝罐60以及腔室7處於減壓環境。另外，如果在緩衝罐60上連接與氣體供給部61同樣的氣體供給部，則在步驟S15、S18，在要使腔室7的內部空間70處於加壓環境時，可以在預先使緩衝罐60的緩衝空間600處於加壓環境後，打開連接閥771來對腔室7的內部空間70進行加壓。由此，能夠使腔室7的內部空間70迅速地處於規定的加壓環境。
[0280]在對基板9的處理中，也可以不向基板9的下表面92供給處理液。另外，在上述的基板處理裝置中，可以對基板9供給各種處理液，進行除了步驟Sll?S21所示的處理以外的各種處理。另外，腔室7的內部空間70的環境也可以進行各種變更。
[0281]在步驟S31?S35中，也可以將除純水以外的處理液(例如稀鹽酸或過氧化氫溶液)貯存在腔室7的內部空間70，利用該處理液進行腔室7內的清洗處理。另外，也可以在利用除純水以外的處理液進行清洗處理後，將純水作為處理液，再次進行步驟S31?S35的清洗處理。進而，在步驟S31?S35使用的處理液可以由圖1所示的第一處理液供給部31或第三處理液供給部33經由第一上部噴嘴75供給到腔室7內，或者，可以經由圖14所示的掃描噴嘴35或其他噴嘴供給到腔室7內。
[0282]上述實施方式以及各變形例中的結構只要相互不矛盾，可以適當進行組合。
[0283]以上對本發明的優選實施方式進行了詳細說明，但本發明並不限定於上述特定的實施方式，在權利要求書記載的本發明的主旨的範圍內，可進行各種變形或變更。
【權利要求】
1.一種基板處理裝置，對基板進行處理，其特徵在於， 具有: 腔室，具有腔室主體以及腔室蓋部，通過由所述腔室蓋部堵塞所述腔室主體的上部開口，來形成被密閉的內部空間， 基板保持部，配置在所述腔室的所述內部空間內，將基板保持為水平狀態， 基板旋轉機構，以朝向上下方向的中心軸為中心，使所述基板與所述基板保持部一起進行旋轉， 處理液排出部，將供給到所述基板上的處理液向所述腔室外排出； 所述基板旋轉機構具有: 環狀的轉子部，其配置在所述腔室的所述內部空間內，並安裝有所述基板保持部，定子部，在所述腔室外配置在所述轉子部的周圍，在所述定子部與所述轉子部之間產生旋轉力。
2.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特徵在於， 該基板處理裝置還具有噴嘴，該噴嘴安裝在所述腔室蓋部上，用於向所述基板的上表面供給處理液。
3.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特徵在於， 該基板處理裝置還具有其他噴嘴，所述其他噴嘴在所述腔室主體上安裝在與所述基板的下表面相向的腔室底部，用於向所述基板的所述下表面供給處理液。
4.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特徵在於， 該基板處理裝置還具有: 多個升降銷，在以所述中心軸為中心的周向上排列，並從所述腔室蓋部向下突出， 升降銷移動機構，使所述多個升降銷相對於所述腔室蓋部在所述上下方向上進行移動； 通過所述升降銷移動機構使所述多個升降銷各自的頂端部從退避位置下降到交接位置，在所述交接位置，在所述多個升降銷和所述基板保持部之間進行基板的交接。
5.如權利要求4所述的基板處理裝置，其特徵在於， 所述腔室蓋部具有蓋突出部，該蓋突出部相比所述多個升降銷位於以所述中心軸為中心的徑向的內偵彳，並向下方突出。
6.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特徵在於， 該基板處理裝置還具有: 處理液供給部，向所述腔室內供給處理液， 控制部，對所述基板旋轉機構以及所述處理液供給部進行控制； 通過所述控制部的控制，在所述基板保持部未保持基板的狀態下向所述腔室內供給所述處理液並進行貯存，在所述內部空間內在所述基板保持部的至少一部分浸潰在所述處理液中的狀態下，使所述基板保持部進行旋轉，由此進行所述腔室內的清洗處理。
7.如權利要求6所述的基板處理裝置，其特徵在於， 在進行所述腔室內的清洗時，在所述處理液充滿所述內部空間的狀態下，使所述基板保持部進行旋轉。
8.如權利要求6所述的基板處理裝置，其特徵在於，在進行所述腔室內的清洗時，所述基板保持部向在以所述中心軸為中心的周向上的一個方向旋轉後，向在所述周向上的另一個方向旋轉。
9.如權利要求6所述的基板處理裝置，其特徵在於， 所述基板處理裝置還具有氣體排出部，該氣體排出部將所述內部空間的氣體向所述腔室外排出； 通過所述控制部的控制，在進行所述腔室內的清洗後，將所述內部空間的所述處理液向所述腔室外排出，然後，在使所述內部空間處於減壓環境的狀態下使所述基板旋轉機構旋轉，來進行所述腔室內的乾燥處理。
10.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特徵在於， 所述處理液排出部從所述內部空間的下部排出處理液， 所述轉子部配置在所述基板保持部的周圍， 所述轉子部具有接受液體面，該接受液體面與所述基板的外周緣在徑向上相向，用於接受從所述基板的外周緣飛散的處理液並向下方引導。
11.如權利要求10所述的基板處理裝置，其特徵在於， 所述接受液體面擴展到所 述基板的上表面的上側，並且，越靠近下方則越靠近所述徑向外側。
12.如權利要求10所述的基板處理裝置，其特徵在於， 所述轉子部還具有環狀突出部，所述環狀突出部在所述接受液體面的上側向所述徑向內側關出。
13.如權利要求10所述的基板處理裝置，其特徵在於， 所述轉子部還具有: 環狀的永久磁鐵， 保護壁，配置在所述永久磁鐵和所述基板之間，將所述永久磁鐵與所述基板隔離； 所述保護壁的上端與所述腔室蓋部的下表面隔著微小間隙相向， 所述保護壁的下端與所述腔室主體的內表面隔著微小間隙相向， 在所述保護壁的所述上端和所述下端之間設置有所述接受液體面。
14.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特徵在於， 所述處理液排出部從所述內部空間的下部排出處理液， 所述轉子部配置在所述基板保持部的周圍， 所述轉子部的上表面的內周緣與所述基板的所述上表面的外周緣接觸或接近， 所述腔室具有環狀的流路形成部，在該環狀的流路形成部和所述轉子部之間形成用於將所述處理液向所述處理液排出部引導的流路， 在所述轉子部的所述上表面的所述內周緣和所述流路形成部之間，形成有用於向所述流路引導處理液的狹縫狀的開口。
15.如權利要求14所述的基板處理裝置，其特徵在於， 所述流路形成部具有與所述轉子部的所述上表面相向的下表面， 所述下表面為越靠近徑向外側則逐漸靠近下方的光滑的傾斜面。
16.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特徵在於， 所述基板保持部具有:多個基板支撐部，對所述基板從下側進行支撐， 多個基板按壓部，對所述基板從上側進行按壓； 各基板支撐部能夠以朝向水平方向的第一旋轉軸為中心，在第一待機位置和第一保持位置之間進行旋轉，通過在第一基板抵接部上載置所述基板，所述基板支撐部從所述第一待機位置向所述第一保持位置旋轉，來對所述基板從下側進行支撐， 各基板按壓部能夠以朝向水平方向的第二旋轉軸為中心在第二待機位置和第二保持位置之間進行旋轉，所述基板按壓部藉助由所述基板旋轉機構產生的旋轉的離心力，從所述第二待機位置向所述第二保持位置旋轉，來由第二基板抵接部對所述基板從上側進行按壓。
17.如權利要求16所述的基板處理裝置，其特徵在於， 各所述基板支撐部的所述第一旋轉軸和與各所述基板支撐部接近配置的基板按壓部的所述第二旋轉軸為同一旋轉軸。
18.如權利要求16所述的基板處理裝置，其特徵在於， 在各所述基板支撐部的在周向上的兩側，與各所述基板支撐部相鄰地配置有兩個基板按壓部。
19.如權利要求16所述的基板處理裝置，其特徵在於， 在各所述基板支撐部位於所述第一保持位置的狀態下，所述第一基板抵接部具有越靠近以所述中心軸為中心的徑向內側則越靠近下側的傾斜面，所述傾斜面與所述基板的外緣部接觸。
20.如權利要求16所述的基板處理裝置，其特徵在於， 在各所述基板按壓部位於所述第二保持位置的狀態下，所述第二基板抵接部具有越靠近以所述中心軸為中心的徑向內側則越靠近上側的傾斜面，所述傾斜面與所述基板的外緣部接觸。
21.如權利要求16所述的基板處理裝置，其特徵在於， 各所述基板支撐部具有: 第一配重部，位於所述第一旋轉軸的下方， 第一阻擋件，對在所述第一基板抵接部上載置有所述基板時的所述第一配重部的移動進行限制。
22.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特徵在於， 該基板處理裝置還具有: 處理液供給部，在所述內部空間內向所述基板上供給處理液， 氣體供給部，向所述內部空間內供給氣體， 緩衝罐，經由連接配管與所述內部空間連接，暫時貯存從所述內部空間引導來的處理液,並且,該緩衝罐的內部的氣體經由所述連接配管內的氣體與所述內部空間的氣體總是連續， 氣體排出部，排出所述緩衝罐內的氣體， 壓力控制部，對所述氣體供給部以及所述氣體排出部進行控制，來控制所述腔室的所述內部空間的壓力； 所述處理液排出部用於排出在所述緩衝罐內貯存的處理液。
23.如權利要求22所述的基板處理裝置，其特徵在於， 所述處理液從所述內部空間經由所述連接配管被引導至所述緩衝罐。
24.如權利要求22所述的基板處理裝置，其特徵在於， 所述氣體排出部具有: 慢漏氣部，與所述緩衝罐連接，用於將所述腔室的所述內部空間維持在加壓環境，並排出所述緩衝罐內的氣體， 強制排氣部，與所述慢漏氣部並列地連接在所述緩衝罐上，通過強制地排出所述緩衝罐內的氣體，來使所述腔室的所述內部空間處於減壓環境。
25.如權利要求24所述的基板處理裝置，其特徵在於， 在所述連接配管上設置有連接閥， 通過所述壓力控制部的控制，在關閉所述連接閥的狀態下驅動所述強制排氣部，來使所述緩衝罐內處於減壓環境，然後，在打開所述連接閥的狀態下，驅動所述強制排氣部，來使所述腔室的所述內部空間也處於減壓環境。
26.如權利要求1至25中任一項所述的基板處理裝置，其特徵在於， 所述轉子部利用在所述轉子部與所述定子部之間作用的磁力，在所述內部空間內以漂浮狀態進行旋轉。
27.一種基板處理方法，對基板進行處理，其特徵在於，包括: a工序，在腔室內的被密閉的內部空間配置的基板保持部未保持基板的狀態下，向所述腔室內供給處理液並進行貯存； b工序，在所述內部空間內，所述基板保持部的至少一部分浸潰在所述處理液中的狀態下，通過使所述基板保持部旋轉，來進行所述腔室內的清洗處理。
【文檔編號】H01L21/02GK103579054SQ201310345501
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年8月9日 優先權日:2012年8月9日
【發明者】難波敏光 申請人:大日本網屏製造株式會社