基片清洗用二流體噴射模塊及利用其的基片清洗裝置的製作方法
2023-06-13 02:57:41
專利名稱:基片清洗用二流體噴射模塊及利用其的基片清洗裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及基片清洗用二流體噴射模塊及利用其的基片清洗裝置，尤其涉及將兩種流體進行混合併擴散而噴射到基片表面的基片清洗用二流體噴射模塊及利用其的基片清洗裝置。
背景技術：
通常，半導體裝置或顯示裝置通過使用半導體晶片或平板顯示器(FPDflat panel display)，經過蒸鍍工藝、蝕刻工藝、光刻工藝、離子注入工藝等多種製造工藝而製造。
在這些製造工藝中表面處理工藝是利用清洗液、蝕刻液或顯影液等處理液處理基片表面，以對基片進行清洗(cleaning)、蝕刻(etching)、顯影(developing)或去膜(stripping)的工藝。
即，所述表面處理工藝通過所述處理液處理由傳送帶(conveyor)等移送方法以一定速度沿水平方向進行移送的基片的上表面、下表面或上下兩面而對基片進行清洗、蝕刻、顯影或去膜。
此外，在基片經過包括所述表面處理工藝的各種製造工藝的過程中，其表面會被顆粒及汙染物汙染而需要清除，為此在部分製造工藝的前/後進行所述清洗工藝。
如此，清洗工藝是用於清潔基片表面的工藝。
作為一例，清洗工藝由藥液處理工藝、衝洗工藝和乾燥工藝組成，尤其藥液處理工藝為了清除基片表面的顆粒及汙染物，在基片表面上使用去離子水(deionized water)或化學藥品(chemical)等清洗液。
並且，清洗工藝中曾經公開過具有清洗基片用二流體噴射模塊(下面簡稱二流體噴射模塊)的基片清洗裝置，該二流體噴射模塊為了清除顆粒及汙染物利用清洗液處理基片，並為了提高清洗能力在清洗液中混合乾燥空氣(Clean Dry Air)形成二流體，然後將所生成的二流體擴散以泡沫(bubble)形態衝擊基片表面。
圖1為現有的二流體噴射模塊的示意圖，圖2為將圖1中示出的二流體噴射模塊沿A-A′線截取的剖面圖。
如圖1及圖2所示，現有的二流體噴射模塊在主體10內部的混合空間11分別設有供應乾燥空氣和去離子水的供應管30、40，乾燥空氣和去離子水分別供應到所述混合空間11進行混合而生成二流體。
如此，在主體10內部的混合空間11生成的二流體將沿著在主體10的一端朝著基片的寬度方向設置的多個噴嘴尖端20擴散，以泡沫形態噴射到基片表面。
對於這種二流體噴射模塊而言，非常重要的是生成細微而均勻的二流體以提高清洗基片的效率，並將所生成的二流體均勻噴射到基片表面。
但是，現有的二流體噴射模塊採用分別供應清洗液和乾燥空氣之後在主體內部簡單進行混合的方式，因此各二流體的液滴大小互不均勻，導致清洗效率降低。
尤其，現有的二流體噴射模塊由於各二流體液滴的大小未能充分變成微粒，因此難以在精細的清洗工藝中使用。
發明內容本發明是為了解決如上所述的問題而提出的，其目的在於提供一種以超微粒狀態均勻地生成二流體並進行噴射的基片清洗用二流體噴射模塊及利用其的基片清洗裝置。
為了實現上述目的依據本發明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊，包含主體內部的用於接收乾燥空氣的第一接收部；所述主體內部的用於接收清洗液的第二接收部；噴射通道，該噴射通道一端與所述第一接收部連通，另一端露在所述主體外部，而側方具有流入所述第二接收部的清洗液的混入口。
其中，所述噴射通道在其兩側形成相互偏心而設置的所述混入口，使清洗液可以與乾燥空氣形成渦流的同時流入到所述噴射通道中。
並且，依據本發明所提供的基片清洗裝置，包含用於移送基片的移送部；設置在被移送的基片的上側、下側或上下兩側的所述二流體噴射模塊；向所述二流體噴射模塊供應清洗液的清洗液供應部；向所述二流體噴射模塊供應乾燥空氣的氣體供應部。
圖1為現有的基片清洗用二流體噴射模塊的示意圖；圖2為將圖1中示出的二流體噴射模塊沿A-A′線截取的剖面圖；圖3為本發明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的第一實施例的示意圖；圖4為將圖3中示出的基片清洗用二流體噴射模塊沿B-B′線截取的剖面圖；圖5為本發明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的第二實施例的示意圖；圖6為將圖5中示出的基片清洗用二流體噴射模塊沿C-C′線截取的剖面圖；圖7為將圖5中示出的基片清洗用二流體噴射模塊沿D-D′線截取的剖面圖；圖8為本發明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的第三實施例的示意圖；圖9為將圖8中示出的基片清洗用二流體噴射模塊沿E-E′線截取的剖面圖；圖10為將圖8中示出的基片清洗用二流體噴射模塊沿F-F′線截取的剖面圖；圖11為利用本發明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的基片清洗裝置一實施例的剖面圖。
主要符號說明100為主體，110、210為第一接收部，120、310為第二接收部，130、330為噴射通道，131、132、331、332為混入口，140、340為噴嘴尖端，150、220為第一供應管，160、320為第二供應管，200為第一主體，300為第二主體，400為移送部，500為二流體噴射模塊，600為清洗液供應部，700為氣體供應部。
具體實施方式以下，參照附圖詳細說明本發明的優選實施例。
實施例1
圖3為本發明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的第一實施例的示意圖，圖4為將圖3中示出的基片清洗用二流體噴射模塊沿B-B′線截取的剖面圖。
如圖3及圖4所示，依據本發明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的第一實施例中，二流體噴射模塊包含接收乾燥空氣的第一接收部110；接收清洗液的第二接收部120；噴射通道130，該噴射通道130一端與所述第一接收部110連通，另一端與噴嘴尖端140結合，而側方具有與所述第二接收部120連通的混入口131。
尤其，所述第一接收部110、所述第二接收部120、所述噴射通道130及所述混入口131通過在同一個主體100內進行孔加工而形成。
具體來講，第一接收部110通過從主體100的上表面朝底面按預定深度進行孔加工而形成，噴射通道130通過從第一接收部110的底端朝所述主體100的底面進行孔加工而形成，第二接收部120通過從主體100外側面朝噴射通道130的側方按預定深度進行孔加工而形成，混入口131通過從第二接收部120的端部進行孔加工而形成，以接通噴射通道130。
即，由於第一接收部110和噴射通道130的直徑沿著加工方向變小，因此易於進行孔加工；同樣，第二接收部120和混入口131的直徑也沿著加工方向變小，因此易於進行孔加工。
如上所述的依據本發明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的第一實施例中，供應乾燥空氣的第一供應管150連接於第一接收部110，供應清洗液的第二供應管160連接於所述第二接收部120。
因此，供應到第一接收部110的乾燥空氣沿著噴射通道130朝垂直下方流動，而供應到第二接收部120的清洗液根據文丘裡(venturi)效應通過混入口131高速流入到噴射通道130中。
高速流入到噴射通道130的清洗液與噴射通道130內部的乾燥空氣高速衝突而進行混合，因此與現有的簡單的混合方式相比生成更加細微並均勻的二流體薄霧。
如此混合而生成的二流體沿著噴射通道130移動的同時被擴散而生成更加細微的薄霧，最後通過噴射通道130端部的噴嘴尖端140噴射到基片上。
並且，在噴射通道130內混合而生成並進行擴散的二流體根據噴射通道130端部的噴嘴尖端140的形狀以特定的液滴形態噴射到基片表面。
綜上所述，依據本發明所提供的二流體噴射模塊的第一實施例，根據文丘裡效應使乾燥空氣和清洗液形成均勻的二流體薄霧，並通過機械加工在同一個主體100內部形成各接收部110、120和噴射通道130以及混入口131，因而提高製作的簡便性。
實施例2
圖5為本發明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的第二實施例的示意圖，圖6為將圖5中示出的基片清洗用二流體噴射模塊沿C-C′線截取的剖面圖，圖7為將圖5中示出的基片清洗用二流體噴射模塊沿D-D′線截取的剖面圖。在此，與先前的附圖相同的附圖標記表示具有相同功能的部件。
如圖5至圖7所示，依據本發明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的第二實施例中，二流體噴射模塊包含接收乾燥空氣的第一接收部110；接收清洗液的第二接收部120；噴射通道130，該噴射通道130一端與所述第一接收部110連通，另一端與噴嘴尖端140結合，而側方具有與所述第二接收部120連通的混入口131；尤其，所述第二接收部120在主體100的外側面形成為相互對稱的一對，而所述混入口131、132如圖7所示，形成在噴射通道130的兩側並相互偏心而設置。
因此，供應到第一接收部110的乾燥空氣沿著噴射通道130朝垂直下方流動，而供應到第二接收部120的清洗液根據文丘裡效應通過混入口131、132高速流入到噴射通道130中。
高速流入到噴射通道130的清洗液與噴射通道130內部的乾燥空氣形成旋迴狀的渦流，而且與乾燥空氣高速衝突，因此不僅可以更加細微地進行擴散，而且生成更加均勻的二流體薄霧。
如此混合而生成的二流體沿著噴射通道130流動的同時再次被擴散而通過噴射通道130端部的噴嘴尖端140噴射到基片上。
如上所述，依據本發明所提供的二流體噴射模塊的第二實施例，由於具有文丘裡結構和偏心設置的混入口131、132，從而使乾燥空氣和清洗液在噴射通道130中的流動性大幅增加。
因此，依據本發明所提供的二流體噴射模塊的第二實施例，由於使清洗液流入到噴射通道130，因此乾燥空氣和清洗液形成渦流，同時清洗液與乾燥空氣高速衝突而形成均勻的超微粒狀態的二流體薄霧。
實施例3
圖8為本發明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的第三實施例的示意圖，圖9為將圖8中示出的基片清洗用二流體噴射模塊沿E-E′線截取的剖面圖，圖10為將圖8中示出的基片清洗用二流體噴射模塊沿F-F′線截取的剖面圖。在此，與先前的附圖相同的附圖標記表示具有相同功能的部件。
如圖8至圖10所示，依據本發明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的第三實施例中，二流體噴射模塊包含接收乾燥空氣的第一接收部210；接收清洗液的第二接收部310；噴射通道330，該噴射通道330一端與所述第一接收部210連通，另一端與噴嘴尖端340結合，而側方具有與所述第二接收部310連通的混入口331、332。
尤其，所述第一接收部210和所述第二接收部310分別形成在互不相同的主體200、300內部，設置為上下結構。
如上所述的依據本發明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的第三實施例中，形成第一接收部210的第一主體200上連接用於供應乾燥空氣的第一供應管220、形成第二接收部310的第二主體300上連接用於供應清洗液的第二供應管320。
另外，所述實施例2中分別設置形成在主體100兩側的第二接收部120和向各第二接收部120供應清洗液的第二供應管160，而該第三實施例中只在第二主體300的一側連接第二供應管320，但也能向所述混入口331、332分別供應清洗液。
因此，供應到第一接收部210的乾燥空氣沿著噴射通道330朝垂直下方流動，而供應到第二接收部320的清洗液根據文丘裡效應通過混入口331、332高速流入到噴射通道330中。
高速流入到噴射通道330的清洗液與噴射通道330內部的乾燥空氣形成旋迴狀的渦流，而且與乾燥空氣高速衝突，因此不僅可以更加細微地進行擴散，而且生成更加均勻的二流體薄霧。
如此混合而生成的二流體沿著噴射通道330流動的同時再次被擴散而通過噴射通道330端部的噴嘴尖端340噴射到基片上。
如上所述，依據本發明所提供的二流體噴射模塊的第三實施例，不僅生成均勻的超微粒狀態的二流體薄霧，而且由於具有形成第二接收部320的第二主體300，因而即使只在第二主體300的一側連接第二供應管320，也能向用於形成渦流的混入口331、332分別供應清洗液，因此使設備變得簡單。
實施例4
圖11為利用本發明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的基片清洗裝置一實施例的剖面圖。在此，與先前的附圖相同的附圖標記表示具有相同功能的部件。
如圖11所示，利用依據本發明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的基片清洗裝置的一實施例包含用於移送基片S的移送部400；設置在被移送的基片S的上側、下側或上下兩側的所述實施例1至實施例3中的任意一個二流體噴射模塊500；向所述二流體噴射模塊500供應清洗液的清洗液供應部600；向所述二流體噴射模塊500供應乾燥空氣的氣體供應部700。
在此，雖然舉了所述二流體噴射模塊500採用所述實施例2的二流體噴射模塊500的例子，但是還可以採用所述實施例1或所述實施例3的基片清洗用二流體噴射模塊。
綜上所述，雖然通過附圖以特定的優選實施例為例說明了本發明，但本發明並不限定於上述實施例，在不脫離本發明思想的範圍內本發明所屬技術領域：
的具有通常知識的工作者可以進行各種變更和修改。
如上所述，由於本發明向基片表面噴射均勻並形成為超微粒狀態的二流體薄霧，因此不僅大幅度提高基片的清洗效率，而且可以進行精細的清洗過程。
並且，由於本發明通過各種方式以最簡單的結構進行製造，因此易於製造和維護。
權利要求
1.一種基片清洗用二流體噴射模塊，其特徵在於包含形成在主體內部的第一接收部，以用於接收乾燥空氣；形成在所述主體內部的第二接收部，用於接收清洗液；噴射通道，該噴射通道一端與所述第一接收部連通，另一端露在所述主體外部，而側方具有流入所述第二接收部的清洗液的混入口。
2.根據權利要求
1所述的基片清洗用二流體噴射模塊，其特徵在於所述噴射通道在其兩側形成相互偏心而設置的所述混入口，使清洗液與乾燥空氣形成渦流的同時流入到所述噴射通道中。
3.根據權利要求
2所述的基片清洗用二流體噴射模塊，其特徵在於所述主體包含形成所述第一接收部的第一主體和形成所述第二接收部及所述噴射通道的第二主體。
4.根據權利要求
1至3中的任意一項所述的基片清洗用二流體噴射模塊，其特徵在於所述噴射通道的另一端設置噴嘴尖端。
5.一種基片清洗裝置，其特徵在於包含用於移送基片的移送部；設置在被移送的基片的上側、下側或上下兩側的權利要求
1至3中的任意一項所述的二流體噴射模塊；向所述二流體噴射模塊供應清洗液的清洗液供應部；向所述二流體噴射模塊供應乾燥空氣的氣體供應部。
專利摘要
本發明涉及基片清洗用二流體噴射模塊及利用該二流體噴射模塊的基片清洗裝置，所提供的基片清洗用二流體噴射模塊包含主體內部的用於接收乾燥空氣的第一接收部；所述主體內部的用於接收清洗液的第二接收部；噴射通道，該噴射通道一端與所述第一接收部連通，另一端露在所述主體外部，而側方具有流入所述第二接收部的清洗液的混入口。依據本發明，由於向基片表面噴射混合而生成的均勻的二流體，因此大幅度提高基片的清洗效率。而且，由於本發明通過各種方式以最簡單的結構進行製造，因此易於製造和維護。
文檔編號B05B7/04GK1990124SQ200610110689
公開日2007年7月4日 申請日期2006年8月8日
發明者尹勤植, 蔡熙成 申請人:K.C.科技股份有限公司導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan