一種真空滅弧室的製作方法
2023-06-29 20:10:46
專利名稱：一種真空滅弧室的製作方法
技術領域：
本發明涉及高壓真空開關領域，特別涉及一種真空滅弧室。
背景技術：
在高電壓等級，國內都是SF6的電力設備，SF6氣體雖然具有很好的高 壓特性，但SF6氣體本身就是溫室氣體，加之開斷後的分解物對人身有害， 並且設備內充有一定的壓力而具有壓力容器的危害性，特別在寒冷地區，SF6 氣體出現液化現象影響開關設備的實際性能，危及電力電網的正常運行。因 此全球範圍都在尋找可以減少其排放的可能性以及替換的可能性。
真空技術在中壓等級(3.6kV 40.5kV)日益成熟，鑑於真空開關具有的 諸多優勢如優良的防爆性能，安全可靠性高；優良的環保性能；檢修周期 長；操作功小，環境噪音小；低環境氣溫下不會出現液化現象而影響開斷和 絕緣性能。因此，探索高電壓真空應用技術，尤其是真空滅弧室，具有重要 意義。
發明內容
本發明的目的在於提供一種真空滅弧室，它能夠提高高壓開關或斷路器 的耐壓水平和開斷能力。
為了達到上述目的，本發明採用以下技術方案予以實現 一種真空滅弧 室，包括絕緣外殼結構，以及設置在絕緣外殼結構內的靜觸頭、靜導電桿、 動觸頭、動導電桿，其特徵在於，所述絕緣外殼結構包含外露屏蔽罩，外露 屏蔽罩兩端分別連接有第一陶瓷外殼和第二陶瓷外殼；所述靜觸頭位於外露 屏蔽罩內，與靜導電桿的一端固定，靜導電桿的另一端與設置在第一陶瓷外殼外端部的端蓋固定連接；所述動觸頭位於外露屏蔽罩內，與動導電桿的一 端固定，動導電桿的另一端滑動貫穿設置在第二陶瓷外殼外端部的端蓋；所 述第一和第二陶瓷外殼的內壁上設置有多個均衡屏蔽罩。 本發明的進一步改進和特點在於-
所述均衡屏蔽罩設置在第一和第二陶瓷外殼的內壁中間，其結構為徑向 相對的兩個半圓筒，半圓筒的兩個軸向自由端向內巻邊。
所述均衡屏蔽罩設置在第一和第二陶瓷外殼靠近外端部的內壁上，其結 構為徑向相對的兩個半圓筒，半圓筒遠離所述外端部的軸向自由端向內巻邊。
所述第二陶瓷外殼內設置有波紋管，所述動導電桿貫穿波紋管，波紋管 的一端固定在所述第二陶瓷外殼外端部的端蓋內側，另一端固定在所述動導 電桿上。
所述動、靜觸頭的電極結構為沿直徑方向通過加強筋連接的圓環，與所 述強筋垂直且在圓環的徑向設置有兩個凸耳，所述加強筋與兩個凸耳之間均 有一縫隙。
所述第一、第二陶瓷外殼與外露屏蔽罩分別通過過渡環焊接成一體。 所述均衡屏蔽罩與第一或第二陶瓷外殼通過過渡環焊接在一起。 所述均衡屏蔽罩由無氧銅製成。 所述外露屏蔽罩由不鏽鋼材料製成。
由於本發明的在第一和第二陶瓷外殼的內壁上設置有多個均衡屏蔽罩， 能夠均衡真空滅弧室內部觸頭間的電場分布，保證絕緣外殼能夠承受更高的 電壓，在保證開斷性能的前提下大大縮小了真空滅弧室的直徑，而且還具有 承接噴濺的電弧生成物的作用；均衡屏蔽罩的軸向自由端向內巻邊，還能夠 起到分割電弧的作用。
圖1為採用本發明的126kV真空滅弧室結構示意圖； 圖2為圖1的絕緣外殼結構的連接示意圖； 圖3為圖1中均衡屏蔽罩的安裝示意圖；圖4為動、靜觸頭的電極結構圖中，l為端蓋，2為靜導電桿，3為第一陶瓷外殼，4為第二陶瓷外殼， 5為靜觸頭，6為外露屏蔽罩，7為動觸頭，8為動導電桿，9為波紋管，10 為均衡屏蔽罩，ll為過渡環，12為圓環，13為加強筋，14為凸耳。
具體實施例方式
以下結合附圖及實施例對本發明作進一步的詳細說明。
參照圖l， 一種126kV真空滅弧室，包括絕緣外殼結構，以及設置在 絕緣外殼結構內的靜觸頭5、靜導電桿2、動觸頭7、動導電桿8。絕緣外殼 結構包含外露屏蔽罩6，外露屏蔽罩6兩端分別通過焊接連接有第一陶瓷外 殼3和第二陶瓷外殼4。採用外露屏蔽罩6，可以獲得穩定的開斷環境。
靜觸頭5位於外露屏蔽罩6內，與靜導電桿2的一端焊接固定，靜導電 杆2的另一端與設置在第一陶瓷外殼3外端部的端蓋1固定連接。動觸頭7 位於外露屏蔽罩6內，與動導電桿8的一端焊接固定，動導電桿8的另一端 滑動貫穿設置在第二陶瓷4外殼外端部的端蓋1 。
第一和第二陶瓷外殼3、 4的內壁上焊接有多個均衡屏蔽罩10。焊接在 第一和第二陶瓷外殼3、 4的內壁中間的均衡屏蔽罩10，其結構為徑向相對 的兩個半圓筒，半圓筒的兩個軸向自由端向內巻邊。焊接在第一和第二陶瓷 外殼3、 4靠近外端部的內壁上的均衡屏蔽罩10，其結構為徑向相對的兩個 半圓筒，半圓筒遠離陶瓷外殼外端部的軸向自由端向內巻邊。採用多個均衡 屏蔽罩IO，可以獲得可靠的絕緣水平。
第二陶瓷外殼4內設置有波紋管9，動導電桿8貫穿波紋管9，波紋管9 的一端固定在第二陶瓷外殼4外端部的端蓋1內側，另一端固定在所述動導 電桿8上。這樣，既保證了氣密性又保證了運動的可靠性。
參照圖2，第一、第二陶瓷外殼3、 4與外露屏蔽罩10通過過渡環11焊 接成一體，外露屏蔽罩IO採用不鏽鋼，不僅承接噴濺的電弧生成物而且均衡 真空滅弧室內部觸頭間的電場分布，保證開斷性能的前提下大大縮小了真空 滅弧室的直徑。參照圖3，均衡屏蔽罩10採用無氧銅製成，通過過渡環ll焊接在第一、 第二陶瓷外殼3、 4內壁，均衡了內部的電場結構，使整個真空滅弧室的電場 得到了優化分布，保證絕緣外殼能夠承受更高的電壓。
參照圖4，動、靜觸頭的電極結構為沿直徑方向通過加強筋13連接的圓 環12,與加強筋13垂直且在圓環12的徑向設置有兩個凸耳14，加強筋13 與兩個凸耳14之間均有一縫隙。這樣的電極結構相當於四個電極並聯，如圖 中電流I的流向，合理安排了電極的電流流向，實現了數個電極並聯的目的， 可以獲得高的開斷能力。
權利要求
1、一種真空滅弧室，包括絕緣外殼結構，以及設置在絕緣外殼結構內的靜觸頭、靜導電桿、動觸頭、動導電桿，其特徵在於，所述絕緣外殼結構包含外露屏蔽罩，外露屏蔽罩兩端分別連接有第一陶瓷外殼和第二陶瓷外殼；所述靜觸頭位於外露屏蔽罩內，與靜導電桿的一端固定，靜導電桿的另一端與設置在第一陶瓷外殼外端部的端蓋固定連接；所述動觸頭位於外露屏蔽罩內，與動導電桿的一端固定，動導電桿的另一端滑動貫穿設置在第二陶瓷外殼外端部的端蓋；所述第一和第二陶瓷外殼的內壁上設置有多個均衡屏蔽罩。
2、 根據權利要求1所述的一種真空滅弧室，其特徵在於，所述均衡屏 蔽罩設置在第一和第二陶瓷外殼的內壁中間，其結構為徑向相對的兩個半圓 筒，半圓筒的兩個軸向自由端向內巻邊。
3、 根據權利要求1所述的一種真空滅弧室，其特徵在於，所述均衡屏 蔽罩設置在第一和第二陶瓷外殼靠近外端部的內壁上，其結構為徑向相對的 兩個半圓筒，半圓筒遠離所述外端部的軸向自由端向內巻邊。
4、 根據權利要求1所述的一種真空滅弧室，其特徵在於，所述第二陶 瓷外殼內設置有波紋管，所述動導電桿貫穿波紋管，波紋管的一端固定在所 述第二陶瓷外殼外端部的端蓋內側，另一端固定在所述動導電桿上。
5、 根據權利要求1所述的一種真空滅弧室，其特徵在於，所述動、靜 觸頭的電極結構為沿直徑方向通過加強筋連接的圓環，與所述強筋垂直且在 圓環的徑向設置有兩個凸耳，所述加強筋與兩個凸耳之間均有一縫隙。
6、 根據權利要求1所述的一種真空滅弧室，其特徵在於，所述第一、 第二陶瓷外殼與外露屏蔽罩分別通過過渡環焊接成一體。
7、 根據權利要求1所述的一種真空滅弧室，其特徵在於，所述均衡屏 蔽罩與第一或第二陶瓷外殼通過過渡環焯接在一起。
8、 根據權利要求1所述的一種真空滅弧室，其特徵在於，所述均衡屏 蔽罩由無氧銅製成。
9、根據權利要求1所述的一種真空滅弧室，其特徵在於，所述外露屏 蔽罩由不鏽鋼材料製成。
全文摘要
本發明涉及高壓真空開關領域，公開了一種真空滅弧室。它包括絕緣外殼結構，以及設置在絕緣外殼結構內的靜觸頭、靜導電桿、動觸頭、動導電桿，其特徵在於，所述絕緣外殼結構包含外露屏蔽罩，外露屏蔽罩兩端分別連接有第一陶瓷外殼和第二陶瓷外殼；所述靜觸頭位於外露屏蔽罩內，與靜導電桿的一端固定，靜導電桿的另一端與設置在第一陶瓷外殼外端部的端蓋固定連接；所述動觸頭位於外露屏蔽罩內，與動導電桿的一端固定，動導電桿的另一端滑動貫穿設置在第二陶瓷外殼外端部的端蓋；所述第一和第二陶瓷外殼的內壁上設置有多個均衡屏蔽罩。
文檔編號H01H33/66GK101436487SQ20081023242
公開日2009年5月20日 申請日期2008年11月25日 優先權日2008年11月25日
發明者於文瑛, 元復興, 峰 潘, 顏莉萍 申請人:中國西電電氣股份有限公司