磁阻效應型磁頭的製造方法及所用晶片的製作方法
2023-06-10 20:30:56
專利名稱：磁阻效應型磁頭的製造方法及所用晶片的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種用於磁存儲器等的磁阻效應型薄膜磁頭的製造方法及具有磁阻效應型元件的晶片。
磁阻效應型的薄膜磁頭(以下稱為MR磁頭)，是採用磁阻效應元件(以下稱為MR元件)的磁頭。由於MR元件利用3電阻隨磁場強度而變化的特性，故再生輸出不依賴於磁記錄媒體的行走速度(周速)，僅由磁信號的磁通量決定，因而即使在低速也能獲得足夠的再生輸出，對磁記錄裝置的高密度化、小型化有利。
該MR磁頭的製造方法如下。首先用薄膜形成技術及光刻技術，在晶片(ウエハ)上製作疊了多層的元件。之後，將晶片切成多個元件排成一列的滑條(スライダ-バ-)。然後，對切斷的滑條的襯底進行研磨加工，研磨各元件的露出面(浮上面)，從而得到具有所期望的值的磁阻效應傳感器膜的尺寸(以下稱MR高度)。這裡的MR高度為與形成在晶片上的磁阻效應元件的再生磁軌寬度相垂直的磁阻效應傳感器膜的尺寸。
MR磁頭中的MR高度，是為了獲得所期望的電特性的重要因素，所以有必要把握各個實際元件的MR高度。然而，實際元件各自的MR高度，由於記錄用的磁頭和保護膜等層積於磁阻效應膜上，所以進行光學測量有困難。因此，露出面研磨中，一邊測量與實際元件分別配置的加工檢測元件的電阻值變化，一邊對排有多個實際元件的滑條進行研磨。
日本專利特開平4-360008公開了通過這一方法高精度地控制MR高度的技術。在該方法中，在襯底內設置具有與所期望的加工檢測元件的最終電阻相同的電阻的露出面研磨導向件，根據這一電阻值停止實際的露出面研磨，因而可高精度地研磨露出面。
上述現有技術設有考慮到在晶片面內的所有位置實際元件各部分的膜厚和尺寸並不均勻，存在一定程度的偏差，另外，也設有考慮由實際元件的位置產生研磨加工量的偏差，各個實際元件的MR高度具有某種程度的差異，因此，存在MR磁頭的製造合格率差的問題。
本發明的第1個目的在於提供一種可正確測量MR元件的露出面研磨加工後的MR高度的晶片。
本發明的第2個目的在於提供一種可以高精度控制MR元件的露出面研磨加工時的MR高度的MR磁頭製造方法。
為實現上述第1目的，本發明的晶片配置有磁阻效應元件和1個以上的與該磁阻效應元件的MR高度(形成於晶片上的磁阻效應元件的與再生磁軌寬度方向垂直的方向上的磁阻效應傳感膜的尺寸)不同的MR高度的其它磁阻效應元件。
該磁阻效應元件構成多個一組朝向同一方向的而且排成一列的元件列，該元件列以多列的形式設於晶片上，而且最好在各元件列設置至少1個上述的其它磁阻效應元件。
磁阻效應型磁頭的製造方法將在後面詳細說明，該晶片按每一元件列切斷，成為滑條，然後對其進行研磨。因此，每一個滑條最好設置1個以上的其它磁阻效應元件。一般這一數目最好在5個以下。
一般情況下，30～250個元件排成1列，晶片上有50～300列的場合較多。1列的元件數少時，將該1列作為1組的元件列切斷，形成1個滑條。然而，1列的元件數多時，在大體中央處將其分成2組元件列，將其切斷形成2個滑條。在實際的製造方法中，例如，把晶片沿上述列的直角方向切斷分成2部分，再切斷成一個個的元件列，形成多個滑條。
雖然在上面敘述了其它磁阻效應元件最好在1個以上5個以下，但也可減少這一數目。亦即，將在所期望範圍的上述元件列的10～50列左右作為1個區域，每個該區域所設的其它磁阻效應元件至少為1個，最好在1個到5個之間，在研磨由該區域切斷獲得的滑條時，可根據該區域內的元件的電阻值進行。如前所述，即使在由於晶片面內的位置導致實際元件各部分的膜厚和尺寸產生偏差的場合，也由於某一區域內該偏差集中在狹小的範圍，因而即使如上述那樣能以高精度控制MR高度。
為達到上述第2個目的，本發明的磁阻效應型磁頭的製造方法包括以下步驟準備晶片的步驟。在將磁阻效應元件以及形成於晶片上的磁阻效應元件的在與再生磁軌寬度方向垂直的方向的磁阻效應傳感膜的尺寸作為MR高度時，至少配置1個具有與上述磁阻效應元件的MR高度不同的MR高度的其他的磁阻效應元件；構成元件列，該元件列中上述的磁阻效應元件以多個為一組、朝同一方向並且排成1列；設置多列上述元件列；
測量上述磁阻效應元件的電阻值與上述其它磁阻效應元件的電阻值的步驟；將晶片的形成有上述元件列的部分切斷以形成滑條的步驟；以及將相對於研磨了晶片上的磁阻效應元件的露出面後的磁阻效應感應器膜的露出面沿向裡方向的目標尺寸作為MR感應高度時。
根據由上述電阻值確定的MR傳感器高度的磁阻效應元件的電阻值，研磨上述滑條上的上述磁阻效應元件的露出面，將其MR高度形成為MR傳感高度的步驟。
另外，為達到上述第2個目的，本發明的磁阻效應型磁頭的製造方法包括以下步驟準備晶片的步驟將磁阻效應元件以多個為1組且朝向同一方向並且排成1列，配置多列該元件列。
當將形成於晶片的磁阻效應元件的與再生磁軌寬度方向垂直的方向上的磁阻效應傳感器膜的尺寸作為MR高度時，配置至少2個其它磁阻效應元件，該至少2個其它的磁阻效應元件具有與上述磁阻效應元件的MR高度不同而且相互之間也不同的MR高度；測量上述至少2個其它磁阻效應元件的電阻值的步驟；切斷上述晶片的形成有上述元件列的部分，形成滑條的步驟；以及根據由上述電阻值確定的MR傳感器高度的磁阻效應元件的電阻值，研磨上述滑條上的上述磁阻效應元件的露出面，將其MR高度形成為MR傳感器高度。
這是，如使其它的磁阻效應元件的MR高度大於研磨露出面而得到的上述MR傳感器高度，亦即成為產品時的MR高度，由於可通過露出面研磨形成為上述MR傳感器高度，故可將其它的磁阻效應元件用作產品。
圖1為根據本發明第1實施例得到的滑條的斜視圖；圖2為MR磁頭的局部斜視圖；圖3為用於說明磁阻效應傳感器膜部分的平面圖；圖4為根據本發明的實施例3得到的滑條的斜視圖；圖5為根據本發明的實施例4得到的滑條的斜視圖。
下面將採用附圖對本發明進行詳細說明。
實施例1
圖1為本發明所用滑條(スライダ-バ-)的一個例子的斜視圖。圖中，A為實際元件，B1、B2、B3為改變了MR高度的用於測定電阻的元件，C為加工檢測用元件。不用說，這些元件的配置位置及個數，可以設定為技術上最佳的任意位置和個數。例如，實際元件A的個數設置得更多一些。
圖2為由實際元件A構成的本發明的MR磁頭的局部斜視圖。以該圖為基礎，將晶片製作過程的概要說明如下。在陶瓷襯底1上有由NiFe等磁性膜形成的下部屏蔽膜(シ-ルド膜)2以及由氧化鋁等絕緣膜形成的下部縫隙膜(ギャツプ膜)(未圖示)，在其上形成條狀的磁阻效應傳感器膜3。磁阻效應傳感器膜3由使用NiFe等磁性材料的磁阻效應膜、在磁阻效應膜加了偏磁的偏磁膜及用於穩定磁阻效應膜磁疇的磁疇控制膜等多層膜構成。在它們的上面，還形成有起供給電流的作用以便使磁阻效應傳感器膜作為傳感器而工作的電極導體膜4。
另外，還依次形成有氧化鋁等絕緣膜形成的上部縫隙膜(未圖示)、NiFe等磁性膜形成的上部屏蔽膜5、寫頭(ライトヘツド)元件用縫(未圖示)。在其上，還形成由上部磁性膜6、線圈7、層間絕緣膜8等構成的寫頭元件，由於這是一般的感應型薄膜磁頭元件，這裡不再詳述。最後，形成用於聯接導線的端子(未圖示)以及用於保護元件的保護膜(未圖示)，完成晶片的製作過程。
下面說明滑條的製作方法。如上所述，採用薄膜形成技術及光刻技術，在晶片上形成多層疊片製成元件，之後，將晶片切斷成多個元件排成一列的滑條。多個磁阻效應元件朝著同一方向，另外，最後形成的露出面(浮上面)(成為產品時的露出面)實際上排成一條直線。圖1示出了這一狀態。接著，通過對切斷成滑條的襯底進行研磨加工，研磨相當於形成於襯底的MR元件的露出面的面(以下簡稱為露出面研磨)，使各元件的MR高度成為規定的值。
MR高度是為了獲得所期望的電特性的重要因素，所以需要把握住實際元件各自的MR高度。然而，如前所述，由於在磁阻效應膜上有多層用於記錄的磁頭和保護膜等，因而實際元件各自的MR高度用光學的方法很難測定。因此，各個MR磁頭的MR高度是通過MR磁頭元件電阻值來測定的。這一原理將通過圖3來說明。如圖3所示，磁阻效應傳感器膜3的電阻值R由磁阻效應傳感器膜的薄膜電阻r、MR高度H以及用於向磁阻效應傳感器膜供給電流的左右電極導體膜4的間隔W來決定。這一關係可用下式來表示R＝r×w/H，亦即，如知道磁阻效應傳感器膜3的薄膜電阻r以及左右電極導體膜4的間隔w，則磁阻效應傳感器膜的電阻R與MR高度H成反比。因此，如能通過測定MR磁頭在研磨加工後的元件電阻值來求出R，則MR磁頭的MR高度H可由下式求出H＝r×w/R在MR磁頭的結構中，磁阻效應傳感器膜3、與之相聯的一對電極導體膜4、以及端子引出部串聯在一起。因此，MR磁頭的元件電阻值由磁效應傳感器膜3的電阻、電極導體膜4的電阻、端子引出部的電阻以及它們的各個接觸部產生的接觸電阻的合計值表示。因此，僅測定MR磁頭的電阻，不能求出磁阻效應傳感器膜3本身的電阻值，而必須修正電極導體膜4與端子引出部的電阻以及其各自的聯接部分產生的接觸電阻。因此，在本發明中，於晶片上製作MR磁頭元件時，在晶片上同時製作至少一種與實際元件結構相同而僅改變MR高度的元件，通過測定MR高度不同的元件端子間的電阻值，從而得出電阻值與MR高度的關係，根據這一電阻值與MR高度的關係，由露出面研磨後的MR磁頭的電阻值，測定MR高度。
如上所述，MR磁頭的電阻值由磁阻效應傳感器膜3的電阻、電極導體膜4的電阻、端子引出部的電阻以及其各個接觸部產生的接觸電阻的合計值表示。因此，如MR高度變化時變化的電阻為Rv，MR高度H即使產生變化也沒有變化的電阻為Rc，則MR磁頭的電阻R可由下式表示H＝a×Rv/H＋Rc式中，a為常數。
這樣，如MR高度為H1時的MR磁頭電阻為R1，MR高度為H2時的MR磁頭電阻為R2，則
R1＝a×Rv/H1＋RcR2＝a×Rv/H2＋Rc整理後得到a×Rv＝(R1－R2)/(1/H1－1/H2)Rc＝(R1H1－R2H2)/(H1－H2)亦即，根據MR高度H不同的至少2個元件的電阻值，則在實際元件的電阻值R與其MR高度H之間存在以下關係R＝(R1－R2)/(1/H1－1/H2)×1/H＋(R1H1＝R2H2)/(H1－H2)將其變形後可由下式表示H＝{(R1－R2)/(1/H1－1/H2)}/{R－(R1H1－R2H2)/(H1－H2)}因此，通過用這一式子測定露出面研磨加工後MR磁頭的電阻值R，可求出該MR磁頭的MR高度H。由於實際上R及H的測量精度有偏差，所以最好採用3個以上的MR高度不同的元件來求出H與R的關係。另外，如具有至少3個MR高度不同的數據，則可確認實際元件的MR高度H與電阻值R的關係有充分的可靠性。
現返回到圖1說明各元件的具體配置。在該圖中，設有MR高度H變化了的3種元件B1、B2、B3，作為改變了MR高度H的用於測量電阻的元件，各個MR高度為H1、H2、H3。磁阻效應傳感器膜3以外的電阻值在實際製作晶片的過程中在晶面內具有由各種各樣的因素形成的分布。例如，由構成磁阻效應傳感器膜3的各個薄膜的膜厚分布及電極導體膜4的膜厚分布產生的電阻分布、元件的電極導體膜4的間隔分布及磁阻效應傳感器膜3的尺寸分布等。因此，圖1所示元件B1、元件B2、元件B3在各個滑條中的配置應使這些面內分布不影響到MR高度的測定精度。在露出面研磨加工之前預先測定元件B1、B2、B3各自的電阻值R，從而以各元件的MR高度H1、H2、H3的倒數進行整理，即可求出MR高度H與元件電阻R的關係。此時，H1＜H2＜H3對於最終研磨露出面後MR磁頭的目標MR高度HO，如HZ大體為HO，則由於測量實際元件的MR高度時的電阻值進入元件B1、元件B2、元件B3各元件的電阻值R與MR高度H的測量值的範圍中心，因而可提高測量精度。這裡，改變了MR高度的元件，可通過優化複製圖案的光掩模尺寸，採用光刻技術對磁阻效應膜進行微加工而獲得。
例如，露出面研磨後的MR高度的目標值為2.0μm的場合，元件B1的MR高度H1為1.5μm，元件B2的MR高度H2為2.0μm，元件B3的MR高度H3為2.5μm時較好。然而，實際製造元件時，則為例如H1＝1.53μm，H2＝2.02μm，H3＝2.51μm。即使在這一場合，如H2大體為2.0μm，則可提高測量精度，高精度地測定MR高度。
下面將以上結果進行歸納。通過分別測量MR磁頭的露出面研磨加工時或研磨加工後的實際元件A的電阻值R，可以高精度地測量它們的MR高度H。另外，由於在各個滑條上配置有電阻測定用的B元件，因而可以使構成磁阻效應傳感器膜3的各個薄膜的膜厚分布等不影響MR高度的測量精度，從而使MR磁頭的露出面研磨加工後各個實際元件A的MR高度的測量值具有非常高的可靠性。下面，選擇所希望電阻的實際元件，切斷成各元件，製造MR磁頭。
圖1中所示的加工檢測用元件C如下述那樣被利用。例如，在其電阻達到某一值之前快速地研磨滑條，之後，則一邊測量上述的電阻值一邊研磨。
另外，僅測量加工檢測用元件C的電阻而研磨滑條，所獲得的元件的MR高度也可由與上述相同的方法高精度地測量。
實施例2
在實施例1的電阻測量用元件內，使MR高度比實際元件的目標MR高度HO大的電阻測量用元件B3與晶片上的實際元件A共通，使實際元件A的MR高度H與元件B3的MR高度H3一致。這樣，在晶片製作過程中可減少改變了MR高度的電阻測量用元件的種類。亦即，由於可減少改變了MR高度H的元件B的數量，故可增加一根滑條上可製成的實際元件A的數量。
實施例3
圖4為本發明的其它實施例的滑條的斜視圖。該滑條的電阻測量用元件的結構如下。使電阻測量用元件B2的MR高度H2與實際元件A的露出面研磨後的目標MR高度HO大體相同。元件B3的MR高度H3大於MR高度H2，而且元件B4的MR高度H4比該MR高度H3大。
露出面研磨時或研磨後各個元件的MR高度H的測量方法與實施例1相同。這一方式的特徵是，電阻測量用元件B1、B2、B3內至少元件B3與元件B4，由於在露出面研磨加工後與實際元件完全不變，故可用作MR磁頭的實際元件。因此，配置於滑條的元件內，可用作MR磁頭的元件數可多於實施例1。
實施例4
圖5為本發明其它實施例的滑條的斜視圖。該滑條的電阻測量用元件的結構如下。使電阻測量用元件B2的MR高度H2大於實際元件A的露出面研磨後的目標MR高度HO。使元件B3的MR高度H3大於MR高度H2，而且使元件B4的MR高度H4大於該MR高度H3。露出面研磨時或研磨後各個元件的MR高度H測量方法與實施例1相同。
按照本實施例，電阻測量用元件B2、B3、B4，與在露出面研磨加工後由實際元件A製造的MR磁頭具有完全相同的形狀，故電阻測量用元件都可用作MR磁頭，滑條上的元件都可用作MR磁頭。
在以上的實施例1～4中，由於在種個滑條上配置有電阻測量用元件B，因此電阻測量用元件B的電阻。可在切成滑條後到露出面研磨加工期間測量電阻值R，以其為依據求出MR高度H與元件電阻值R的關係，由露出面研磨加工後的MR磁頭的元件電阻值R，求出MR高度H。
另外，作為別的方法，不用說也可採用這樣的方法，即電阻測量用元件的電阻值，在切斷成滑條之前於在晶片上完成元件時預先測量好。
另外，電阻測量元件的種類示出了3種，但至少設置2種的MR高度不同的電阻測量元件較好。不用說，也可採用3種以上，例如也可使用5種MR高度不同的電阻測量元件。另外，無論在什麼場合，都可用實際元件來實施電阻測量元件的一種。
實施例5
在上述實施例1～4中，示出了在各個滑條上必須配置電阻測量用元件的結構的滑條，但在本實例中，並不是在所有滑條上必須配置電阻測量用元件，而是說在晶片上以一定間隔配置的例子。
如上所述，MR磁頭的電阻值由磁阻效應傳感器膜3的電阻值，電極導體膜4、端子引出部的電阻值及它們各自的接觸電阻串聯的合計值求得。在晶片過程中，晶片的面內都做成均一的膜厚並形成相同尺寸，這在大批量生產的場合是不可能的，因為各個因素具有一定精度的偏差。然而，例如在125mm的襯底上即使面內的電阻偏差為±5％，在該面內例如離開10mm的兩點間的電阻偏差為±0.5％以下。因此，電阻測量用元件B並不是在所有的滑條上都是必要的，通過在晶片上以例如10mm間隔等某一間隔進行配置，可由其電阻值代表其近旁的MR元件的MR高度H與元件電阻值R的相關關係。在這一場合，雖然可在作為滑條之後測量電阻測量用元件B的電阻值，但與之相比，在晶片上完成MR元件時，在晶片上測量元件電阻值則在工序上更為簡便。
按照本實施例，在晶片面內用於電阻測量用元件B的元件數，比在所有滑條中配置電阻測量用元件要少，故可增加在晶片面內可製作的實際元件的數量。也就是說，如前所述，在各滑條中分別設置電阻測量用元件B時，一個滑條最好設置1～5個電阻測量元件B，因此，例如將晶片切成400個滑條時，每個晶片需設置400～2000個電阻測量用元件B。按本實施例那樣進行時，由於最好每個晶片設置10～200個左右的電阻測量用元件B，故可增加實際元件的數目。
如以上說明，通過採用本發明的晶片，求出MR高度與元件電阻值間的關係，測量露出面研磨時或研磨後實際元件的電阻值，即可高精度地測量實際元件的MR高度。另外，可僅選擇能滿足所希望的電磁變換特性的磁阻效應元件。
另外，本發明的MR磁頭製造方法，由於可正確地測量實際元件的MR高度，故可僅選擇滿足所期望的電磁變換特性的元件。再者，本發明的MR磁頭可以高合格率地製造。
權利要求
1.一種晶片，其特徵在於該晶片配置有磁阻效應元件和至少1個其它磁阻效應元件，該至少一個其它磁阻效應元件在形成於晶片上的磁阻效應元件的再生磁軌寬度方向的垂直方向的磁阻效應傳感器膜的尺寸為MR高度時，具有與上述磁阻效應元件的MR高度不同的MR高度。
2.如權利要求1所述的晶片，其特徵在於上述磁阻效應元件構成多個一組的朝向同一方向而且排成一列的元件列，該元件列以多列的形式設於晶片上，而且在上述各元件列設置至少1個上述的其它磁阻效應元件。
3.如權利要求2所述的晶片，其特徵在於；在上述各元件列配置1個以上5個以下的上述其它磁阻效應元件。
4.如權利要求1所述的晶片，其特徵在於至少配置2個MR高度相互不同的上述其它磁阻效應元件。
5.如權利要求4所述的晶片，其特徵在於當晶片上的磁阻效應元件露出面研磨後的相對於磁阻效應傳感器膜的露出面向裡的方向上的目標尺寸定為MR傳感器尺寸時，上述其它磁阻效應元件的至少1個具有大於規定的MR傳感器高度的MR高度。
6.如權利要求1所述的晶片，其特徵在於上述磁阻效應元件構成以多個為一組的朝向同一方向並且排成一列的元件列，以多列上述元件列為1組構成區域，在上述晶片上設有多個上述區域，上述其它磁阻效應元件在上述各區域至少配置1個。
7.如權利要求6所述的晶片，其特徵在於在上述各區域配置1個以上5個以下的上述其它磁阻效應元件。
8.一種磁阻效應型磁頭的製造方法，其特徵在於它包括以下步驟準備晶片的步驟，即在晶片上配置磁阻效應元件以及至少1個其它磁阻效應元件，當將形成於晶片上的磁阻效應元件的在與再生磁軌寬度方向垂直的方向的磁阻效應傳感器膜的尺寸作為MR高度時，該至少1個其它磁阻效應元件具有與上述磁阻效應元件的MR高度不同的MR高度；構成元件列，該元件列中上述的磁阻效應元件以多個為1組、朝向同一方向並排成1列；設置多列該元件列；測量上述磁阻效應元件的電阻值與上述其它磁阻效應元件的電阻值的步驟；將晶片的形成有上述元件列的部分切斷形成滑條的步驟；以及將相對於研磨上述滑條上的磁阻效應元件的露出面後的磁阻效應傳感器膜的露出面向裡方向上的目標尺寸作為MR傳感器高度時，根據由上述電阻值確定的MR傳感器高度的磁阻效應元件的電阻值，研磨上述滑條上的上述磁阻效應元件的露出面，將其MR高度成為上述MR傳感器高度的步驟。
9.如權利要求8所述的磁阻效應型磁頭的製造方法，其特徵在於在上述滑條上配置至少1個上述其它磁阻效應元件。
10.如權利要求9所述的磁阻效應型磁頭製造方法，其特徵在於，在上述滑條上配置1個以上5個以下的上述其它磁阻效應元件。
11.如權利要求8所述的磁阻效應型磁頭的製造方法，其特徵在於將上述元件列多列作為1組構成區域，在上述晶片上設置多個上述區域，在上述各區域至少配置1個上述其它磁阻效應元件，上述滑條上的上述磁阻效應元件的露出面的研磨，根據包括上述滑條的區域內的上述磁阻效應元件的電阻值與由上述其它磁阻效應元件的電阻值所確定的上述MR高度是上述MR傳感器高度的磁阻效應元件的電阻值來進行。
12.如權利要求11所述的磁阻效應型磁頭的製造方法，其特徵在於在上述各區域配置1個以上5個以下的上述其它磁阻效應元件。
13.一種磁阻效應型磁頭的製造方法，其特徵在於它包括以下步驟準備晶片的步驟，即在晶片上列有多個元件列，該元件列的磁阻效應元件以多個為1組、朝向同一方向且排成1列，當將形成於晶片上的磁阻效應傳感器膜的尺寸作為MR高度時，配置至少2個其它磁阻效應元件，該至少2個其它磁阻效應元件具有與上述磁阻效應元件的MR高度不同而且相互之間也不同的MR高度；測量上述至少2個其它磁阻效應元件的電阻值的步驟；切斷上述晶片的形成有上述元件列的部分形成滑條的步驟；以及將相對晶片上的磁阻效應元件的露出面研磨後的磁阻效應傳感膜的露出面向裡方向上的目標尺寸作為MR傳感器高度時，根據由上述電阻值確定的MR傳感器高度的磁阻效應元件的電阻值，研磨上述滑條上的上述磁阻效應元件的露出面，將其MR高度作為MR傳感器高度的步驟。
14.如權利要求13所述的磁阻效應型磁頭的製造方法，其特徵在於在上述滑條上配置至少2個上述其它磁阻效應元件。
15.如權利要求14所述的磁阻效應型磁頭的製造方法，其特徵在於在上述滑條上配置2個以上5個以下的上述其它磁阻效應元件。
16.如權利要求13所述的磁阻效應型磁頭的製造方法，其特徵在於以上述元件列的多列為1組構成區域，在上述晶片上設置多個上述區域，在上述各區域配置至少2個上述其它磁阻效應元件，上述滑條上的上述磁阻效應元件的露出面的研磨，根據由包含上述滑條的區域內的上述其他磁阻效應元件的電阻值決定的上述MR高度為上述MR傳感器高度的磁阻效應元件的電阻值來進行。
17.如權利要求16所述的磁阻效應型磁頭的製造方法，其特徵於在在上述各區域配置2個以上5個以下的上述其它磁阻效應元件。
全文摘要
磁阻效應型磁頭的製造方法，在晶片上將磁阻效應元件和與其MR高度不同的其它磁阻效應元件配置成1列朝向同一方向形成元件列，切斷該元件列形成滑條，通過將其研磨而研磨磁阻效應元件的露出面，形成所希望高度的MR高度，此時，測定該磁阻效應元件的電阻值及該其它磁阻效應元件的電阻值，根據由這些電阻值確定的上述MR高度為MR傳感器高度的磁阻效應元件的電阻值，研磨上述滑條上的上述磁阻效應元件的露出面，將其MR高度作為MR傳感器高度。
文檔編號G11B5/39GK1146588SQ9610837
公開日1997年4月2日 申請日期1996年6月20日 優先權日1995年6月21日
發明者加藤篤, 森尻誠, 磯野千博, 高倉昭雄, 小柳広明 申請人:株式會社日立製作所