半導體裝置、引線架集合體及其製造方法

2023-07-01 18:03:56

專利名稱：半導體裝置、引線架集合體及其製造方法
技術領域：
本發明涉及半導體裝置、引線架集合體及其製造方法，尤其涉及面裝配用的引線架的集合體、使用其的樹脂密封型半導體裝置及其製造方法。
背景技術：
近年，為了應對電子設備的小型化、高功能化，開始了半導體裝置的小型化進程。 作為使用了引線架的小型的樹脂密封型半導體裝置，使用了實質上單面密封的LGA(平面柵格陣列)封裝、QFN(四側無引線)封裝、SON(小外型無引線)封裝等的半導體裝置被商品化。在形成所述的半導體裝置的情況下，通常對一張金屬基材進行衝裁或蝕刻等加工，從而首先形成多個引線架與保持架連接的多聯引線架。在向多聯引線架搭載半導體元件以及進行樹脂模製等而形成封裝後，從保持架分離封裝化後的引線架，從而完成各個半導體裝置。在多聯引線架的狀態下，通常而言，引線架通過吊下引線與保持架連接，通過切斷吊下引線而從保持架分離引線架。然而，當切斷吊下引線時，由於需要對吊下引線施加大的剪應力，所以在吊下引線的周邊部容易使封裝損傷。雖然可以想到使吊下引線變細而易於切斷，但是若使吊下引線變細，則造成保持強度不足。因此，嘗試在吊下引線的周圍設置輔助吊下引線(例如，參照專利文獻1)。輔助吊下引線未與引線架連接，其前端埋入封裝的樹脂內。由於通過吊下引線和輔助吊下引線保持引線架，從而能夠提高保持強度。另外，由於能夠通過從封裝的樹脂拔出輔助吊下引線而分離引線架，所以與使用粗的吊下引線的情況相比不易產生損傷。專利文獻1日本特開平3-105959號公報然而，在所述以往的方法中存在以下的問題。近年，由於電子設備的低價格化，要求降低半導體裝置的製造成本。所以，可以期待通過在從保持架分離各個半導體裝置之前進行特性檢查而大幅度削減製造成本。然而，在引線架通過吊下引線與保持架連接的狀態下難以進行特性檢查。因此，為了在多聯引線架的狀態下進行特性檢查，需要在即使切斷了吊下引線的狀態下也能夠充分保持引線架。然而，以往的輔助吊下引線為吊下引線的輔助件，僅利用輔助吊下引線難以充分地保持引線架。尤其是，以往的輔助吊下引線假定密封引線架的兩面的半導體裝置的情況，在利用該方法僅密封引線架的單面的情況下，輔助吊下引線的下表面未被密封樹脂覆蓋。因此，輔助吊下引線對於向上方的力不發揮作用，從而存在造成半導體裝置容易脫落的問題。

發明內容
本發明的目的在於實現即使在引線架的單面密封的情況下也能夠既在組裝工序中進行可靠的保持又能在組裝工序後容易地分離的半導體裝置。為了達成所述目的，本發明構成為在半導體裝置保持在保持架上的狀態下，由前端部的厚度比引線架薄的保持弓I線來保持。
具體而言，本發明的半導體裝置具備引線架；半導體元件，其保持在所述引線架上；框體，其以包圍所述半導體元件的方式形成在所述引線架上，且覆蓋所述引線架的側面並使所述引線架的下表面露出，所述框體在其側面具有至少一個凹部，所述凹部的頂部的位置為與所述引線架的上表面相等或比所述引線架的上表面低的位置，所述凹部的底部的位置為比所述引線架的下表面高的位置。關於本發明的半導體裝置，框體在其側面具有至少一個凹部，凹部的頂部的位置為與引線架的上表面相等或比其低的位置，凹部的底部的位置為比引線架的下表面高的位置。因此，在半導體裝置保持在保持架上的狀態下，保持引線的前端部的上表面、側面及下表面與框體相接。因此，即使被施加向上方的力時，半導體元件也不易脫落。另外，通過使保持架向水平方向變形，能夠容易地使半導體元件從保持架分離。而且，能夠在半導體裝置保持在保持架上的狀態下檢測電氣特性。在本發明的半導體裝置中，凹部在框體的側面的表面的開口的尺寸比凹部的進深的壁面的尺寸大。在這種情況下，凹部可以在框體的側面的表面到達框體的下端。在本發明的半導體裝置中，凹部為多個，其分別形成在框體的第一側面以及與該第一側面對置的第二側面上。在這種情況下，凹部可以分別形成在第一側面以及第二側面的相互對置的位置上。在本發明的半導體裝置中，引線架的與凹部對應的位置可以比引線架的其他部分的寬度窄。在本發明的半導體裝置中，引線架可以具有粘接有半導體元件的晶片焊盤部和與晶片焊盤部分離的引線部，半導體元件可以配置在框體的中央部。在本發明的半導體裝置中，晶片焊盤部可以具有貫通孔，框體可以具有從引線架的上表面立起的壁部和埋入貫通孔且與壁部一體形成的埋入部，埋入部的下表面的至少一部分位於比晶片焊盤部的下表面靠上側。本發明的引線架集合體具備多個預模製引線架和保持多個預模製引線架的保持架，多個預模製引線架分別具有引線架和形成在引線架上且覆蓋引線架的側面而使引線架的底面露出的框體，保持架具有包圍引線架的周圍的槽部和在槽部向引線架側突出且與引線架分離的保持引線，保持引線的前端部比引線架的厚度薄且埋入框體的側面。關於本發明的引線架集合體，保持引線的前端部比引線架減薄厚度且埋入框體的側面。因此，保持引線的前端部的上表面、側面及下表面與框體相接，即使在被施加向上方的力的情況下半導體元件也不易脫落。另外，通過使保持架向水平方向變形，能夠容易地使將半導體元件從保持架分離。關於本發明的引線架集合體，保持架可以具有隔著保持引線形成在引線架的相反側的狹縫。在本發明的引線架集合體中，優選保持引線為多個，其分別形成在框體的第一側面及該與第一側面對置的第二側面上。在本發明的引線架集合體中，保持引線可以分別形成在第一側面及第二側面的相互對置的位置上。在這種情況下，保持引線可以分別形成在第一邊以及第二邊的相互對置的位置
5上。本發明的半導體裝置的製造方法包括通過在基板的規定位置形成開口部，從而形成保持架、引線架、連接保持架和引線架連接的連接條、從保持架向引線架側突出且與引線架分離的保持引線的工序(a)；在工序(a)之後，通過形成在引線架的外緣部上形成且埋入有保持引線的前端部的框體，從而形成具有引線架及框體的預模製引線架的工序(b)； 在工序(b)之後，切斷連接條的工序(C)；在工序(c)之後，通過將保持引線的前端從框體拔出而使預模製引線架從保持架分離的工序(d)，在工序(a)中，使保持引線的前端部的厚度比引線架的厚度薄，在工序(b)中，以露出引線架的底面且覆蓋保持引線的前端部的上表面、側面及下表面的方式形成框體。在本發明的半導體裝置的製造方法中，保持引線的前端部的厚度比引線架的厚度減薄，以露出引線架的底面且覆蓋保持引線的前端部的上表面、側面及下表面的方式形成框體。因此，即使對於單面密封型而言，在連接條切斷後，也能夠充分確保預模製引線架的保持強度。另外，通過使保持架向水平方向變形，能夠容易地使半導體裝置分離。而且，由於引線架與保持架絕緣，所以能夠在半導體裝置保持在保持架上的狀態下對電氣特性進行檢查。本發明的半導體裝置的製造方法還可以包括在工序(C)後且在工序(d)之前，在引線架保持半導體元件的工序(e)；在工序(e)後且在工序(d)之前，向由框體包圍的區域填充保護樹脂的工序(f)。本發明的半導體裝置的製造方法還可以包括在工序(e)後且在工序⑷之前，對半導體元件的電氣特性進行檢查的工序(g)。在本發明的半導體裝置的製造方法中，在工序(a)中，可以隔著保持架的保持引線在引線架的相反側形成狹縫。根據本發明的半導體裝置，即使在引線架的單面密封的情況下，也能夠實現組裝工序中的可靠的保持和組裝工序後的容易的分離的這種半導體裝置。


圖1(a)至(d)表示一實施方式的半導體裝置，(a)為俯視圖，(b)為側視圖，(C) 為(a)的Ic-Ic線的剖視圖，(d)為仰視圖。圖2(a)至(C)表示一實施方式的半導體裝置的製造工序，(a)為俯視圖，(b)為 (a)的nb-nb線的剖視圖，(c)為(a)的Ilc-IIc線的剖視圖。圖3(a)至(c)表示一實施方式的半導體裝置的製造工序，(a)為俯視圖，(b)為 (a)的Inb-IIIb線的剖視圖，(c)為(a)的IIIc-IIIc線的剖視圖。圖4(a)至(c)表示一實施方式的半導體裝置的製造工序，(a)為俯視圖，(b)為 (a)的IVb-IVb線的剖視圖，(c)為(a)的IVc-IVc線的剖視圖。圖5(a)至(C)表示一實施方式的半導體裝置的製造工序，(a)為俯視圖，(b)為 (a)的Vb-Vb線的剖視圖，(c)為(a)的Vc-Vc線的剖視圖。圖6(a)至(C)表示一實施方式的半導體裝置的製造工序，(a)為俯視圖，(b)為 (a)的Vrt-Vrt線的剖視圖，(c)為(a)的VIc-VIc線的剖視圖。圖7(a)至(C)表示一實施方式的半導體裝置的凹部，(a)為俯視圖，(b)為仰視圖，(C)為剖視圖。圖8(a)至(c)表示一實施方式的半導體裝置的凹部的變形例，(a)為俯視圖，(b) 為仰視圖，(c)為剖視圖。圖9(a)至(C)表示一實施方式的半導體裝置的凹部的變形例，(a)為俯視圖，(b) 為仰視圖，(c)為剖視圖。圖10(a)至(C)表示一實施方式的半導體裝置的凹部的變形例，(a)為俯視圖，(b) 為仰視圖，(c)為剖視圖。圖11 (a)至(C)表示一實施方式的半導體裝置的凹部的變形例，(a)為俯視圖，(b) 為仰視圖，(c)為剖視圖。圖12(a)至(c)表示一實施方式的半導體裝置的凹部的變形例，(a)為俯視圖，(b) 為仰視圖，(c)為剖視圖。符號說明
101引線架
103半導體元件
105框體
105a凹部
106預模製引線架
107保護樹脂
108粘結材料
109導線
111晶片焊盤部
Illa貫通孔
112引線部
114元件搭載部
115外部端子
116縮徑部
117導線連接部
151壁部
152A埋入部
152B埋入部
161頂部
162底部
201保持架
211保持引線
212連接條
221第一狹縫
222第二狹縫
223引導孔
具體實施例方式如圖1所示，本實施方式的半導體裝置具備引線架101、在引線架101上保持的半導體元件103、在引線架101上以包圍半導體元件103的方式形成的框體105、在由框體 105包圍的區域填充的保護樹脂107。對於半導體元件103沒有特殊限制，在本實施方式中以發光二極體(LED)進行說明。引線架101由銅(Cu)系合金等形成，通常其上表面及下表面等由鍍層(未圖示) 覆蓋。引線架101的通常的厚度為0.15mm至0.3mm。鍍層通常採用銀鍍層，鍍層的厚度為 3μπι 6μπι左右。關於鍍層，也可以使用其他的材料。另外，也可以在厚度為0. 5μπι 3 μ m左右的鎳鍍層上形成銀鍍層。這樣，能夠防止工序中的加熱導致銅的擴散。另外，還可以在鎳鍍層和銀鍍層上形成厚度為0. 01 μ m 0. 3 μ m左右的金-銀鍍層。這樣，能夠抑制鍍層的反射率降低。引線架101具有搭載半導體元件103的晶片焊盤部111和與晶片焊盤部111分離的引線部112。晶片焊盤部111具有位於框體105的內側且搭載有半導體元件103的元件搭載部114和向框體105的外側突出的外部端子115。在元件搭載部114與外部端子115 之間形成有比元件搭載部114及外部端子115的寬度更窄的縮徑部116，在縮徑部116形成有貫通孔111a。引線部112具有位於框體105的內側，連接有導線109的導線連接部117 和向框體105的外側突出的外部端子115。在導線連接部117與外部端子115之間，形成有比導線連接部117及外部端子115的寬度更狹的縮徑部116。框體105由樹脂等形成，具有包圍引線架101的外緣部的壁部151、埋入晶片焊盤部111的貫通孔Illa的埋入部152A以及埋入晶片焊盤部111與引線部112之間的間隙的埋入部152B。壁部151和埋入部152A及埋入部152B—體地形成。壁部151形成為覆蓋引線架101的側面且露出引線架101的底面。半導體元件103通過粘結材料108而粘接在晶片焊盤部111的元件搭載部114。 在半導體元件103的上表面形成有多個表面電極(未圖示)，一個表面電極和元件搭載部 114通過導線109連接，其他的表面電極和引線部112的導線連接部117通過導線109連接。需要說明的是，在半導體元件103具有背面電極的情況下，元件搭載部114和背面電極可以通過焊料等導電性焊膏連接。在圖1中，半導體元件103配置在由框體105包圍的區域的中央部。在圖1中，由於包括向框體105的外側突出的外部端子115的半導體裝置整體為左右對稱，因此半導體元件103配置在半導體裝置的中央。在由框體105包圍的區域的內側填充有由透明樹脂構成的保護樹脂107。由此， 半導體元件103及導線109被密封。在半導體元件103為發光二極體的情況下，保護樹脂 107可以包含吸收射出光且放射不同波長的光的螢光體。在框體105的外側的側面形成有凹部105a。凹部10 的頂部的位置與引線架101 的上表面的位置相等，底部位於比引線架的下表面的位置高的位置。凹部10 是因以後說明的保持引線被拔出而產生的凹部。以下，對本實施方式的半導體裝置的製造方法進行說明。首先，如圖2所示，對由銅系合金等構成的基材進行衝裁加工或蝕刻等，從而形成多個引線架101。圖2示出了引線架101的矩陣為兩行的例子，但其行數可以任意設定。另外，列數也可以任意設定。在圖2所示的工序中，成為晶片焊盤部111以及引線部112的外部端子的部分通過連接條212與保持架201連接。在保持架201上形成有向晶片焊盤部111及引線部112 側突出的保持引線211。在圖2中，引線架101中的與保持引線211相對的部分的寬度比其他部分窄。由此，在形成有保持引線211的部分，能夠充分確保用於形成將保持架201和引線架101分離的槽部的邊距(margin)。保持引線211與晶片焊盤部111及引線部112空出間隔地形成，保持引線211的前端部的厚度比晶片焊盤部111及引線部112薄。保持架 201根據需要具有第一狹縫221、第二狹縫222及引導孔223。第一狹縫221夾著保持引線 211形成在晶片焊盤部111及引線部112的相反側。第二狹縫222形成在行方向上相鄰的引線架101彼此之間。引導孔223為保持架201中的位置的基準，對於其形成的位置沒有特殊限定。接下來，如圖3所示，形成包圍引線架101的框體105，作為使引線架101與框體 105成為一體的預模製引線架106。對於框體105的形成方法沒有特殊限制，使用通常採用的嵌入成型等即可。框體105使用例如由主劑為聚醯胺構成的熱可塑性樹脂即可。另外， 也可以使用由主劑為矽酮等構成的熱固化性樹脂。此外，還可以使用其他的樹脂材料。框體105形成為覆蓋引線架101的側面而露出底面。另外，保持引線211的前端部形成為埋入框體105的側面。成型時若將晶片焊盤部111的貫通孔Illa作為樹脂注入用的澆口則能夠容易地成形。另外，若貫通孔Illa的內壁面的下端部露出，則對半導體裝置進行釺焊時能夠使焊腳陷入，並利用錨定效果能夠將半導體裝置更加牢固地固定。接下來，如圖4所示，切斷連接條212，將晶片焊盤部111以及引線部112和保持架201切斷分離。通過包圍引線架101的槽部，晶片焊盤部111以及引線部112被從保持架201切斷分離，但由於保持引線211的前端部被埋入框體105的側面，因此預模製引線架 106能夠維持保持在保持架201上的狀態。因此，在引線架101與保持架201絕緣的狀態下，能夠獲得多個預模製引線架106保持在保持架201上的引線架集合體。接下來，如圖5所示，在向晶片焊盤部111粘接半導體元件103並利用導線109進行配線後，填充保護樹脂107。例如使用分配器(dispenser)等向元件搭載部114塗敷粘結材料108，在使用筒夾(collet)等將半導體元件103配置在塗敷有粘結材料108的區域之後，使粘結材料108固化即可。對於粘結材料108，例如使用以矽酮為主劑的樹脂系的粘結材料即可。在這種情況下，若逐漸升溫到50°C 150°C左右的溫度並固化2小時 4小時左右，則能夠使粘結材料108中不易產生空穴(void)。另外，也可以替代粘結材料而通過焊料等固定半導體元件103。在配置導線109的情況下，例如可以將引線架集合體吸引固定在導線接合裝置的加熱臺上，並進一步通過按壓夾具將框體105的外緣部固定的狀態下進行即可。在進行導線接合前，可以向引線架101的表面照射氬等離子體等，從而去除引線架101的表面的有機物。通過去除有機物，能夠提高可靠性。另外，可以在第二接合部形成突起(bump)接合點後，在突起接合點上進行導線接合。進而，可以在第一根導線的第二接合部連接第二根導線的第一接合點而作為安全接合點。對於導線109，可以使用例如直徑為25μπι的金線。保護樹脂107例如使用以矽酮為主劑的樹脂並使用分配器等進行填充即可。逐漸升溫到50°C 150°C左右的溫度並固化2小時 4小時左右即可。保護樹脂107可以含有吸收半導體元件103所放出的光並反射其他波長的光的螢光體。而且，根據需要在預模製引線架106保持於保持架201的狀態下進行電氣特性等的檢查。本實施方式的引線架集合體的晶片焊盤部111及引線部112與保持架201絕緣。 因此，能夠在分離為各個半導體裝置之前進行特性檢查，從而能夠大幅度提高特性檢查的效率。接下來，如圖6所示，通過使保持架201的形成有保持引線211的部分沿水平方向變形，能夠從框體105的側面拔出保持引線211的前端部，從而從保持架201分離半導體裝置。保持架201的變形使用例如衝頭進行即可。具體而言，首先，將引線架集合體載置在衝模(夕·、)上。若使用形成在保持架201上的引導孔223，則能夠容易進行引線架集合體的定位。接下來，將衝頭插入預模製引線架106與保持架201之間的槽部，通過沿水平方向擴張使保持架201的形成有保持引線211的部分沿水平方向變形即可。在本實施方式中，保持架201具有第一狹縫221，該第一狹縫221隔著保持引線211地形成在引線架101的相反側。因此，能夠容易使保持架201的形成有保持引線211的部分沿水平方向擴張。保持引線211的前端部的下部被切去，其厚度比引線架211的其他部分及引線架 101薄。因此，在保持引線211的前端部，不僅保持引線211的上表面及側面與框體105連接，其下表面也與框體105相接。因此，保持引線211對於向上方的力也能夠有效地發揮作用，並且能夠確保足夠的保持強度。另一方面，在以保持引線211彼此的間隔擴大的方式使保持架201向水平方向變形的情況下，能夠容易地將保持引線211的前端部從框體105的側面拔出。其結果是，組裝工序中能夠以足夠的強度保持預模製引線架106，並且在組裝工序後能夠容易地使半導體裝置從保持架201分離。在對保持引線211的下部進行切口而減薄保持引線211的前端部的厚度的情況下，如圖7所示，當拔出保持引線211後，在框體105的側面形成的凹部10 的頂部161的位置與引線架101的上表面的位置實質相等。另外，凹部10 的底部162的位置比引線架 101的下表面的位置靠上側。保持引線211的前端部的剖面形狀無需為方形。例如，如圖8 所示，可以對保持引線211的下側的角部進行倒角。另外，保持引線211的下表面可以形成為曲面。這樣，能夠使保持引線211的拔出更加容易。另外，在保持引線211的前端部，下端的位置比引線架的下表面的位置靠上側即可，在保持引線211的前端部，可以對上部及下部雙方進行切口。在這種情況下，凹部10 的頂部的位置比引線架的上表面的位置靠下側，底部的位置比引線架的下表面的位置靠上側。另外，如圖9所示，通過在保持引線211 的前端部設置厚度方向的錐形，能夠使拔出更加容易。如圖10所示，也可在寬度方向設置錐形，也可以在厚度方向及寬度方向雙方設置錐形。也可以並非設置錐形而使厚度連續減薄或使寬度連續變窄，而是設置臺階而不連續地使厚度減薄或使寬度變窄。不僅是保持引線211的前端的厚度減薄的部分，也可將直至具有與引線架101相同厚度的部分埋入框體105的側面。在這種情況下，如圖11所示，框體105的側面的表面的開口的厚度方向的尺寸比凹部10 的進深的壁面的尺寸大，並且，在框體105的側面的表面，開口的下端到達框體105的下端。在形成框體105的情況下，導致產生模的錯位。在設計成僅保持引線211的厚度減薄的部分埋入框體105的側面的情況下，若產生模錯位而使直至保持引線211的厚度厚的部分埋入框體105，則產生樹脂的突起。另外，若為了可靠地僅將保持引線211的厚度減薄的部分埋入而確保較大的邊距，則不僅保持引線211的前端部，而是需要在相當大的部分減薄厚度。若保持引線211的厚度減薄的部分變長，則導致保持引線211的強度下降。另外，加工也變得困難。在保持引線211的直至具有與引線架101相同厚度的部分埋入框體105的側面的情況下，則產生僅上表面及側面與框體105相接、下表面與框體105不相接的部分。然而，保持引線211的厚度薄的前端部不僅上表面及側面與框體105相接，下表面也與框體105接。因此，能夠確保足夠的保持強度。這種情況下，也可以在保持引線211的前端部設置厚度方向、寬度方向或厚度方向及寬度方向的錐形，或者將下部加工成曲線狀。另外，可使保持引線211的前端部不僅在厚度方向減薄，也可以在寬度方向變窄的形狀。在這種情況下，如圖12所示，不僅框體105 的側面的表面的開口的厚度方向的尺寸，寬度方向的尺寸也比凹部10 的進深的壁面寬。在保持引線211的前端部的厚度薄的情況下更容易進行半導體裝置的分離。然而，若過於薄，則強度下降。另外，其形成也困難。因此，在保持引線211的前端部，削去引線架101的厚度的十分之一至三分之一左右而剩餘十分之九至三分之二左右即可。例如，在引線架的板厚為0. 3mm的情況下，可以薄到0. 03mm至0. Imm左右、厚度為0. 27mm至0. 2mm 左右即可。在本實施方式中，減薄到0. 06mm左右，而厚度為0. 24mm。對於保持引線211來說，埋入框體105的側面的部分的寬度越大，深度越深則保持強度越提高。另一方面，在分離時，需要使保持架201較大地變形，並且拔出時的應力變大。 在框體105的外周為平面長方形狀且保持引線211相互對置地設置有兩組的情況下，例如， 保持引線211的厚度薄的部分的寬度為0. 15mm至0. 4mm左右、進深為0. 05mm至0. 15mm左右即可。另外，雖然僅將保持引線211的厚度薄的部分埋入框體105的側面即可，但是也可以將直至具有與引線架101相同厚度的部分埋入框體105的側面。在這種情況下，埋入框體105的側面的保持引線211的具有與引線架101相同的厚度的部分的進深為0. 005至 0. 05mm左右即可。在本實施方式中，保持引線211的厚度薄的部分的寬度為0. 3mm，進深為 0. 1mm，埋入框體105的側面的保持引線211的具有與引線架101相同厚度的部分的進深為 0. 02mmo在本實施方式中，保持引線211在隔著引線架101對置的位置設置有兩組。然而， 可以根據必要的保持強度形成一組，也可以為一根。另外，可以設置3組以上。而且，也可以不設置在相互對置的位置上，還可以錯位地設置。另外，無需在引線架101的兩側分別設置相同數量的保持引線211，例如可以在引線架101的一側設置兩根保持引線211，在另一側設置一根保持引線211。以上示出了保持引線211形成在框體105的長邊側的例子，但是保持引線211也可以形成在框體105的短邊側。另外，保持引線211可以形成在框體105 的長邊側和短邊側這兩方。以上示出將保持引線211形成在框體105的未形成有外部端子 115的邊側的例子，但是也可以形成在形成有外部端子115的邊側。以上示出了在引線架上搭載一個半導體元件的例子，但是也可以搭載多個半導體裝置。另外，除半導體元件之外，還可以一同搭載電阻元件或容量元件等。以上示出形成有兩個外部端子的例子，但是也可以構成為具備多個引線部，且外部端子為三個以上。半導體元件不局限於發光二極體、超發光二極體及雷射二極體等發光元件以及受光元件等，也可以為其他的電晶體、二極體以及傳感器元件等。可以根據需要使保護樹脂採用遮光性的材料。另外，雖然對框體的外周的平面形狀為長方形狀的半導體裝置進行了說明，但是外周的平面形狀可以為正方形狀。另外，框體的外周的平面形狀可以為多邊形狀、圓形狀、橢圓形狀以及長圓形狀等。產業上的可利用性
本發明的半導體裝置在密封引線架的單面的情況下也能夠同時實現組裝工序中的可靠的保持和組裝工序後的容易的分離，其作為使用了面裝配用的引線架的樹脂密封型半導體裝置等尤其有用。
權利要求
1.一種半導體裝置，其具備 引線架；半導體元件，其保持在所述引線架上；框體，其以包圍所述半導體元件的方式形成在所述引線架上，且覆蓋所述引線架的側面並使所述引線架的下表面露出，所述框體在其側面具有至少一個凹部，所述凹部的頂部的位置為與所述引線架的上表面相等或比所述引線架的上表面低的位置，所述凹部的底部的位置為比所述引線架的下表面高的位置。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述凹部在所述框體的側面的表面處的開口尺寸比所述凹部的進深的壁面的尺寸大。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述凹部在所述框體的側面的表面到達所述框體的下端。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述凹部為多個，且分別形成在所述框體的第一側面以及與該第一側面對置的第二側面上。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，所述凹部分別形成在所述第一側面及第二側面的相互對置的位置。
6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，所述引線架的與所述凹部對應的位置處的寬度比所述引線架的其他部分的寬度窄。
7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述引線架具有粘接有所述半導體元件的晶片焊盤部和與所述晶片焊盤部分離的引線部，所述半導體元件配置在所述框體的中央部。
8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中， 所述晶片焊盤部具有貫通孔，所述框體具有從所述引線架的上表面立起的壁部和埋入所述貫通孔且與所述壁部一體形成的埋入部，所述埋入部的下表面的至少一部分位於比所述晶片焊盤部的下表面靠上側。
9.一種引線架集合體，其具備 多個預模製引線架；保持架，其保持所述多個預模製引線架， 所述多個預模製引線架分別具有 引線架；框體，其形成在所述引線架上，且覆蓋所述引線架的側面並使所述引線架的底面露出，所述保持架具有槽部，其包圍所述引線架的周圍；保持引線，其在所述槽部向所述引線架側突出且與所述引線架分離， 所述保持引線的前端部的厚度比所述引線架的厚度薄且所述保持引線的前端部被埋入所述框體的側面。
10.根據權利要求9所述的引線架集合體，其中，所述保持架具有隔著所述保持引線而形成在所述引線架的相反側的狹縫。
11.根據權利要求9所述的引線架集合體，其中，所述保持引線為多個，且分別形成在所述框體的第一側面以及與該第一側面對置的第二側面上。
12.根據權利要求11所述的引線架集合體，其中，所述保持引線分別形成在所述第一側面及第二側面的相互對置的位置。
13.一種半導體裝置的製造方法，其包括通過在基板的規定位置形成開口部，從而形成保持架、引線架、將所述保持架和所述引線架連接的連接條、從所述保持架向所述引線架側突出且與所述引線架分離的保持引線的工序a ；在所述工序a之後，通過形成在所述引線架的外緣部上形成且埋入有所述保持引線的前端部的框體，從而形成具有所述引線架及框體的預模製引線架的工序b，在所述工序b之後切斷所述連接條的工序c ；在所述工序c之後，通過將所述保持引線的前端從所述框體拔出而使所述預模製引線架與所述保持架分離的工序d，在所述工序a中，使所述保持引線的前端部的厚度比所述引線架的厚度薄，在所述工序b中，以使所述引線架的底面露出且覆蓋所述保持引線的前端部的上表面、側面及下表面的方式形成所述框體。
14.根據權利要求13所述的半導體裝置的製造方法，其中，還包括在所述工序c之後且在所述工序d之前，在所述引線架上保持半導體元件的工序e ；在所述工序e之後且在所述工序d之前，向由所述框體包圍的區域填充保護樹脂的工序f。
15.根據權利要求14所述的半導體裝置的製造方法，其中，還包括在所述工序e之後且在所述工序d之前，對所述半導體元件的電氣特性進行檢查的工序g。
16.根據權利要求13所述的半導體裝置的製造方法，其中，在所述工序a中，隔著所述保持架中的所述保持引線在所述引線架的相反側形成狹
全文摘要
本發明提供一種半導體裝置、引線架集合體及其製造方法，其在引線架的單面密封的情況下也能夠同時實現組裝工序中的可靠的保持和組裝工序後的容易的分離。半導體裝置具備引線架(101)、保持在引線架(101)上的半導體元件(103)、以圍繞半導體元件(103)的方式形成在引線架(101)上且覆蓋引線架(101)的側面並使引線架(101)的下表面露出的框體(105)。框體(105)在其側面具有至少一個凹部(105a)。凹部(105a)的頂部的位置為與引線架(101)的上表面相等或比其低的位置，其底部的位置為比引線架(101)的下表面高的位置。
文檔編號H01L33/00GK102347424SQ20111021152
公開日2012年2月8日 申請日期2011年7月27日 優先權日2010年7月27日
發明者伊東健一, 大中原繁壽, 富士原潔, 田村佳和 申請人:松下電器產業株式會社