高功率晶片老化驗證裝置製造方法

2023-06-10 10:08:01

高功率晶片老化驗證裝置製造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種高功率晶片老化驗證裝置，包括一測試插座，所述測試插座連接所述晶片的測試端，所述晶片上連接有一溫度控制裝置，所述溫度控制裝置包括一控制單元以及連接所述控制單元的加熱器和散熱器，所述控制單元連接所述晶片本實用新型的高功率晶片老化驗證裝置通過在晶片上連接一溫度控制裝置，對晶片的溫度進行監控，當晶片溫度低於設定溫度時，加熱器工作，風扇不工作，起到單獨加熱的作用；當晶片溫度高於設定溫度時，加熱器停止工作，風扇工作，起到單獨散熱作用。從而使得具有功耗差異的晶片能夠在統一的溫度條件下進行老化，得出準確的結果。
【專利說明】
高功率晶片老化驗證裝置

【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種晶片老化驗證技術，尤其是一種高功率晶片老化驗證裝置。

【背景技術】
[0002]目前的晶片老化驗證技術(High Temperature Operating Life,簡稱HT0L)是讓晶片(Integrated Circuit,簡稱IC)在統一溫度的試驗箱中，如圖1所示，利用測試插座21的測試端210測試晶片22的測試端220，並且在測試過程中通過老化測試機給IC提供溫度，在特定模式下運行，所有IC都處在同一溫度下，而且機臺不能單獨控制每顆IC的溫度。但是高功率IC在28nm或者更高的製程下，同一批IC個體差異非常大，用原先的老化技術進行驗證時，IC的PN結溫度差異也非常大，導致無法得出準確的試驗結果。
實用新型內容
[0003]本實用新型所要解決的技術問題是提供一種通過單獨控制每顆晶片的溫度，讓有功耗差異的晶片能夠在統一的溫度條件下進行老化，得出準確測試結果的高功率晶片老化驗證裝置。
[0004]為實現上述技術效果，本實用新型公開了一種高功率晶片老化驗證裝置，包括一測試插座，所述測試插座連接所述晶片的測試端，所述晶片上連接有一溫度控制裝置，所述溫度控制裝置包括一控制單元以及連接所述控制單元的加熱器和散熱器，所述控制單元連接所述晶片。
[0005]本實用新型進一步的改進在於，所述散熱器為一風扇。
[0006]本實用新型進一步的改進在於，所述加熱器設於所述晶片上，所述散熱器設於所述加熱器上，所述加熱器上形成有複數通道，所述通道的第一端連接至所述晶片，所述通道的第二端連接至所述散熱器。
[0007]本實用新型由於採用了以上技術方案，使其具有以下有益效果是:通過在晶片上連接一溫度控制裝置，對晶片的溫度進行監控，當晶片溫度低於設定溫度時，加熱器工作，風扇不工作，起到單獨加熱的作用；當晶片溫度高於設定溫度時，加熱器停止工作，風扇工作，起到單獨散熱作用。從而使得具有功耗差異的晶片能夠在統一的溫度條件下進行老化，得出準確的結果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是現有的晶片老化測試機的結構示意圖。
[0009]圖2是本實用新型高功率晶片老化驗證裝置的結構示意圖。
[0010]圖3是本實用新型高功率晶片老化驗證裝置中溫度控制裝置的工作原理示意圖。

【具體實施方式】
[0011]下面結合附圖以及【具體實施方式】對本實用新型作進一步詳細的說明。
[0012]首先參閱圖2所示，本實用新型的一種高功率晶片老化驗證裝置I包括一測試插座11，該測試插座11連接晶片12的測試端120，利用該測試插座11對晶片12進行老化測試。
[0013]結合圖3所示，晶片12上連接有一溫度控制裝置13，溫度控制裝置13進一步包括一控制單元131以及連接該控制單元131的加熱器132和散熱器風扇133，控制單元131連接晶片12。
[0014]作為本實用新型的較佳實施方式，加熱器132設於晶片12上,啟動加熱器132,直接對晶片12進行加熱；散熱器風扇133置於加熱器132上，並且在加熱器132上形成複數通道14，通道14的第一端連接至晶片12，第二端連接至散熱器風扇133，散熱器風扇133運轉時產生的冷卻風通過通道14送至晶片12上，對晶片12進行冷卻散熱。
[0015]在使用本實用新型高功率晶片老化驗證裝置I時，當控制單元131檢測到晶片12溫度低於設定溫度時，驅動加熱器132工作，散熱器風扇133不工作，起到對晶片12單獨加熱的作用；當控制單元131檢測到晶片12溫度高於設定溫度時，加熱器132停止工作，驅動散熱器風扇133工作，起到對晶片12單獨散熱作用。通過該溫度控制裝置13對晶片12的溫度進行實時監控管理，從而使得具有功耗差異的晶片12能夠在統一的溫度條件下進行老化，確保測試插座11得出準確的結果。
[0016]以上結合附圖實施例對本實用新型進行了詳細說明，本領域中普通技術人員可根據上述說明對本實用新型做出種種變化例。因而，實施例中的某些細節不應構成對本實用新型的限定，本實用新型將以所附權利要求書界定的範圍作為本實用新型的保護範圍。
【權利要求】
1.一種高功率晶片老化驗證裝置，包括一測試插座，所述測試插座連接所述晶片的測試端，其特徵在於:所述晶片上連接有一溫度控制裝置，所述溫度控制裝置包括一控制單元以及連接所述控制單元的加熱器和散熱器，所述控制單元連接所述晶片。
2.如權利要求1所述的裝置，其特徵在於:所述散熱器為一風扇。
3.如權利要求2所述的裝置，其特徵在於:所述加熱器設於所述晶片上，所述散熱器設於所述加熱器上，所述加熱器上形成有複數通道，所述通道的第一端連接至所述晶片，所述通道的第二端連接至所述散熱器。
【文檔編號】G01R31/28GK204241639SQ201320738895
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2013年11月20日 優先權日:2013年11月20日
【發明者】黃小玲 申請人:宜碩科技(上海)有限公司