多重氣體感測器及其製作方法

2023-06-23 06:27:31

專利名稱：多重氣體感測器及其製作方法
技術領域：
本發明涉及一種氣體感測器，特別涉及一種半導體式多重氣體感測器，其相容於傳統的半導體製作技術，可實現感測器的微型化，並同時地辨識多種氣體。
背景技術：
近年來，由於日趨嚴重的環境汙染及工業需求，使得感測器的發展倍受重視。在空氣汙染防治日益複雜及工業上的迫切需要，高效能的氣體感測器更受重視。氣體感測器可分類為金屬氧化物半導體式(Metal Oxide Semiconductor)、觸媒燃燒式(Catalystic Combustion Sensor)與熱線半導體式(Hot Wire Semiconductor)及電化學式氣體感測器 (Controlled Potential Electrolysis Sensor)等。觸媒燃燒式氣體感測器必須在高溫狀態下才能偵測到氣體的洩漏，加上其反應靈敏度低及響應時間長，無法應用於即時檢測。而電化學式氣體感測器相較於其他種類的氣體感測器，其可使用的生命周期較短。另外，以矽基板製作的氣體感測器，相較於III-V族半導體材料，由於能隙較小，無法在高溫下操作，對於一些工業、民生用途上有諸多限制，如汽車環保及化學工程方面皆無法應用。因此，目前以金屬氧化物半導體式氣體感測器為主要供應，由於其耐熱性及耐蝕性佳、應答速率快、元件製作容易，以及易與微處理器組合成氣體感測系統或可攜式監測器，因此被廣泛地使用在家庭、工廠環境中以偵測毒性氣體及燃燒爆炸性氣體。然而，金屬氧化物半導體式氣體感測器的氣體選擇性不佳，無法同時感測多種氣體，僅能針對單一氣體作檢測，限制其可實際應用的範疇。因此，如何使氣體感測器具備同時檢測多種氣體的能力下，仍可維持良好的感測靈敏度，是本技術領域亟欲解決的問題。

發明內容
本發明的一個目的在於提供一種多重氣體感測器及其製造方法，可以同時地辨識多種氣體。本發明的其他目的和優點可以從本發明所揭露的技術特徵中得到進一步的了解。為達到上述之一或部分或全部目的或是其他目的，本發明的一個實施例的一種多
重氣體感測器，包括一基板、一磊晶層、一金屬氧化物層、一第一金屬層、一第二金屬層及多個第三金屬層。磊晶層成長於基板上，並且具有一第一磊晶結構及一第二磊晶結構，第一磊晶結構及第二磊晶結構之間具有一間隙。金屬氧化物層成長於第一磊晶結構上；第一金屬層成長於第二磊晶結構上，且第一金屬層具有至少兩種金屬；第二金屬層成長於第二磊晶結構上，並且第二金屬層與第一金屬層之間保持一段距離；以及，第三金屬層成長於金屬氧化物層、第一金屬層及二金屬層上。在一較佳實施例中，進一步包括兩個第二金屬層，並且兩個第二金屬層相互重迭地成長於第二磊晶結構上。在一較佳實施例中，磊晶層進一步包括兩個第二磊晶結構及兩第二金屬層，並且
4兩個第二磊晶結構之間具有間隙，兩個第二金屬層分別成長於兩個第二磊晶結構上。為達上述之一或部分或全部目的或是其他目的，本發明的一個實施例的一種多重氣體感測器的製作方法，其步驟包括提供一基板；在基板之上成長一磊晶層；蝕刻磊晶層，使得磊晶層具有一第一磊晶結構及一第二磊晶結構，並且第一磊晶結構及第二磊晶結構之間形成一間隙；在第一磊晶結構上成長一金屬氧化物層；在第二磊晶結構上成長一第一金屬層，且第一金屬層具有至少兩種金屬；在第二磊晶結構上成長一第二金屬層，並且第二金屬層與第一金屬層之間保持一段距離；以及，在金屬氧化物層上、第一金屬層及二金屬層上成長多個第三金屬層。


圖1至圖3為本發明的一個實施例中多重氣體感測器的製作方法及結構示意圖。圖4為本發明的另一實施例中多重氣體感測器的結構示意圖。圖5為本發明的較佳實施例中多重氣體感測器的結構示意圖。圖6為本發明的較佳實施例中多重氣體感測器300中的第二磊晶結構320b在室溫下通入不同氣體時的暫態響應圖。圖7為本發明的較佳實施例中多重氣體感測器300中第二磊晶結構320a在溫度為150°C下通入不同氣體時的暫態響應圖。圖8為本發明的較佳實施例中多重氣體感測器300中第一磊晶結構310在溫度為 300°C下通入不同氣體時的暫態響應圖。圖9為本發明的較佳實施例中多重氣體感測器的氣體選擇性列表。主要元件符號說明多重氣體感測器100、200、300基板101磊晶層102成核層102a緩衝層102b主動層102c金屬氧化物層103第一金屬層104第二金屬層105、105a、105b第三金屬層106第一磊晶結構110、210、310第二磊晶結構120、220、320a、320b阻擋層D間隙d混合氫氣與空氣H2/air混合二氧化氮與空氣N02/air混合氨氮與空氣NH3/air
具體實施例方式有關本發明的前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合附圖式的一個較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。以下實施例中所提到的方向用語，例如上、下、左、 右、前或後等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本發明。參照圖1至圖3，其示出了本發明的多重氣體感測器100的製作方法，包括以下步驟首先，在藍寶石基板101上，通過金屬有機化學氣相沉積法(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD)或分子束幕晶成長法(molecular beam epitaxy, MBE)在基板101上成長一磊晶層102，磊晶層102的成長方法是利用金屬有機化學氣相沉積法成長一未摻雜的氮化鋁(AlN)成核層10 ;接著，成長一無摻雜的氮化鎵(GaN)緩衝層102b ；再成長一氮化鋁鎵(AlxGai_xN)主動層102c。磊晶層102形成後，利用光學微影技術(photolithography)將鎳(Ni)鍍於主動層102c上以形成多個阻擋層D，並且每一阻擋層D分別位於第一磊晶結構(未標示)及第二磊晶結構(未標示)之上。其中，成核層10 的厚度範圍為0. Inm至30 μ m，緩衝層102b的厚度範圍為0. Inm 至30 μ m，以及主動層102c為一 η型摻雜的氮化鋁鎵層，主動層102c的厚度範圍為Inm至 15 μ m，並且氮化鋁鎵(AlxGi^xN)的χ值範圍約為0. 01至0. 5，以及其電子摻雜濃度範圍為 IX IO16CnT3 至 IXlO2W30在源功率(source power)為700瓦特下，以及在射頻功率(radio-frequency power)為120瓦特下，利用感應耦合電漿-反應離子蝕刻技術(ICP-RIE)，通入氯氣(Cl2) 來蝕刻磊晶層102。然後，利用硝酸去除殘留的鎳所產生的阻擋層D，則如圖2所示，每兩個阻擋層D之間形成第一磊晶結構110及第二磊晶結構120之間的間隙d，以隔離第一磊晶結構110及第二磊晶結構120。接著，將氫氟酸(HF)水以1 1的溶液清除主動層102c上表面的原生氧化物， 再利用真空濺鍍法在主動層102c上成長一金屬氧化物層103。其中，金屬氧化物層103的材料為氧化鋅(ZnO)、二氧化鈦(TiO2)、二氧化錫(SnO2)、氧化鎢(WO3)、氧化鎳(NiO)、氧化鐵 O^e2O3)、氧化鎂(MgO)、氧化鈷(Co3O4)或氧化銦αη203)，並且其厚度範圍為Inm至50 μ m。再接著，利用黃光製程定義歐姆接觸區，以熱蒸鍍法(thermal evaporation)在第二磊晶結構120上的主動層102c的表面成長一第一金屬層104後，在一鈍氣狀態下，在第一金屬層104進行一退火步驟，將完成上述步驟的元件置入快速熱退火(rapid thermal annealing,RTA)系統中，以使第一金屬層104可以擴散至緩衝層102b中，形成良好的歐姆接觸，並且其退火的反應溫度為200度至900度，以及其反應時間為1秒至50分。其中，第一金屬層104為歐姆接觸金屬層，且第一金屬層104具有至少兩種金屬，其依序由鈦(Ti) 及鋁(Al)所組成，由鈦(Ti)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)所組成，或由鉻(Cr)及金(Au)所組成，並且鈦的厚度範圍為0. Olym至100 μπι，鋁的厚度範圍為0. 01 μ m至500 μ m，鉬的厚度範圍為0. 01 μ m至100 μ m,金的厚度範圍為0. 01 μ m至500 μ m,以及鉻的厚度範圍為 0·01μπ^ 200μπι。然後，利用熱蒸鍍法分別在第二磊晶結構120上的主動層102c的表面成長一第二金屬層105，並且第二金屬層105與第一金屬層104之間保持一段距離。其中，第二金屬層105為肖特基接觸金屬層，用以感測氣體，其材料為鈀(Pd)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、銠(1 )或銥 (Ir)等觸媒金屬，並且每一個第二金屬層105的厚度範圍為0. Inm至200 μ m。最後，利用熱蒸鍍法在金屬氧化物層103、第一金屬層104及第二金屬層105上鍍上多個第三金屬層106，並且每一個第三金屬層106之間保持一段距離。其中，第三金屬層 106為歐姆接觸金屬層，以作為電信號的輸入與輸出端，其材料為鉬(Pt)、金(Au)、鈀(Pd)、 鎳(Ni)或鋁(Al)，並且每一個第三金屬層106的厚度範圍皆為0. 01 μ m至100 μ m。再參照圖3，其為本發明的一個實施例中多重氣體感測器100的結構示意圖。一種多重氣體感測器100的結構，包括一基板101、一磊晶層102、一金屬氧化物層103、一第一金屬層104、一第二金屬層105及多個第三金屬層106。其中，基板101為一藍寶石基板，並且其厚度為430 μ m。磊晶層102包括一未摻雜的氮化鋁成核層102a，其厚度為0. 2 μ m ；—未摻雜的氮化鎵緩衝層102b，其厚度為 1.5μπι;以及，一氮化鋁鎵(Al0.3Ga0.7N)主動層102c，其厚度為0. 1 μ m，並且其載子濃度為η =2 X IO18CnT3。磊晶層102包括第一磊晶結構110及第二磊晶結構120，第一磊晶結構110及第二磊晶結構120之間具有一間隙d。金屬氧化物層103成長於第一磊晶結構110上的主動層 102c的表面上，並且金屬氧化物層103為一氧化鋅薄膜，其厚度範圍為IOnm至lOOnm。第一金屬層104成長於第二磊晶結構120上，並且第一金屬層104的材料為鈦/ 鋁(Ti/Al)，利用蒸鍍的方式將鈦及鋁分別依序蒸鍍於主動層102c。接著，在一鈍氣狀態下，並且在溫度900°C下將第一金屬層104退火300秒，以使第一金屬層104可以擴散至緩衝層102b中，形成良好的歐姆接觸。第二金屬層105成長於第二磊晶結構120的主動層102c上，並且第二金屬層105 與第一金屬層104之間保持一段距離。其中，第二金屬層105的材料為鈀或鉬，當第二金屬層105的材料為鈀時，鈀金屬層可以感測多種氣體以判斷出氫氣(H2)的存在；當第二金屬層105的材料為鉬時，鉬金屬層可以感測兩種氣體(氫氣或氨氣(NH3))以判斷出其他氣體的存在。第三金屬層106成長於金屬氧化物層103、第一金屬層104及第二金屬層105上， 第三金屬層106的材料為金，作為電信號的輸入與輸出端，並且每一個第三金屬層106之間
保持一段距離。如圖4所示，其為本發明的另一實施例中多重氣體感測器200的結構示意圖。一種多重氣體感測器200的結構，包括一藍寶石基板101、一磊晶層102、金屬氧化物層103、 第一金屬層104、兩個第二金屬層10 及10 以及多個第三金屬層106。其中，藍寶石基板101的厚度為430 μ m，並且磊晶層102包括一未摻雜的氮化鋁成核層102a，其厚度為0. 2 μ m ；—未摻雜的氮化鎵緩衝層102b，其厚度為1. 5 μ m ；以及，一氮化鋁鎵(Al0.3Ga0.7N)主動層102c，其厚度為0. 1 μ m，並且其載子濃度為η = 2 X IO1W30磊晶層102包括第一磊晶結構210及第二磊晶結構220，第一磊晶結構210及第二磊晶結構220之間具有一間隙d。金屬氧化物層103成長於第一磊晶結構210上的主動層 102c的表面上，並且金屬氧化物層103為一氧化鋅薄膜，其厚度範圍為IOnm至lOOnm。第一金屬層104成長於第二磊晶結構220上，並且第一金屬層104的材料為鈦/ 鋁(Ti/Al)，利用蒸鍍的方式將鈦及鋁分別依序蒸鍍於主動層102c。接著，在一鈍氣狀態下，並且在溫度900°C下將第一金屬層104退火300秒，以使第一金屬層104可以擴散至主動層102c中，形成良好的歐姆接觸。兩個第二金屬層10 及10 由下而上依序成長於第二磊晶結構220的主動層 102c上，使得兩個第二金屬層10 及10 相互重迭地成長於第二磊晶結構220上，並且每一個第二金屬層105與第一金屬層104之間保持一段距離。其中，第二金屬層10 的材料為鉬，第二金屬層10 的材料為鈀，則氫氣(H2)可以通過鈀金屬層105b，使得鉬金屬層 10 得以感測兩種氣體(氫氣或氨氣(NH3))以判斷出氫氣的存在。第三金屬層106成長於金屬氧化物層103、第一金屬層104及第二金屬層10 及 10 上，第三金屬層106的材料為金，作為電信號的輸入與輸出端，並且每一個第三金屬層 106之間保持一段距離。參照圖5所示，其為本發明的較佳實施例中多重氣體感測器300的結構示意圖。一種多重氣體感測器300的結構，由下而上依序包括一藍寶石基板101、一磊晶層102、金屬氧化物層103、第一金屬層104、多個第二金屬層10 及10 以及多個第三金屬層106。其中，磊晶層102包括一未摻雜的氮化鋁成核層102a，其厚度為0. 2μπι ；—未摻雜的氮化鎵緩衝層102b，其厚度為1.5μπι;以及，一氮化鋁鎵(Al0.3Ga0.7N)主動層102c，其厚度為0. 1 μ m，並且其載子濃度為η = 2 X 1018cm_3。磊晶層102包括第一磊晶結構310以及兩個第二磊晶結構320a及320b，第一磊晶結構310及第二磊晶結構320a之間具有一間隙d，並且兩個第二磊晶結構320a及320b之間也具有一間隙d。金屬氧化物層103成長於第一磊晶結構310上的主動層102c的表面上，並且金屬氧化物層103為一氧化鋅薄膜，氧化鋅薄膜103的厚度為50nm，由於氧化鋅的材料可感測還原性及氧化性氣體，利用氧化鋅的感測特性，可判別不同的氣體種類。第一金屬層104成長於第二磊晶結構320a及第二磊晶結構320b上，並且第一金屬層104的材料為鈦/鋁(Ti/Al)，利用蒸鍍的方式將鈦及鋁依序分別蒸鍍於第二磊晶結構 320a及第二磊晶結構320b的主動層102c上。接著，在一鈍氣狀態下，並且在溫度900°C下將第一金屬層104退火300秒，以使第一金屬層104可以擴散至緩衝層102b中，形成良好的歐姆接觸。第二金屬層10 成長於第二磊晶結構320a的主動層102c上，並且第二金屬層 105a與第一金屬層104之間保持一段距離，以及第二金屬層10 成長於第二磊晶結構 320b的主動層102c上，並且第二金屬層10 與第一金屬層104之間保持一段距離。其中，
第二金屬層10 的材料為鉬，鉬金屬層10 的厚度為200埃(A),則鉬金屬層10 可以
感測兩種氣體(氫氣或氨氣(NH3))以判斷出不同氣體的存在；以及，第二金屬層10 的材
料為鈀，鈀金屬層10 的厚度為300埃(A)，而鈀金屬層10 能感測氫氣。第三金屬層106成長於金屬氧化物層103、第一金屬層104及第二金屬層105a、 10 上，第三金屬層106的材料為金，作為電信號的輸入與輸出端，並且每一個第三金屬層 106之間保持一段距離。請參照圖6，其為本發明的較佳實施例中多重氣體感測器300中第二磊晶結構 320b上所形成的氣體感測器在室溫下通入不同氣體時的暫態響應圖，並且多重氣體感測器 300的操作偏壓為0. 5V。當濃度為IOOOppm的混合氫氣與空氣H2/air通入時，多重氣體感測器300中第二磊晶結構320b上所形成的氣體感測器的電流由3. 4X IO-7A急速上升至 4. 5X 10_5A，具有明顯的電流變化；然而，當濃度為IOOppm的混合二氧化氮與空氣N02/air 或濃度為IOOOppm的混合氨氮與空氣NH3/air通入時，電流變化幾乎可忽略。氫氣感測機制為通入的氫氣分子(H2)會在鈀金屬層10 的表面進行物理、化學吸附，接著解離成氫原子(H)，隨即氫原子通過擴散的方式傳輸至鈀金屬層10 與磊晶層102的界面處。界面處的氫原子由於受到金屬-半導體界面處的自建電場極化形成一偶極層(dipolar layer)，此偶極層會造成金屬-半導體界面處的自建電場強度減小，則降低其肖特基能障Gchottky Barrier)，進而促使電流增加。圖7為本發明的較佳實施例中多重氣體感測器300中第二磊晶結構320a上所形成的氣體感測器在溫度為150°C下通入不同氣體時的暫態響應圖，並且多重氣體感測器300的操作偏壓為0. 5V。當濃度為IOOOppm的混合氫氣與空氣H2/air通入時，多重氣體感測器300中第二磊晶結構320a上所形成的氣體感測器的電流從3. 3X 10_8A上升至 1. 83 X KT3A ；當濃度為IOOOppm的混合氨氮與空氣NH3/air通入時，其電流從3. 3 X 1(Γ8Α上升至1. 1X10_6A;而當濃度為IOOppm的混合二氧化氮與空氣N02/air通入時，則無任何響應。氨氣的感測機制為氨氣(NH3)會經由鉬金屬層10 催化分解產生氫原子(H)，再經由鉬金屬層10 的本體(bulk)擴散至金屬-半導體界面，形成偶極層，此偶極層會造成金屬-半導體界面處的自建電場強度減小，則降低其肖特基能障，進而促使電流增加。圖8為本發明的較佳實施例中多重氣體感測器300中第一磊晶結構310上所形成的氣體感測器在溫度為300°C下通入不同氣體時的暫態響應圖，並且多重氣體感測器 300的操作偏壓為0. 5V。當濃度為IOOppm的混合二氧化氮與空氣N02/air通入時，多重氣體感測器300中第一磊晶結構310上所形成的氣體感測器的電流由-1. 29X IO-7A改變至-3. 05X10_6A。二氧化氮的感測機制如下當氧化鋅(SiO)薄膜103暴露在二氧化氮 (NO2)下，二氧化氮(NO2)會吸附氧化鋅薄膜103上的氧離子，產生化學吸附反應，並同時抓取氧化鋅薄膜103中氧化鋅導電帶內的電子，使得氧化鋅的電子濃度下降，以及電阻增加， 進而促使電流降低。由上述多重氣體感測器300在不同溫度下通入不同氣體時的暫態響應圖的變化， 可得知其氣體種類。如圖9所示，其為本發明的較佳實施例中多重氣體感測器300的氣體選擇性列表。由此表可得知，當同時通入氫氣、氨氣以及二氧化氮時，通過不同金屬層的感測特性，可分辨出氣體的種類。多重氣體感測器以及其製造方法除了可應用在氣體感測的領域中，用以即時監控環境中的有害氣體的濃度，也可應用於危險氣體洩漏的檢測。由於化學-醫療系統工廠經常會使用到氫氣、氨氣和二氧化氮等危險氣體，本發明可同時提供化學廠區中此三種氣體的濃度的即時監控以及外洩預警。以上所述，僅為本發明的較佳實施例而已，不能以此限定本發明實施的範圍，即凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋的範圍內。另外本發明的任一實施例或申請專利範圍不須達成本發明所揭露的全部目的或優點或特點。此外，摘要部分和標題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，並非用來限制本發明的權利範圍。
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權利要求
1.一種多重氣體感測器，包括 一基板；一磊晶層，成長於該基板上，該磊晶層具有一第一磊晶結構及一第二磊晶結構，該第一磊晶結構及該第二磊晶結構之間具有一間隙； 一金屬氧化物層，成長於該第一磊晶結構上；一第一金屬層，成長於該第二磊晶結構上，且該第一金屬層具有至少兩種金屬； 一第二金屬層，成長於該第二磊晶結構上，並且該第二金屬層與該第一金屬層之間保持一段距離；以及多個第三金屬層，成長於該金屬氧化物層、該第一金屬層及該二金屬層上。
2.如權利要求1所述的多重氣體感測器，其特徵在於，該磊晶層進一步包括兩個第二磊晶結構，並且該兩個第二磊晶結構之間具有該間隙。
3.如權利要求1所述的多重氣體感測器，其特徵在於，該磊晶層由下而上依序包括一成核層、一緩衝層及一主動層。
4.如權利要求1所述的多重氣體感測器，其特徵在於，進一步包括兩個第二金屬層，並且該兩個第二金屬層相互重迭地成長於該第二磊晶結構上。
5.如權利要求2所述的多重氣體感測器，其特徵在於，進一步包括兩個第二金屬層，並且該兩個第二金屬層分別成長於該兩個第二磊晶結構上。
6.一種多重氣體感測器的製作方法，其特徵在於，該方法包括 提供一基板；在該基板之上成長一磊晶層；蝕刻該磊晶層，使得該磊晶層具有一第一磊晶結構及一第二磊晶結構，並且該第一磊晶結構及該第二磊晶結構之間形成一間隙； 在該第一磊晶結構上成長一金屬氧化物層；在該第二磊晶結構上成長一第一金屬層，且該第一金屬層具有至少兩種金屬； 在該第二磊晶結構上成長一第二金屬層，並且該第二金屬層與該第一金屬層之間保持一段距離；以及在該金屬氧化物層、該第一金屬層及該二金屬層上成長多個第三金屬層。
7.如權利要求6所述的多重氣體感測器的製作方法，其特徵在於，在該基板上該磊晶層成長的方法，進一步包括在該基板上成長一成核層； 在該成核層上成長一緩衝層；以及在該緩衝層上成長一主動層。
8.如權利要求7所述的多重氣體感測器的製作方法，其特徵在於，蝕刻該磊晶層的方法進一步包括在該主動層上成長多個阻擋層，並且每一該阻擋層分別位於該第一磊晶結構及該第二磊晶結構之上；以及利用感應耦合電漿-反應離子蝕刻技術來蝕刻該磊晶層，則每兩個該阻擋層之間形成該第一磊晶結構及該第二磊晶結構之間的所述間隙。
9.如權利要求6所述的多重氣體感測器，其特徵在於，在該第二磊晶結構上成長該第一金屬層的方法，進一步包括在一鈍氣狀態下，在成長於該第二磊晶結構上的該第一金屬層進行一退火步驟，並且該退火步驟的反應溫度為200度至900度，其反應時間為1秒至50 分。
10.如權利要求6所述的多重氣體感測器，其特徵在於，成長該磊晶層的方法包括金屬有機化學氣相沉積法及分子束磊晶成長法，蝕刻該磊晶層利用感應耦合電漿-反應離子蝕刻技術，成長該金屬氧化物層利用真空濺鍍法，成長該第一金屬層、該第二金屬層及該些第三金屬層利用熱蒸鍍法。
全文摘要
一種多重氣體感測器，包括一基板、一磊晶層、一金屬氧化物層、一第一金屬層、一第二金屬層及多個第三金屬層。磊晶層成長於基板上，並且具有一第一磊晶結構及一第二磊晶結構，第一磊晶結構及第二磊晶結構之間具有一間隙。金屬氧化物層成長於第一磊晶結構上；第一金屬層成長於第二磊晶結構上，且第一金屬層具有至少兩種金屬；第二金屬層成長於第二磊晶結構上，並且第二金屬層與第一金屬層之間保持一段距離；以及，第三金屬層成長於金屬氧化物層、第一金屬層及二金屬層上。
文檔編號G01N27/00GK102279209SQ201110193610
公開日2011年12月14日 申請日期2011年7月5日 優先權日2011年7月5日
發明者劉文超, 張仲甫, 蔡宗翰, 許啟祥, 陳慧英, 陳泰佑 申請人:劉文超