一種手機上Flash的兼容方法

2023-05-31 12:26:56 1

專利名稱：一種手機上Flash的兼容方法
技術領域：
本發明涉及移動終端Flash,特別是一種手機上Flash的兼容方法。
背景技術：
隨著移動通信的發展，手機功能日益強大，產品也越來越多樣化，同 時客戶的需求個性化差異也日漸明顯。客戶的需求差異，對手機軟硬體設 計都提出了挑戰，如何能最大程度上兼容不同客戶的需求，成了首要解決 的問題。以手機上的主要元器件Flash來說，不同廠家對核電壓的要求有 所差異、同樣不同容量的Flash所用到的通訊數據線也有差異。這些方面 的差異，對手機行業的產業化生產、軟硬體的兼容設計都提出了新的挑戰。 舉例說明設計公司生產出來一塊手機主板，其中一個客戶需要常規的功 能；而另一個客戶除了基本功能外還需要支持十四個國家語言的功能。對 第一個客戶而言，只需要64Mbit的Flash就夠用了；但對於第二個客戶， 必須要用128M的Flash。如果用常規設計的方法，針對這種情況，必須 要製作兩塊電路板，同時軟體也要出兩套版本來維護。針對目前存在的問 題，需要在手機軟體/硬體設計上提出新的方案，肯g夠做到一套軟體、一 套硬體設計方案就可以解決上述存在的問題，這樣會大大降低了設計公司 的生產成本和管理成本。

發明內容
3為克服上述已有技術的不足，本發明要解決的技術問題是提供一種
手機上Flash的兼容方法。本發明方法在不同平臺的移動終端中均可實現， 並可以降低企業硬體成本，同時提高軟體集成度，提高工作人員的效率。 為解決上述技術問題，本發明的技術方案是 一種手機上Flash的兼容方法，包括如下步驟
步驟A，設計手機硬體電路圖的過程中，根據Flash核電壓的不同 分別預留相應的LDO設備；
步驟B,手機主板的布線設計過程中，根據最大封裝面積的Flash 設備預留在手機主板上的面積；
步驟C，將各類主流Flash設備的製造商號碼和設備號碼保存在 Flash中相同的固定位置；
步驟D，根據步驟C得到不同的Flash設備，配置每個Flash的相 關信息；
步驟E,對每款Flash設備，要準備一套專門針對此設備的BOM 表單。
步驟A還包括Flash的地址兼容和片選兼容。
步驟C中的製造商號碼和設備號碼通過Flash的指令集讀取，該Flash
的指令集包括Intel指令集和Spansion指令集兩大類。
步驟D中Flash相關信息包括扇區數目、區塊大小、Flash容量
大小、代碼地址、資源地址、產品校準信息地址。 與現有技術相比，本發明的有益效果是
本發明方法在不同平臺的移動終端中均可實現，屬於移動通信領 域。通過本發明，可以有效降低手機設計公司的硬體成本，提高軟體集成度，從而可以有效縮短產品研發周期，增加了同類產品的競爭力。與
傳統設計更換一個新的Flash相比，本發明方法可以減少約50%的軟硬 件成本，Flash的更換類型越多，節省的軟硬體成本也隨之增大。


圖1本發明設計的硬體原理圖 圖2是本發明方法的軟體流程圖。
具體實施例方式
下面結合附圖和實施例對本發明的具體實施方式
做進一步詳細的說
明，但不應以此限制本發明的保護範圍。
請參閱圖1和圖2，本發明手機上Flash的兼容方法，包括以下步驟:
步驟A，根據不同Flash廠家產品規格書，硬體上需預留接口，可以 根據不同的Flash來增刪電子物料。以核電壓為3V和1. 8V的Flash為例， 為了兼容這兩種Flash類型，硬體上必須加上2個LD0 (low dropout regulator,中文是低壓差線性穩壓器)，分別輸出3V和1. 8V兩個電壓， 根據實際的需要，決定使用哪一個LD0。
除了核電壓外，還包括不同Flash的容量大小或片選方式(單片選或 雙片選方式)需要兼容。64MBit、 128MBit和256MBit Flash所需要的 地址線是不同的，要做到最大容量Flash地址兼容；另外有些Flash需 要雙片選架構，如三星KAD060700D，如果需要用到這樣類型的Flash, 也需要設計上做到兼容。
步驟B，硬體布圖設計(簡稱Layout)過程中，要能夠兼容最大封裝面積的Flash類型。以64MBit的兩種Flash舉例說明三星 K5J6632CTM， 64個焊盤，面積為8mmxl 1.6mm;東芝TV00560002, 81個焊盤，面積為7mmxl0mm。這時要按照三星Flash來預留手機板 上的面積。
步驟C，手機軟體設計中，要兼容各個Falsh的類型，保證硬體更 換了 Falsh後，軟體能自動識別新的Flash類型並正確執行相應代碼。 同樣以三星和東芝的兩顆64MBit的Flash舉例說明對於Flash設備， 其Manufacture ID (製造商型號)和Device ID (設備型號)存在於固定 的地址，其中Manufaccture ID位於0x0000地址處，Device ID位於 0x0001處。三星FlashK5J6632CTM的Mannufacture ID值為OxEC, Device ID值為0x22E0;東芝TV00560002的Mannufacture ID值為0x98， Device ID值為0x96。對於主流的Flash這兩個ID值均是不同的，可以 通過這兩個ID值來區分不同的Flash類型。
其中步驟C中的製造商號碼和設備號碼通過Flash的指令集讀取， 該Flash的指令集包括Intel指令集和Spansion指令集兩大類。
步驟D，根據步驟C得到不同的Flash設備，軟體設計中需要配置 每個Flash的相關信息，如扇區(Bank)數目、區塊(Sector)大小、 Flash容量大小、代碼地址、資源地址、產品校準信息地址等。代碼中 可以使用一個結構體來定義這些變量，以三星Flash為例
const NOR—FLASH—CONFIG—T g_K5J6332CTM—cfg =
0x00000002，〃2個Bank0x00010000, 〃Sector大小，為64KBit
0x00000000, 〃代碼地址
0x00800000， //Flash大小，為64MBit
0x00580000， //資源地址
0x007FE000, //產品校準信息地址
};
不同的Flash分別對應一個不同的結構^*，這樣就可以做到更換Flash
而不需要新的代碼。
步驟E，由於每一款Flash設備，硬體上總會存在一些差異，所以針
對每一款Flash都要準備一套不同的物料清單表(Bill of Material,簡
稱為B0M)，如B0M_A、 BOM—B、 B0M_C等。BOM命名需清晰明了，方便生
產線上工作人員正確識別並區分。
以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，並非用來限定本發明的實施
範圍。即凡依本發明申請專利範圍的內容所作的等效變化與修飾，都應為
本發明的技術範疇。
權利要求
1、一種手機上Flash的兼容方法，其特徵在於包括如下步驟步驟A，設計手機硬體電路圖的過程中，根據Flash核電壓的不同分別預留相應的LDO設備；步驟B，手機主板的布線設計過程中，根據最大封裝面積的Flash設備預留在手機主板上的面積；步驟C，將各類主流Flash設備的製造商號碼和設備號碼保存在Flash中相同的固定位置；步驟D，根據步驟C得到不同的Flash設備，配置每個Flash的相關信息；步驟E，對每款Flash設備，要準備一套專門針對此設備的BOM表單。
2、 根據權利要求l所述的手機上Flash的兼容方法，其特徵在於所 述步驟A還包括Flash的地址兼容和片選兼容。
3、 根據權利要求l所述的手機上Flash的兼容方法，其特徵在於所 述步驟C中的製造商號碼和設備號碼通過Flash的指令集讀取，該Flash 的指令集包括Intel指令集和Spansion指令集兩大類。
4、 根據權利要求1所述的手機上Flash的兼容方法，其特徵在於所 述步驟D中Flash相關信息包括扇區數目、區塊大小、Flash容量大小、 代碼地址、資源地址、產品校準信息地址。
全文摘要
本發明一種手機上Flash的兼容方法，包括如下步驟步驟A，設計手機硬體電路圖的過程中，根據Flash核電壓的不同分別預留相應的LDO設備；步驟B，手機主板的布線設計過程中，根據最大封裝面積的Flash設備預留在手機主板上的面積；步驟C，將各類主流Flash設備的製造商號碼和設備號碼保存在Flash中相同的固定位置；步驟D，根據步驟C得到不同的Flash設備，配置每個Flash的相關信息；步驟E，對每款Flash設備，要準備一套專門針對此設備的BOM表單。本發明方法在不同平臺的移動終端中均可實現，並可以提高生產效率，降低設計公司的生產成本和管理成本。
文檔編號H04W88/02GK101430733SQ20081020430
公開日2009年5月13日 申請日期2008年12月10日 優先權日2008年12月10日
發明者喬連偉 申請人:上海聞泰電子科技有限公司