一種半導體測試結構的製作方法
2023-06-13 04:55:21 1
一種半導體測試結構的製作方法
【專利摘要】本實用新型提供一種半導體測試結構，所述半導體測試結構包括：第一金屬層、第二金屬層、連接所述第一金屬層與所述第二金屬層的第一連接通孔和第二連接通孔、依次排列的第一焊墊、第二焊墊、第三焊墊、第四焊墊和第五焊墊，所述半導體測試結構中設有兩個相鄰金屬層的連接通孔，且所述兩個連接通孔通過四端法連接至五個焊墊上，有效地減小了整個測試結構的面積，為晶圓上的其他結構節省了寶貴的空間，大大提高了焊墊的利用率，增加了每個晶圓上連接通孔的數量，節約了測試成本；同時，由兩連接通孔引出的連接至各相應焊墊的金屬線的長度和寬度相對應，保證了流經所述兩連接通孔的電流大小相同，使得測量的精準度更高。
【專利說明】一種半導體測試結構
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種半導體工藝【技術領域】，特別是涉及一種半導體測試結構。
【背景技術】
[0002]集成電路製造技術已邁入ULST (Ultralarge-scale Integrat1n)的階段，隨著半導體技術的進步，元件的尺寸也不斷地縮小，而進入深亞微米領域。當集成電路的集成度增加時，使得晶片的表面無法提供足夠的面積來製作所需的內連線(Interconnects)，因此，為了配合元件縮小後所增加的內連線，多層金屬導體連線的設計便成為超大型集成電路技術所必需採用的方式。然而，由於多層金屬連線結構與其周圍的介質材料的熱脹係數不同，會使得金屬連線受到應力，在應力作用下，金屬中的晶粒空隙向應力集中的地方匯集，從而在金屬中形成空洞的物理現象，這一現象稱為應力遷移(SM, Stress Migrat1n)。應力遷移是造成半導體器件失效的一個重要原因，應力遷移形成的空洞達到一定程度時就會使得集成電路中的金屬互連線發生開口，使得所述集成電路失效，故在進行半導體器件的可靠性評估時，應力遷移測試是一個必不可少的測試項目。由於應力遷移產生的空洞一般都是存在於連接相鄰金屬層的連接通孔的上表面或下表面，故一般將所述連接通孔作為主要的測試對象。
[0003]目前，通常將具有應力測試單元的晶圓在恆定溫度下進行一定時間的烘培，依據烘培後該應力測試單元相對於其未烘培時的電阻偏差來判斷器件的應力偏移狀況:電阻偏差越大，說明半導體器件的應力遷移越明顯，其對該器件質量的影響越明顯。當電阻偏差大於一定數值時，應力遷移直接造成了器件的失效。
[0004]在上述通過電阻偏移來判斷應力偏移的測試技術中，電阻的精確測量是確保其測量精準度的關鍵因素。現有的應力遷移測試結構的俯視圖如圖1所示，所述應力遷移測試結構包括位於第一金屬層的第一金屬線10和第二金屬線11,位於第二金屬層的第三金屬線12和第四金屬線13，連接所述第一金屬層和第二金屬層的連接通孔14，依次排列的第一焊墊15、第二焊墊16、第三焊墊17和第四焊墊18 ;其中，所述第一金屬線10 —端與所述第一焊墊15相連接，另一端與所述連接通孔14的上表面相連接，所述第二金屬線11 一端與所述連接通孔14的上表面相連接，另一端與所述第二焊墊16相連接，所述第三金屬線12一端與所述第四焊墊18相連接，另一端與所述連接通孔14的下表面相連接，所述第四金屬線13 —端與所述連接通孔14的下表面相連接，另一端與所述第三焊墊17相連接。圖2為圖1中兩層金屬線通過所述連接通孔14相連接結構沿AA』方向的截面圖。圖1中的應力遷移測試結構為四端法電阻測試結構，在對該應力遷移測試結構進行測試時，所使用的測試裝置如圖3所示，為電阻測試裝置，所述電阻測試裝置19包括兩個電壓測量探針191、一個電流輸入探針192和一個電流輸出探針193，所述兩個電壓測量探針191之間串聯一個電壓表194，所述電流輸入探針192與所述電流輸出探針193之間串聯一個電流表195和一個可調恆流源196。在測試的過程中，所述應力遷移測試結構中的所述第一焊墊15和第四焊墊18分別於所述電流輸入探針192和電流輸出探針193相連接，所述第二焊墊16和第三焊墊17分別於所述電壓測量探針191相連接。
[0005]圖1中所述應力遷移測試結構中的所述連接通孔14的電阻一般比較小，為了實現精確測量，所述連接通孔14是被採用四端法連接至相應的焊墊上，通過對所述連接通孔14的量測即可以精確地知道在應力遷移作用下兩層相鄰金屬之間的互連情況。但由於在該應力遷移測試結構中，是以單個的連接通孔14為測試對象，將其連接至四個焊墊上來實現量測的，如果需要檢測所有相連金屬之間的連接通孔14的互連情況，就需要將所有的連接通孔14全部依次連出，在四個焊墊只連接一個連接通孔14的情況下，焊墊的利用率非常低，整個測試結構的面積比較大，這就使得在每個晶圓上設置的待檢測連接通孔的數量非常有限，而應力遷移測試需要測量一定數量的連接通孔，每次測試都需要消耗2?3片晶圓，大大增加了晶圓的損耗，增加了測試的成本。
[0006]鑑於此，有必要設計一種新的半導體測試結構用以解決上述技術問題。
實用新型內容
[0007]鑑於以上所述現有技術的缺點，本實用新型的目的在於提供一種半導體測試結構，用於解決現有技術中由於一個待檢測連接通孔佔用四個焊墊而導致的整個測試結構的面積比較大，焊墊的利用率較低，測試成本較高的問題。
[0008]為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種半導體測試結構，所述半導體測試結構包括:第一金屬層、第二金屬層、連接所述第一金屬層與所述第二金屬層的第一連接通孔和第二連接通孔、依次排列的第一焊墊、第二焊墊、第三焊墊、第四焊墊和第五焊墊；所述第一金屬層包括第一金屬線、第二金屬線、第三金屬線和第四金屬線；所述第一金屬線一端與所述第三焊墊相連接，另一端與所述第一連接通孔的上表面相連接；所述第二金屬線一端與所述第一連接通孔的上表面相連接，另一端與所述第五焊墊相連接；所述第三金屬線一端與所述第三焊墊相連接，另一端與所述第二連接通孔的上表面相連接；所述第四金屬線一端與所述第二連接通孔的上表面相連接，另一端與所述第五焊墊相連接；所述第二金屬層包括第五金屬線、第六金屬線、第七金屬線和第八金屬線；所述第五金屬線一端與所述第二焊墊相連接，另一端與所述第一連接通孔的下表面相連接；所述第六金屬線一端與所述第一連接通孔的下表面相連接，另一端與所述第一焊墊相連接；所述第七金屬線一端與所述第四焊墊相連接，另一端與所述第二連接通孔的下表面相連接；所述第八金屬線一端與所述第二連接通孔的下表面相連接，另一端與所述第一焊墊相連接。
[0009]作為本實用新型的半導體測試結構的一種優選方案，所述第一金屬線的長度和寬度分別等於所述第三金屬線的長度和寬度，所述第二金屬線的長度和寬度分別所述第八金屬線的長度和寬度，所述第四金屬線的長度和寬度分別等於所述第六金屬線的長度和寬度，所述第五金屬線的長度和寬度分別等於所述第七金屬線的長度和寬度。
[0010]作為本實用新型的半導體測試結構的一種優選方案，所有金屬線的寬度均相等。
[0011]作為本實用新型的半導體測試結構的一種優選方案，所述第一金屬線的長度和寬度分別等於所述第五金屬線的長度和寬度，所述第三金屬線的長度和寬度分別等於所述第七金屬線的長度和寬度。
[0012]作為本實用新型的半導體測試結構的一種優選方案，所述第二金屬線和第四金屬線位於所述第一連接通孔及所述第二連接通孔的一側，所述第六金屬線和第八金屬線位於所述第一連接通孔及所述第二連接通孔的另一側，且所述兩側為相對的兩側。
[0013]作為本實用新型的半導體測試結構的一種優選方案，所述第一金屬層中金屬線的材料與所述第二金屬層中金屬線的材料相同。
[0014]作為本實用新型的半導體測試結構的一種優選方案，所述第一金屬層中的金屬線與所述第二金屬層中的金屬線均為銅線。
[0015]作為本實用新型的半導體測試結構的一種優選方案，所述第一金屬層與所述第二金屬層之間設有一介質層，所述第一連接通孔與所述第二連接通孔均位於所述介質層中。
[0016]作為本實用新型的半導體測試結構的一種優選方案，所述第一金屬層還包括第九金屬線，所述第二金屬線和所述第四金屬線均通過所述第九金屬線與所述第五焊墊相連接；所述第二金屬層還包括第十金屬線，所述第六金屬線和所述第八金屬線均通過所述第十金屬線與所述第一焊墊相連接。
[0017]作為本實用新型的半導體測試結構的一種優選方案，所述第二金屬線、第四金屬線、第六金屬線和第八金屬線均包括相互垂直連接的第一部分和第二部分；其中，所述第二金屬線的第一部分與所述第一連接通孔的上表面相連接，所述第二金屬線的第二部分與所述第九金屬線遠離所述第五焊墊的一端相連接；所述第四金屬線的第一部分與所述第二連接通孔的上表面相連接，所述第四金屬線的第二部分與所述第九金屬線遠離所述第五焊墊的一端相連接；所述第六金屬線的第一部分與所述第一連接通孔的下表面相連接，所述第六金屬線的第二部分與所述第十金屬線遠離所述第一焊墊的一端相連接；所述第八金屬線的第一部分與所述第二連接通孔的下表面相連接，所述第八金屬線的第二部分與所述第十金屬線遠離所述第一焊墊的一端相連接。
[0018]作為本實用新型的半導體測試結構的一種優選方案，所有金屬線第一部分的長度均相等，所述金屬線第二部分的長度均相等，且所有金屬線的寬度相等。
[0019]作為本實用新型的半導體測試結構的一種優選方案，所述焊墊呈一字排列，所述第一連接通孔位於所述第二焊墊與所述第三焊墊之間的中部，所述第二連接通孔位於所述第三焊墊與所述第四焊墊之間的中部；所述第一金屬線、第三金屬線、第五金屬線和第七金屬線均位於所述第一連接通孔與所述第二連接通孔所在的直線上；所有金屬線的第一部分均與所述第一金屬線、第三金屬線、第五金屬線和第七金屬線所在的直線相垂直。
[0020]作為本實用新型的半導體測試結構的一種優選方案，所述半導體測試結構與一電阻測試裝置相連接，所述電阻測試裝置包括電流輸入探針、電流輸出探針和三個電壓測量探針，其中，所述第一焊墊與所述電流輸入探針相連接，所述第五焊墊與所述電流輸出探針相連接，適於為所述半導體測試結構中提供一電流；所述第二焊盤、第三焊盤和第四焊盤分別與所述電壓測量探針相連接，適於測量所述第一連接通孔兩端的電壓及所述第二連接通孔兩端的電壓。
[0021]如上所述，本實用新型的半導體測試結構，具有以下有益效果:所述半導體測試結構中設有兩個相鄰金屬層的連接通孔，且所述兩個連接通孔通過四端法連接至五個焊墊上，有效地減小了整個測試結構的面積，為晶圓上的其他結構節省了寶貴的空間，大大提高了焊墊的利用率，增加了每個晶圓上連接通孔的數量，節約了測試成本；同時，由兩連接通孔引出的連接至各相應焊墊的金屬線的長度和寬度相對應，保證了流經所述兩連接通孔的電流大小相同，使得測量的精準度更高。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0022]圖1顯示為現有技術中半導體測試結構的俯視圖。
[0023]圖2顯示為圖1中連接通孔周圍結構沿AA』方向的截面圖。
[0024]圖3顯示為現有技術中的電阻測試裝置。
[0025]圖4顯示為本實用新型的半導體測試結構的俯視圖。
[0026]圖5顯示為圖4中第二連接通孔周圍結構沿BB』方向的截面圖。
[0027]圖6顯示為本實用新型的半導體測試結構相連接的電阻測試裝置。
[0028]元件標號說明
[0029]10第一金屬線
[0030]11第二金屬線
[0031]12第三金屬線
[0032]13第四金屬線
[0033]14連接通孔
[0034]15第一焊墊
[0035]16第二焊墊
[0036]17第三焊墊
[0037]18第四焊墊
[0038]19、217 電阻測試裝置
[0039]191,217a電壓測量探針
[0040]192,217b電流輸入探針
[0041]193,217c電流輸出探針
[0042]194、217d 電壓表
[0043]195、217e 電流表
[0044]196、217f 可調恆流源
[0045]200第一連接通孔
[0046]201第二連接通孔
[0047]202第一焊墊
[0048]203第二焊墊
[0049]204第三焊墊
[0050]205第四焊墊
[0051]206第五焊墊
[0052]207第一金屬線
[0053]208第二金屬線
[0054]208a第二金屬線的第一部分
[0055]208b第二金屬線的第二部分
[0056]209第三金屬線
[0057]210第四金屬線
[0058]210a第四金屬線的第一部分
[0059]210b第四金屬線的第二部分
[0060]211第五金屬線
[0061]212第六金屬線
[0062]212a第六金屬線的第一部分
[0063]212b第六金屬線的第二部分
[0064]213第七金屬線
[0065]214第八金屬線
[0066]214a第八金屬線的第一部分
[0067]214b第八金屬線的第二部分
[0068]215第九金屬線
[0069]216第十金屬線
【具體實施方式】
[0070]以下通過特定的具體實例說明本實用新型的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本實用新型的其他優點與功效。本實用新型還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應用，本說明書中的各項細節也可以基於不同觀點與應用，在沒有背離本實用新型的精神下進行各種修飾或改變。
[0071]請參閱圖4至圖6。須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供熟悉此技術的人士了解與閱讀，並非用以限定本實用新型可實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關係的改變或大小的調整，在不影響本實用新型所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本實用新型所揭示的技術內容得能涵蓋的範圍內。同時，本說明書中所引用的如「上」、「下」、「左」、「右」、「中間」及「一」等的用語，亦僅為便於敘述的明了，而非用以限定本實用新型可實施的範圍，其相對關係的改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本實用新型可實施的範疇。
[0072]請參閱圖4，本實用新型提供一種半導體測試結構，所述半導體測試結構包括--第一金屬層(未不出)、第二金屬層(未不出)、連接所述第一金屬層與所述第二金屬層的第一連接通孔200和第二連接通孔201、依次排列的第一焊墊202、第二焊墊203、第三焊墊204、第四焊墊205和第五焊墊206 ;所述第一金屬層包括第一金屬線207、第二金屬線208、第三金屬線209和第四金屬線210 ;所述第一金屬線207 —端與所述第三焊墊204相連接，另一端與所述第一連接通孔200的上表面相連接；所述第二金屬線208 —端與所述第一連接通孔200的上表面相連接，另一端與所述第五焊墊206相連接；所述第三金屬線209 —端與所述第三焊墊204相連接，另一端與所述第二連接通孔201的上表面相連接；所述第四金屬線210 —端與所述第二連接通孔201的上表面相連接，另一端與所述第五焊墊206相連接；所述第二金屬層包括第五金屬線211、第六金屬線212、第七金屬線213和第八金屬線214 ;所述第五金屬線211 —端與所述第二焊墊203相連接，另一端與所述第一連接通孔200的下表面相連接；所述第六金屬線212 —端與所述第一連接通孔200的下表面相連接，另一端與所述第一焊墊202相連接；所述第七金屬線213 —端與所述第四焊墊205相連接，另一端與所述第二連接通孔201的下表面相連接；所述第八金屬線214 —端與所述第二連接通孔201的下表面相連接，另一端與所述第一焊墊202相連接。
[0073]請參閱圖5，圖5為圖4中第二連接通孔201周圍結構沿BB』方向的截面圖，由圖5可知，所述第二連接通孔201與所述第三金屬線209及所述第七金屬線213的端部相連接，同時，所述第二連接通孔201也與所述第四金屬線210及所述第八金屬線214的端部相連接，只是圖中未予示出。所述第一連接通孔200周圍結構的截面圖與所述第二連接通孔201周圍結構的截面圖相似，可以參考圖5，這裡不再累述。
[0074]請參閱圖6，所述半導體測試結構在測試的過程中，需要外接如圖6所示的電阻測試結構217。如圖6所示，所述電阻測試裝置217包括三個電壓量測探針217a、電流輸入探針217b和電流輸出探針217c，相鄰兩所述電壓量測探針217a之間均串聯有一個電壓表217d，電流輸入探針217b、電流輸出探針217c和三個電壓測量探針217a，所述電流輸入探針217b和電流輸出探針217c之間依次串聯電流表217e和可調恆流源217f。所述第一焊墊202與所述電流輸入探針217b相連接，所述第五焊墊206與所述電流輸出探針217c相連接；所述第二焊盤203、第三焊盤204和第四焊盤205分別依次與三個所述電壓測量探針217a相連接。測量時，所述電流輸入輸出探針為所述半導體測試結構輸入一恆定的電流，所述三個電壓量測探針217a分別量測所述第二焊墊203與所述第三焊墊204之間電壓及所述第三焊墊204與所述第四焊墊205之間的電壓，並分別近似等於所述第一連接通孔200兩端的電壓和所述第二連接通孔201兩端的電壓。量測出所述第一連接通孔200兩端的電壓及所述第二連接通孔201兩端的電壓，再結合流經所述第一連接通孔200及第二連接通孔201的電流，根據歐姆定律就可以算出所述第一連接通孔200的電阻及所述第二連接通孔201的電阻。
[0075]具體的，由於所述第一連接通孔200與所述第二連接通孔201在所述半導體測試結構中並聯，在所述第一焊墊202與所述第五焊墊206之間輸入一個恆定電流以後，為了精確地得到流經所述第一連接通孔200及所述第二連接通孔201的電流，儘量使所述並聯電流的兩分支均分所述輸入的電流，即流經所述第一連接通孔200及所述第二連接通孔201的電流相等，均為輸入電流的二分之一。為了實現這一目的，提高量測的精準度，應使由所述第一連接通孔200連接至所述第一焊墊202及所述第五焊墊206的金屬線與由所述第二連接通孔201連接至所述第一焊墊202及所述第五焊墊206的金屬線在材料、寬度和長度上一致。
[0076]請繼續參閱圖4，所述第一金屬線207的長度和寬度分別等於所述第三金屬線209的長度和寬度，所述第二金屬線208的長度和寬度分別所述第八金屬線214的長度和寬度，所述第四金屬線210的長度和寬度分別等於所述第六金屬線212的長度和寬度，所述第五金屬線211的長度和寬度分別等於所述第七金屬線213長度和寬度。優選地，本實施例中，所有金屬線的寬度均相等。優選地，本實施例中，所述第一金屬線207、第三金屬線209、第五金屬線211和第七金屬線213的長度和寬度均相等。
[0077]具體的，所述第二金屬線208和第四金屬線210位於所述第一連接通孔200及所述第二連接通孔201的一側，所述第六金屬線212和第八金屬線214位於所述第一連接通孔200及所述第二連接通孔201的另一側，且所述兩側為相對的兩側。
[0078]具體的，所述第一金屬層中金屬線的材料與所述第二金屬層中金屬線的材料相同。所述金屬線的材料可以為銅、鶴、招/銅合金、招、抗金屬(refractory metal)或金屬化合物，優選地，本實施例中，所述第一金屬層中金屬線的材料與所述第二金屬層中金屬線的材料均為銅。
[0079]具體的，所述第一金屬層與所述第二金屬層之間設有一介質層(未示出)，所述第一連接通孔200與所述第二連接通孔201均位於所述介質層中。
[0080]具體的，所述第一連接通孔200與所述第二連接通孔201內均沉積有金屬，以實現所述第一金屬層與所述第二金屬層的連通。所述第一連接通孔200與所述第二連接通孔201內均沉積的金屬與所述第一金屬層中金屬線的材料及所述第二金屬層中金屬線的材料相同，優選地，所沉積的金屬均為銅。
[0081]具體的，所述第一金屬層還包括第九金屬線215，所述第二金屬線208和所述第四金屬線210均通過所述第九金屬線215與所述第五焊墊206相連接；所述第二金屬層還包括第十金屬線216，所述第六金屬線212和所述第八金屬線214均通過所述第十金屬線216與所述第一焊墊202相連接。優選地，所述第二金屬線208遠離所述第一連接通孔200的一端與所述第四金屬線210遠離所述第二連接通孔201的一端均與所述第九金屬線215的一端相連接，所述第九金屬線215的另一端與所述第五焊墊206相連接；所述第六金屬線212遠離所述第一連接通孔200的一端與所述第八金屬線214遠離所述第二連接通孔201的一端均與所述第十金屬線216的一端相連接，所述第十金屬線216的另一端與所述第一焊墊202相連接。優選地，所述第一金屬線207、所述第二金屬線208和所述第九金屬線215首尾相連，所述第三金屬線209、所述第四金屬線210和所述第九金屬線215首尾相連，所述第五金屬線211、所述第六金屬線212和所述第十金屬線216首尾相連，所述第七金屬線213、所述第八金屬線214和所述第十金屬線216首尾相連。
[0082]具體的，所述第二金屬線208、第四金屬線210、第六金屬線212和第八金屬線214均包括相互垂直連接的第一部分和第二部分；其中，所述第二金屬線208的第一部分208a與所述第一連接通孔200的上表面相連接，所述第二金屬線208的第二部分208b與所述第九金屬線215遠離所述第五焊墊206的一端相連接；所述第四金屬線210的第一部分210a與所述第二連接通孔201的上表面相連接，所述第四金屬線210的第二部分210b與所述第九金屬線215遠離所述第五焊墊206的一端相連接；所述第六金屬線212的第一部分212a與所述第一連接通孔200的下表面相連接，所述第六金屬線212的第二部分212b與所述第十金屬線216遠離所述第一焊墊202的一端相連接；所述第八金屬線214的第一部分214a與所述第二連接通孔201的下表面相連接，所述第八金屬線214的第二部分214b與所述第十金屬線216遠離所述第一焊墊202的一端相連接。
[0083]具體的，所有金屬線第一部分的長度均相等，所述金屬線第二部分的長度均相等，且所有金屬線的寬度相等。
[0084]具體的，第一焊墊202、第二焊墊203、第三焊墊204、第四焊墊205和第五焊墊206呈一字排列，所述第一連接通孔200位於所述第二焊墊203與所述第三焊墊204之間的中部，所述第二連接通孔201位於所述第三焊墊204與所述第四焊墊205之間的中部；所述第一金屬線207、第三金屬線209、第五金屬線211和第七金屬線213均位於所述第一連接通孔200與所述第二連接通孔201所在的直線上；且所述第二金屬線208、第四金屬線210、第六金屬線212和第八金屬線214的第一部分均與所述第一金屬線207、第三金屬線209、第五金屬線211和第七金屬線213所在的直線相垂直。
[0085]綜上所述，本實用新型提供一種半導體測試結構，所述半導體測試結構中設有兩個相鄰金屬層的連接通孔，且所述兩個連接通孔通過四端法連接至五個焊墊上，有效地減小了整個測試結構的面積，為晶圓上的其他結構節省了寶貴的空間，大大提高了焊墊的利用率，增加了每個晶圓上連接通孔的數量，節約了測試成本；同時，由兩連接通孔引出的連接至各相應焊墊的金屬線的長度和寬度相對應，保證了流經所述兩連接通孔的電流大小相同，使得測量的精準度更高。
[0086]上述實施例僅例示性說明本實用新型的原理及其功效，而非用於限制本實用新型。任何熟悉此技術的人士皆可在不違背本實用新型的精神及範疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術領域】中具有通常知識者在未脫離本實用新型所揭示的精神與技術思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本實用新型的權利要求所涵蓋。
【權利要求】
1.一種半導體測試結構，其特徵在於，所述半導體測試結構包括:第一金屬層、第二金屬層、連接所述第一金屬層與所述第二金屬層的第一連接通孔和第二連接通孔、依次排列的第一焊墊、第二焊墊、第三焊墊、第四焊墊和第五焊墊； 所述第一金屬層包括第一金屬線、第二金屬線、第三金屬線和第四金屬線；所述第一金屬線一端與所述第三焊墊相連接，另一端與所述第一連接通孔的上表面相連接；所述第二金屬線一端與所述第一連接通孔的上表面相連接，另一端與所述第五焊墊相連接；所述第三金屬線一端與所述第三焊墊相連接，另一端與所述第二連接通孔的上表面相連接；所述第四金屬線一端與所述第二連接通孔的上表面相連接，另一端與所述第五焊墊相連接； 所述第二金屬層包括第五金屬線、第六金屬線、第七金屬線和第八金屬線；所述第五金屬線一端與所述第二焊墊相連接，另一端與所述第一連接通孔的下表面相連接；所述第六金屬線一端與所述第一連接通孔的下表面相連接，另一端與所述第一焊墊相連接；所述第七金屬線一端與所述第四焊墊相連接，另一端與所述第二連接通孔的下表面相連接；所述第八金屬線一端與所述第二連接通孔的下表面相連接，另一端與所述第一焊墊相連接。
2.根據權利要求1所述的半導體測試結構，其特徵在於:所述第一金屬線的長度和寬度分別等於所述第三金屬線的長度和寬度，所述第二金屬線的長度和寬度分別所述第八金屬線的長度和寬度，所述第四金屬線的長度和寬度分別等於所述第六金屬線的長度和寬度，所述第五金屬線的長度和寬度分別等於所述第七金屬線的長度和寬度。
3.根據權利要求2所述的半導體測試結構，其特徵在於:所有金屬線的寬度均相等。
4.根據權利要求2所述的半導體測試結構，其特徵在於:所述第一金屬線的長度和寬度分別等於所述第五金屬線的長度和寬度，所述第三金屬線的長度和寬度分別等於所述第七金屬線的長度和寬度。
5.根據權利要求1所述的半導體測試結構，其特徵在於:所述第二金屬線和第四金屬線位於所述第一連接通孔及所述第二連接通孔的一側，所述第六金屬線和第八金屬線位於所述第一連接通孔及所述第二連接通孔的另一側，且所述兩側為相對的兩側。
6.根據權利要求1所述的半導體測試結構，其特徵在於:所述第一金屬層中金屬線的材料與所述第二金屬層中金屬線的材料相同。
7.根據權利要求6所述的半導體測試結構，其特徵在於:所述第一金屬層中的金屬線與所述第二金屬層中的金屬線均為銅線。
8.根據權利要求1所述的半導體測試結構，其特徵在於:所述第一金屬層與所述第二金屬層之間設有一介質層，所述第一連接通孔與所述第二連接通孔均位於所述介質層中。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的半導體測試結構，其特徵在於:所述第一金屬層還包括第九金屬線，所述第二金屬線和所述第四金屬線均通過所述第九金屬線與所述第五焊墊相連接；所述第二金屬層還包括第十金屬線，所述第六金屬線和所述第八金屬線均通過所述第十金屬線與所述第一焊墊相連接。
10.根據權利要求9所述的半導體測試結構，其特徵在於:所述第二金屬線、第四金屬線、第六金屬線和第八金屬線均包括相互垂直連接的第一部分和第二部分；其中，所述第二金屬線的第一部分與所述第一連接通孔的上表面相連接，所述第二金屬線的第二部分與所述第九金屬線遠離所述第五焊墊的一端相連接；所述第四金屬線的第一部分與所述第二連接通孔的上表面相連接，所述第四金屬線的第二部分與所述第九金屬線遠離所述第五焊墊的一端相連接；所述第六金屬線的第一部分與所述第一連接通孔的下表面相連接，所述第六金屬線的第二部分與所述第十金屬線遠離所述第一焊墊的一端相連接；所述第八金屬線的第一部分與所述第二連接通孔的下表面相連接，所述第八金屬線的第二部分與所述第十金屬線遠離所述第一焊墊的一端相連接。
11.根據權利要求10所述的半導體測試結構，其特徵在於:所有金屬線第一部分的長度均相等，所述金屬線第二部分的長度均相等，且所有金屬線的寬度相等。
12.根據權利要求11所述的半導體測試結構，其特徵在於:所述焊墊呈一字排列，所述第一連接通孔位於所述第二焊墊與所述第三焊墊之間的中部，所述第二連接通孔位於所述第三焊墊與所述第四焊墊之間的中部；所述第一金屬線、第三金屬線、第五金屬線和第七金屬線均位於所述第一連接通孔與所述第二連接通孔所在的直線上；所有金屬線的第一部分均與所述第一金屬線、第三金屬線、第五金屬線和第七金屬線所在的直線相垂直。
13.根據權利要求12所述的半導體測試結構，其特徵在於:所述半導體測試結構與一電阻測試裝置相連接，所述電阻測試裝置包括電流輸入探針、電流輸出探針和三個電壓測量探針，其中，所述第一焊墊與所述電流輸入探針相連接，所述第五焊墊與所述電流輸出探針相連接，適於為所述半導體測試結構中提供一電流；所述第二焊盤、第三焊盤和第四焊盤分別與所述電壓測量探針相連接，適於測量所述第一連接通孔兩端的電壓及所述第二連接通孔兩端的電壓。
【文檔編號】H01L23/544GK204102893SQ201420603899
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年10月17日 優先權日:2014年10月17日
【發明者】趙祥富 申請人:中芯國際集成電路製造(北京)有限公司