一種防水性能良好的電子裝置製造方法
2023-05-28 04:34:31
一種防水性能良好的電子裝置製造方法
【專利摘要】本實用新型涉及防水的電子裝置製作領域，尤其涉及具防水膜的電子裝置製作領域。一種防水性能良好的電子裝置，所述電子裝置內包括至少一需覆蓋防水膜的電子配件，所述電子配件上覆蓋有一複合防水膜層，所述複合防水膜層的最底層為聚對二甲苯N型層，所述複合防水膜層的中間層為聚對二甲苯C型層或聚對二甲苯D型層，所述複合防水膜層的最外層為聚對二甲苯F型層。本實用新型中不同層具有不同的優點，因而可避免單層的缺點，防水性能更好。
【專利說明】-種防水性能良好的電子裝置
【技術領域】
[0001] 本實用新型涉及防水電子裝置製作領域，尤其涉及具防水膜的電子裝置製作領 域。
【背景技術】
[0002] 隨著人們生活水平的提高，電子產品尤其是手機和平板電腦等智能產品得到了越 來越廣泛的使用，為人們的生活帶來了極大的方便。但是這些電子產品目前還不能實現很 好的防水效果，該電子產品處於某種潮溼的環境或不小心掉入水中或濺到水包括各種導電 的液體時或者接觸高溼度的環境或水蒸汽時，會受到損壞而無法使用，造成使用者的損失。
[0003] 為實現電子產品的防水效果，現有通過外部防水的方式實現防水的，也有通過內 部防水的方式實現防水的。外部防水的方式對電子產品的外觀及設計有很大的影響，需要 增強密封圈或橡膠堵頭等，如申請號為201210246768. 8的專利公開的一種《防水嵌入式電 子裝置》，其包括殼體和設置於殼體內的電路板組件，其中，所述殼體包括一為整體無縫結 構的上盒體，該上盒體包括一頂部以及環繞該頂部的側壁，所述頂部和所述側壁構成一容 納空間，且所述上盒體的開口向下，一蓋體蓋合於所述上盒體的底部周緣，所述蓋體底部具 有至少一個通孔，所述電路板組件固定於所述上盒體的側壁內側。這種外部防水的設計不 僅對外觀設計造成一定影響，且水分仍可從盒體底部進入電子裝置內，防水效果欠佳。
[0004] 因而現在許多電子裝置都採用內部防水的方式實現其防水效果，內部防水主要是 利用化學氣相沉積聚對二甲基苯膜在電子裝置內需覆蓋防水膜的電子配件上的，然而目前 都是採用一種聚對二甲基苯膜做防水膜，單一一種聚對二甲苯有優與缺，且性能較為單一， 防水性能較差。
【發明內容】
[0005] 為克服上述現有技術中存有的缺陷，本實用新型提供一種防水性能良好的電子裝 置，該電子裝置的防水膜性能多樣化，因而內部防水性能較好，不易被水入侵。
[0006] 為達到上述目的，本實用新型所採用的技術方案為：
[0007] -種防水性能良好的電子裝置，所述電子裝置內包括至少一需覆蓋防水膜的電子 配件，所述電子配件上覆蓋有一複合防水膜層，所述複合防水膜層的最底層為聚對二甲苯N 型層，所述複合防水膜層的中間層為聚對二甲苯C型層或聚對二甲苯D型層，所述複合防水 膜層的最外層為聚對二甲苯F型層。
[0008] 依上述結構，所述聚對二甲苯N型層、聚對二甲苯C型層或聚對二甲苯D型層、聚 對二甲苯F型層均是通過真空氣相沉積在前述電子配件上的。
[0009] 與以往技術相比，本實用新型所帶來的有益效果有：
[0010] 由於本實用新型中的電子配件上塗覆有複合防水層，所述複合防水層依次為聚對 二甲苯N型層、聚對二甲苯C型層或聚對二甲苯D型層、聚對二甲苯F型層三層，不同層具 有不同的優點，因而可避免單層的缺點，防水性能更好。例如聚對二甲苯N型層具有較強的 滲透能力，能有效地在電子配件上的各種細縫或針孔表面形成薄膜；它的介電常數極低，耗 散因子小，且隨外界頻率的增加變化不大；還具有極低的摩擦係數，使其具有優異的潤滑效 果。聚對二甲苯C型層具有極低的水分子和腐蝕性氣體的穿透率。聚對二甲苯D型層在更 高溫度下具有相對更好的物理及電性能，其與聚對二甲苯N型層、聚對二甲苯C型層相比， 具有更好的熱穩定性。聚對二甲苯F型層抵抗紫外線能力較強，且具有較好的熱穩定性和 抗老化性能。
[0011] 下面結合附圖及具體實施例方式對本實用新型作進一步的說明：
【專利附圖】
【附圖說明】 [0012] ：
[0013] 圖1為本實用新型之較佳實施例的其一結構示意圖；
[0014] 圖2為本實用新型之較佳實施例的其二結構示意圖。
【具體實施方式】 [0015] ：
[0016] 如圖1~2所示，本實用新型涉及一種防水性能良好的電子裝置，所述電子裝置內 包括至少一需覆蓋防水膜的電子配件1，所述電子配件1上蓋覆有一複合防水膜層2,所述 複合防水膜層2至少包括有以下三層結構：聚對二甲苯N型層21、聚對二甲苯C型層22或 聚對二甲苯D型層23、聚對二甲苯F型層24。
[0017] 如圖1所示，複合防水膜層2的最底層為聚對二甲苯N型層21，所述複合防水膜 層2的中間層為聚對二甲苯C型層22,所述複合防水膜層2的最外層為聚對二甲苯F型層 24。
[0018] 如圖2所示，複合防水膜層2的最底層為聚對二甲苯N型層21，所述複合防水膜 層2的中間層為聚對二甲苯D型層23,所述複合防水膜層2的最外層為聚對二甲苯F型層 24。
[0019] 聚對二甲苯N型層21、聚對二甲苯C型層22或聚對二甲苯D型層23、聚對二甲苯 F型24層均是通過真空氣相沉積在電子配件1上的。
[0020] 由於不同聚對二甲基苯結構具有不同的特性，因而本實用新型中不同層具有不同 的優點，因而可避免單層的缺點，防水性能更好。
[0021] 聚對二甲基苯N型層21是對二甲苯的高聚物，具有最強的滲透能力，能夠有效地 在各種細縫或針孔表面形成薄膜，它的介電常數極低（2.65)及耗散因子小，且隨外界頻率 的增加變化不大，同時極低摩擦係數使其有優異的潤滑效果。
[0022] 聚對二甲基苯C型層22是在於其芳香基中之一氫分子被氯所取代，具有極低的水 分子和腐蝕性氣體的穿透率，沉積速率比聚對二甲基苯N型快。
[0023] 聚對二甲基苯D型層23是在於其芳香基中之二個氫原子被二個氯原子所取代，因 而在更高溫度下具有相對更好的物理及電性能，同時與聚對二甲基苯N、C型相比，具有更 好的熱穩定性，其沉積與聚合速度非常快，但鍵結壓力卻十分慢。
[0024] 聚對二甲基苯F型層24將二甲基上的Η原子替換為F原子，F-C鍵是已知最強的 共價鍵，鍵能高達445KJ / mol，僅次於C-Η鍵，但是鍵能卻比C一Η鍵強得多，因而能抵抗 紫外線對它的破壞，改善抗紫外線能力，氟原子取代亞甲基上的氫原子也極大地改變化學 鍵的極性，進而提高了其熱穩定性和抗老化性能，使其在航空及半導體領域將有可觀的應 用前景。
[0025] 因而通過本實用新型中多元複合結構的設計，使複合式防水膜2具有各單層膜的 優點，而避免單層膜的缺點，因而防水性能更好。
[0026] 上述實施例僅為本實用新型的其一較佳實施例，並非以此限定本實用新型的保護 範圍，故：凡依本實用新型的形狀、結構或原理所作的等效變換，均應涵蓋在本實用新型的 保護範圍之內。
【權利要求】
1. 一種防水性能良好的電子裝置，其特徵在於：所述電子裝置內包括至少一需覆蓋防 水膜的電子配件，所述電子配件上覆蓋有一複合防水膜層，所述複合防水膜層的最底層為 聚對二甲苯N型層，所述複合防水膜層的中間層為聚對二甲苯C型層或聚對二甲苯D型層， 所述複合防水膜層的最外層為聚對二甲苯F型層。
2. 根據權利要求1所述的一種防水性能良好的電子裝置，其特徵在於：所述聚對二甲 苯N型層、聚對二甲苯C型層或聚對二甲苯D型層、聚對二甲苯F型層均是通過真空氣相沉 積在前述電子配件上的。
【文檔編號】B32B27/08GK203876330SQ201420136999
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年3月25日 優先權日:2014年3月25日
【發明者】侯光輝 申請人:侯光輝