用於切割非金屬基片的方法
2023-06-29 20:11:06 2
專利名稱：用於切割非金屬基片的方法
技術領域：
本發明涉及一種用於切割非金屬基片的方法，更具體來講，涉及這樣一種用於切割非金屬基片的方法其能對用來快速加熱非金屬基片的能量源的形狀和排列進行優化，由此提高切割速度，同時改善切割面的質量。
背景技術：
本申請中描述的非金屬基片包括矽質的矽基片和由玻璃製成的玻璃基片。
例如，在該非金屬基片為矽基片的條件下，矽基片可用作半導體產品的母質，這些半導體產品用於在每一單位面積內存儲大量數據，或用於在每一單位時間內處理大量的數據。
在另一方面，如果該非金屬基片為玻璃基片，則該玻璃基片可用作LCD(液晶顯示)裝置中LCD面板的母材，LCD裝置與CRT(陰極射線管)型顯示裝置相比，具有小得多的尺寸和更輕的重量。
近來，為了最大可能地提高某一產品或多個產品的生產率，在上述的非金屬基片上同時制出多個產品—例如是半導體晶片或多個LCD面板，然後再將它們相互分割開。
例如，在非金屬基片為矽基片的情況下，在該矽基片上制出多個半導體晶片，然後再將各個晶片分割開，分別進行封裝，從而由同一片矽基片制出多個半導體產品。
同時，在非金屬基片為玻璃基片的情況下，用同一加工過程在該玻璃基片上制出多塊顯示面板，然後在隨後的過程中對玻璃基片上形成的顯示面板進行組裝而製造出LCD面板，這樣就能使產品生產率達到最大。
因而，在非金屬基片上同時制出多塊LCD面板的情況下，由於將各塊LCD面板分割開的過程差不多是最後執行的一個步驟，所以該過程是非常重要的。如果在分割過程中在LCD面板上造成了缺陷，則成品率就會極大地降低。
另外，由於不可能通過返工來修復分割過程中造成的缺陷，所以分割過程中的缺陷會使得生產率降低。
為了將各塊LCD面板從非金屬基片上分割開，現有技術中採用了接觸—衝擊類型的切割方法。
在接觸—衝擊型的切割方法中，在非金屬基片表面上用物理方法形成一條溝槽狀的刻痕線。然後，向刻痕線作用一個衝擊力而將每個產品從非金屬基片上分裂出去。
所用的傳統分割裝置是金剛石切割器。該金剛石切割器上帶有一個金剛石切刃和一個衝擊裝置，在其中的切刃中，切削金剛石被精緻地嵌入到一個薄圓形板的外周表面部分中，並在該圓形板的中心部分上布置一個轉動裝置；衝擊裝置用來對非金屬基片施加一個輕微的衝擊。
然而，這樣的接觸—衝擊型切割方法存在很多的問題。因而，傳統的切割方法會造成生產率有很大的降低。
具體來講，在用接觸—衝擊型切割方法來分割玻璃基片形式的非金屬基片時，存在這樣的問題常常會切割到玻璃基片上不希望進行切割的部分。
該問題的原因在於在非金屬基片上製成刻痕線的過程中—尤其是用金剛石切刃來加工玻璃基片的過程中，刻痕線的切割面製得很粗糙。
如果刻痕線的切割面是用上述的方法粗糙地制出的，則在粗糙的切割面上就會產生應力集中。因而，外界作用的小應力很容易造成微裂紋。另外，在其它小應力、振動或衝擊的作用下，該微裂紋會迅速地擴展到不希望發生斷裂的部位。最後，就會將玻璃基片上不希望去掉的部分分割下去。
如上所述，如果不利裂紋擴展到玻璃基片上制出的顯示板上，則就會對顯示板造成不可修復的嚴重損壞。
此外，當用傳統的接觸—衝擊型切割方法來分割非金屬基片時，由於非金屬基片是被直接加工的，會產生大量的碎屑，從而就需要對分割開的非金屬基片執行一個清潔過程。因而就出現了另一個問題增加了加工步驟的數目。
作為備選方案，為了用金剛石切刃來切割非金屬基片，必須要在非金屬基片上留出一個切割區，該切割區包括一個至少與金剛石切刀寬度對應的加工餘量。但是，這就會出現另一個問題由於要留出切割面積，所以很難使非金屬基片上用來製造產品的有效表面積達到最大。
發明內容
因而，本發明的目的是提供一種用於切割非金屬基片的方法，在該方法中，利用一種切割工具和非接觸式方法來分割非金屬基片，而無需採用清潔過程，以此來避免出現對非金屬基片的切割失誤，並由此使非金屬基片上用來製造產品的有效面積達到最大，同時提高切割速度。
為了實現本發明上述目的，本文提供了一種用於切割非金屬基片的方法。在上述的方法中，橢圓形的第一雷射束掃描照射到非金屬基片上形成的一個切割路徑上，以對切割路徑進行快速加熱。第一雷射束的橢圓長軸和短軸比在約40∶1到80∶1之間。利用向指定切割路徑上噴灑冷卻液而產生的熱應力，可在非金屬基片上形成一條槽狀的刻痕線。沿該切割路徑掃描照射第二雷射束來切開非金屬基片。
本文還提供了一種用於切割非金屬基片的方法。在上述方法中，第一雷射束掃描照射到非金屬基片上形成的一切割路徑上，以對切割路徑進行快速加熱。利用向指定切割路徑噴灑冷卻液而產生的熱應力，在非金屬基片上形成一條槽狀的刻痕線。沿切割路徑掃描照射第二雷射束來切開非金屬基片。第二雷射束的長軸和短軸比在約1.1∶1到10∶1之間。
另外，本文提供了一種用於切割非金屬基片的方法。在該方法中，一第一雷射束掃描照射到非金屬基片上形成的一指定切割路徑上，以對切割路徑進行快速加熱。利用向指定切割路徑噴灑冷卻液而產生的熱應力，在非金屬基片上形成一條槽狀的刻痕線。從某一部位掃描照射第二雷射束來切開非金屬基片，該部位距離第一雷射束一端的距離在5到30毫米之間。此處，第一雷射束的這一端靠近冷卻液。
此外，本文提供了一種用於切割非金屬基片的方法。在該方法中，一第一雷射束掃描照射到非金屬基片上形成的一切割路徑上，以對切割路徑進行快速加熱。第一雷射束的長軸與短軸比在約40∶1到80∶1之間。利用向切割路徑噴射冷卻液所產生的熱應力在非金屬基片上形成一條槽狀的刻痕線。向某一部位掃描照射第二雷射束來切開非金屬基片，該部位距離第一雷射束一端的距離在5到30毫米之間。第二雷射束的長軸和短軸比在約1.1∶1到10∶1之間。
根據本發明，非金屬基片是以非接觸和非衝擊的方式進行，由此來增強切割面的質量，並防止出現異常的切割操作，且使切割速度達到最大。
通過參照附圖對本發明的優選實施例作詳細的描述，本發明的上述目的和其它優點將變得更加明顯，在附圖中圖1是一個裝置的示意圖，該裝置用來實現根據本發明一個實施例的非金屬基片切割方法；圖2的示意圖示出了用來實現根據本發明一個實施例的非金屬基片切割方法的第一雷射束、冷卻液、冷卻液抽吸區和第二雷射束；圖3的圖線示出了在根據本發明的一個實施例中，對非金屬基片的切割速度與第一雷射束長度之間的關係；圖4的圖線示出了在根據本發明的一個實施例中，對非金屬基片的切割速度與第一雷射束寬度之間的關係；圖5的圖線示出了在根據本發明的一個實施例中，對非金屬基片的切割速度與第一雷射束長、寬比之間的關係；圖6的圖線示出了為對非金屬基片進行完整的切割、防止出現焦燒現象和防止產生接橋，第二雷射束長度、寬度的範圍；圖7的圖線示出了在本發明的一個實施例中，對金屬基片的切割速度與第一雷射束和第二雷射束之間空隙的關係；圖8的示意圖示出了根據本發明另一實施例的第一雷射束；以及圖9A和圖9B中的工藝流程圖示出了在本發明的一個實施例中，製造LCD面板組件的過程。
具體實施例方式
下面，將參照附圖對本發明的優選實施例作詳細的描述。
首先，根據本發明一個實施例的非金屬基片切割方法採用了非接觸、非衝擊型的切割方式，而不是採用傳統的接觸衝擊型方法。
為了用非接觸、非衝擊型的方法來切割非金屬基片，要充分利用該非金屬基片某一特定物理特性。
具體來講，在非金屬基片是玻璃基片的情況下，可利用玻璃基片的體積在受熱或冷卻時發生膨脹或收縮的物理特性，來將玻璃基片分割成多個片。
在此條件下，為了對非金屬基片進行切割，如果對玻璃基片的一部分執行快速加熱並冷卻的工藝過程，則可在玻璃基片中產生一個熱應力，該熱應力要大於玻璃基片中玻璃分子之間的分子鍵力，由此就在玻璃基片上形成了裂縫。此條件下，是通過破壞玻璃基片中玻璃分子之間的鍵來產生裂縫的。
在本發明中，根據裂紋是否受到控制而將其分為效果有利的裂紋和效果消極的裂紋。
換言之，預測之中的裂紋是積極有利的裂紋，而不可預測的裂紋則是消極的。對於不可預測的裂紋，沒有可能預計它的裂紋擴展方向。不可預測的裂紋會造成致命的損壞，例如會在切割過程的執行中造成基片的斷裂。基片的斷裂是不可修復的損壞。
對於可預測的裂紋，由於可以預測裂紋的擴展方向，同時還可以控制裂紋的擴展方向。因而，這些可預測裂紋使對所需部分的選擇性切割成為了可能。
圖1的示意圖示出了一種用來切割非金屬基片的裝置，該裝置能精確地計算裂紋方向，從而能有選擇性地將玻璃基片上所希望的那一部分切割下來。
參見圖1，用來切割非金屬基片的裝置800具有一個基片切割模塊600、一個傳送裝置700和一個控制裝置100。
圖中，傳送裝置700上固定了一個工件，該工件例如是將要被基片切割模塊600或傳送裝置700切割的非金屬基片1。
此時，在傳送裝置700固定在基片切割模塊600的情況下，由於非金屬基片1處於固定狀態，而基片切割模塊600在非金屬基片1上方運動，所以是由基片切割模塊600對非金屬基片1進行切割操作的。
另一種方案是，在非金屬基片1固定在傳送裝置700上的情況下，基片切割模塊600保持固定，由非金屬基片1相對於基片切割模塊600進行運動來完成切割。
如上所述，傳送裝置700可在非金屬基片1所在的平面內自由地運動。在一個優選實施例中，該傳送裝置700是一個X-Y平面內的移動平臺，其可以在X軸和Y軸方向上自由移動。
在本發明中，將以圖1所示情況作為一個優選實施方式即在基片切割模塊600保持不動的條件下，由傳送裝置700來使非金屬基片1運動。
此時，非金屬基片1由傳送裝置700進行運動，且非金屬基片1由基片切割模塊600進行切割。
用來切割非金屬基片1的基片切割裝置600包括一個第一雷射束掃描裝置200、一個第二雷射束掃描裝置500、一個冷卻液供應裝置300和一個冷卻液抽吸裝置400。
這樣，由第一雷射束掃描裝置200發出第一雷射束210，第二雷射束掃描裝置500發出第二雷射束510。第一和第二雷射束對非金屬基片1上非常小的表面進行加熱。
用來噴射冷卻液310的冷卻液供應裝置300被布置在第一雷射束掃描裝置200和第二雷射束掃描裝置500之間。
另外，在第一雷射束掃描裝置200和第二雷射束掃描裝置500之間設置了用來抽吸冷卻流體310的冷卻液抽吸裝置400，其中的冷卻流體310即是從冷卻液供應裝置300中噴灑出來的。
這樣，第一雷射束掃描裝置200發射的第一雷射束210和從冷卻液供應裝置300輸送來的冷卻液310就會造成一定的熱應力，但該熱應力不足以使非金屬基片1完全切開，從而在非金屬基片1的表面上生成了一條具有所需深度的誘導裂紋。
此外，第二雷射束掃描裝置500發出的第二雷射束510在誘導裂紋上再次施加所需的熱應力，從而將非金屬基片1完全切開。
基片切割裝置600和傳送裝置700都與控制裝置100相連，用於精確地控制基片切割裝置600和傳送裝置700的工作。
裝置800的生產率受第一雷射束210形狀、第二雷射束510的形狀、以及第一雷射束210和第二雷射束510之間距離的影響很大。
在下文中，將討論三個優選實施例，在這三個實施例中，裝置所產生的第一和第二雷射束210和510、以及第一雷射束210和第二雷射束510之間的距離被進行了優化設計，以此來改善切割質量、提高切割速度。
實施例1首先，為了用裝置800來切割非金屬基片1，控制裝置100向傳送裝置700發送一個控制信號，這樣就使傳送裝置700定位在非金屬基片1的一條指定切割線處。
然後，控制裝置100向第一雷射束掃描裝置200發送一個控制信號，從而使第一雷射束掃描裝置200發射的第一雷射束210精確地掃描到非金屬基片1的指定切割線上。
此時，第一雷射束210的作用是對非金屬基片1進行局部預熱，從而在非金屬基片1上形成誘導裂紋。
為了提高對非金屬基片1的切割速度，第一雷射束210的能量必須高效地傳遞到非金屬基片1上。
第一雷射束210的形狀是一個很重要的因素，該因素選擇適當能在很短時間內提高非金屬基片1上指定切割線處的溫度。
這就意味著對非金屬基片1的切割速度要隨第一雷射束210形狀的不同而變化。
具體來講，假定第一雷射束210長軸的長度為SL，第一雷射束210短軸的長度(即寬度)為SW，第一雷射束210的強度為P，且第一雷射束210的速度為V，則被第一雷射束210照射所升高的最終溫度T(f)可由如下公式計算[公式1] T(f)∝P/(SW×V)按照公式1，可以看出在理論上，第一雷射束210長軸的長度SL對由第一雷射束210產生的最終溫度T(f)無任何影響。
理論上來講，在第一雷射束210的長度SW、速度V和短軸強度P保持恆定的條件下，如果只是對第一雷射束210的長軸長度SL進行調節，則由於不論第一雷射束210的長軸長度SL如何變化，第一雷射束通過路徑上受到的總能量都是相同的，所以第一雷射束210的長度SL對最終溫度T(f)並無任何影響。
但是，在實際的加工過程中，公式1難於作到精確適用。這是因為公式1未考慮到在實際過程中非金屬基片可能產生的熱損耗以及輻射熱量。
如果考慮到了熱損耗和輻射熱，則非金屬基片1的最終溫度T(f)就不但要受第一雷射束210的長度影響，而且會受到第一雷射束210的寬度影響。因而，非金屬基片1的切割速度受到影響。
下文中，將參照一個模擬結果進行描述。如圖3所示，第一雷射束210的長軸最好是控制在30毫米到70毫米長度之間，而第一雷射束210的短軸則要保持恆定，這樣來達到一個最大切割速度Vmax。
此條件下，切割條件是CO2雷射束用作第一雷射束210，第一雷射束210的強度在50到250瓦之間，且用LCD基片作為非金屬基片1，它是由厚度為0.7毫米的TFT(薄膜電晶體)基片和厚度為0.7毫米的濾光基片粘結而成的。
如圖3所示，當第一雷射束210的長軸為30毫米或更小時，相比於最大切割速度Vmax，切割速度的下降顯著。
這一現象是因為第一雷射束210的能量強度非常高，如果能量過於集中就會在非金屬基片1表面上發生燃燒或碎剝現象，因而部分能量就沒有被傳遞到非金屬基片1上，而是被損耗了。
另外，如圖3所示，在第一雷射束210長軸長度大於70毫米的情況下，相比於最大切割速度Vmax，切割速度也顯著降低。
同時，圖4中的模擬結果表示了在第一雷射束210的長軸長度保持恆定的情況下，非金屬基片1的切割速度隨第一雷射束210寬度的變化情況。
根據該模擬結果，當第一雷射束210的短軸長度在1到2毫米之間時，非金屬基片1的切割速度達到最大值Vmax。
此條件下，如果第一雷射束210的短軸長度為1毫米或更小，在非金屬基片1上就會出現這樣一個部分，在該部分中切割操作不是局部進行的。另外，在非金屬基片1表面上就會作用一個過高的能量，從而使非金屬基片1的表面發生燃燒，出現燒焦現象。因而就會出現這樣的問題相比於最大切割速度Vmax，切割速度反而顯著地降低了，同時切割表面的質量也下降了。
另外，在第一雷射束210的短軸長度為2毫米或更大的情況下，能量強度顯著降低。因而，相比於最大切割速度Vmax的情況，切割速度也顯著降低。且由於切割面呈現波紋狀，切割表面的質量也惡化了。
因而，如圖5所示，在第一雷射束210的長軸長度與短軸長度比值在40∶1到80∶1(長軸短軸)範圍中時，對基片1進行切割的速度為最大值Vmax，且能改善切割面的質量。
同時，第一雷射束210的形狀改變能進一步提高對非金屬基片1的切割速度。
圖8中第一雷射束220的形狀與圖2中第一雷射束210的形狀不同。圖2中的第一雷射束220的形狀相對於長軸和短軸都是對稱的。但是，圖8中的第一雷射束220隻相對於長軸SL1對稱，而相對於位於長軸SL1中間位置的短軸則是不對稱的。
在此條件下，依據短軸將第一雷射束220分成了兩個部分，第一雷射束220a前部分的表面積被設計成大於第一雷射束220b後部分的表面積，其中的前部分也被稱為第一雷射束220的前導方向。
如圖8所示，當第一雷射束掃描裝置200發出的雷射束通過由一凸透鏡和一凹透鏡組成的透鏡組時，雷射束經過從透鏡組的焦距中心向一側偏離一個部位後，就能獲得相對於第一雷射束220不對稱的第一雷射束。
同時，參見圖2，冷卻液310從冷卻液供應裝置300輸送到被第一雷射束210迅速加熱的指定切割線1a上(如圖1、2或圖8所示)。因而，在被迅速加熱的指定切割線1a上就會產生非常大的熱應力。從而，由於在指定切割線1a上產生了熱應力，所以就在非金屬基片1表面上形成了所需深度的誘導裂紋。下文中，誘導裂紋被稱為劃痕線1b。
然後，冷卻液抽吸裝置400將形成刻痕線1b過程中噴灑到指定切割線1a處的冷卻液310完全地抽吸走。
下面將解釋為什麼要再次吸走冷卻液310的原因首先，抽吸能防止對裝置800周邊部分的汙染。其次，由於如果向浸汙了冷卻液310的非金屬基片1掃描第二雷射束510時，冷卻液310和第二雷射束510的擴散會使能量損耗最小。第三，用第二雷射束510對冷卻液進行加熱，由此將非金屬基片1上的熱量損耗減到最小。
然後，如圖2所示，第二雷射束510掃描到刻痕線1c上，從而使刻痕線1c的兩側由於受熱而發生體積膨脹，由此在刻痕線1c上產生非常高的熱應力。這樣，裂紋就沿刻痕線1c擴展。該裂紋的擴展方向是受到導向的，由此來將非金屬基片1完全地切開。
實施例2下文中，將對實現非金屬基片切割方法的第二實施例進行描述。
根據本發明的第二實施例，為了對非金屬基片1進行切割，如圖1或圖2所示，第一雷射束掃描裝置200產生的第一雷射束210掃描照射到非金屬基片1的指定切割線1a上，從而對指定切割線1a進行快速局部加熱。
然後，從冷卻液噴射裝置300向快速加熱的切割縫1a噴灑冷卻液310，從而沿指定的切割線1a產生一條細微的誘導裂紋。下文中，該誘導裂紋被稱為刻痕線1b。
為了沿其中已出現微裂紋的刻痕線1b將非金屬基片1完全地切開，向刻痕線1b掃描照射第二雷射束510。第二雷射束束510的作用是將第一雷射束210和冷卻液310形成的刻痕線1b完全地切開。
在此條件下，為了完全地切開刻痕線1b，第二雷射束510的強度比第一雷射束210的大。例如，第二雷射束510的強度在200到500瓦之間。
上述的第二雷射束510為橢圓狀，其長軸方向為刻痕線1b的方向。下文中，長軸BL定義為與指定切割線1a平行的軸線，而短軸BW則定義為與指定切割線1a垂直的軸線。
在此條件下，就可根據第二雷射束510的形狀來討論非金屬基片1是否被完全切割、是否出現了燒焦現象並形成了接橋體。
參見圖2或圖6，按照一個模擬結果，當第二雷射束510的長軸長度為4到20毫米、短軸長度為3到10毫米時，非金屬基片1可被完全地切開，且不會出現燒焦現象和接橋。
在此條件下，如果保持第二雷射束510的長軸長度恆定，但縮短其短軸長度，則不產生接橋，而且非金屬基片1不能被完全地切開。另外，也易於發生燒焦現象。
與此相反，如果保持第二雷射束510的長軸長度恆定，但加大其短軸長度，則非金屬基片1能被完全地切開，且不會出現燒焦現象。但會產生接橋。
因而，當第二雷射束的長軸與短軸比在約1.1∶1到10∶1之間時，非金屬基片1能被完全地切開，且不會產生燒焦現象，同時也不會出現橋接。
實施例3下文中，將對實現非金屬基片切割方法的第三實施例進行描述。
根據本發明的第三實施例，為了對非金屬基片1進行切割，如圖2所示，第一雷射束掃描裝置200產生的第一雷射束210掃描照射到非金屬基片1的指定切割線1a上，從而對指定切割線1a進行快速局部加熱。
然後，從冷卻液噴射裝置300向快速加熱的切割縫1a噴灑冷卻液310，從而沿指定的切割線1a產生一條細微的誘導裂紋。下文中，該誘導裂紋被稱為刻痕線1b。
為了沿其中已出現微裂紋的刻痕線1b將非金屬基片1完全地切開，向刻痕線1b掃描照射第二雷射束510。第二雷射束510的作用是將第一雷射束210和冷卻液310所形成的刻痕線1b完全地切開。
在此條件下，最好能消除第一雷射束210靠近冷卻液310的那一端與第二雷射束510之間的間隙，但這在實現起來是非常困難的。
這是因為在第一雷射束210和第二雷射束510之間布置了用來抽吸冷卻液的冷卻液抽吸裝置400。
在此條件下，第一雷射束210和第二雷射束510之間的空間是很重要的。在該實施例中，該空間最好為5到30毫米。但是，如果空間為5毫米或更小，就存在這樣的問題與冷卻液抽吸裝置400發生幹涉。如果空間為30毫米或更大，則會出現刻痕線1b發生復原的問題，其中的刻痕線1b是由第一雷射束210和冷卻液310形成的。
另外，參見圖7，在切割速度方面，如果在第一雷射束210和第二雷射束510之間的空隙為5毫米或更小，則相比於最大切割速度Vmax，切割速度顯著降低。如果空間為30毫米或更大，則相比於最大切割速度Vmax，切割速度也有顯著的降低。
下文中，將參照圖9A和圖9B對根據第一、第二、第三實施例中的方法製造LCD面板組件的方法完整地進行描述。
首先，LCD面板組件960的製造方法是從製造組合基片930的過程開始的。
如圖9A所示，在兩片透明的基片上分別形成濾色基片部件915和TFT基片部件925，其中的兩透明基片是分別由不同的半導體加工工藝製成的玻璃基片910、920。然後，上面分別制出了濾色基片部件915和TFT基片部件925的這兩片玻璃基片910和920組裝在一起而形成組合基片930。
在組合基片930上，相互正對的濾色基片部件915和TFT基片部件925被稱為LCD裝置單元935。然後，在該LCD裝置單元935中注入液晶。
同時，如圖9B所示，第一雷射束210掃描照射到指定切割線940、945上，從而對這些指定切割線940、945進行快速加熱，其中的切割線對應於組合基片930上製成的、要切割下來的LCD裝置單元935部分。在此條件下，第一雷射束210的光束為橢圓形。換言之，第一雷射束210的長軸與短軸比被控制在約40∶1到80∶1之間，由此，在光學條件下對指定切割線940、945進行了快速加熱。
如上所述，在指定切割線940、945被快速加熱的條件下，向指定切割線940、945處施加冷卻液310，從而，由於快速加熱和冷卻操作的聯合作用而形成了一條切割槽。下文中，該切割槽被稱為刻痕線。
在沿指定切割線940、945形成刻痕線、並隨後抽走冷卻液310之後，第二雷射束510掃描照射到距離第一雷射束210的端部為5到30毫米的部分上，以對刻痕線再次進行加熱。
在此條件下，第二雷射束510長軸與短軸之比約在1.1∶1到10∶1之間，其中的長軸與第二雷射束510的經過方向一致，而短軸垂直於第二雷射束510的長軸方向。因而，LCD裝置單元935就從組合基片930上切割下來，該切割過程具有最優的速度和很高的質量，這樣就製成了一片LCD面板950，其是由一片TFT基片957和一片濾色基片955構成的。
然後，在該LCD面板950上組裝一個驅動模塊而形成LCD面板組件960，其中的驅動模塊例如是一個驅動印刷電路板962、966和一個帶式信號載波插件964、968等。
如上所述，根據本發明，以非接觸和非衝擊的方式對非金屬基片進行了切割，由此來改善了切割面的質量，並避免了不正常的切割操作，且使切割速度達到了最大。
儘管已對本發明進行了詳細的描述，但可以理解可對本發明作出多種形式的改動、替換和變更，且這都不悖離由所附權利要求書限定的本發明思想和範圍。
權利要求
1.一種用於切割非基片的方法，該方法包括步驟i)向形成在非金屬基片上的一切割路徑掃描照射呈橢圓狀的第一雷射束，以對該切割路徑進行快速加熱，其中第一雷射束的長軸與短軸比在約40∶1到80∶1之間；ii)利用向指定切割路徑噴灑冷卻液所產生的熱應力，在非金屬基片上形成一條槽狀的刻痕線；以及iii)沿所述切割路徑掃描照射第二雷射束來切開非金屬基片。
2.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於第一雷射束相對於其長軸和短軸均是對稱的。
3.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於第一雷射束相對於其長軸對稱，但相對於短軸則是不對稱的。
4.根據權利要求3所述的方法，其特徵在於在用短軸來劃分第一雷射束的情況下，第一雷射束的表面積是這樣的在第一雷射束前進側的前部分大於在與前進側相對一側的後部分。
5.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於短軸的長度約為1到2毫米，且長軸的長度約為40到80毫米。
6.一種用於切割非金屬基片的方法，該方法包括步驟i)將第一雷射束掃描照射到非金屬基片上形成的切割路徑上，以對切割路徑進行快速加熱；ii)利用向指定切割路徑上噴灑冷卻液所產生的熱應力在非金屬基片上形成一條槽狀的刻痕線；iii)沿所述切割路徑掃描照射第二雷射束來切開非金屬基片，其中第二雷射束的長軸和短軸比在1.1∶1到10∶1之間。
7.根據權利要求6所述的方法，其特徵在於第一雷射束為橢圓形，橢圓長、短軸之比在40∶1到80∶1之間。
8.根據權利要求6所述的方法，其特徵在於第二雷射束的短軸長度約為3到10毫米，其長軸長度約為4到20毫米。
9.一種用於切割非金屬基片的方法，該方法包括步驟i)將第一雷射束掃描照射到非金屬基片上形成的切割路徑上，以對該切割路徑進行快速加熱；ii)利用向切割路徑噴灑冷卻液所產生的熱應力在非金屬基片上形成一條槽狀的刻痕線；以及iii)向距離第一雷射束一端的距離在約5到30毫米之間的部位掃描照射第二雷射束，以切開非金屬基片，其中第一雷射束的所述端靠近冷卻液。
10.根據權利要求9所述的方法，其特徵在於第一雷射束為橢圓形，且橢圓長軸與短軸比約在40∶1到80∶1之間。
11.根據權利要求9所述的方法，其特徵在於第一雷射束是功率約為50到250瓦的二氧化碳雷射束，第二雷射束是功率約為200到500瓦的二氧化碳雷射束。
12.根據權利要求9所述的方法，其特徵在於第一雷射束靠近冷卻液的所述端與第二雷射束之間的距離小於第一雷射束的長度。
13.根據權利要求9所述的方法，其特徵在於所述非金屬基片為玻璃基片或矽基片。
14.一種用於切割非金屬基片的方法，該方法包括步驟i)向形成在非金屬基片上的切割路徑掃描照射呈橢圓形的第一雷射束，以對切割路徑進行快速加熱，其中第一雷射束的長軸與短軸比在約40∶1到80∶1之間；ii)利用向指定切割路徑噴射冷卻液所產生的熱應力在非金屬基片上形成一條槽狀的刻痕線；以及iii)向距離第一雷射束一端的距離在約5到30毫米之間的部位掃描照射第二雷射束，以切開非金屬基片，其中第二雷射束的長軸和短軸比在約1.1∶1到10∶1之間。
全文摘要
本發明公開了一種用於切割非金屬基片的方法。該方法利用對指定切割線進行快速加熱和冷卻所產生的熱應力來將非金屬基片上的該指定切割線切開。另外，本發明對能量源的形狀和排列等指標進行了優化，由此可將對非金屬基片的切割速度達到最大，並實現對非金屬基片的精確切割。
文檔編號B23K26/40GK1408498SQ0210652
公開日2003年4月9日 申請日期2002年2月26日 優先權日2001年9月29日
發明者全柏均, 秋大鎬, 南亨佑, 權容俊 申請人:三星電子株式會社