用於流動細胞計量的流體力學細胞導引裝置製造方法

2023-05-28 13:32:31 1

用於流動細胞計量的流體力學細胞導引裝置製造方法
【專利摘要】本發明涉及一種用於流動細胞計量或分析物富集的流體力學細胞導引的裝置和方法。其中，有磁標記的分析物，尤其細胞（1），在流動中從試樣中動力地富集並逐個尤其磁阻式地探測。為了細胞導引，在流動通道（100）內設置導引門檻（12），因此除了磁性富集力（10z）和流動剪力（10y）外，還通過流體力學屏障（12）在要探測的細胞（1）上作用偏轉力（10X）。
【專利說明】用於流動細胞計量的流體力學細胞導引裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及流動細胞計量，尤其細胞導引裝置。
【背景技術】
[0002]在細胞測量和細胞探測領域內，已知光學測量方法，如散光或螢光測量，以及磁性探測方法。
[0003]尤其在磁性探測方法中，為了細胞分選、細胞導引或細胞富集已知利用磁致電泳，其中藉助磁性導引條帶在有標記的細胞上施加磁性力，使它們能依次脫離這些導引條帶，或也能對準細胞測量裝置的方向。迄今藉助梯度磁場促使有標記的細胞或粒子富集在基底表面上，再藉助磁致電泳使細胞或要探測的粒子在基底表面上定位。
[0004]為了製造這種磁致電泳富集和定位段，已知例如通過平版印刷術在基底上施加磁性條帶。然而這種製造方法非常昂貴並因而不利於製造其使用方決定要大批量生產的構件。由此增大矽足跡(Footprint)而導致磁致電泳富集段的另一個缺點。為了將富集段和細胞測量裝置集成在矽晶片上，與使用這種構件合乎理性的費用相比，更在乎它的尺寸大小。

【發明內容】

[0005]本發明要解決的技術問題是，為流動細胞計量提供一種能便於製造的裝置。
[0006]上述技術問題通過按專利權利要求1所述的裝置得以解決。在專利權利要求11中給出了一種細胞導引的方法。在專利權利要求13中給出了一種按本發明裝置的製造方法。本發明有利的擴展設計是從屬權利要求的技術主題。
[0007]按本發明用於流動細胞計量的裝置包括一個流動通道，一個磁性單元，磁性單元設置在流動通道的通道底部下方並設計為能產生梯度磁場，梯度磁場穿過被流動通道圍繞的體積，還包括至少一個細胞測量裝置，以及至少一個導引門檻，導引門檻以這樣的方式設置在流動通道內，亦即能流過流動通道的細胞可以被導引門檻朝細胞測量裝置的方向引導。其優點是，要探測的細胞可以在微型射流器內通過流動條件和梯度磁場按二維富集。本裝置另一個優點在於，能取消磁致電泳的富集，並因而與迄今已知的富集段相比結構性成本低得多。
[0008]按本發明一種有利的實施形式，裝置包括一個流動通道，它的通道直徑和通道內壁的表面性質設計為，能在流動通道內產生複合式細胞懸浮液的具有層流流動斷面的流動。流動通道尤其涉及一種微型射流通道。優選地，以比較大的能保證複合溶液層流流動的通道直徑工作，不會例如基於沉積而導致堵塞。通過設計具有導引門檻的通道，還保證朝細胞測量裝置的方向富集，這允許取消例如在現有技術中用於分離有標記的細胞的那種Y形微型射流器。
[0009]按本發明另一種有利的實施形式，裝置包括一個磁性單元，它設計為能產生梯度磁場，通過它能使有磁標記的細胞富集在通道底部。有磁標記的細胞尤其涉及一種超順磁性標記，例如藉助超順磁珠(Bead)。這樣做的優點是，全部有磁標記的細胞可以富集在通道底部，在那裡它們在層流流動中被引領到至少一個導引門檻處，從而使它們可以通過此導引門檻偏轉。在這裡，導引門檻具有一個大體是所要探測的那種細胞類型的細胞直徑的高度。
[0010]裝置中的導引門檻尤其是相對於通道底部的隆凸，或由相對於通道底部的沉降構成。也就是說，當導引門檻作為隆凸伸入到通道容積內時，導引門檻例如形成縮小的通道，或者當導引門檻在通道底部內構成沉降的、可以說是溝槽的邊緣時，就形成了展寬的通道。通過這些導引門檻的實施形式，可以對細胞試樣施加不同的流體力學影響。
[0011]在相對於通道底部為隆凸的情況下，門檻高度是隆凸的高度，在相對於通道底部是沉降的情況下，門檻高度可以說涉及通道底部內的溝槽的深度。在這裡，可以說，流體在其上流動的溝槽外壁構成導引門檻。
[0012]尤其是，裝置包括許多導引門檻。它們以這樣的方式設置在流動通道內，亦即能流過流動通道的細胞可以被導引門檻富集在通道底部的部分表面上方的流動通道的部分體積內。這樣做的優點是，裝置不涉及在其中分選有標記細胞的Y形微型射流器，而是可以實現將要探測的細胞富集在試樣體積內部。恰當地，所述部分體積或通道底部的部分表面在流動通道中心，細胞可以從兩側出發向那裡富集。然後在通道底部的部分表面內部還尤其設置細胞測量裝置。細胞測量裝置例如設置在通道底部內或其上。尤其是，細胞測量裝置的檢測區沿細胞測量裝置上方的部分體積延伸。
[0013]導引門檻的隆凸尤其設計為，使細胞不停頓在導引門檻之間的空隙內，以及不堵塞此空隙。因此，結構高度，亦即相對於通道底部的門檻高度，優選細胞直徑的數量級，優選地略小於細胞直徑。多個導引門檻的布局必須空留出通道底部足夠大的部分區域，富集的細胞能在這裡延續其通過流動通道的軌跡。或保證在導引門檻之間留出足夠寬的通道，或在手指式結構的情況下作為替代方式保證足夠錯移。
[0014]按本發明一種示例性的實施形式，導引門檻可藉助例如在矽晶片上的光致抗蝕劑條帶實現。為此，光致抗蝕劑門檻尤其藉助平版印刷術製成。有利地，有導引門檻的富集段尤其藉助壓鑄設計為一體式的塑料件，由此富集段不需要矽基底。這樣做的優點是，可以減小矽足跡並因而也降低流動細胞計量裝置的製造和構件成本。
[0015]按本發明一項有利的擴展設計，裝置的導引門檻在通道底部上延伸為，使遭受朝通道底部方向磁性力及沿流動方向流體剪力的有磁標記的細胞，只能順一條路途經過通道底部的預定的部分表面渡過導引門檻。也就是說，導引門檻尤其在通道底部兩側安置在通道壁上，使富集在通道底部有磁標記的細胞不能沿通道壁流動。尤其是，導引門檻分別從一個通道壁，沿通道底部的兩個縱向半部，一直朝大約通道中心方向延伸，在那裡保證富集在通道底部的細胞沿流動方向流動。在這裡，導引門檻尤其可布置為，使在其上富集的有磁標記的細胞的部分表面是一個狹窄的矩形部分表面，它按流動方向沿通道中心延伸。作為替代方式，導引門檻也可以手指狀互相插入，所以在其上富集細胞的部分表面意味著是一個鋸齒形或波紋形延伸的分段。尤其是，在其上富集細胞的部分表面也可以按流動方向沿流動通道的徑跡收縮。
[0016]按本發明一項有利的擴展設計，導引門檻與通道底部設計為一體。尤其是，導引門檻與通道底部設計為一個壓鑄件。所述設計為壓鑄件的實施形式其優點是，富集段不必附加地設置在細胞測量用的基底上，在大多數情況下基底恰當地是矽晶片。由此可以顯著減小用於流動細胞計量的構件的所謂足跡，亦即矽基底的尺寸，這也降低了這種流動細胞計量裝置的價格。此外，尤其與例如在製造磁致電泳的富集段時所使用的那種平版印刷法相比，流體力學式的富集段的所述設計製造非常簡單。
[0017]尤其是，導引門檻是相對於通道底部的直線狀隆凸。採用直線形狀，使富集在底部的細胞通過層流流動沿門檻輸送，不會導致在通道底部的流動中幹擾的紊流。作為替代方式，導引門檻可以沿弧線朝通道中心方向延伸。在直線形門檻定向時，它們尤其與流動方向成銳角設置。也就是說，要沿導引門檻輸送的富集的細胞未被導引門檻阻攔，而是細胞的輸送沿流動方向進一步延伸。
[0018]有利地，具有富集段的裝置包括一種組合，該組合由在單獨的、例如與通道底部設計為一體的塑料通道段上的導引門檻，與藉助矽晶片上的光致抗蝕劑門檻的富集段的一小部分組成，在矽晶片上還設有細胞測量裝置。藉助這種組合可以減小矽足跡。通過導引門檻的幾何形狀和流體力學條件，細胞富集在任意長的富集段上，以及一旦細胞到達矽晶片，還在那裡在細胞測量裝置前，優選地還連接少量成對的導引門檻，以便在轉移到新的通道底部基底上時保持細胞的富集和定位。
[0019]因此富集段的這種混合形式構成一種有利的、可減小矽足跡的方案。在塑料基底上藉助導引門檻的流體力學式的富集段的結構例如位於矽晶片之前。尤其用於探測有磁標記的單個細胞的磁阻式構件處於矽晶片上。
[0020]這種混合的富集段可例如還包括一個部分，在此部分中導引門檻有鎳成分或設計為鎳條帶。通過導引門檻中有鎳成分，將多餘的自由磁標記通過磁固定力攔阻在鎳條帶上或鎳導引門檻上，可以說是從複合式懸浮液中濾出。尤其是，鎳導引門檻藉助雷射消蝕使之具有某種結構。含有鎳成分的導引門檻尤其連接在具有不含鎳的導引門檻的富集段上遊，亦即沿流動方向在通道內設在導引門檻前。但作為替代方式，含鎳的導引和過濾條帶也可以直接在到達細胞測量裝置前設置在矽基底上，以及在那裡實現富集和導引以及還有過濾多餘標記的雙重功能。
[0021]通過在流動中動力式的富集和細胞導引，裝置的優點保證可以在通道內從事富集和測量。裝置沒有指定要藉助Y形分離裝置從周圍複合式懸浮液分選出有標記的細胞，以及也不必麻煩地從懸浮液中分離多餘的標記，而是可以通過導引門檻攔阻。尤其是，導引門檻的高度和其相對於流動方向的角度設置為，將其流體動力學直徑比有標記的細胞小很多的自由磁標記鉤掛並攔阻在導引門檻上，亦即不能渡過導引門檻。僅在複合式懸浮液內較大的成分或粒子，如有標記的細胞，才在層流流動中被一起拖走並因而沿門檻輸送。也就是說，即使如在這種情況下藉助導引門檻的非磁性或非磁致電泳的富集，仍能將過濾作用在細胞測量裝置的測量區內施加在多餘的以及此後無用的標記上。
[0022]為了支持尤其非磁性的，亦即沒有鎳成分的導引門檻流體力學的過濾效果，導引門檻可以改變高度，也就是說，尤其與要探測的細胞類型的尺寸和要過濾的自由磁性粒子或標記的尺寸相匹配。按一種有利的實施形式，門檻高度在流動通道的延伸徑跡內沿流動方向增大。第一個門檻仍很低以及可以被大多數粒子和細胞渡過。然後沿通道徑跡將門檻高度逐漸增大，並因而攔阻越來越大的粒子。只是應探測的有磁標記的細胞才未被門檻阻擋，而是沿門檻輸送並在通道的部分體積內增濃。為此，所有的門檻尤其面朝此部分體積的方向，所述部分體積尤其在通道底部處於通道中心。
[0023]通道直徑或通道高度和寬度尤其等於幾個100 μ m,例如200 μ m。門檻高度與要探測的細胞類型及其細胞直徑有關，以及尤其等於幾個微米，例如?ο μ m,或也達30 μ m。因此流動通道尤其可以導引複合式懸浮液的足夠大的體積，由此不導致堵塞。
[0024]在按本發明的用於磁性流動細胞計量的方法中，造成細胞試樣的層流流動，以及細胞藉助導引門檻富集在流動通道的一個預定的部分體積內。在這裡，給要探測的細胞做磁標記，以及使其在梯度磁場中動力式富集在通道底部。本方法的優點是，流體力學和磁性的力配合作用，使有磁標記的細胞能相宜地富集在可預定的體積內，不必將它從細胞懸浮液中分離。按方法的一種有利的實施形式，所述部分體積按流動方向沿通道底部延伸，從而使細胞沿軸線逐個導引通過細胞測量裝置。
[0025]對於流動細胞計量的方法，例如將血液試樣層流式通過微型射流器輸送。通過使基底具有某種結構，細胞在流動中接近通道底部，亦即部分對準導引門檻。在梯度磁場內，例如超順磁性的分析物向具有某種結構的通道底部遷移，並在那裡磁阻式探測。
[0026]因此在按本發明的用於磁性流動細胞計量的方法中，在有磁標記的細胞上或在磁珠(Magnetbead)上或一般而言在要探測的磁性粒子上作用三個力:梯度磁場的磁性力，它通過在通道底部下面的磁性單元產生。梯度磁場的磁場強度例如在I與300mT之間。這種磁性力將細胞垂直向通道底部表面吸引。此外，流動的細胞試樣的剪力作用在各個細胞上。所述流動尤其是層流流動。因此，這種力沿細胞試樣通過通道的流動方向作用。第三個力施加在通道底部的導引門檻上，它們意味著是富集在底部有磁標記的細胞的流體力學障礙。由此為了沿流動方向繼續前行，促使細胞本身沿導引門檻朝通道中心方向運動，或一般而言根據導引門檻的定向，朝通道的部分區域方向運動。優選地做磁標記是通過超順磁性粒子實現。
[0027]在實施用於流動細胞計量的方法時，流動速度、表面性質以及磁場強度也起重要作用。流動速度例如尤其應與細胞試樣和主要與通道直徑相適應，以保證層流流動。藉助表面具有某種功能可以優化通道內壁和通道底部的表面性質。藉助梯度磁場的場強，可以對要偏轉和要富集的細胞進一步施加影響。要探測的細胞還有一些可以通過流動速度的大小、表面性質和磁場強度影響的機械特性。
[0028]在按本發明的用於流動細胞計量裝置的製造方法中，導引門檻與通道底部設計為一體，尤其設計為壓鑄件。
[0029]因此按本發明的裝置具有的優點是，提供了一種無需磁致電泳進行流動細胞計量的解決辦法。例如可以採用不同的技術，尤其如壓鑄或模壓，製造這種有某種結構的基底，它通過導引門檻，亦即基底底部的結構，相應地導引和富集有磁標記的細胞。因此無需如在磁致電泳式富集時那樣使用平版印刷術。可以說，磁致電泳式富集段的磁導線通過基底底部的三維結構代替。在這裡尤其採用優選的人字形。這種結構尤其具有稱為導引門檻的直線狀隆凸。它們尤其相對於通過通道的流動方向成銳角設置。所述門檻相對於通道底部典型地具有在0.1與20 μ m之間的高度。導引門檻的寬度尺寸例如在I與100 μ m之間。導引門檻的長度根據通道寬度選擇為，使它們在通道邊緣與通道壁對齊以及一直達到大體通道的中心。或它們只是將近達到中心，從而在從兩側朝通道中心方向延伸的導引門檻之間保留一個過道，或作為替代方式它們將其長度超過通道中心地伸出，然後手指狀互相插入地排布。相對於流動方向的角度例如小於45°，尤其小於20°。
[0030]在用於流動細胞計量的方法中，血液試樣尤其層流式通過微型射流器輸送。通過基底具有某種結構，在血液試樣內部的細胞部分地定位在基底表面附近。有磁標記的分析物，尤其有超順磁性標記的分析物，在梯度磁場內遷移到基底表面，亦即遷移到通道底部，以及導引它們接近基底，亦即接近通道底部，在那裡基底的結構可以影響它們。然後如此富集和定位的細胞可以磁阻式探測。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]下面參見圖1至圖7示例性地說明本發明的實施形式:
[0032]圖1表示有細胞導引隆凸的通道底部的透視圖；
[0033]圖2表示有位於下方的永久磁鐵的通道底部的縱剖面或側視圖；
[0034]圖3表示流動通道的橫截面或正視圖；
[0035]圖4表示有人字形布局的導引溝槽或導引門檻的裝置的俯視圖；
[0036]圖5表示有人字形排列的導引溝槽或導引門檻的裝置的另一個俯視圖；以及
[0037]圖6表示圖4的局部放大圖；
[0038]圖7表示混合式細胞富集段。
【具體實施方式】
[0039]圖1表示通道底部13的透視圖，它是扁平的基底。在下方間隔一定距離處表示另一個扁平的長方六面體20，它是磁性單元20。此磁性單元尤其是永久磁鐵。磁性單元20也可以沿比通道底部13大的面積延伸，以保證在流動通道100區域內有均勻的磁場。尤其是,磁性單元20在流動通道100內產生梯度磁場，在此梯度強場內將磁性粒子，例如有磁標記的細胞1，或還將自由的磁標記，沿負的z方向朝通道底部13的方向富集。在圖中通過在圖邊緣處小的坐標系分別表示x、y和z方向。在圖1中，在通道底部基底13上設置許多導引門檻12，它們表示為細長的矩形。這些隆凸12尤其安置在通道底部的邊緣上或通道壁14上。圖1沒有表示通道壁14。導引門檻12伸向通道中心，不過在那裡它們沒有與對面的導引門檻對接，而是或在中心存在一個直的過道，或以這樣的方式手指形互相交插，亦即通過導引門檻可以延伸一條鋸齒形或蛇形曲線。在圖1中用箭頭41表示有磁標記的細胞I可能的流動軌跡。有磁標記的細胞I用圓或橢圓表示。作用在細胞上的力10x、y、z用空心箭頭表不。仍用寬的空心箭頭表不流動方向40,在圖1中它自左向右延伸。因此，在流動通道100內，在一端引入在複合式細胞懸浮液內部的有磁標記的細胞I,並沿流動方向40流過具有導引門檻12的富集段。通過朝通道底部13方向的磁性力IOz，通過在層流流動中沿流動方向40的液體剪力10，以及通過意味著是一種屏障的導引門檻12，它們又在圖1的x-y平面內在細胞I上施加一個機械力IOx，使細胞I沿導引門檻12朝通道底部13部分區域130的方向移動。在其中細胞I已增濃的部分區域130的末端，還設有細胞測量裝置30，它尤其包括至少一個磁阻元件。
[0040]圖2表示類似於圖1所示裝置的縱剖面或側視圖。在這裡上下排布兩個扁平的長方形，它們表示基底或通道底部13以及在下方隔開間距的磁性單元20。作為圖示實施形式的替代方式，永久磁鐵也可以沒有間距地直接安裝在通道底部13的下面。在通道底部13的上面，仍用空心箭頭表示圖2中從左向右的流動方向40，以及表示通過三個導引門檻12和通過在圖2右端，並因而在富集段末端的細胞測量裝置30剖開示出的橫截面。有磁標記的細胞I通過永久磁鐵20遭受一個垂直於通道底部13的磁性力10。導引門檻12的高度尤其與有磁標記的細胞I尺寸，亦即流體動力學直徑相協調，尤其略小於細胞直徑。然而在高度過小的情況下，有磁標記的細胞並未受到通過門檻12的導引力10，而是越過它們在層流流動中被拖走。對於過高的屏障12，有磁標記的細胞I不再受到通過流動的剪力10,，並被鉤掛在門檻12後面。
[0041]圖3表示流動通道100的橫截面或正視圖。在圖3中再次表示設計為細長矩形的磁性單元20以及在上方相隔一定距離的通道底部基底13，在它上面設置通道壁14，該通道壁包圍一個長方六面形的通道體積。在流動通道100內還用虛線表示有磁標記的細胞I富集在其中的部分體積110。
[0042]圖4表不通道底部13的俯視圖，在通道底部13上仍用空心箭頭40標明在圖4中從左向右的流動方向。在通道底部13的每一側，在剖面內用斷面線表示通道壁14。在通道壁14內部各延伸一條虛線，它表示磁性區域的端部。也就是說，虛線的距離200表示被磁場穿過的區域的寬度。它尤其比流動通道100寬。由此保證在通道體積內的磁場儘可能均勻。穿過磁場的區域200由磁性單元20造成，它設置在通道底部13下方，如在圖1至圖3中可看到的那樣。在通道100內導引門檻12仍設置為與通道壁14相交一個角度δ，所以導引門檻12從通道壁14按流動方向40指向通道中心的方向。因此有磁標記的細胞I,如通過流動軌跡41所表示的那樣，在導引門檻12上朝部分區域130的方向偏轉，部分區域130 —直延伸到細胞測量裝置30或更遠。
[0043]圖5表不導引門濫12 —種可能的布局,它們彼此相交一個很小的銳角δ地延伸。圖中再次表示通道寬度100。圖6局部放大地表示圖5中彼此相交一個銳角δ地延伸的導引門檻12，它們有門檻厚度或寬度d以及門檻之間的距離D。門檻12相對於流動方向40設置的角度S，可以如圖6中那樣例如相對於通道中心線表示，或相對於通道壁14計量。在圖6中有磁標記的細胞I仍畫為小圓。在這裡清楚表明，在門檻12之間有足夠寬的流動路徑保證通過細胞1，所以它們不會堵塞導引門檻的空隙。
[0044]最後，圖7表示具有混合式細胞富集段的裝置的另一種可能的設計形式。在圖7左邊的區域內，表示在具有塑料導引門檻12的塑料基底13上的富集段，導引門檻12導致所述的細胞I流體力學地富集。在圖右邊的區域內，在基底13上連接矽晶片15，在它上面設置細胞測量裝置30。如圖7中示例性表示的那樣，它還可以有另一些導引門檻125，它們尤其延續在部分區域130上的富集段。流動方向40仍通過圖中從左向右的空心箭頭表示。有磁標記的細胞I畫成橢圓，它們的流動軌跡用箭頭41表示。按圖7所表示的例子,在兩側安置在通道壁14上的導引門檻12不是手指形互相交插，而是在通道中心的區域內留空一個直的流動區，它處於用於富集的部分區域內。為了使細胞I通過導引門檻12在富集段後仍能直線狀導引經過細胞測量區30，矽晶片15還有一個小的分段，亦即具有導引門檻125的富集段。這些導引門檻125可例如在導引門檻125的材料內也有鎳的成分，並因而使尚且自由的標記在細胞測量裝置30前被磁滯留力濾出。作為替代方式，在矽晶片15上的導引門檻125可例如通過光致抗蝕劑的結構實現。此外，在圖7中仍用空心箭頭表示將細胞I沿導引門檻12導向中心的偏轉力10x，以及朝流動方向40的射流剪力10y。
【權利要求】
1.一種用於流動細胞計量的裝置，具有 -流動通道(100)， -磁性單元(20)，該磁性單元設置在流動通道(100)通道底部(13)的下方並設計為能產生梯度磁場，該梯度磁場穿過被流動通道(100)圍繞的體積， -至少一個細胞測量裝置(30)，以及 -至少一個導引門檻(12)，所述導引門檻以這樣的方式設置在流動通道(100)內，亦即，能流過流動通道(100)的細胞(I)可以被導引門檻(12)朝細胞測量裝置(30)的方向引導。
2.按照權利要求1所述的裝置，其中，所述流動通道(100)的通道直徑和通道內壁的表面性質設計為，能夠在所述流動通道(100)內產生複合式細胞懸浮液的具有層流流動斷面的流動。
3.按照權利要求1或2之一所述的裝置，其中，所述磁性單元(20)設計為能產生梯度磁場，通過該梯度磁場能使有磁標記的細胞，尤其有超順磁性標記的細胞(I )，富集在所述通道底部(13)。
4.按照前列諸權利要求之一所述的裝置，其中，所述導引門檻(12)是相對於所述通道底部(13)的隆凸，或由相對於通道底部(13)的沉降構成。
5.按照前列諸權利要求之一所述的裝置，具有許多導引門檻(12)，它們以這樣的方式設置在流動通道(100)內，亦即，能夠流過所述流動通道(100)的細胞(I)可以被導引門檻(12)富集在所述通道底部(13)的部分表面(130)上方的流動通道(100)的部分體積內。
6.按照前列諸權利要求之一所述的裝置，其中，所述細胞測量裝置(30)設置在所述通道底部(13)上或其內。
7.按照前列諸權利要求之一所述的裝置，其中，所述導引門檻(12)在通道底部上這樣延伸，使得遭受朝通道底部(13)方向磁性力(IOz)以及沿流動方向(40)流體剪力(IOy)的有磁標記的細胞(I )，只能順一條路徑經過所述通道底部(13)的預定的部分表面(130)渡過所述導引門檻(12)。
8.按照前列諸權利要求之一所述的裝置，其中，所述導引門檻(12)與所述通道底部(13)設計為一體，尤其設計為壓鑄件。
9.按照前列諸權利要求之一所述的裝置，其中，所述導引門檻(12)是相對於所述通道底部(13)的直線狀隆凸。
10.按照權利要求5至9之一所述的裝置，其中，所述導引門檻(12)與流動方向(40)成銳角地設置。
11.一種用於磁性地流動細胞計量的方法，其中，造成細胞試樣的層流流動，給細胞(O做磁標記，以及將細胞在梯度磁場中動力地富集在通道底部(13)，以及其中，細胞(I)藉助導引門檻(12)富集在通道底部(13)的部分表面(130)上的流動通道(100)的一個預定的部分體積(110)內。
12.按照權利要求11所述的方法，其中，所述部分表面(130)按流動方向(40)沿通道底部(13)延伸，所以細胞(I)沿一條軸線被導引經過細胞測量裝置(30)。
13.一種按照權利要求1至10之一所述裝置的製造方法，其中，所述導引門檻(12)與所述通道底部(13)設計為一體，尤其設計為壓鑄件。
【文檔編號】B01L3/00GK103718019SQ201280037748
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2012年7月24日 優先權日:2011年7月28日
【發明者】O.海登, M.J.赫洛, S.F.泰德 申請人:西門子公司