雙面刻蝕鋼網及其製作工藝的製作方法

2023-07-04 13:36:01 2

本發明屬於柔性線路板（軟式印刷電路板）的印刷領域，具體涉及一種印刷所採用的高精密鋼網以及該鋼網的製作工藝。

背景技術：

受電子工業向功能高度集成化、零件輕薄小型化的趨勢發展的影響，現有的軟式印刷電路板在smt生產中，常會遇到須搭載多種大小規格零件於同一表面的情況，這就要求fpc在印刷錫膏時，必須根據不同零件對焊料需求量設定不同的錫膏印刷厚度。

目前，傳統smt鋼網均為階梯設計，需要通過單面蝕刻工藝來製作不同厚度於一體的鋼網，即在網版1的一個表面上通過刻蝕產生所需厚度c的網孔2，如附圖1所示。現階段，鋼網廠商對鋼網蝕刻的厚度超過0.1mm時，會因為藥水濃度，蝕刻時間，溫度等等原因而影響蝕刻精度，從而影響所需求鋼網的印刷精度，單面蝕刻厚度越大，公差越大（蝕刻厚度≦0.06mm時，公差會在0.01mm以內，蝕刻厚度超出0.1mm，公差在0.03mm以內），無法滿足生產精度要求，影響生產良率。

技術實現要素：

本發明的目的是提供一種具有較高精度，從而能夠滿足軟式印刷電路板的生產精度要求的雙面刻蝕鋼網。

為達到上述目的，本發明採用的技術方案是：

一種雙面刻蝕鋼網，在軟式印刷電路板的smt製程中用於印刷錫膏，其包括網版，所述網版上刻蝕有若干個網孔，每個所述網孔的厚度與其所對應的待印刷錫膏的厚度相等，所述網孔包括由所述網版的上表面刻蝕的第一網孔、由所述網版的下表面刻蝕的與所述第一網孔相對應的第二網孔、連接所述第一網孔和所述第二網孔的開孔，所述第一網孔的厚度與所述第二網孔的厚度之和為所述網孔的厚度。

優選的，所述第一網孔的厚度與所述第二網孔的厚度相等。

本發明還提供一種能夠提高刻蝕精度，從而製作出上述高精度的雙面刻蝕鋼網的製作工藝。

一種上述雙面刻蝕鋼網的製作工藝，其包括如下步驟：（1）在所述網版的上表面進行刻蝕，使其形成所述第一網孔；（2）在所述網版的下表面上進行刻蝕，使其形成所述第二網孔，且所述第一網孔的厚度與所述第二網孔的厚度之和所形成的所述網孔的厚度與所述網孔所對應的待印刷錫膏的厚度相等。

優選的，所述製作工藝還包括（3）開設連接所述第一網孔和所述第二網孔的開孔。

由於上述技術方案運用，本發明與現有技術相比具有下列優點：本發明利用雙面刻蝕方式，使得鋼網單面的刻蝕厚度減小，從而避免刻蝕過程公差過大，提高了鋼網的刻蝕精度，進而可以提高軟式印刷電路板的印刷精度並提高產品良率。

附圖說明

附圖1為現有的單面刻蝕鋼網的結構剖視示意圖。

附圖2為本發明的雙面刻蝕鋼網的結構剖視示意圖。

以上附圖中：1、網版；2、網孔；3、開孔；4、第一網孔；5、第二網孔。

具體實施方式

下面結合附圖所示的實施例對本發明作進一步描述。

實施例一：參見附圖2所示，一種在軟式印刷電路板的smt製程中用於印刷錫膏的雙面刻蝕鋼網，包括網版1，網版1上刻蝕有若干個網孔2。對於每一個網孔2，其厚度c與其所對應的待印刷錫膏的厚度相等。當該雙面刻蝕鋼網用於印刷不同規格的零件所需錫膏時，各個網孔2的厚度c是不同的。

對於一個網孔2，其包括由網版1的上表面（top面）刻蝕的第一網孔4、由網版1的下表面（bot面）刻蝕的與第一網孔4相對應的第二網孔5、連接第一網孔4和第二網孔5的開孔3，第一網孔4的厚度a與第二網孔5的厚度b之和為網孔2的厚度c。通常，第一網孔4的厚度a與第二網孔5的厚度b相等。

上述雙面刻蝕鋼網的製作工藝通過如下步驟實現：（1）在網版1的上表面進行刻蝕，使其形成第一網孔4，第一網孔4的厚度為a；（2）在網版1的下表面上進行刻蝕，使其形成第二網孔5，第二網孔5的厚度為b，且第一網孔4的厚度a與第二網孔5的厚度b之和所形成的網孔2的厚度c與網孔2所對應的待印刷錫膏的厚度相等；（3）開設連接第一網孔4和第二網孔5的開孔3，開孔3的縱截面呈梯形。

例如附圖2中，網版1的厚度h為200μm，雙面刻蝕鋼網的一個網孔2設計需要刻蝕厚度，即網孔2的厚度c為120μm，則在網版1的上表面刻蝕厚度a為60μm的第一網孔4，在網版1的下表面刻蝕厚度b為60μm的第二網孔5，則第一網孔4和第二網孔5之間保留厚度為80μm的網版1，並在該處開設開孔3。

本發明通過雙面小幅蝕刻工藝製作不同厚度網孔2於一體的鋼網，從而減少單面連續刻蝕時由於刻蝕厚度過大所帶來的精度公差大的問題，採用該雙面刻蝕工藝後，鋼網的刻蝕精度可控制在±10μm以內，保證所需求鋼網的印刷精度，避免傳統單面大幅刻蝕造成印刷時fpc錫膏量不準確而導致過爐後零件焊接不良，提高了軟式印刷電路板fpc的印刷和焊接質量，能夠節約製作時間和所需人力，提高生產效率，有效節約成本，保證品質。

上述實施例只為說明本發明的技術構思及特點，其目的在於讓熟悉此項技術的人士能夠了解本發明的內容並據以實施，並不能以此限制本發明的保護範圍。凡根據本發明精神實質所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本發明的保護範圍之內。