元件集合體臨時固定片及其製造方法與流程

2023-06-13 05:42:06

本發明涉及元件集合體臨時固定片以及製造方法，詳細而言，涉及元件集合體臨時固定片及其製造方法。

背景技術：

以往，公知有利用螢光體層等覆蓋層覆蓋多個led來製作覆蓋led的方法。

例如，提出了如下方法：準備具有硬質的支承板的支承片，將半導體元件配置於支承片的上表面，用密封層覆蓋半導體元件，之後，將密封層與半導體元件相對應地切斷(例如，參照日本特開2014－168036號公報。)。

在日本特開2014－168036號公報中，在支承板上設置有基準標記，以該基準標記為基準切斷密封層。

技術實現要素：

然而，支承板是硬質的，因此，存在難以設置標記這樣的不良情況。

本發明的目的在於，提供一種能夠在支承層上容易地設置對準標記的、元件集合體臨時固定片的製造方法以及由該製造方法獲得的元件集合體臨時固定片。

本發明[1]是一種元件集合體臨時固定片，其特徵在於，該元件集合體臨時固定片包括：元件集合體固定層，其用於對多個光半導體元件排列配置而成的元件集合體進行臨時固定；支承層，其由合成樹脂形成，用於對所述元件集合體固定層進行支承，在所述支承層上設置有對準標記。

在該元件集合體臨時固定片中，在由合成樹脂形成的支承層設置有對準標記，因此，對準標記可容易地形成於支承層。

本發明[2]根據[1]所記載的元件集合體臨時固定片，其特徵在於，所述對準標記由碳材料形成。

根據該元件集合體臨時固定片，對準標記由碳材料形成，因此，能夠提高對準標記的可視性。

本發明[3]根據[2]所記載的元件集合體臨時固定片，其特徵在於，所述碳材料由碳黑形成。

根據該元件集合體臨時固定片，所述碳材料由碳黑形成，因此，能夠提高對準標記的可視性。

本發明[4]根據[1]～[3]中任一項所記載的元件集合體臨時固定片，其特徵在於，所述對準標記是利用從由熱轉印和噴墨印刷構成的組選擇的至少1個方法設置的圖案。

根據該元件集合體臨時固定片，對準標記是可以從由熱轉印和噴墨印刷構成的組選擇的至少1個方法設置的圖案，因此，能夠容易地設置對準標記。

在本發明[5]中，所述元件集合體固定層以及所述支承層是透明的，所述對準標記是不透明的。

根據該元件集合體臨時固定片，能夠切實地視覺確認不透明的對準標記。因此，能夠以對準標記為基準切實地臨時固定元件集合體，或者能夠切實地切斷用於對元件集合體進行密封的密封層。

本發明[6]包括[1]所記載的元件集合體臨時固定片，其特徵在於，所述對準標記是顯影圖案。

根據該元件集合體臨時固定片，對準標記是顯影圖案，因此，能夠容易地設置對準標記。

本發明[7]包括[1]或[6]所記載的元件集合體臨時固定片，其特徵在於，所述對準標記由銀形成。

根據該元件集合體臨時固定片，對準標記由銀形成，因此，能夠提高對準標記的可視性。

本發明[8]包括[1]所記載的元件集合體臨時固定片，其特徵在於，所述元件集合體固定層和所述支承層是有色的，所述對準標記是貫通所述元件集合體固定層和所述支承層的貫通孔。

根據該元件集合體臨時固定片，元件集合體固定層和支承層是有色的，對準標記是貫通元件集合體固定層和支承層的貫通孔，因此，能夠使對準標記的可視性可靠。

本發明[9]包括[1]所記載的元件集合體臨時固定片，其特徵在於，所述元件集合體固定層的厚度小於120μm。

該元件集合體臨時固定片的元件集合體固定層的厚度薄達小於120μm，因此，處理性優異。

本發明[10]包括[1]所記載的元件集合體臨時固定片，其特徵在於，所述元件集合體固定層設置於所述支承層的至少一個面。

在該元件集合體臨時固定片中，元件集合體固定層設置於支承層的至少一個面，因此，能夠提高對準標記的可視性。

本發明[11]是一種元件集合體臨時固定片的製造方法，其特徵在於，該元件集合體臨時固定片的製造方法包括：準備已設置有感光層的支承層的工序(1)；通過光刻法由所述感光層以顯影圖案的形式形成對準標記的工序(2)；以及將用於對多個光半導體元件排列配置而成的元件集合體進行臨時固定的元件集合體固定層設置於所述支承層的工序(3)。

根據該元件集合體臨時固定片的製造方法，能夠簡便地設置對準標記。

本發明[12]包括一種元件集合體臨時固定片的製造方法，其特徵在於，該元件集合體臨時固定片的製造方法包括：在支承層由碳材料形成對準標記的工序(2)；以及將用於對多個光半導體元件排列配置而成的元件集合體進行臨時固定的元件集合體固定層設置於所述支承層的工序(3)。

根據該元件集合體臨時固定片的製造方法，能夠簡便地設置對準標記。

本發明[13]是[12]所記載的元件集合體臨時固定片的製造方法，其特徵在於，所述碳材料由碳黑形成.

根據該元件集合體臨時固定片的製造方法，能夠設置可視性得以提高的對準標記.

本發明[14]是[12]或[13]所記載的元件集合體臨時固定片的製造方法，其特徵在於，在所述工序(2)中，利用從由熱轉印和噴墨印刷構成的組選擇的至少1個方法形成所述對準標記。

根據該元件集合體臨時固定片的製造方法，能夠容易地設置對準標記。

本發明[15]包括一種元件集合體臨時固定片的製造方法，其特徵在於，該元件集合體臨時固定片的製造方法包括：將用於對多個光半導體元件排列配置而成的元件集合體進行臨時固定的元件集合體固定層設置於支承層的工序(3)；以及將貫通所述元件集合體固定層和所述支承層的貫通孔設置為對準標記的工序(4)。

根據該元件集合體臨時固定片的製造方法，能夠簡便地設置對準標記。

附圖說明

圖1是表示本發明的元件集合體臨時固定片的第1實施方式的俯視圖。

圖2是表示圖1所示的元件集合體臨時固定片的沿著a－a線的剖視圖。

圖3a～圖3c是使用光刻法來設置對準標記的方法的工序圖，

圖3a表示準備具有支承層以及感光層的帶感光層的支承層的工序(1)，

圖3b表示對感光層進行曝光的工序，

圖3c表示對感光層進行顯影的工序(2)。

圖4a～圖4e是使用圖2所示的元件集合體臨時固定片的方法的工序圖，

圖4a表示將載體設置於元件集合體臨時固定片之下的工序，

圖4b表示將多個光半導體元件臨時固定於元件集合體臨時固定片的工序，

圖4c表示利用密封層對多個光半導體元件進行密封的工序，

圖4d表示將密封層切斷而將密封光半導體元件從元件集合體臨時固定片剝離的工序，

圖4e表示將密封光半導體元件倒裝晶片安裝於基板的工序。

圖5表示第1實施方式的變形例的元件集合體臨時固定片的剖視圖。

圖6a和圖6b表示第1實施方式的元件集合體臨時固定片的使用方法的變形例，

圖6a表示在不切斷的情況下將密封元件集合體從元件集合體臨時固定片剝離的工序，

圖6b表示將密封元件集合體倒裝晶片安裝於基板的工序。

圖7表示第2實施方式的元件集合體臨時固定片的俯視圖。

圖8a～圖8e是圖7所示的元件集合體臨時固定片的使用方法的工序圖，

圖8a表示將載體設置於元件集合體臨時固定片之下的工序，

圖8b表示將多個光半導體元件臨時固定於元件集合體臨時固定構件的工序，

圖8c表示利用密封層對多個光半導體元件進行密封的工序，

圖8d表示將密封層切斷而將密封光半導體元件從元件集合體臨時固定片剝離的工序，

圖8e表示將密封光半導體元件倒裝晶片安裝於基板的工序。

圖9表示本發明的元件集合體臨時固定片的第3實施方式的俯視圖。

圖10a～圖10f是使用圖9所示的元件集合體臨時固定片的方法的工序圖，

圖10a表示將載體設置於元件集合體臨時固定片之上、並將第2壓敏粘接層設置於載體之上來準備臨時固定構件的工序，

圖10b表示將多個光半導體元件臨時固定於第2壓敏粘接層的工序，

圖10c表示利用密封層對多個光半導體元件進行密封的工序，

圖10d表示將密封層切斷的工序，

圖10e表示將密封光半導體元件從第2壓敏粘接層剝離的工序，

圖10f表示將密封光半導體元件倒裝晶片安裝於基板的工序。

圖11表示第3實施方式的變形例的元件集合體臨時固定片。

圖12a～圖12c是第3實施方式的元件集合體臨時固定片的使用方法的變形例，

圖12a表示不將密封元件集合體切斷、就將第2壓敏粘接層從元件集合體臨時固定片剝離的工序，

圖12b表示將光半導體元件以及密封層從第2壓敏粘接層剝離的工序，

圖12c表示將光半導體元件倒裝晶片安裝於基板的工序。

圖13a～圖13f是第4實施方式的元件集合體臨時固定片的使用方法的工序圖，

圖13a表示將載體設置於元件集合體臨時固定片之上、並將第2壓敏粘接層設置於載體之上來準備臨時固定構件的工序，

圖13b表示將多個光半導體元件臨時固定於第2壓敏粘接層的工序，

圖13c表示利用密封層對多個光半導體元件進行密封的工序，

圖13d表示將密封層切斷的工序，

圖13e表示將密封光半導體元件從第2壓敏粘接層剝離的工序，

圖13f表示將密封光半導體元件倒裝晶片安裝於基板的工序。

具體實施方式

在圖2中，紙面上下方向是上下方向(第1方向、厚度方向)，紙面上側是上側(第1方向的一側、厚度方向的一側)，紙面下側是下側(第1方向的另一側、厚度方向的另一側)。在圖2中，紙面左右方向是左右方向(與第1方向正交的第2方向、寬度方向)，紙面右側是右側(第2方向的一側、寬度方向的一側)，紙面左側是左側(第2方向的另一側、寬度方向的另一側)。在圖2中，紙厚方向是前後方向(與第1方向以及第2方向正交的第3方向)，紙面近前側是前側(第3方向的一側)，紙面進深側是後側(第3方向的另一側)。具體以各圖的方向箭頭為準。

1.第1實施方式

如圖1以及圖2所示，元件集合體臨時固定片1具有平板形狀，具體而言，具有預定的厚度，沿著與厚度方向正交的面方向(左右方向以及前後方向)延伸，具有平坦的表面以及平坦的背面。此外，在元件集合體臨時固定片1中，具有前後方向長度比左右方向長度(寬度)長的平板形狀。或者，元件集合體臨時固定片1具有前後方向較長的長條形狀。

如圖2所示，元件集合體臨時固定片1依次具有元件集合體固定層3、支承層2和第1壓敏粘接層4。具體而言，元件集合體臨時固定片1具有：支承層2；設置於支承層2之上的元件集合體固定層3；設置於支承層2之下的第1壓敏粘接層4。另外，在該元件集合體臨時固定片1中，元件集合體固定層3具有對準標記7。以下，說明各構件。

1－1.支承層

支承層2位於元件集合體臨時固定片1的厚度方向中央。也就是說，支承層2介於元件集合體固定層3以及第1壓敏粘接層4之間。元件集合體臨時固定片1具有平板形狀，具體而言，具有預定的厚度，沿著左右方向以及前後方向延伸，具有平坦的表面以及平坦的背面。另外，支承層2具有撓性。支承層2支承著元件集合體固定層3以及第1壓敏粘接層4。

支承層2由合成樹脂形成。作為合成樹脂，可列舉出例如聚乙烯(例如、低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、線性低密度聚乙烯等)、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-c4以上的α-烯烴共聚物等烯烴聚合物、例如、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸正丁酯共聚物等乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、例如、聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、例如聚碳酸酯、例如聚氨酯、例如、聚醯亞胺等聚合物。共聚物也可以是無規共聚物以及嵌段共聚物中的任一種。合成樹脂也可以單獨使用或組合使用兩種以上。另外，支承層2也可以是上述的合成樹脂的多孔質。

優選的是，支承層2由pet、聚碳酸酯形成。

另外，支承層2也可以由單層或多個層構成。

另外，上述的合成樹脂例如是透明的。也就是說，支承層2是透明的。具體而言，支承層2的全光線透過率例如是80％以上，優選的是90％以上，更優選的是95％以上，另外，例如是99.9％以下。

支承層2的線膨脹係數例如是500×10-6k-1以下，優選的是300×10-6k-1以下，另外，例如是2×10-6k-1以上，優選的是10×10-6k-1％以上。支承層2的線膨脹係數只要是上述的上限以下，則能夠達成以對準標記7為基準的光半導體元件11的排列、和/或密封層12的切斷。支承層2的線膨脹係數可由線膨脹係數測定裝置測定。對於以下的各構件的線膨脹係數也可通過同樣的方法測定。

支承層2的25℃時的拉伸彈性模量e例如是200mpa以下，優選的是100mpa以下，更優選的是80mpa以下，另外，例如是50mpa以上。支承層2的拉伸彈性模量e只要是上述的上限以下，就能夠確保撓性，能夠容易地設置對準標記7。

支承層2的厚度例如是10μm以上，優選的是30μm以上，另外，例如是350μm以下，優選的是100μm以下。

1－2.元件集合體固定層

元件集合體固定層3位於元件集合體臨時固定片1的上端部。元件集合體固定層3配置於支承層2的上表面。也就是說，元件集合體固定層3形成了元件集合體臨時固定片1的上表面。元件集合體固定層3具有平板形狀，具體而言，具有預定的厚度，沿著左右方向以及前後方向延伸，具有平坦的表面以及平坦的背面(除了與後述的對準標記7相對應的部分之外)。元件集合體固定層3以對多個光半導體元件11排列配置而成的元件集合體16(如後所述。參照圖1和圖4b)進行臨時固定的方式構成。

另外，元件集合體固定層3具有壓敏粘接性(粘合性)。

元件集合體固定層3由壓敏粘接劑形成。作為壓敏粘接劑，可列舉出例如丙烯酸系壓敏粘接劑、橡膠系壓敏粘接劑、sis(苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯·嵌段共聚物)系壓敏粘接劑、有機矽系壓敏粘接劑、乙烯基烷基醚系壓敏粘接劑、聚乙烯醇系壓敏粘接劑、聚乙烯吡咯烷酮系壓敏粘接劑、聚丙烯醯胺系壓敏粘接劑、纖維素系壓敏粘接劑、氨基甲酸酯系壓敏粘接劑、聚酯系壓敏粘接劑、聚醯胺系壓敏粘接劑、環氧系壓敏粘接劑等。優選的是，可列舉出有機矽系壓敏粘接劑。

另外，元件集合體固定層3是透明的。元件集合體固定層3的全光線透過率例如是80％以上，優選的是90％以上，更優選的是95％以上，另外，例如是99.9％以下。

元件集合體固定層3的線膨脹係數例如是500×10-6k-1以下，優選的是300×10-6k-1以下，另外，例如還是2×10-6k-1以上、優選的是100×10-6k-1以上。

將元件集合體固定層3與矽板壓敏粘接，在25℃時將元件集合體固定層3以180度從矽板剝離時的剝離力(參照日本標準jis-z-0237:2009)例如是0.1n/mm以上，優選的是0.3n/mm以上，另外，例如是1n/mm以下。元件集合體固定層3的剝離力只要是上述的下限以上，就能夠切實地臨時固定多個光半導體元件11。

元件集合體固定層3的厚度例如是5μm以上，優選的是10μm以上，另外，例如是小於120μm，優選的是小於100μm，更優選的是80μm以下，進一步優選的是60μm以下。在元件集合體固定層3的厚度超過上述的下限的情況下，能夠對元件集合體臨時固定片1的上表面切實地賦予壓敏粘接性。因此，能夠簡便地製造元件集合體臨時固定片1。在元件集合體固定層3的厚度低於上述的上限的情況下，能夠提高元件集合體固定層3的處理性。

1－3.第1壓敏粘接層

第1壓敏粘接層4位於元件集合體臨時固定片1的下端部。另外，第1壓敏粘接層4配置於支承層2的下表面。也就是說、第1壓敏粘接層4形成了元件集合體臨時固定片1的下表面。而且，第1壓敏粘接層4沿著厚度方向與元件集合體固定層3一起夾著支承層2。第1壓敏粘接層4具有平板形狀，具體而言，具有預定的厚度，沿著左右方向以及前後方向延伸，具有平坦的表面以及平坦的背面。

第1壓敏粘接層4具有壓敏粘接性(粘合性)。具體而言，第1壓敏粘接層4由與元件集合體固定層3相同的壓敏粘接劑形成。

第1壓敏粘接層4是透明的。第1壓敏粘接層4的全光線透過率例如是80％以上，優選的是90％以上，更優選的是95％以上，另外，例如是99.9％以下。

第1壓敏粘接層4的線膨脹係數例如是500×10-6k-1以下，優選的是300×10-6k-1以下，另外，例如還是2×10-6k-1以上，優選的是10×10-6k-1％以上。第1壓敏粘接層4的厚度例如是5μm以上，優選的是10μm以上，另外，例如小於100μm，優選的是80μm以下，更優選的是60μm以下。

1－4.對準標記

如圖2所示，對準標記7設置於支承層2的上表面。

如圖1以及圖2所示，具體而言，對準標記7在支承層2的上表面的右端部設置有多個。詳細而言，對準標記7設置於被劃分在元件集合體形成區域17的右側(寬度方向一側的一個例子)的標記形成區域18，在該元件集合體形成區域17設有後述的元件集合體16。標記形成區域18沿著前後方向配置於元件集合體臨時固定片1的右端部。

對準標記7是用於將元件集合體16臨時固定於元件集合體固定層3、且用於對密封元件集合體16的密封層12進行切斷的基準標記。具體而言，對準標記7具有排列標記8以及切斷標記9。排列標記8以及切斷標記9與沿著左右方向排列成一列的多個光半導體元件11(後述)相對應地各配置有1個，排列標記8以及切斷標記9沿著左右方向彼此隔開間隔地排列配置。

排列標記8是對準標記7中的位於左側的標記，沿著前後方向彼此隔開間隔地配置有多個。多個排列標記8各自具有例如大致圓形狀。

切斷標記9是對準標記7中的位於右側的標記，沿著前後方向彼此隔開間隔地配置有多個。具體而言，多個切斷標記9分別以在左右方向投影時不與各個排列標記8重疊的方式配置。也就是說，多個排列標記8和多個切斷標記9配置成交錯狀，也就是說，在左右方向投影時沿著前後方向交替地配置。各切斷標記9與各排列標記8隔開間隔地配置於各排列標記8的右前側。多個切斷標記9各自具有例如沿著左右方向延伸的大致棒(直線)形狀。

對準標記7是不透明的。

因此，對準標記7由不透明(後述)的材料形成。作為那樣的材料，可列舉出例如銀(金屬銀)等金屬材料、碳黑等碳材料等。

作為金屬材料，優選可列舉出銀。只要是銀，就能夠更進一步提高對準標記7的可視性。

另外，作為碳材料，優選可列舉出碳黑。只要是碳黑，就能夠更進一步提高對準標記7的可視性。

對準標記7的尺寸被適當設定。排列標記8的直徑(最大長度)例如是0.05mm以上，優選的是0.0mm以上，另外，例如是1mm以下，優選的是0.5mm以下。

相鄰的排列標記8的中心間的距離(即，間距)例如是0.05mm以上，優選的是0.1mm以上，另外，例如是1.0mm以下，優選的是0.8mm以下。

切斷標記9的左右方向長度例如是0.05mm以上，優選的是0.1mm以上，另外，例如是1mm以下，優選的是0.5mm以下。切斷標記9的寬度(前後方向長度)例如是0.05mm以上，優選的是0.1mm以上，另外，例如是1mm以下，優選的是0.25mm以下。在前後方向投影時左右相鄰的排列標記8以及切斷標記9之間的間隔例如是0.1mm以上，優選的是0.2mm以上，另外，例如是1mm以下，優選的是0.8mm以下。切斷標記9的中心間的間距例如是0.05mm以上，優選的是0.1mm以上，另外，例如是1.0mm以下，優選的是0.8mm以下。

對準標記7的厚度例如是0.5μm以上，優選的是1μm以上，另外，例如是10μm以下，優選的是5μm以下。

對準標記7的全光線透過率例如是40％以下，優選的是20％以下，更優選的是10％以下，另外，例如是0.1％以上。

1－5.第1剝離層以及第2剝離層

如圖2所示，元件集合體臨時固定片1還具有第1剝離層5以及第2剝離層6。

如參照圖4a以及圖4b那樣，第1剝離層5為了在直到利用元件集合體固定層3將光半導體元件11臨時固定為止的期間內保護元件集合體固定層3而以可剝離的方式貼合於元件集合體固定層3的表面。也就是說，第1剝離層5是由樹脂形成的撓性膜，在元件集合體臨時固定片1的出廠、輸送、保管時，該撓性膜以覆蓋元件集合體固定層3的表面的方式疊合於元件集合體固定層3的表面，在元件集合體固定層3即將使用之前，該撓性膜能夠從元件集合體固定層3的表面以呈大致u字狀彎曲的方式剝下來。另外，撓性膜的貼合面根據需要進行了剝離處理。作為撓性膜，可列舉出例如聚乙烯膜、聚酯膜(pet等)等聚合物膜等。第1剝離層5的厚度例如是1μm以上，優選的是10μm以上，另外，例如是2000μm以下，優選的是1000μm以下。

第2剝離層6為了在直到利用載體10支承第1壓敏粘接層4為止的期間內保護第1壓敏粘接層4而以可剝離的方式貼合於第1壓敏粘接層4的背面。也就是說，第2剝離層6是由樹脂形成的撓性膜，在元件集合體臨時固定片1的出廠、輸送、保管時，該撓性膜以覆蓋第1壓敏粘接層4的背面的方式疊合於第1壓敏粘接層4的背面，在第1壓敏粘接層4即將使用之前，該撓性膜能夠從第1壓敏粘接層4的背面以呈大致u字狀彎曲的方式剝下來。另外，撓性膜的貼合面根據需要進行了剝離處理。作為撓性膜，可列舉出例如聚乙烯膜、聚酯膜(pet等)等聚合物膜等。第2剝離層6的厚度例如是1μm以上，優選的是10μm以上，另外，例如是2000μm以下，優選的是1000μm以下。

並且，該元件集合體臨時固定片1不具有載體10以及光半導體元件11，依次包括第2剝離層6、第1壓敏粘接層4、支承層2、元件集合體固定層3以及第1剝離層5。優選的是，元件集合體臨時固定片1僅由第2剝離層6、第1壓敏粘接層4、支承層2、元件集合體固定層3以及第1剝離層5構成。

1－6.元件集合體臨時固定片的製造方法

接著，說明元件集合體臨時固定片1的製造方法。

參照圖2，在該方法中，首先準備支承層2，接下來設置對準標記7。

設置對準標記7的方法並沒有特別限定，可列舉出例如使用光刻法的方法、熱轉印(參照例如日本特開2000－135871號公報)、壓印、凸版印刷、凹版印刷、孔版印刷(絲網印刷)、噴墨印刷(參照例如日本特開2014－10823號公報)等。出於精度良好地配置對準標記7的方面考慮，優選的是，可列舉出使用光刻法的方法、絲網印刷，更優選的是，可列舉出使用光刻法的方法。另外，出於容易設置對準標記7的方面考慮，可列舉熱轉印、噴墨印刷。

在使用光刻法的方法中，具體而言，如圖3a～圖3c所示，依次實施準備已設有感光層21的支承層2的工序(1)(參照圖3a)、以及利用光刻法由感光層21以顯影圖案23的形式形成對準標記7的工序(2)(參照圖3b以及圖3c)。

在工序(1)中，如圖3a所示，準備具有支承層2、設置於支承層2的上表面的感光層21的帶感光層的支承層22。

感光層21設置於支承層2的整個上表面。感光層21由能夠利用光刻法形成顯影圖案23的感光材料形成。作為感光材料，可列舉出例如銀鹽乳劑。銀鹽乳劑含有例如銀鹽。作為銀鹽，可列舉出例如滷化銀等無機銀鹽、例如醋酸銀等有機銀鹽，優選的是，可列舉出對光的響應性優異的無機銀鹽。

感光層21的厚度例如是0.5μm以上，優選的是1μm以上，另外，例如是10μm以下，優選的是5μm以下。

在工序(2)中，如圖3b所示，隔著光掩模(未圖示)對感光層21照射活性能量射線。具體而言，使用由不鏽鋼等金屬形成的金屬掩模對感光層21進行局部地覆蓋，之後，對感光層21的從金屬掩模暴露的部分照射雷射(峰值波長150nm以上、250nm以下)。

由此，可在感光層21形成與對準標記7相同的圖案的曝光部分和與對準標記7相反的圖案的未曝光部分。

之後，如圖3c所示，將感光層21浸泡在顯影液中，保留曝光部分而去除未曝光部分(顯影)。由此，以顯影圖案23的形式形成對準標記7。

之後，支承層2之上設置元件集合體固定層3(工序(3)的一個例子)，並且，在支承層2之下設置第1壓敏粘接層4。

為了將元件集合體固定層3以及第1壓敏粘接層4分別設置於支承層2，首先，分別準備元件集合體固定層3以及第1壓敏粘接層4。

將元件集合體固定層3設置於例如第1剝離層5的表面。

將第1壓敏粘接層4例如設置於第2剝離層6的表面。

接下來，將元件集合體固定層3配置於支承層2的上表面。此時，以埋設對準標記7的方式將元件集合體固定層3配置於支承層2的上表面。

另外，將第1壓敏粘接層4配置於支承層2的下表面。

由此，獲得了包括支承層2、分別配置於支承層2的上下的元件集合體固定層3以及第1壓敏粘接層4、分別配置於元件集合體固定層3以及第1壓敏粘接層4的第1剝離層5以及第2剝離層6的元件集合體臨時固定片1。

元件集合體臨時固定片1的厚度例如是15μm以上，優選的是40μm以上，另外，例如是550μm以下，優選的是260μm以下。

另外，該元件集合體臨時固定片1具有撓性。

1－7.元件集合體臨時固定片的使用方法

接著，說明元件集合體臨時固定片1的使用方法。

如圖4a所示，首先，將載體10配置於第1壓敏粘接層4的下表面。

具體而言，首先，將圖2的以假想線所示的第2剝離層6從第1壓敏粘接層4剝離，之後，如圖4a所示，使載體10與第1壓敏粘接層4的下表面直接接觸。由此，使載體10與第1壓敏粘接層4壓敏粘接。

載體10是用於從下方支承元件集合體臨時固定片1的支承板。載體10形成為沿著前後方向以及左右方向延伸的大致平板狀。載體10在俯視時具有與元件集合體臨時固定片1的形狀相同的形狀。載體10的厚度例如是100μm以上，優選的是350μm以上，另外，例如是1000μm以下，優選的是600μm以下。載體10由硬質材料形成。作為硬質材料，可列舉出例如玻璃等透明材料、例如陶瓷、不鏽鋼等不透明材料。硬質材料的維氏硬度例如是0.5gpa以上，優選的是1pa以上，更優選的是1.2gpa以上，另外，例如是10gpa以下。只要載體10由硬質材料形成，具體而言，只要硬質材料的維氏硬度是上述的下限以上，就能夠切實地支承元件集合體臨時固定片1。

由此，可獲得依次具有載體10和元件集合體臨時固定片1的臨時固定構件30。另外，臨時固定構件30具有被設置於元件集合體臨時固定片1的支承層2的對準標記7。

接下來，如圖4a的假想線箭頭所示，在將第1剝離層5從元件集合體固定層3的上表面剝離之後，如圖4b所示，將多個光半導體元件11臨時固定於元件集合體固定層3的上表面。此時，以排列標記8為基準，將多個光半導體元件11排列配置(排列)於元件集合體固定層3的上表面。另外，將多個光半導體元件11設置於元件集合體固定層3中的元件集合體形成區域17。

具體而言，一邊視覺確認排列標記8來進行多個光半導體元件11的左右方向以及前後方向上的定位、一邊使多個光半導體元件11與元件集合體固定層3的上表面直接接觸。

為了視覺確認排列標記8，利用設置於臨時固定構件30的上方的照相機等從排列標記8的上方視覺確認排列標記8。此時，元件集合體固定層3是透明的，因此，能夠從元件集合體固定層3的上方視覺確認排列標記8。

此外，光半導體元件11具有上表面、沿著厚度方向與上表面相對配置的下表面、將上表面以及下表面連接起來的周側面。在下表面上形成有電極。

在排列標記8的上表面對多個光半導體元件11進行排列配置，從而構成元件集合體16。

相鄰的光半導體元件11的之間的間隔(前後方向和/或左右方向上的間隔)例如是0.05mm以上，優選的是0.1mm以上，另外，例如是1.0mm以下，優選的是0.8mm以下。此外，多個光半導體元件11各自的厚度(高度)例如是0.1μm以上，優選的是0.2μm以上，另外，例如是500μm以下，優選的是200μm以下。多個光半導體元件11各自的左右方向長度和/或前後方向長度例如是0.05mm以上，優選的是0.1mm以上，另外，例如是1.0mm以下，優選的是0.8mm以下。

接下來，如圖4c的實線以及圖1的單點劃線所示，利用密封層12密封元件集合體16。

例如由半固態或固態的密封組成物形成的密封片密封元件集合體16。或者通過灌注液體狀的密封組成物來密封元件集合體16。密封組成物含有有機矽樹脂、環氧樹脂等透明樹脂。密封組成物也能夠根據需要以適當的比例含有填充材料、螢光體、光反射性粒子等粒子。

密封層12對多個光半導體元件11各自的上表面以及側面、元件集合體固定層3的分別從多個光半導體元件11暴露的上表面進行覆蓋。密封層12以使元件集合體固定層3的上表面的處於標記形成區域18的部分暴露的方式設置於元件集合體固定層3的上表面的處於元件集合體形成區域17的部分。

由此，可獲得包括多個光半導體元件11(元件集合體16)和1個密封層12的密封元件集合體19。也就是說，密封元件集合體19以臨時固定於元件集合體臨時固定片1的狀態製得。

密封層12的厚度例如是40μm以上，優選的是50μm以上，另外，例如是500μm以下，優選的是300μm以下。

如圖1的雙點劃線以及圖4d的單點劃線所示，接下來，以將光半導體元件11單片化的方式將密封層12切斷。也就是說，密封元件集合體19被單片化。

為了切斷密封層12，可使用例如具有切刀的切斷裝置、例如具有雷射照射源的切斷裝置。

作為具有切刀的切斷裝置，可列舉出例如具有圓盤狀的切割鋸(切割刀片)的切割裝置、例如具有刀具的裁切裝置。

優選的是使用具有切刀的切斷裝置、更優選的是使用裁切裝置。

在利用上述的切斷裝置進行的密封層12的切斷中，以對準標記7的切斷標記9為基準切斷密封層12。另外，利用與用於排列標記8的視覺確認的照相機相同的照相機一邊從上方視覺確認對準標記7的切斷標記9、一邊切斷密封層12。

切斷後的密封層12的前後方向長度和/或左右方向長度例如是20mm以上，優選的是40mm以上，另外，例如是150mm以下，優選的是100mm以下。

由此，可製得多個具有1個光半導體元件11和1個密封層12的密封光半導體元件13，該多個密封光半導體元件13處於臨時固定於元件集合體固定層3(臨時固定構件30)的狀態。

接下來，如圖4d的箭頭所示，將多個密封光半導體元件13分別從元件集合體固定層3剝離。

接下來，在將多個密封光半導體元件13剝離了的臨時固定構件30中，將載體10從第1壓敏粘接層4剝離，對載體10進行再利用。另一方面，將元件集合體臨時固定片1(支承層2、元件集合體固定層3以及第1壓敏粘接層4)廢棄。也就是說，元件集合體臨時固定片1是一次性的。

之後，如圖4e所示，將密封光半導體元件13倒裝晶片安裝於基板14。

基板14具有沿著前後方向以及左右方向延伸的平板形狀。在基板14的上表面形成有可與光半導體元件11的電極電連接的端子。

由此，可獲得具有密封光半導體元件13和基板14的光半導體裝置15。

2.第1實施方式的作用效果

並且，在該元件集合體臨時固定片1中，在由合成樹脂形成的支承層2上設置有對準標記7，因此，對準標記7可容易地形成於支承層2。

然而，在日本特開2014－168036號公報中，在硬質的支承板設置標記，因此，無法對那樣的支承板進行再利用。但是，在該元件集合體臨時固定片1中，不是在載體10而是另外在設置於元件集合體臨時固定片1的支承層2上設置對準標記7，因此，能夠將比較低廉的包含支承層2的元件集合體臨時固定片1廢棄，而能夠對載體10進行再利用。因此，能夠抑制密封光半導體元件13的製造成本，進而能夠抑制光半導體裝置15的製造成本。

根據該元件集合體臨時固定片1，只要對準標記7由碳材料形成，就能夠提高對準標記7的可視性。

根據該元件集合體臨時固定片1，只要碳材料是碳黑，就能夠提高對準標記7的可視性。

根據該元件集合體臨時固定片1，只要對準標記7是利用從由熱轉印和噴墨印刷構成的組選擇的至少1個方法設置的圖案，就能夠容易地設置對準標記7。

另外，根據該元件集合體臨時固定片1，能夠隔著透明的元件集合體固定層3切實地視覺確認不透明的對準標記7。因此，如圖4b所示，能夠以排列標記8為基準切實地臨時固定元件集合體16，或者，還如圖4d的單點劃線所示，能夠以切斷標記9為基準切實地切斷密封層12。

另外，根據該元件集合體臨時固定片1，如圖3b以及圖3c所示，只要對準標記7是顯影圖案23，就能夠容易地設置對準標記7。

根據該元件集合體臨時固定片1，只要對準標記7由銀形成，就能夠提高對準標記7的可視性。

另外，該元件集合體臨時固定片1的元件集合體固定層的厚度小於100μm時，其厚度較薄，因此元件集合體固定層3的處理性優異。

根據該元件集合體臨時固定片1的製造方法，能夠簡便地設置對準標記7。

3.第1實施方式的變形例

在第1實施方式中，如圖1所示，排列標記8具有大致圓形狀，切斷標記9具有大致直線形狀。不過，對準標記7各自的形狀並沒有特別限定。

另外，首先，將元件集合體固定層3形成於第1剝離層5(參照圖2的假想線)的表面之後，將元件集合體固定層3從第1剝離層5轉印於支承層2，但也能夠例如將元件集合體固定層3直接形成於支承層2的上表面。

另外，首先，將第1壓敏粘接層4形成於第2剝離層6(參照圖2的假想線)的表面之後，將第1壓敏粘接層4從第2剝離層6轉印於支承層2，也能夠例如將第1壓敏粘接層4直接形成於支承層2的下表面。

另外，在第1實施方式中，如圖2所示，對準標記7設置於支承層2的上表面。

在變形例中，如圖5所示，對準標記7設置於支承層2的下表面。

將對準標記7埋設於第1壓敏粘接層4。

在參照圖4b將多個光半導體元件11排列於元件集合體固定層3時，或者參照圖4d切斷密封層12時，利用被配置於臨時固定構件30的上方的照相機隔著元件集合體固定層3以及支承層2對排列標記8或者切斷標記9進行視覺確認。

並且，雖未圖示，但也能夠將對準標記7設置於支承層2的上下兩面。

優選的是，將對準標記7僅設置於支承層2的一個面，也就是說，僅設置於上表面或者僅設置於下表面。若將對準標記7僅設置於支承層2的一個面，與將對準標記7設置於支承層2的上下兩面的圖5的情況相比，能夠簡易地形成對準標記7，能夠相應地降低製造成本。

更優選的是，如第1實施方式的圖2所示，對準標記7設置於支承層2的上表面。採用該結構，與對準標記7設置於支承層2的下表面的圖5的情況相比，能夠從上方更切實地視覺確認對準標記7。

另外，雖未圖示，但也能夠將對準標記7設置為使支承層2凹陷到厚度方向中途的凹部。

而且，在第1實施方式的使用方法中，如圖4d的單點劃線所示，切斷密封層12，將密封元件集合體19單片化。

而在變形例中，如圖6a所示，不切斷密封層12就使密封元件集合體19從元件集合體固定層3剝離，之後，如圖6b所示，將密封元件集合體19倒裝晶片安裝於基板14。

在該變形例中，不切斷密封層12，因此，雖未圖示，但對準標記7也可以不具有切斷標記9而僅由排列標記8構成。

4.第2實施方式

在第2實施方式中，對於與第1實施方式相同的構件以及工序，標註相同的參照附圖標記，省略其詳細的說明。

在第1實施方式中，如圖2以及圖4a所示，在元件集合體臨時固定片1(具體而言是支承層2)設置對準標記7.

在第2實施方式中，如圖8a所示，將對準標記7形成為貫通元件集合體臨時固定片1的貫通孔26。

貫通孔26沿著厚度方向貫通元件集合體固定層3、支承層2和第1壓敏粘接層4。

在第2實施方式中，載體10是無色的，元件集合體固定層3、支承層2和第1壓敏粘接層4中的至少一層是有色的，有色的至少一層例如以適當的比例具有染料、顏料等有色成分。

載體10的全光線透過率分別是例如80％以上，優選是90％以上，更優選是95％以下，另外，例如是99.9％以下。

有色的上述至少一層的全光線透過率是例如80％以下，優選是65％以下，更優選是50％以下。

上述至少一層是有色的，因此，貫通孔26在俯視中視覺確認成無色。也就是說，可利用有色的上述至少一層與無色的貫通孔26之間的對比如圖7所示明確地視覺確認貫通孔26。

為了製造該元件集合體臨時固定片1，如參照圖2那樣，準備依次具有第2剝離層6、第1壓敏粘接層4、支承層2、元件集合體固定層3和第1剝離層5的元件集合體臨時固定片1。

接下來，形成沿著厚度方向將第2剝離層6、第1壓敏粘接層4、支承層2、元件集合體固定層3和第1剝離層5一起貫通的貫通孔26。

貫通孔26利用例如切削、衝裁、雷射加工等形成。優選利用雷射加工形成貫通孔26。作為雷射加工，可列舉出例如準分子雷射、yag雷射、co2雷射等，出於以卷對卷連續地製造元件集合體臨時固定片1的觀點以及在大範圍的區域形成貫通孔26的觀點，優選可列舉出yag雷射。

在該元件集合體臨時固定片1的使用方法中，將第2剝離層6從第1壓敏粘接層4剝離，之後，如圖8a所示，使載體10與第1壓敏粘接層4的下表面直接接觸。接下來，將第1剝離層5從元件集合體固定層3的上表面剝離。

之後，如圖8b所示，以排列標記8為基準而將多個光半導體元件11排列配置(排列)於元件集合體固定層3的上表面。

此時，一邊視覺確認排列標記8且進行多個光半導體元件11的左右方向和前後方向上的定位，一邊使多個光半導體元件11與元件集合體固定層3的上表面直接接觸。

具體而言，視覺確認排列標記8(貫通孔26)為無色。可利用與有色的上述至少一層之間的對比明確地視覺確認排列標記8(貫通孔26)(參照圖7)。

另外，如圖8d所示，在將密封層12切斷之際，以切斷標記9為基準。具體而言，利用與上述的排列標記8(貫通孔26)的視覺確認同樣的方法視覺確認切斷標記9(貫通孔26)(參照圖7)。

5、第2實施方式的作用效果

根據第2實施方式，能夠起到與第1實施方式相同的作用效果。

尤其是，根據該方法，能夠將對準標記7簡便地設為貫通孔26。

6、第2實施方式的變形例

在上述說明中，如圖8a所示，形成有沿著厚度方向將元件集合體固定層3、支承層2、以及第1壓敏粘接層4一起貫通的貫通孔26。不過，雖未圖示，也能夠形成不貫通第1壓敏粘接層4而貫通元件集合體固定層3以及支承層2的貫通孔26。在該情況下，第1壓敏粘接層4是無色的，集合體固定層3以及支承層2中的至少一層是有色的。

採用該變形例，也能夠起到與第2實施方式同樣的作用效果。

6、第3實施方式

在第3實施方式中，對於與第1實施方式以及第2實施方式相同的構件以及工序，標註相同的參照附圖標記，省略其詳細的說明。

6－1.元件集合體臨時固定片

如圖9所示，第3實施方式的元件集合體臨時固定片1不具有第1壓敏粘接層4(參照圖2)而具有支承層2和元件集合體固定層3。另外，元件集合體臨時固定片1還能夠進一步具有第1剝離層5。優選的是，元件集合體臨時固定片1僅由支承層2以及元件集合體固定層3構成，另外，根據需要，優選的是，僅由支承層2、元件集合體固定層3以及第1剝離層5構成。

為了製造元件集合體臨時固定片1，首先準備支承層2，接下來利用上述的方法(圖3a～圖3c的方法)將對準標記7設置於支承層2。之後，將元件集合體固定層3設置於支承層2的整個上表面。

6－2.元件集合體臨時固定片的使用方法

接著，說明元件集合體臨時固定片1的使用方法。

如圖10a所示，首先將第1剝離層5(參照圖13)從元件集合體固定層3剝離，接下來，將載體10配置於元件集合體固定層3的上表面。

載體10由玻璃等透明材料形成。

由此，可獲得依次包括支承層2、元件集合體固定層3以及載體10的臨時固定構件30。優選的是，臨時固定構件30僅由支承層2、元件集合體固定層3以及載體10構成。

接下來，將第2壓敏粘接層25配置於載體10的上表面。

第2壓敏粘接層25具有平板形狀，具有預定的厚度，沿著左右方向以及前後方向延伸，具有平坦的表面以及平坦的背面。第2壓敏粘接層25具有壓敏粘接性(粘合性)。第2壓敏粘接層25具有與圖2所示的上述的元件集合體臨時固定片1(支承層2、元件集合體固定層3、第1壓敏粘接層4)同樣的層結構。另外，第2壓敏粘接層25也能夠由日本特開2014－168036號公報所記載的粘合層構成。此外，第2壓敏粘接層25具有在俯視時比元件集合體臨時固定片1的尺寸小的尺寸，具體而言，第2壓敏粘接層25以在厚度方向投影時不與對準標記7重疊的方式配置。具體而言，第2壓敏粘接層25配置於載體10的元件集合體形成區域17。第2壓敏粘接層25的厚度例如是30μm以上，優選的是50μm以上，另外，例如是500μm以下，優選的是300μm以下。

如圖10b所示，接下來，將多個光半導體元件11壓敏粘接於第2壓敏粘接層25的上表面。

此時，一邊從臨時固定構件30的上方視覺確認對準標記7的排列標記8、一邊以排列標記8為基準而將多個光半導體元件11排列配置(排列)於第2壓敏粘接層25的上表面。隔著透明的載體10以及元件集合體固定層3視覺確認排列標記8。

由此，可製得具有1個第2壓敏粘接層25和多個光半導體元件11的元件集合體16，該元件集合體16為支承於載體10的狀態。也就是說，元件集合體16被支承於載體10。也就是說，元件集合體16藉助載體10被臨時固定於元件集合體臨時固定片1(元件集合體固定層3)。

如圖10c所示，接下來，利用密封層12密封元件集合體16中的多個光半導體元件11。

密封層12對多個光半導體元件11各自的上表面以及側面、第2壓敏粘接層25的上表面的從多個光半導體元件11分別暴露的部分進行覆蓋。另一方面，密封層12未形成於載體10的上表面。

由此，可獲得包括元件集合體16、覆蓋元件集合體16的密封層12的密封元件集合體19。密封元件集合體19依次包括1個第2壓敏粘接層25、多個光半導體元件11和1個密封層12。優選的是，密封元件集合體19僅由1個第2壓敏粘接層25、多個光半導體元件11和1個密封層12構成。

如圖10d的單點劃線所示，接下來切斷密封層12。

由此，可製得多個具有1個光半導體元件11和1個密封層12的密封光半導體元件13，該密封光半導體元件13為臨時固定於第2壓敏粘接層25的狀態。

如圖10e的箭頭所示，將密封元件集合體19從載體10的上表面剝離。接下來，將多個密封光半導體元件13分別從第2壓敏粘接層25剝離。

在臨時固定構件30中，將載體10從元件集合體固定層3的上表面剝離，對載體10進行再利用。另一方面，將元件集合體臨時固定片1(支承層2以及元件集合體固定層3)廢棄。也就是說，元件集合體臨時固定片1是一次性的。

如圖10f所示，之後，將密封光半導體元件13倒裝晶片安裝於基板14而獲得光半導體裝置15。

7.第3實施方式的作用效果

根據第3實施方式，也能夠起到與第1實施方式以及第2實施方式同樣的作用效果。

另外，如圖9所示，該元件集合體臨時固定片1不具有第1壓敏粘接層4(參照圖2)，因此，與具有第1壓敏粘接層4的第1實施方式的元件集合體臨時固定片1相比，能夠使層結構簡單。

8.第3實施方式的變形例

在第3實施方式中，如圖9所示，對準標記7設置於支承層2的上表面。

在變形例中，如圖11所示，對準標記7設置於支承層2的下表面。

對準標記7朝向下方暴露。

在參照圖10b將多個光半導體元件11排列於第2壓敏粘接層25時，或者在參照圖10d切斷密封層12時，利用被配置於臨時固定構件30的上方的照相機隔著載體10、元件集合體固定層3以及支承層2對排列標記8或者切斷標記9進行視覺確認。

並且，雖未圖示，但也能夠將對準標記7設置於支承層2的上下兩面。

優選的是，將對準標記7僅設置於支承層2的一個面，也就是說，僅設置於上表面或者僅設置於下表面。若將對準標記7僅設置於支承層2的一個面，則與將對準標記7設置於支承層2的上下兩面的情況相比，能夠簡易地形成對準標記7，能夠相應地降低製造成本。

更優選的是，如第3實施方式的圖9所示，對準標記7設置於支承層2的上表面。採用該結構，與對準標記7設置於支承層2的下表面的圖11的情況相比，能夠從上方更切實地視覺確認對準標記7。

雖未圖示，但也能夠將對準標記7設置為使支承層2凹陷到厚度方向中途的凹部。

而且，在第2實施方式的使用方法中，如圖10d的單點劃線所示，切斷密封層12。

但是，在變形例中，如圖12a所示，不切斷密封層12就將第2壓敏粘接層25從載體10的上表面剝離。

接下來，如圖12b所示，將密封元件集合體19從多個光半導體元件11各自的下表面、以及密封層12的下表面剝離。

之後，如圖12c所示，將多個光半導體元件11倒裝晶片安裝於基板14。

在該變形例中，如圖12a所示，不切斷密封層12，因此，雖未圖示，但對準標記7也可以不具有切斷標記9而僅由排列標記8構成。

9.第4實施方式

在第4實施方式中，對於與第1實施方式～第3實施方式相同的構件以及工序，標註相同的參照附圖標記，省略其詳細的說明

如圖13a所示，也能夠將對準標記7設置為沿著厚度方向貫通元件集合體臨時固定片1的貫通孔26。

貫通孔26沿著厚度方向貫通支承層2和元件集合體固定層3。

該變形例中，如參照圖7那樣，可利用與支承層2和元件集合體固定層3之間的對比明確地視覺確認貫通孔26。

在該元件集合體臨時固定片1的使用方法中，將載體10配置於元件集合體固定層3的上表面。

如圖13a所示，接下來，將第2壓敏粘接層25配置於載體10的上表面。

如圖13b所示，接下來，將多個光半導體元件11壓敏粘接於第2壓敏粘接層25的上表面。

此時，一邊從臨時固定構件30的上方視覺確認對準標記7的排列標記8，一邊以排列標記8為基準而將多個光半導體元件11排列配置(排列)於第2壓敏粘接層25的上表面。

此時，從上方隔著該載體10將排列標記8視覺確認為有色的元件集合體固定層3和支承層2中的貫通孔26。可利用與上述至少一層之間的對比明確地視覺確認排列標記8(貫通孔26)(參照圖6)。

如圖13d的單點劃線所示，接下來，以對準標記7的切斷標記9為基準而將密封層12切斷。

並且，根據該第4實施方式，也能夠起到與第3實施方式相同的作用效果。

實施例

在以下的記載中所使用的配合比例(含有比例)、物性值、參數等的具體的數值能夠替代為上述的「具體實施方式」中所記載的、與它們相對應的配合比例(含有比例)、物性值、參數等該記載的上限值(被定義為「以下」、「小於」的數值)或下限值(被定義為「以上」、「超過」的數值)。

實施例1(與第1實施方式相對應的實施例)

1.元件集合體臨時固定片的製造

參照圖3a，首先，準備包括由pet形成的厚度175μm的支承層2、設置於該支承層2的上表面且由含有滷化銀的銀鹽乳劑形成的厚度3μm的感光層21的帶感光層的支承層22(工序(1))。帶感光層的支承層22的前後方向長度是600mm，左右方向長度是500mm。

支承層2的全光線透過率是95％。支承層2的線膨脹係數是70×10-6k-1。支承層2的25℃時的拉伸彈性模量e是60mpa。

元件集合體固定層3的全光線透過率是95％。元件集合體固定層3的線膨脹係數是220×10-6k-1。

接下來，如圖3b所示，使用由不鏽鋼形成的金屬掩模來局部地覆蓋感光層21，之後，對感光層21的從金屬掩模暴露的部分照射峰值波長是193nm的雷射。由此，以曝光圖案的形式形成排列標記8和切斷標記9。

之後，通過將帶感光層的支承層22浸泡在顯影液中，保留曝光部分而去除未曝光部分(進行了顯影)。由此，如圖3c以及圖1所示，以顯影圖案23的形式形成具有圓形狀的排列標記8和直線形狀的切斷標記9的對準標記7。

排列標記8的直徑是0.5mm，相鄰的排列標記8之間的間隔是1.14mm，相鄰的排列標記8的間距是1.64mm。切斷標記9的左右方向長度是0.5mm，前後方向長度是0.2mm。相鄰的切斷標記9之間的間隔是1.62mm，相鄰的切斷標記9的間距是1.64mm。

對準標記7是不透明的，具體而言，全光線透過率是10％。

另外，在第1剝離層5的表面設置由有機矽系粘接劑形成的厚度25μm的元件集合體固定層3，而在第2剝離層6的表面設置由有機矽系粘接劑形成的厚度15μm的第1壓敏粘接層4。

接下來，將元件集合體固定層3以包含對準標記7的方式配置於支承層2的上表面，同時將第1壓敏粘接層4配置於支承層2的下表面。

由此，如圖2所示，獲得依次包括第2剝離層6、第1壓敏粘接層4、支承層2、元件集合體固定層3以及第1剝離層5的元件集合體臨時固定片1。

2.元件集合體臨時固定片的使用(密封光半導體元件以及光半導體裝置的製造)

之後，使用元件集合體臨時固定片1來製造密封光半導體元件13，接下來製造光半導體裝置15。

即，將第2剝離層6從第1壓敏粘接層4剝離，之後如圖4a所示，在第1壓敏粘接層4的下表面配置由玻璃形成的厚度700μm的載體10。

如圖4的假想線箭頭所示，將第1剝離層5從元件集合體固定層3的上表面剝離，之後如圖4b所示，以排列標記8為基準將多個光半導體元件11排列配置於元件集合體固定層3。此時，照相機從上方視覺確認排列標記8。

光半導體元件11的厚度是150μm，光半導體元件11的左右方向長度以及前後方向長度是1.14mm，相鄰的光半導體元件11的之間的間隔是0.5mm以上。

如圖4c所示，接下來，利用密封層12密封元件集合體16。密封層12由含有100質量份的有機矽樹脂以及15質量份的螢光體的密封組成物形成。密封層12的厚度是400μm。由此，獲得包括多個光半導體元件11和1個密封層12的密封元件集合體19。

如圖1以及圖4d的單點劃線所示，接下來，以切斷標記9為基準，用切割鋸切斷密封層12，將密封元件集合體19單片化。此時，照相機從上方視覺確認切斷標記9。切斷後的密封層12的左右方向長度以及前後方向長度分別是100mm。

由此，製得包括光半導體元件11和密封層12的密封光半導體元件13，該密封光半導體元件13為臨時固定於臨時固定構件30的狀態。

接下來，如圖4d的箭頭所示，將多個密封光半導體元件13分別從元件集合體固定層3剝離下來。

之後，如圖4e所示，將密封光半導體元件13倒裝晶片安裝於基板14。

實施例2(與第1實施方式相對應的實施例)

除了利用含有碳黑的塗布液的噴墨印刷和乾燥形成了對準標記7以外，與實施例1同樣地進行處理而獲得元件集合體臨時固定片1，接下來，使用元件集合體臨時固定片1而製造密封光半導體元件13，繼續製造了光半導體裝置15。

實施例3(與第2實施方式的變形例相對應的實施例)

準備了包括由聚醯亞胺形成的厚度25μm的支承層2、由有機矽系壓敏粘接劑形成的厚度6μm的元件集合體固定層3、以及由聚酯形成的厚度50μm的第1剝離層5的層疊體(商品名「trm－6250－l」、日東電工株式會社制)。

支承層2的全光線透過率是95％。支承層2的線膨脹係數是70×10－6k－1。支承層2的25℃時的拉伸模量e是60mpa。

元件集合體固定層3的全光線透過率是95％。元件集合體固定層3的線膨脹係數是220×10－6k－1。

接下來，利用yag雷射，以與實施例1同樣的圖案形成了貫通孔26。yag雷射的條件如下所述。

yag雷射：model5330(株式會社esi制)

射束直徑：5μm

雷射功率：2.5w

脈衝的重複頻率：30khz

掃描速度＝150mm/秒

之後，在支承層2的下表面載置了由有機矽系粘合劑形成的厚度15μm的第1壓敏粘接層4和第2剝離層6。由此，獲得了元件集合體臨時固定片1。

之後，與實施例1同樣地使用元件集合體臨時固定片1而製造密封光半導體元件13(參照圖8a～8d)，繼續製造了光半導體裝置15(參照圖8e)。

實施例4(與第3實施方式相對應的實施例)

1.元件集合體臨時固定片的製造

除了不具有第2剝離層6以及第1壓敏粘接層4以外，與實施例1同樣地進行處理而獲得元件集合體臨時固定片1。

也就是說，如圖9所示，該元件集合體臨時固定片1依次包括支承層2、元件集合體固定層3以及第1剝離層5。元件集合體臨時固定片1的厚度是100μm。

2.元件集合體臨時固定片的使用(密封光半導體元件以及光半導體裝置的製造)

之後，使用元件集合體臨時固定片1來製造密封光半導體元件13，接下來製造光半導體裝置15。

即、首先將第1剝離層5從元件集合體固定層3剝離，接下來如圖10a所示，在元件集合體固定層3的上表面配置由玻璃形成的厚度700μm的載體10。另外，將由元件集合體臨時固定片1形成的厚度90μm的第2壓敏粘接層25配置到載體10的上表面，該元件集合體臨時固定片1由支承層2、元件集合體固定層3和第1壓敏粘接層4形成。

如圖10b所示，接下來，以排列標記8為基準將多個光半導體元件11排列配置到第2壓敏粘接層25的上表面。此時，照相機從上方視覺確認排列標記8。光半導體元件11的尺寸以及相鄰的光半導體元件11之間的尺寸與實施例1是同樣的。

由此，獲得包括第2壓敏粘接層25和多個光半導體元件11的元件集合體16，該元件集合體16為藉助載體10支承於元件集合體臨時固定片1的狀態。

如圖10c所示，接下來，利用密封層12密封元件集合體16中的多個光半導體元件11。密封層12由含有100質量份的有機矽樹脂以及15質量份的螢光體的密封組成物形成。密封層12的厚度是400μm。

由此，獲得包括元件集合體16和覆蓋多個光半導體元件11的密封層12的密封元件集合體19。

如圖10d的單點劃線所示，接下來，以切斷標記9為基準用切割鋸切斷密封層12。此時，照相機從上方對切斷標記9進行視覺確認。切斷後的密封層12的左右方向長度以及前後方向長度均為1.62mm。

之後，如圖10e的箭頭那樣，將密封元件集合體19從載體10的上表面剝離下來。接下來，將多個密封光半導體元件13分別從第2壓敏粘接層25剝離下來。

之後，如圖10f所示，將密封光半導體元件13倒裝晶片安裝於基板14而獲得光半導體裝置15。

實施例5(與第3實施方式相對應的實施例)

除了利用含有碳黑的塗布液的噴墨印刷和乾燥形成了對準標記7以外，與實施例4同樣地進行處理而獲得元件集合體臨時固定片1，接下來，使用元件集合體臨時固定片1製造密封光半導體元件13，繼續製造了光半導體裝置15。

實施例6(與第4實施方式相對應的實施例)

除了不具有第2剝離層6和第1壓敏粘接層4以外，與實施例3同樣地進行處理而獲得了元件集合體臨時固定片1(參照圖13a)。接下來，製造密封光半導體元件13(參照圖13a～13e)，繼續製造了光半導體裝置15(參照圖13f)。

此外，作為本發明的例示的實施方式提供了上述說明，但這只不過是例示，並不能進行限定性的解釋。對於本領域技術人員顯而易見的本發明的變形例包含在權利要求書中。