薄膜基板及其製造方法和圖像顯示用基板的製作方法
2023-06-15 15:17:01
專利名稱：薄膜基板及其製造方法和圖像顯示用基板的製作方法
技術領域：
本發明涉及安裝在圖像顯示用平面板等上的薄膜基板，特別是涉及薄膜基板的導電配線的結構及其製造方法。
背景技術：
作為安裝在圖像顯示用平面板等上的半導體封裝形式之一，有薄膜封裝，主要使用作驅動用驅動器。已知在這些薄膜封裝中，作為COF(Chip On Film；在基板上使用薄型的薄膜，用補片電氣性連接了晶片與薄膜基板上的電路的安裝結構)，特殊的有在薄膜基體材料中的半導體元件搭載部上沒開薄膜基體材料的孔的形式。
例如在日本特開2002-223052號公報中公開了周知的上述COF結構的薄膜基板。該公報中公開的薄膜基板是與液晶顯示板的基板連接的撓性基板。此外，薄膜基板具有半導體晶片等有源元件、電阻和電容器等無源元件及安裝了機械部件等的薄膜基體材料，在與上述薄膜基體材料上的液晶顯示板連接的端部附近具有由銅薄膜形成的多個端子。
然後，利用各向異性導電膜(ACFAnisotropic conductive film)連接著薄膜基板和液晶顯示板的基板。使該ACF形成為在絕緣性樹脂中離散分布了導電性粒子的狀態。通過夾ACF熱壓焊接薄膜基板和液晶顯示板的基板，就利用絕緣性樹脂粘結了薄膜基板和液晶顯示板的基板，然後，利用導電性粒子，導電連接薄膜基板的各端子和液晶顯示板的基板的對應的電極或連接端子等。
此外，由形成在薄膜基體材料上的導電配線連接著上述薄膜基板的各端子和安裝在薄膜基板上的上述元件和部件。該導電配線已知有通過刻蝕薄膜基體材料上的金屬箔來形成的方法和由金屬電鍍直接形成在薄膜基體材料上的方法。
另外，近年來，伴隨著因液晶顯示板的高精細化而搭載在薄膜基板上的半導體元件的多輸出端子化或該半導體元件的尺寸縮小，薄膜基板中的半導體元件的搭載部與其附近的導電配線的部分(導電配線部)的間距有逐年減小的趨勢，期望能縮小導電配線部的間距。在此，要實現導電配線部的間距的縮小，在上述兩種方法中，即，通過刻蝕薄膜基體材料上金屬箔來形成的方法和由金屬電鍍直接形成在薄膜基體材料上的方法，都有利於使導電配線部的厚度變薄。但是，在使導電配線部的厚度變薄的情況下，由於在與液晶顯示板的基板的接合部中，薄膜基體材料與液晶顯示板的基板的間隔變小，因此，ACF中的導電粒子的密度增高，液晶顯示板的基板的電極間或連接端子間、或者薄膜基板的導電配線間就容易發生短路。
此外，薄膜基板有時由於它的撓性而彎曲後與液晶顯示板的基板相連接。這時，在薄膜基板折彎的部分(彎曲部)的厚度厚的情況下，導電配線部的曲率半徑變大，導電配線部就容易斷線。
發明內容
因此，本發明的目的在於解決這些問題點，提供一種能夠縮小導電配線部的間距，並且確保液晶顯示板等其他面板與基板的接合部中的絕緣性，此外提高了彎曲強度的薄膜基板及其製造方法。
為了達到上述目的，本發明的薄膜基板搭載半導體元件，向其他面板或基板上安裝，其特徵在於，由下述部分構成薄膜基體材料；半導體連接部，形成在上述薄膜基體材料上，連接上述半導體元件；導電配線，具有連接上述其他面板或基板的薄膜基板上外部連接部，使上述導電配線的半導體連接部和薄膜基板上外部連接部的導電配線厚度形成得比其他處的導電配線部的導電配線厚度厚。
根據這樣的結構，由於薄膜基板上外部連接部的導電配線厚度比其他處的導電配線部的導電配線厚度厚，因此，在利用ACF使薄膜基板上外部連接部與例如液晶顯示板的基板的電極(或端子)接合時，ACF中的導電粒子的密度就變小，電極間或導電配線間不容易發生短路，確保了電極間和導電配線間的絕緣性。此外，可使其他處的導電配線部的導電配線厚度很薄，與厚的情況相比，能夠減小相同的導電配線部的曲率半徑，能提高彎曲強度。另外，由於半導體連接部的導電配線厚度與薄膜基板上外部連接部一起比其他處的導電配線部的導電配線厚度厚，因此，該厚的部分能夠實現取代突起電極的作用，能夠節省在半導體元件側形成突起電極的工序。
此外，本發明的薄膜基板的製造方法的特徵在於，用第一導體形成導電配線，在導電配線的半導體連接部和薄膜基板上外部連接部上，利用金屬電鍍，在第一導體上形成第二導體，使半導體連接部和薄膜基板上外部連接部的導電配線厚度形成得比其他處的導電配線部的導電配線厚度厚。
附圖的簡要說明圖1是本發明的實施例中的薄膜基板的平面圖、它的X-X』間的剖面圖和Y-Y』間的剖面圖。
圖2示出該薄膜基板與圖像顯示用平面板連接的狀態，是與圖1的Y-Y』相對應的剖面圖。
圖3是示出該薄膜基板與圖像顯示用平面板連接的狀態的剖面圖。
圖4是用於說明該薄膜基板的第一製造方法的製造工序的圖，(a)～(e)是示出薄膜基板的一部分的平面圖和它的X-X』間的剖面圖。
圖5是用於說明該薄膜基板的第二製造方法的製造工序的圖，(a)～(i)是示出薄膜基板的一部分的平面圖和它的Y-Y』間的剖面圖。
圖6是用於說明該薄膜基板的第三製造方法的製造工序的圖，(a)～(i)是示出薄膜基板的一部分的平面圖和它的X-X』間的剖面圖。
圖7是本發明的其他實施例中的薄膜基板的剖面圖。
具體實施例以下，參照
本發明的實施方式。
薄膜基板圖1示出本發明的實施例中的薄膜基板的一部分。
在圖1中，FB是搭載半導體元件13的薄膜基板。該薄膜基板FB由柔軟的絕緣性薄膜基體材料1和形成在薄膜基體材料1上的連接半導體元件13的導電配線23構成。
上述導電配線23具有薄膜基板上外部連接部4和連接半導體元件13的半導體連接部(搭載部)5，所述薄膜基板上外部連接部4與例如圖3中示出的圖像顯示用平面板(液晶顯示板；其他面板的一例)16的電極(或端子)15和圖像顯示用平面板16的印刷基板(其他基板的一例)20的電極(或端子)21接合。此外，由密封樹脂12保護著導電配線23與半導體元件13的連接部。
此外，在導電配線23中不連接半導體元件13的外圍部件的部分中，使可彎曲的某部分(以下將這些部分稱作「彎曲部」)25的導電配線的厚度(導電配線厚度)較薄，使上述薄膜基板上外部連接部4和半導體連接部5的導電配線厚度比上述彎曲部25的導電配線厚度厚。此外，上述導電配線23由後述的第一導電配線2或者第一導電配線2和第二導電配線3形成。
此外，在與薄膜基體材料1的薄膜基板FB的搬運方向(X-X』方向)並行的兩端部，在一條直線上分別配置著用於搬運薄膜基板FB的薄膜搬運用薄膜孔31。為了加強孔31的強度，在這些薄膜搬運用薄膜孔31的周圍形成著第一加強用導體32，另外，在該第一加強用導體32上形成第二加強用導體34，從而形成了加強用導體部33。使該加強用導體部33中的第一加強用導體32和第二加強用導體34的厚度(加強用導體厚度)與薄膜基板上外部連接部4和半導體連接部5的導電配線厚度同樣地比其他處的導電配線部(上述彎曲部25)的導電配線厚度厚。
以下說明上述結構的作用效果。
首先，在形成搭載導電配線23的間距小的半導體元件13的薄膜基板FB時，由於半導體元件13的連接部5的周圍(彎曲部25)導電配線厚度薄，因此就容易形成導電配線23。
此外，如圖2所示，在薄膜基板FB的外部連接部4與圖像顯示用平面板基板16的電極15之間夾持接合絕緣樹脂18中包含導電粒子17的ACF19時，由於外部連接部4的導電配線厚度厚，因此，就能夠充分地確保接合部中的薄膜基體材料1與圖像顯示用平面板16的間隔。這樣，ACF19中的導電粒子17的密度就變小，接合部中就不容易發生短路，能夠確保絕緣性。
此外，如圖3所示，由於彎曲部25的導電配線厚度薄，因此能夠確保彎曲強度。在此，作為導電配線的厚度，由實驗可知，例如，若與平面板基板16連接的薄膜基板上外部連接部4的厚度是6μm～15μm，與其他任何部件都不連接的彎曲部25的厚度是4μm～10μm，就滿足上述發明的效果。再有，在此，與薄膜基板上外部連接部4和其他任何部件都不連接的彎曲部25的適用範圍相重疊，但這是因為在各導電配線部中，根據導電配線的間距而最佳導電配線厚度的範圍不同。
這樣地，由於既能使導電配線23的間距縮小化，又能充分確保與圖像顯示用平面板16的接合部中的間隔，因此，能夠提供一種配線密度高且對圖像顯示用平面板16的安裝性良好的薄膜基板FB。
此外，由於使半導體連接部5的導電配線厚度比彎曲部25的導電配線厚度厚，該半導體連接部5中的導電配線的厚度部分實現了取代突起電極的作用，因此，能夠節省在半導體元件側形成突起電極的工序。在此，由實驗等可知，半導體連接部5若是比相鄰的導電配線23嚮導體厚度方向突出了5μm～20μm的結構，就完全可以取代突起電極。再有，半導體連接部5的導電配線厚度不一定要比彎曲部25的導電配線厚度厚(這時就需要形成突起電極的工序)，最好至少薄膜基板上外部連接部(與圖像顯示板的連接部)4的導電配線厚度比彎曲部25的導電配線厚度厚。
此外，由於與薄膜基板上外部連接部4和半導體連接部5的導電配線厚度同樣地，使加強用導體部33中的加強用導體厚度比其他處的導電配線部(彎曲部25)的導電配線厚度厚，因此，能夠進一步增強用於搬運薄膜基板FB的薄膜搬運用薄膜孔31的強度，此外，由於比彎曲部25厚，因此能進行薄膜搬運時的薄膜孔31的強度高且穩定的生產。
薄膜基板的製造方法以下說明上述結構的薄膜基板FB的製造方法。主要有下面三種製造方法。
(第一製造方法)圖4(a)～(e)順序地示出本發明中的薄膜基板的製造方法(第一方法)的製造工序，是示出薄膜基板FB的一部分的平面圖和與它的X-X』的位置相對應的剖面圖。
在該第一方法中，如圖4(a)所示，使用連接半導體元件13的第一導電配線2(導電配線23)和薄膜基體材料1，所述薄膜基體材料1在薄膜搬運用薄膜孔31周圍形成了加強用的導體32(厚度與導電配線23相同；以下稱作第一加強用導體)作為加強用導體部33。
第一工序首先，如圖4(b)所示，在形成了第一導電配線2(導電配線23)和第一加強用導體32的薄膜基體材料1的面上形成光刻膠6。
第二工序接著，如圖4(c)所示，在薄膜基板上外部連接部4的位置、半導體連接部5的位置和加強用導體部33的位置上，在光刻膠6上形成開口部，使第一導電配線2的一部分和第一加強用導體32露出。
第三工序接著，如圖4(d)所示，通過實施金屬電鍍，在光刻膠6的開口部中的第一導電配線2上形成第二導電配線3，在第一加強用導體32上形成第二加強用導體34。
第四工序接著，如圖4(e1)所示，去除光刻膠6。
根據以上的第一製造方法，由於能夠調整薄膜基體材料1上的任意處的導電配線厚度，因此，就能夠容易地製作圖1中示出的薄膜基板FB，即，使導電配線23中薄膜基板上外部連接部4和半導體連接部5的導電配線厚度比彎曲部25的導電配線厚度厚的薄膜基板FB。
此外，可以將導電配線厚度厚的半導體連接部5的形成工序和導電配線厚度厚的薄膜基板上外部連接部4的形成工序設定為同一形成工序，能夠縮短工序。
此外，可以將由第一加強用導體32和第二加強用導體34構成的導電配線厚度厚的加強用導體部33的形成工序和導電配線厚度厚的薄膜基板上外部連接部4的形成工序設定為同一形成工序，能夠縮短工序。
再有，無圖示，但薄膜搬運用薄膜孔31不一定要在第二加強用導體34的形成之前形成，也可以在第二加強用導體34的形成之後再形成。
再有，在上述第四工序中，全部去除了光刻膠6，但在光刻膠6對於彎曲具有充分的柔軟性的情況下，如圖4(e2)所示，也可以不去除全部，而用半導體連接部5和比薄膜基板上外部連接部4的厚度薄的絕緣膜(光刻膠6)來覆蓋導電配線23中的除了半導體連接部5和薄膜基板上外部連接部4以外的區域。這樣，就能夠利用光刻膠6確保導電配線23中的除了半導體連接部5和薄膜基板上外部連接部4以外的區域的強度(能夠起到焊接保護層的作用)，此外，通過如上所述地使厚度變薄，在向圖像顯示用平面板基板16接合時，或者與半導體元件13連接時，能夠不受光刻膠6的回彈力的影響而實現可靠性高的接合和連接。
(第二製造方法)圖5(a)～(i)順序地示出本發明中的薄膜基板的製造方法(第二方法)的製造工序，是示出薄膜基板FB的一部分的平面圖和與它的Y-Y』的位置相對應的剖面圖。
在該第二方法中，如圖5(a)所示，使用形成了薄膜搬運用薄膜孔31，至少用底層金屬7覆蓋了單面整個面的薄膜基體材料1。
第一工序首先，如圖5(b)所示，在設置了底層金屬7的薄膜基體材料1的面上形成第一光刻膠6。
第二工序接著，如圖5(c)所示，在搭載半導體元件13的導電配線23的位置和形成了薄膜搬運用薄膜孔31的加強用導體部33的位置上，在第一光刻膠6上形成開口部，使底層金屬7露出一部分。
第三工序接著，如圖5(d)所示，通過實施金屬電鍍，在第一光刻膠6的開口部形成第一導電配線2(半導體元件13的導電配線23)和第一加強用導體32。
第四工序接著，如圖5(e)所示，在設置了第一導電配線2和第一加強用導體32的薄膜基板面上形成第二光刻膠8。
第五工序接著，如圖5(f)所示，在薄膜基板上外部連接部4的位置、半導體連接部5的位置和加強用導體部33的位置上，在光刻膠8上形成開口部，使第一導電配線2的一部分和第一加強用導體32露出。
第六工序接著，如圖5(g)所示，通過實施金屬電鍍，在第二光刻膠8的開口部中的第一導電配線2的一部分上形成第二導電配線3，在第一加強用導體32上形成第二加強用導體34。
第七工序接著，如圖5(h)所示，去除第一光刻膠6和第二光刻膠8。
第八工序接著，如圖5(i)所示，通過刻蝕第一導電配線2間的底層金屬7，電氣性分離各導電配線2、3。
利用以上的第二製造方法，也能夠調整薄膜基體材料1上的任意處的導電配線厚度，因此，就能夠容易地製作圖1中示出的薄膜基板FB，即，使導電配線23中薄膜基板上外部連接部4和半導體連接部5的導電配線厚度比彎曲部25的導電配線厚度厚的薄膜基板FB。
此外，可以將導電配線厚度厚的半導體連接部5的形成工序和導電配線厚度厚的薄膜基板上外部連接部4的形成工序設定為同一形成工序，能夠縮短工序。
此外，可以將由第一加強用導體32和第二加強用導體34構成的導電配線厚度厚的加強用導體部33的形成工序和導電配線厚度厚的薄膜基板上外部連接部4的形成工序設定為同一形成工序，能夠縮短工序。
再有，無圖示，但薄膜搬運用薄膜孔31不一定要在第二加強用導體34的形成之前形成，也可以在第二加強用導體34的形成之後再形成。
(第三製造方法)圖6(a)～(i)順序地示出本發明中的薄膜基板的製造方法(第三方法)的製造工序，是示出薄膜基板FB的一部分的平面圖和與它的X-X』的位置相對應的剖面圖。
在該第三方法中，如圖6(a)所示，使用形成了薄膜搬運用薄膜孔31，至少用第一導體9覆蓋了單面整個面的薄膜基體材料1。
第一工序首先，如圖6(b)所示，在設置了第一導體9的薄膜基體材料1的面上形成第一光刻膠6。
第二工序接著，如圖6(c)所示，在薄膜基板上外部連接部4的位置和半導體連接部5的位置及形成了薄膜搬運用薄膜孔31的加強用導體部33的位置上，在第一光刻膠6上形成開口部，使第一導體9的一部分露出。
第三工序接著，如圖6(d)所示，通過實施金屬電鍍，在第一光刻膠6的開口部中的第一導體9上形成第二導體10。
第四工序接著，如圖6(e)所示，去除第一光刻膠6。
第五工序接著，如圖6(f)所示，在設置了第二導體10的面上形成第二光刻膠8。
第六工序接著，如圖6(g)所示，在除了連接半導體元件13的導電配線23以外的位置和除了加強用導體部33以外的位置上，在第二光刻膠8上形成開口部。
第七工序接著，如圖6(h)所示，通過刻蝕第二光刻膠8的開口部的第一導體9和第二導體10，形成導電配線。
第八工序接著，如圖6(i)所示，去除第二光刻膠8。殘留的第一導體9就成為導電配線23的第一導體2，第二導體10成為導電配線23的第二導體3。此外，在加強用導體部33中，殘留的第一導體9就成為第一加強用導體32，第二導體10就成為第二加強用導體34。
利用以上的第三製造方法，也能夠調整薄膜基體材料1上的任意處的導電配線厚度，就能夠容易地製作圖1中示出的薄膜基板FB，即，使導電配線23中薄膜基板上外部連接部4和半導體連接部5的導電配線厚度比彎曲部25的導電配線厚度厚的薄膜基板FB。
此外，可以將導電配線厚度厚的半導體連接部5的形成工序和導電配線厚度厚的薄膜基板上外部連接部4的形成工序設定為同一形成工序，能夠縮短工序。
此外，可以將由第一加強用導體32和第二加強用導體34構成的導電配線厚度厚的加強用導體部33的形成工序和導電配線厚度厚的薄膜基板上外部連接部4的形成工序設定為同一形成工序，能夠縮短工序。
再有，無圖示，但薄膜搬運用薄膜孔31不一定要在第二加強用導體34的形成之前形成，也可以在第二加強用導體34的形成之後再形成。
另外，在具有以上結構的薄膜基板FB上，即，在使導電配線23中薄膜基板上外部連接部4和半導體連接部5的導電配線厚度比彎曲部25的導電配線厚度厚的薄膜基板FB上，搭載半導體元件13，安裝在圖像顯示用平面板基板16上後就形成圖像顯示裝置。於是，由於外部連接部4導電配線厚度厚，因此能夠充分確保接合部中的薄膜基體材料1與圖像顯示用平面板基板16的間隔，能夠實現確保了絕緣性的圖像顯示裝置。此外，由於彎曲部25導電配線厚度薄，因此，能夠實現確保了彎曲強度的可靠性高的圖像顯示裝置。
其他實施例在上述實施例中，如圖1所示，薄膜基板FB的彎曲部25(在形成在薄膜基體材料1上的導電配線部23上，向圖像顯示用平面板基板16安裝時彎曲的彎曲部)成為開放的狀態，但也可以如圖7所示，與現有技術同樣地，在該薄膜基板FB的彎曲部25上形成焊接保護層(絕緣膜的一例)11，用焊接保護層11覆蓋彎曲部25。這樣地，通過至少用焊接保護層11覆蓋彎曲部25，就能夠進一步提高彎曲部25的強度。
另外，如圖7所示，在薄膜基板上外部連接部4中，也可以使形成了第二導體3的區域(較厚地形成了導電配線厚度的區域)形成得比實際與外部連接的外部連接區域28(例如，連接圖像顯示用平面板基板16的電極15或印刷基板20的電極21的區域)大，用焊接保護層(絕緣膜的一例)11覆蓋除了該外部連接區域28以外的區域29。這樣地，通過用焊接保護層(絕緣膜)11覆蓋除了外部連接區域28以外的區域29，來用焊接保護層(絕緣膜)11加強形成了第二導體3的區域(較厚地形成了導電配線厚度的區域)的端部，因此，能夠在薄膜基板FB的安裝時或之後，緩和集中在導電配線厚度的變化部分中的應力，確保足夠的強度。
此外，作為連接薄膜基板FB的面板的一例，示出了圖像顯示用平面板16，作為其他基板的一例，示出了圖像顯示用平面板16的印刷基板，但也可以是其他裝置的面板和基板。
再有，本發明涉及的薄膜基板由於既能縮小導電配線的間距，又能充分確保薄膜基板與板基板的接合部中的間隔，因此，在以配線密度高且薄型化為目的的圖像顯示裝置的領域中十分有用。
權利要求
1.一種薄膜基板，搭載半導體元件，向其他面板或基板上安裝，其特徵在於，由下述部分構成薄膜基體材料；半導體連接部，形成在上述薄膜基體材料上，連接上述半導體元件；導電配線，具有連接上述其他面板或基板的薄膜基板上外部連接部，至少使上述導電配線的薄膜基板上外部連接部的導電配線厚度形成得比其他處的導電配線部的導電配線厚度厚。
2.如權利要求1所述的薄膜基板，其特徵在於，使上述導電配線的半導體連接部的導電配線厚度與上述薄膜基板上外部連接部共同形成得比其他處的導電配線部的導電配線厚度厚。
3.如權利要求1所述的薄膜基板，其特徵在於，在上述薄膜基體材料上設置由加強用導體加強的多個薄膜基板搬運用薄膜孔，使上述加強用導體厚度與上述薄膜基板上外部連接部同樣地形成得比其他處的導電配線部的導電配線厚度厚。
4.如權利要求1所述的薄膜基板，其特徵在於，在形成在上述薄膜基體材料上的上述導電配線上，用絕緣膜覆蓋著向上述其他面板或基板安裝時彎曲的彎曲部。
5.如權利要求1所述的薄膜基板，其特徵在於，在上述薄膜基板上外部連接部中，使較厚形成著上述導電配線厚度的區域形成得比實際與上述其他面板或基板連接的外部連接區域大，用絕緣膜覆蓋著除了該外部連接區域以外的區域。
6.如權利要求1所述的薄膜基板，其特徵在於，用比上述半導體連接部和上述薄膜基板上外部連接部的厚度薄的絕緣膜，覆蓋著除了上述導電配線的半導體連接部和上述薄膜基板上外部連接部以外的區域。
7.一種圖像顯示用基板，使用於圖像顯示，其特徵在於，連接著權利要求1～權利要求6的任一項所述的薄膜基板。
8.一種薄膜基板的製造方法，使用預先形成了導電配線的薄膜基體材料來製造薄膜基板，所述導電配線具有連接半導體元件的半導體連接部和連接其他面板或基板的薄膜基板上外部連接部，其特徵在於，在形成了上述導電配線的薄膜基體材料面上形成光刻膠，接著，在上述薄膜基板上外部連接部的位置上，在上述光刻膠上形成開口部，使上述導電配線的一部分露出，接著，通過實施金屬電鍍，在上述光刻膠的開口部中的導電配線上進一步形成導電配線，接著，去除上述光刻膠。
9.如權利要求8所述的薄膜基板的製造方法，其特徵在於，在上述光刻膠上形成開口部時，上述半導體連接部的位置也開口，通過實施金屬電鍍，在半導體連接部上進一步形成導電配線。
10.如權利要求9所述的薄膜基板的製造方法，其特徵在於，在去除上述光刻膠時，不去除全部的光刻膠，而殘留比實施了金屬電鍍的上述薄膜基板上外部連接部和上述半導體連接部的厚度薄的光刻膠。
11.如權利要求8～權利要求10的任一項所述的薄膜基板的製造方法，其特徵在於，在上述薄膜基體材料上配置著薄膜搬運用薄膜孔的加強用導體，在上述光刻膠上形成開口部時，上述加強用導體部的位置也開口，通過實施金屬電鍍，在加強用導體部上進一步形成導體。
12.一種薄膜基板的製造方法，使用至少用底層金屬覆蓋了單面整個面的薄膜基體材料來製造搭載半導體元件向其他面板或基板上安裝的薄膜基板，其特徵在於，在設置了上述底層金屬的薄膜基體材料面上形成第一光刻膠，接著，在上述第一光刻膠上形成開口部，使上述底層金屬露出一部分，接著，通過實施金屬電鍍，在上述第一光刻膠的開口部形成第一導電配線，接著，在設置了該第一導電配線的面上形成上述第二光刻膠，接著，在連接上述其他面板或基板的薄膜基板上外部連接部位置上，在上述第二光刻膠上形成開口部，使上述第一導電配線的一部分露出，接著，通過實施金屬電鍍，在上述第二光刻膠的開口部中的上述第一導電配線上形成第二導電配線，接著，去除上述第一光刻膠和上述第二光刻膠，接著，利用刻蝕去除上述第一導電配線間的上述底層金屬，分別電氣性分離上述第一導電配線。
13.如權利要求12所述的薄膜基板的製造方法，其特徵在於，在上述第二光刻膠上形成開口部時，連接上述半導體元件的上述半導體連接部的位置也開口，通過實施金屬電鍍，在上述半導體連接部的第一導電配線上形成第二導電配線。
14.如權利要求12或權利要求13所述的薄膜基板的製造方法，其特徵在於，在上述薄膜基體材料上配置著薄膜搬運用薄膜孔的加強用導體，在上述第一光刻膠上形成開口部時，上述薄膜搬運用薄膜孔的加強用導體部的位置也開口，通過實施金屬電鍍，在上述加強用導體部位置上形成導體，在上述第二光刻膠上形成開口部時，上述加強用導體部的位置也開口，通過實施金屬電鍍，在加強用導體部位置上進一步形成導體。
15.一種薄膜基板的製造方法，使用至少用第一導體覆蓋了單面整個面的薄膜基體材料來製造搭載半導體元件向其他面板或基板上安裝的薄膜基板，其特徵在於，在設置了上述第一導體的薄膜基體材料的面上形成第一光刻膠，接著，在連接上述其他面板或基板的薄膜基板上外部連接部的位置上，在上述第一光刻膠上形成開口部，使上述第一導體的一部分露出，接著，通過實施金屬電鍍，在上述第一光刻膠的開口部中的第一導體上形成第二導體，接著，去除上述第一光刻膠，接著，在設置了上述第二導體的面上形成第二光刻膠，接著，在除了連接上述半導體元件的導電配線以外的位置上，在上述第二光刻膠上形成開口部，接著，通過刻蝕上述第二光刻膠的開口部的上述第一導體和上述第二導體，形成上述導電配線，去除上述第二光刻膠。
16.如權利要求15所述的薄膜基板的製造方法，其特徵在於，在上述第一光刻膠上形成開口部時，上述半導體連接部的位置也開口，通過實施金屬電鍍，在上述半導體連接部的第一導體上形成第二導體。
17.如權利要求15或權利要求16所述的薄膜基板的製造方法，其特徵在於，在上述薄膜基體材料上配置著薄膜搬運用薄膜孔的加強用導體，在上述第一光刻膠上形成開口部時，上述薄膜搬運用薄膜孔的加強用導體部的位置也開口，通過實施金屬電鍍，在上述加強用導體部位置的第一導體上形成第二導體。
全文摘要
本發明的薄膜基板是安裝在圖像顯示用平面板等上的基板，以容易縮小導電配線部的間距，並且確保其他面板和基板的接合部中的絕緣性為技術課題。為了解決該解決手段，本發明的薄膜基板(FB)由薄膜基體材料(1)和形成在薄膜基體材料(1)上的導電配線(23)構成，使導電配線(23)中的連接其他面板或基板的薄膜基板上外部連接部(4)的導電配線厚度形成得比其他處的導電配線部(彎曲部)(25)的導電配線厚度厚。根據該結構，由於薄膜基板上外部連接部(4)導電配線厚度厚，因此，在與平面板等的接合部中能夠充分確保間隔，這樣就能夠確保上述接合部的絕緣性，此外，由於彎曲部(25)導電配線厚度薄，因此，能夠減小配線間距或者確保彎曲強度。本發明在以配線密度高且薄型化為目的圖像顯示裝置的領域中十分有用。
文檔編號H05K1/11GK1697594SQ20051006857
公開日2005年11月16日 申請日期2005年2月2日 優先權日2004年2月2日
發明者今村博之 申請人:松下電器產業株式會社