一種聚焦離子束機臺之探針的降震裝置及其降震方法
2023-05-26 13:12:46 1
一種聚焦離子束機臺之探針的降震裝置及其降震方法
【專利摘要】一種聚焦離子束機臺之探針的降震裝置，包括：真空罩，所述真空罩扣合在探針之外端處，並與所述探針圍閉形成密閉空間，且所述密閉空間呈真空設置。綜上所述，本發明通過在探針之外端的外圍處設置真空罩，所述真空罩並與所述探針圍閉形成密閉空間，且所述密閉空間呈真空設置，阻礙了震動波的傳播，極大的改善了外部環境對所述聚焦離子束機臺之探針帶來的震動影響，降低樣品抖落的機會，改善了樣品製備的效率和工藝產品的循環時間。
【專利說明】一種聚焦離子束機臺之探針的降震裝置及其降震方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體器件之測試【技術領域】，尤其涉及一種聚焦離子束機臺之探針的降震裝置及其降震方法。
【背景技術】
[0002]隨著市場需求，晶圓的尺寸在逐漸變大，工藝尺寸越來越小，致命缺陷也已經小到微米,納米級別，很多缺陷通過掃描電鏡(Scanning Electron Microscope, SEM)、聚焦離子束(Focused 1n Beam, FIB)等數據收集方法已經不能完全分析出缺陷之源頭,透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope, TEM)便成為缺陷源頭分析不可缺少的手段之一。但是，傳統的TEM要首先將待測試晶圓破片再去進行樣品製備，已破片之晶圓不能重返生產線進行後續的加工生產，進而很大程度上造成資源浪費。
[0003]另一方面，FIB機臺已用於生產線上對晶圓異常缺陷進行全檢分析，該機臺不需要進行破片，產品不需要報廢。但是，在進行樣品製備時，使用者需利用FIB機臺之探針(Omniprobe)提取樣品，並黏附在樣品載具上，直接鑲嵌於FIB機臺裡。在樣品製品過程中，所述探針將會有部分外露於FIB機臺。顯然地，外圍機臺的震動和噪音的共鳴勢必引起所述探針之外露部分進行抖動。更嚴重地，將會造成所述提取之樣品脫落，大大降低了樣品製備的效率和工藝產品的循環時間。
[0004]故針對現有技術存在的問題，本案設計人憑藉從事此行業多年的經驗，積極研究改良，於是有了本發明一種聚焦離子束機臺之探針的降震裝置及其降震方法。
【發明內容】
[0005]本發明是針對現有技術中，傳統的聚焦離子束機臺之探針易於受到外圍機臺的震動和噪音的共鳴產生抖動，更嚴重的將會造成所述提取之樣品脫落，大大降低了樣品製備的效率和工藝產品的循環時間等缺陷提供一種聚焦離子束機臺之探針的降震裝置。
[0006]本發明之又一目的是針對現有技術中，傳統的聚焦離子束機臺之探針易於受到外圍機臺的震動和噪音的共鳴產生抖動，更嚴重的將會造成所述提取之樣品脫落，大大降低了樣品製備的效率和工藝產品的循環時間等缺陷提供一種聚焦離子束機臺之探針的降震方法。
[0007]為了解決上述問題，本發明提供一種聚焦離子束機臺之探針的降震裝置，所述聚焦離子束機臺之探針的降震裝置包括:真空罩，所述真空罩扣合在探針之外端處，並與所述探針圍閉形成密閉空間，且所述密閉空間呈真空設置。
[0008]可選地，所述密閉空間的真空底低於10_3mbar。
[0009]可選地，所述密閉空間的真空度低於10_5mbar。
[0010]為實現本發明之又一目的，本發明提供一種聚焦離子束機臺之探針的降震方法，所述降震方法包括:在所述探針之外端處設置真空罩，所述真空罩並與所述探針圍閉形成密閉空間，且所述密閉空間呈真空設置。[0011]可選地，所述密閉空間的真空底低於10_3mbar。
[0012]可選地，所述密閉空間的真空底低於10_5mbar。
[0013]綜上所述，本發明通過在探針之外端的外圍處設置真空罩，所述真空罩並與所述探針圍閉形成密閉空間，且所述密閉空間呈真空設置，阻礙了震動波的傳播，極大的改善了外部環境對所述聚焦離子束機臺之探針帶來的震動影響，降低樣品抖落的機會，改善了樣品製備的效率和工藝廣品的循環時間。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0014]圖1所示為本發明聚焦離子束機臺之探針的降震裝置結構示意圖；
[0015]圖2所示為本發明聚焦離子束之探針受震動原理圖；
[0016]圖3所示為未設置本發明之降震裝置的測試結果圖；
[0017]圖4所示為具有本發明之降震裝置的測試結果圖。
【具體實施方式】
[0018]為詳細說明本發明創造的技術內容、構造特徵、所達成目的及功效，下面將結合實施例並配合附圖予以詳細說明。
[0019]請參閱圖1，並結合參閱圖2，圖1所示為本發明聚焦離子束機臺之探針的降震裝置結構示意圖。圖2所示為本發明聚焦離子束之探針受震動原理圖。在聚焦離子束機臺2中，所述聚焦離子束機臺2之探針20傾斜穿設在所述聚焦離子束機臺2之腔體21內，且所述探針20之外端201露於外部環境。當所述外部環境之其它機臺震動和噪音共鳴時，則勢必引起所述探針20之外端201震動，對半導體器件測試造成不利影響，甚至抖落待測試樣品O
[0020]為了有效的避免外界機臺震動和噪音共鳴，導致探針20之外端201震動,進而使得對半導體器件測試造成不利影響，本發明所述聚焦離子束機臺之探針的降震裝置1，包括真空罩11，所述真空罩11扣合在所述探針20之外端201處，並與所述探針20圍閉形成密閉空間12，且所述密閉空間12呈真空設置。
[0021]作為本領域技術人員，容易理解地，所述密閉空間12之真空度越低越好。優選地，所述密閉空間12的真空底低於10_3mbar。更優選地，所述密閉空間12的真空度低於10_5mbar。顯然地，所述密閉空間12呈真空設置，阻礙了震動波的傳播，極大的改善了外部環境對所述聚焦離子束機臺之探針20帶來的震動影響，降低樣品抖落的機會，改善了樣品製備的效率和工藝產品的循環時間。
[0022]為更直觀的揭露本發明之技術方案，凸顯本發明之有益效果，現以具體實驗結果進行佐證。所述聚焦離子束機臺之探針的降震方法，包括:在所述探針20之外端201處設置真空罩11，所述真空罩11並與所述探針20圍閉形成密閉空間12，且所述密閉空間12呈真空設置。作為具體地實施方式，所述密閉空間12之真空度越低越好。優選地，所述密閉空間12的真空底低於10_3mbar。更優選地，所述密閉空間12的真空度低於10_5mbar。
[0023]請參閱圖3、圖4，並結合參閱圖1和圖2，圖3所示為未設置本發明之降震裝置的測試結果圖。圖4所示為具有本發明之降震裝置的測試結果圖。從圖3和圖4明顯可知，具有本發明之降震裝置的聚焦離子束機臺在測試樣品3，並將所述樣品3黏附在樣品載具4的過程中較不具有本發明之降震裝置的聚焦離子束機臺在測試過程中具有更優異的穩定性，所述探針20未發生抖動。反之，不具有本發明之降震裝置的聚焦離子束機臺在測試過程中嚴重抖動，導致觀測模糊。
[0024]綜上所述，本發明通過在探針之外端的外圍處設置真空罩，所述真空罩並與所述探針圍閉形成密閉空間，且所述密閉空間呈真空設置，阻礙了震動波的傳播，極大的改善了外部環境對所述聚焦離子束機臺之探針帶來的震動影響，降低樣品抖落的機會，改善了樣品製備的效率和工藝廣品的循環時間。
[0025]本領域技術人員均應了解，在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，可以對本發明進行各種修改和變型。因而，如果任何修改或變型落入所附權利要求書及等同物的保護範圍內時，認為本發明涵蓋這些修改和變型。
【權利要求】
1.一種聚焦離子束機臺之探針的降震裝置，其特徵在於，所述聚焦離子束機臺之探針的降震裝置包括:真空罩，所述真空罩扣合在探針之外端處，並與所述探針圍閉形成密閉空間，且所述密閉空間呈真空設置。
2.如權利要求1所述的聚焦離子束機臺之探針的降震裝置，其特徵在於，所述密閉空間的真空底低於10_3mbar。
3.如權利要求2所述的聚焦離子束機臺之探針的降震裝置，其特徵在於，所述密閉空間的真空度低於10_5mbar。
4.一種如權利要求1所述的聚焦離子束機臺之探針的降震方法，其特徵在於，所述降震方法包括:在所述探針之外端處設置真空罩，所述真空罩並與所述探針圍閉形成密閉空間，且所述密閉空間呈真空設置。
5.如權利要求4所述的聚焦離子束機臺之探針的降震裝置，其特徵在於，所述密閉空間的真空底低於10_3mbar。
6.如權利要求4所述的聚焦離子束機臺之探針的降震裝置，其特徵在於，所述密閉空間的真空底低於10_5mbar。
【文檔編號】G01N1/36GK103969104SQ201410217853
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年5月21日 優先權日:2014年5月21日
【發明者】劉永波, 顧曉芳, 倪棋梁, 龍吟, 陳宏璘 申請人:上海華力微電子有限公司