光學晶片的封裝構造及其製造方法
2023-06-13 04:48:26 1
專利名稱：光學晶片的封裝構造及其製造方法
光學晶片的封裝構造及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種光學晶片的封裝構造及其製造方法，特別是關於一種具有導電通 孔的光學晶片的封裝構造及其製造方法。
背景技術：
隨著生活品質提高及環保意識抬頭，綠色資源的開發及使用越來越廣泛，其中的 一項重點項目即為各種發光二極體(light emitting diode,LED)於照明上的應用，由於發 光二極體具有省電及長壽命等優勢，因此與發光二極體相關的技術不斷被研發及改良，以 提升光取出效率(light extraction efficiency)、改善散熱效率及延長使用壽命等。上述 改良除了與發光二極體晶片本身的半導體材料有關之外，亦與發光二極體晶片的封裝方式 存在極大的相關性。請參照圖1、2及3所示，其揭示3種現有發光二極體晶片的封裝構造。如圖1所示，一種現有發光二極體晶片的封裝構造包含一基板11、一電路層12、一 黏著層13、一光學晶片14、至少二導線15及一透光封裝材料16。所述基板11的正面形成 所述電路層12，所述光學晶片14利用所述黏著層13固定於所述基板11上。所述光學晶片 14的光學表面(亦即發光表面)朝上並具有焊墊(未標示)，其利用所述導線15電性連接 至所述電路層12。最後，利用所述透光封裝材料16包覆保護所述光學晶片14及導線15等 部位，即可完成封裝製程。如圖2所示，另一種現有發光二極體晶片的封裝構造包含一第一引腳21、一第二 引腳22、一黏著層23、一光學晶片24、至少二導線25、一透光封裝材料26及一螢光填充材 料27。所述第一引腳21的頂面凹陷形成一杯狀凹部211，使所述光學晶片24利用所述黏 著層23固定於所述杯狀凹部211內。所述杯狀凹部211的其餘空間則利用所述螢光填充 材料27加以填滿。所述光學晶片24的光學表面(亦即發光表面)朝上並具有焊墊(未標 示)，其利用所述導線25電性連接至所述第一引腳21及第二引腳22。最後，利用所述透光 封裝材料26包覆保護所述光學晶片24、導線25及螢光填充材料27等部位，即可完成封裝 製程。如圖3所示，再一種現有發光二極體晶片的封裝構造包含一基板31、二導電端32、 二凸塊33 (bump)、一光學晶片34、二電極35及一透光封裝材料36。所述基板31的二側端 形成所述導電端32，所述光學晶片34的光學表面(亦即發光表面)朝下並具有焊墊(未標 示)，其形成所述電極35，並利用所述凸塊33電性連接至所述導電端32。最後，利用所述透 光封裝材料36包覆保護所述光學晶片34及凸塊33等部位，即可完成封裝製程。然而，圖1至3的發光二極體晶片的封裝構造在實際使用上仍具有下述問題，例 如圖1及2的光學晶片14、24是利用所述導線15、25導入電源，但所述導線15、25的一部 分位於所述光學晶片14、24的二側上方，會阻擋光線向外發射及影響光取出效率。再者，圖 1及2的光學晶片14、24是利用所述黏著層13、23分別固定在所述基板11或第一引腳21 上，但是所述黏著層13、23的導熱效果較差，會影響所述光學晶片14、24將產生的熱能傳遞至所述基板11或第一引腳21的散熱效率。當所述光學晶片14、24產生的熱能無法有效驅 散時，將會影響所述光學晶片14、24的光學表面的半導體材料的發光效率。因此，考量散熱 因素，圖1及2的封裝構造通常僅適用在封裝功率在1瓦特(w)以下的發光二極體晶片。另 一方面，雖然圖3的倒裝晶片式的光學晶片34沒有設置導線，且所述光學晶片34產生的熱 能可通過所述電極35及凸塊33傳遞至所述導電端32及基板31，而具有相對較高的散熱效 率。但是，由於所述光學晶片34的光學表面朝下，故所述光學晶片34的光學表面產生的光 線必需先投射至所述電極35或基板31上，接著才能反射數次向外射出；或者，光線必需向 上穿透所述光學晶片34，接著才能反射數次向外射出，因此圖3的倒裝晶片式封裝構造仍 會造成所述光學晶片34的光取出效率相對低落。故，有必要提供一種光學晶片的封裝構造及其製造方法，以解決現有技術所存在 的問題。
發明內容本發明的主要目的在於提供一種光學晶片的封裝構造及其製造方法，其是利用導 電通孔(via)電性連接光學表面及背面，以便使電源線路布局位於背面而避免影響光學表 面朝上發光，進而提升光取出效率。本發明的次要目的在於提供一種光學晶片的封裝構造及其製造方法，其是利用導 電通孔電性連接光學表面及背面，以便使背面朝下並通過導電金屬球將熱能迅速導出，進 而提升散熱效率，並延長使用壽命。本發明的另一目的在於提供一種光學晶片的封裝構造及其製造方法，其是利用導 電通孔電性連接光學表面及背面，並搭配使用透明蓋板，使得整體封裝構造的尺寸能縮小 到晶圓級的晶片尺寸封裝(wafer level chip scale package，WLCSP)，進而有利於封裝構 造的微型化(miniaturization)。為達上述目的，本發明提供一種光學晶片的封裝構造，其包含一光學晶片及至少 二導電金屬球。所述光學晶片具有一光學表面、一背面及至少二導電通孔，所述光學表面朝 上，而所述背面朝下。所述導電通孔貫穿所述光學晶片，所述導電通孔的一第一端電性連接 所述光學表面，及其一第二端連接至所述背面。所述導電金屬球電性連接至所述導電通孔
的第二端。在本發明的一實施例中，所述背面更包含一再分布層(re-distribution layer, RDL)，所述再分布層電性連接所述導電通孔的所述第二端及所述導電金屬球。在本發明的一實施例中，所述光學晶片利用所述導電金屬球結合於一基板上。所 述基板上具有一透光封裝材料，以包覆所述光學晶片及導電金屬球。在本發明的一實施例中，所述光學晶片的所述光學表面上另設有一螢光填充材料 層。所述螢光填充材料層上另設有一透明蓋板。所述透明蓋板選自玻璃蓋板。在本發明的一實施例中，所述光學晶片的所述光學表面上另設有一具有一凹陷部 的透明蓋板，且所述凹陷部內填入一螢光填充材料。所述透明蓋板選自玻璃蓋板。在本發明的一實施例中，所述導電金屬球選自錫凸塊(solder-containingbump)、 金凸塊(gold-containing bump)或錫球(solder ball)。所述光學晶片是發光二極體芯 片。
另一方面，本發明提供一種光學晶片的封裝構造的製造方法，其包含步驟提供一 光學晶圓，包含數個光學晶片，其中所述光學晶片具有一光學表面及一背面；在所述光學晶 圓的所述光學晶片上分別形成至少二導電通孔，其中所述導電通孔貫穿所述光學晶片，所 述導電通孔包含一電性連接所述光學表面的第一端，及一連接至所述背面的第二端；在所 述光學晶圓的各所述光學晶片的所述背面分別形成至少二導電金屬球，所述導電金屬球分 別電性連接至所述導電通孔的第二端；及切割所述光學晶圓，以分離所述光學晶片。在本發明的一實施例中，在形成所述導電金屬球之前，另在所述光學晶圓的所述 光學晶片的所述背面形成一再分布層(re-distribution layer, RDL)，且所述再分布層是 電性連接所述導電通孔的所述第二端及所述導電金屬球。在本發明的一實施例中，在分離所述光學晶片之後，利用所述導電金屬球將所述 光學晶片固設於複數個對應基板上。所述基板具有一透光封裝材料，以包覆所述光學晶片 及導電金屬球。在本發明的一實施例中，在形成所述導電金屬球之前，另在所述光學晶片的所述 光學表面上依序設置一螢光填充材料層及一透明蓋板。所述透明蓋板選自玻璃蓋板。在本發明的一實施例中，在形成所述導電金屬球之前，另在所述光學晶片的所述 光學表面上設置一具有一凹陷部的透明蓋板，其中所述凹陷部內填入一螢光填充材料。所 述透明蓋板選自玻璃蓋板。在本發明的一實施例中，所述導電金屬球選自錫凸塊、金凸塊或錫球。所述光學芯 片是發光二極體晶片。
圖1 現有發光二極體晶片的封裝構造的示意圖。圖2 另一現有發光二極體晶片的封裝構造的示意圖。圖3 再一現有發光二極體晶片的封裝構造的示意圖。圖4A、4B、4C、4D、4E、4F及4G 本發明第一實施例的光學晶片的封裝構造的製造方 法的示意圖。圖5A、5B、5C、5D、5E、5F、5G及5H 本發明第二實施例的光學晶片的封裝構造的制
造方法的示意圖。圖6A、6B、6C、6D、6E、6F及6G 本發明第三實施例的光學晶片的封裝構造的製造方
法的示意圖。
具體實施方式為讓本發明上述目的、特徵及優點更明顯易懂，下文特舉本發明較佳實施例，並配 合附圖，作詳細說明如下 請參照圖4A、4B、4C、4D、4E、4F及4G所示，本發明第一實施例的光學晶片的封裝構 造的製造方法主要包含下列步驟提供一光學晶圓4，其包含數個光學晶片40，其中所述光 學晶片40具有一光學表面41及一背面42 ；在所述光學晶圓4的所述光學晶片40分別形 成至少二導電通孔43，其中所述導電通孔43貫穿所述光學晶片40，所述導電通孔43的一 第一端電性連接所述光學表面41，及其一第二端連接至所述背面42 ；在所述光學晶圓4的
5各所述光學晶片40的背面42分別形成至少二導電金屬球44，所述導電金屬球44分別電性 連接至所述導電通孔43的第二端；及切割所述光學晶圓4，以分離所述光學晶片40。請參照圖4A所示，本發明第一實施例的光學晶片的封裝構造的製造方法第一步 驟是提供一光學晶圓4，其包含數個光學晶片40，其中所述光學晶片40分別具有一光學表 面41及一背面42。在本步驟中，所述光學晶圓4所包含的光學晶片40優選是選自發光二 極晶片(LED chip)、有機發光二極晶片(OLED chip)或高分子發光二極晶片(PLED chip) 等光學晶片。依實際需求，所述光學晶圓4的基材可選自矽(Si)、氮化鎵(GaN)或其他半導 體基材。所述光學晶片40的光學表面41是指具有光學半導體材料並可產生光學反應的表 面，其可選自單層或多層的光學表面，並可依電致發光(electro-luminescent)或光致發 光(photo-luminescent)原理產生至少一種色光。在本發明中，並不限定所述光學晶圓4 的基材種類或所述光學表面41的層數及其產生色光的顏色。再者，所述背面42是指所述 光學晶片40不具光學半導體材料的另一表面，所述背面42通常裸露所述光學晶圓4的基 材。請參照圖4B及4C所示，本發明第一實施例的光學晶片的封裝構造的製造方法第 二步驟是在所述光學晶圓4的各所述光學晶片40分別形成至少二導電通孔43，其中所述 導電通孔43貫穿所述光學晶片40，所述導電通孔43具有一電性連接所述光學表面41的 第一端，及一連接至所述背面42的第二端。在本步驟中，本發明是選擇以晶圓通孔(wafer through hole，WTH)技術(亦稱為貫穿矽晶通孔技術，through silicon via, TSV)處理所 述光學晶圓4的各光學晶片40。上述晶圓通孔技術可選擇利用雷射鑽孔、機械鑽孔或者光 刻膠(photo-resist)搭配蝕刻等方式先形成貫穿所述光學表面41及背面42的通孔，接著 再利用電鍍(electroplating)、無電鍍(electroless plating)或印刷(printing)等方式 將銅或其他導電金屬填入所述通孔中，藉此形成所述導電通孔43 (throughvia)。所述導電 通孔43的第一端電性連接所述光學表面41，及其第二端連接至所述背面42，並裸露於所述 背面42。如圖4C所示，在本步驟之後及第三步驟之前，本發明優選是選擇在所述光學晶圓 4的光學晶片40的背面42預先形成一再分布層420 (re-distributionlayer, RDL)，所述再 分布層420包含至少二焊墊，並可選擇形成一絕緣層421。所述再分布層420的焊墊對應結 合於所述導電通孔43的第二端，所述絕緣層421則覆蓋所述焊墊的周緣及所述焊墊421以 外的其他區域。請參照圖4D所示，本發明第一實施例的光學晶片的封裝構造的製造方法第三步 驟是在所述光學晶圓4的各所述光學晶片40的背面42分別形成至少二導電金屬球44， 所述導電金屬球44分別電性連接至所述導電通孔43的第二端。在本步驟中，所述導電金 屬球44可選擇通過所述再分布層420的焊墊而間接電性連接至所述導電通孔43的第二 端；或者，若未設置所述再分布層420，所述導電金屬球44則可直接電性連接至所述導電 通孔43的第二端。再者，在本步驟中，所述導電金屬球可選自含有錫材料或錫合金的錫 凸塊(solder-containing bump)、錫球(solder ball)或含有金材料或金合金的金凸塊 (gold-containing bump)。本發明是可利用現有的電鍍或印刷製程搭配回流焊(reflow) 製程，而直接在所述光學晶圓4的各光學晶片40的背面42形成所述導電金屬球44(亦即 錫凸塊)；或者，利用金線打線(wire bonding)及扯斷的方式，直接在所述光學晶圓4的各
6光學晶片40的背面42形成所述導電金屬球44 (亦即含金凸塊)；或者，亦可先預製所述導 電金屬球44，再將其焊接至所述光學晶圓4的各光學晶片40的背面42 (亦即錫球)。當所 述導電金屬球44選自錫凸塊時，通常需要預先形成至少一球底金屬層(未繪示)於所述再 分布層420的焊墊上或所述導電通孔43的第二端上，以增加結合強度。在本實施例中，亦 可能另外存在某些導電金屬球44未與所述導電通孔43的第二端電性連接，此時所述些導 電金屬球44仍可用以支撐所述光學晶片40或導出所述光學晶片40的熱能。請參照圖4E及4F所示，本發明第一實施例的光學晶片的封裝構造的製造方法第 四步驟是切割所述光學晶圓4，以分離所述光學晶片40。在本步驟中，本發明是可選擇利 用機械切割、雷射切割或水刀切割等方式切割所述光學晶圓4，以分離(singulating)所述 光學晶片40。在切割之後，各所述光學晶片40皆具有所述光學表面41、背面42及至少二 導電通孔43，所述光學表面41朝上，而所述背面42朝下。所述導電通孔43貫穿所述光學 晶片40，所述導電通孔43的第一端電性連接所述光學表面41，及其第二端連接至所述背面 42。所述導電金屬球44電性連接至所述導電通孔43的第二端。如此，所述導電金屬球44 可將一外部電源通過所述導電通孔43而導引至各光學晶片40的光學表面41，以產生光學 反應(例如產生特定色光)。請參照圖4G所示，在分離所述光學晶片40之後，本發明第一實施例可選擇進一步 利用所述導電金屬球44將所述光學晶片40分別固設於複數個對應基板45上。所述基板 45是一封裝用印刷電路板，且優選是選自一杯狀基板，但並不限於此。當所述基板45選自 杯狀基板時，所述基板45填滿一透光封裝材料46，以包覆保護所述光學晶片40及導電金屬 球44。必要時，所述透光封裝材料46可選擇混摻螢光粉，以改變所述光學晶片40產生的 色光的顏色。如此，即完成本實施例的光學晶片40的封裝製程。當所述基板45及導電金 屬球44導入一外部電源時，外部電源可通過所述導電通孔43而導引至所述光學晶片40的 光學表面41，以產生光學反應(例如產生特定色光)。同時，在產生光學反應期間造成的熱 能，則可通過所述導電金屬球44 (及導電通孔43)導出至所述基板45。請參照圖5A、5B、5C、5D、5E、5F及5G所示，本發明第二實施例的光學晶片的封裝構 造及其製造方法是相似於本發明第一實施例，但所述第二實施例的光學晶片的封裝構造的 製造方法是包含下列步驟提供一光學晶圓5，其包含數個光學晶片50，其中所述光學晶片 50具有一光學表面51及一背面52 ；在所述光學晶圓5的各所述光學晶片50分別形成至少 二導電通孔53，其中所述導電通孔53貫穿所述光學晶片50，所述導電通孔53具有一電性 連接所述光學表面51的第一端，及一連接至所述背面52的第二端；在所述光學晶片50的 光學表面51上依序設置一螢光填充材料層54及一透明蓋板55 ；在所述光學晶圓5的各所 述光學晶片50的背面52分別形成至少二導電金屬球56，所述導電金屬球56分別電性連 接至所述導電通孔53的第二端；及切割所述光學晶圓5，以分離所述光學晶片50。再者，如 圖5C所示，在第二步驟之後及第三步驟之前，本發明優選是選擇在所述光學晶圓5的光學 晶片50的背面52預先形成一再分布層520，其同樣包含至少二焊墊，並可選擇形成一絕緣 層521。如圖5D所示，所述螢光填充材料層54是由螢光粉及黏著劑混合而成，本發明並不 限定其混合比例。所述螢光填充材料層54用以改變所述光學晶片50產生的色光的顏色。 如圖5E所示，所述透明蓋板55優選是選自玻璃蓋板。請參照圖5G所示，在分離所述光學晶片50之後，各光學晶片50的光學表面51上
7皆具有所述螢光填充材料層54及透明蓋板55，所述透明蓋板55具有保護作用，因此可取代 透光封裝材料。此時，已完成本實施例的光學晶片50的封裝製程。再者，如圖5H所示，在 組裝時，本發明第二實施例可直接利用所述導電金屬球56將所述光學晶片50固設於數個 對應電路板57上。當所述電路板57及導電金屬球56導入一外部電源時，外部電源可通過 所述導電通孔53而導引至所述光學晶片50的光學表面51，以產生光學反應(例如產生特 定色光)。同時，在產生光學反應期間造成的熱能，則可通過所述導電金屬球56(及導電通 孔53)導出至所述電路板57。請參照圖6A、6B、6C、6D、6E、6F及6G所示，本發明第三實施例的光學晶片的封裝構 造及其製造方法是相似於本發明第一及二實施例，但所述第三實施例的光學晶片的封裝構 造的製造方法是包含下列步驟提供一光學晶圓6，其包含數個光學晶片60，其中所述光學 晶片60具有一光學表面61及一背面62 ；在所述光學晶圓6的各所述光學晶片60分別形 成至少二導電通孔63，其中所述導電通孔63貫穿所述光學晶片60，所述導電通孔63具有 一電性連接所述光學表面61的第一端，及一連接至所述背面62的第二端；在所述光學晶片 60的光學表面61上設置一透明蓋板64，其具有一凹陷部641，所述凹陷部641內具有一螢 光填充材料65 ；在所述光學晶圓6的各所述光學晶片60的背面62分別形成至少二導電金 屬球66，所述導電金屬球66分別電性連接至所述導電通孔63的第二端；及切割所述光學 晶圓6，以分離所述光學晶片60。再者，如圖6C所示，在第二步驟之後及第三步驟之前，本 發明優選是選擇在所述光學晶圓6的光學晶片60的背面62預先形成一再分布層620，其同 樣包含至少二焊墊，並可選擇形成一絕緣層621。如圖6D所示，所述透明蓋板64優選是選 自玻璃蓋板，且所述透明蓋板64優選是利用一黏著層(未繪示)結合在所述光學表面61 上。所述凹陷部641是可形成各種形成，例如矩形、圓形、弧形或其他幾何形狀。所述螢光 填充材料65是由螢光粉及黏著劑混合而成，本發明並不限定其混合比例。所述螢光填充材 料層65用以改變所述光學晶片60產生的色光的顏色。請參照圖6F所示，在分離所述光學晶片60之後，各光學晶片60的光學表面61上 皆具有所述螢光填充材料65及透明蓋板64，所述透明蓋板64具有保護作用，因此可取代透 光封裝材料。此時，已完成本實施例的光學晶片60的封裝製程。再者，如圖6G所示，在組 裝時，本發明第三實施例可直接利用所述導電金屬球66將所述光學晶片60固設於數個對 應電路板67上。當所述電路板67及導電金屬球66導入一外部電源時，外部電源可通過所 述導電通孔63而導引至所述光學晶片60的光學表面61，以產生光學反應(例如產生特定 色光)。同時，在產生光學反應期間造成的熱能，則可通過所述導電金屬球66 (及導電通孔 63)導出至所述電路板67。如上所述，相較於現有發光二極體晶片的封裝構造常因設置導線或以倒裝晶片方 式封裝而影響光取出效率，或者因設置黏著層而影響散熱效率等缺點，圖4至6的本發明利 用所述導電通孔43、53、63電性連接所述光學表面41、51、61及背面42、52、62，以便使電源 線路布局位於所述背面42、52、62而有效的避免影響所述光學表面41、51、61朝上發光，故 有利於提升光取出效率。再者，由於所述光學晶片40、50、60的背面42、52、62朝下，因此 可方便利用所述導電金屬球44、56、66將熱能迅速導出，故有利於提升散熱效率，並能延長 使用壽命。由於本發明具有較高的散熱效率，因此不但適用在封裝功率在1瓦特(w)以下 的發光二極體晶片，且亦適用在封裝功率在1瓦特(w)以上的發光二極體晶片。另外，當
8所述光學晶片40、50、60搭配使用所述透明蓋板55、64時，所述透明蓋板55、64可取代透 光封裝材料，因此使得整體封裝構造的尺寸能縮小到晶圓級的晶片尺寸封裝(wafer level chipscale package，WLCSP)，進而有利於封裝構造的微型化(miniaturization)。
本發明已由上述相關實施例加以描述，然而上述實施例僅為實施本發明的範例。 必需指出的是，已公開的實施例並未限制本發明的範圍。相反地，包含於權利要求書的精神 及範圍的修改及均等設置均包括於本發明的範圍內。
權利要求
一種光學晶片的封裝構造，其特徵在於所述光學晶片的封裝構造包含一光學晶片，具有一光學表面、一背面及至少二導電通孔，其中所述導電通孔貫穿所述光學晶片，且所述導電通孔的一第一端電性連接所述光學表面；及至少二導電金屬球，電性連接至所述導電通孔的一第二端。
2.如權利要求1所述的光學晶片的封裝構造，其特徵在於所述背面更包含一再分布 層，且所述再分布層電性連接所述導電通孔的所述第二端及所述導電金屬球。
3.如權利要求1所述的光學晶片的封裝構造，其特徵在於所述光學晶片利用所述導 電金屬球結合於一基板上，所述基板上具有一透光封裝材料，以包覆所述光學晶片及所述 導電金屬球。
4.如權利要求1所述的光學晶片的封裝構造，其特徵在於所述光學晶片的所述光學 表面上另設有一螢光填充材料層，所述螢光填充材料層上另設有一透明蓋板。
5.如權利要求1所述的光學晶片的封裝構造，其特徵在於所述光學晶片的所述光學 表面上另設有一具有一凹陷部的透明蓋板，且所述凹陷部內填入一螢光填充材料。
6.如權利要求1所述的光學晶片的封裝構造，其特徵在於所述光學晶片是發光二極 管晶片。
7.一種光學晶片的封裝構造的製造方法，其特徵在於所述光學晶片的封裝構造的制 造方法包含提供一光學晶圓，包含數個光學晶片，其中所述光學晶片具有一光學表面及一背面；在所述光學晶圓的所述光學晶片上分別形成至少二導電通孔，其中所述導電通孔貫穿 所述光學晶片，且所述導電通孔包含一電性連接所述光學表面的第一端，及一連接至所述 背面的第二端；在所述光學晶圓的各所述光學晶片的所述背面分別形成至少二導電金屬球，所述導電 金屬球分別電性連接至所述導電通孔的所述第二端；及切割所述光學晶圓，以分離所述光學晶片。
8.如權利要求7所述的光學晶片的封裝構造的製造方法，其特徵在於在形成所述導 電金屬球之前，另在所述光學晶圓的所述光學晶片的所述背面形成一再分布層，且所述再 分布層是電性連接所述導電通孔的所述第二端及所述導電金屬球。
9.如權利要求7所述的光學晶片的封裝構造的製造方法，其特徵在於在分離所述光 學晶片之後，利用所述導電金屬球將所述光學晶片固設於複數個對應基板上，所述基板具 有一透光封裝材料，以包覆所述光學晶片及導電金屬球。
10.如權利要求7所述的光學晶片的封裝構造的製造方法，其特徵在於在形成所述導 電金屬球之前，另在所述光學晶片的所述光學表面上設置一螢光填充材料層，所述螢光填 充材料層上另設置一透明蓋板。
11.如權利要求7所述的光學晶片的封裝構造的製造方法，其特徵在於在形成所述導 電金屬球之前，另在所述光學晶片的所述光學表面上設置一具有一凹陷部的透明蓋板，其 中所述凹陷部內填入一螢光填充材料。
12.如權利要求7所述的光學晶片的封裝構造的製造方法，其特徵在於所述光學晶片 是發光二極體晶片。
全文摘要
本發明公開一種光學晶片的封裝構造及其製造方法。所述封裝構造包含一光學晶片及至少二導電金屬球。所述光學晶片具有一光學表面、一背面及至少二導電通孔，所述光學表面朝上，而所述背面朝下。所述導電通孔貫穿所述光學晶片，所述導電通孔的一第一端電性連接所述光學表面，及其一第二端連接至所述背面。所述導電金屬球電性連接至所述導電通孔的第二端。
文檔編號H01L21/60GK101924169SQ200910150830
公開日2010年12月22日 申請日期2009年6月16日 優先權日2009年6月16日
發明者餘國寵, 高仁傑 申請人:日月光半導體製造股份有限公司