一種led外延片及其形成方法
2023-06-09 04:59:21
一種led外延片及其形成方法
【專利摘要】本發明提出一種LED外延片及其形成方法，其中形成方法包括：提供襯底，並在襯底之上形成緩衝層；在緩衝層之上形成第一摻雜類型的半導體材料層；在第一摻雜類型的半導體材料層之上形成量子阱結構；在量子阱結構之上形成電子阻擋層，其中，包括：在量子阱結構上形成第一AlxGa1-xN層，在形成第一AlxGa1-xN層過程中，Al的組分x從第一組分值漸變至第二組分值，且第二組分值大於第一組分值，在第一AlxGa1-xN層上形成第二AlxGa1-xN層，在形成第二AlxGa1-xN層過程中，Al的組分x為定值；以及在電子阻擋層之上形成第二摻雜類型的半導體材料層。本發明能夠提高LED晶片的內量子效率，促使外延片發光效率的提升，更適合大功率外延片的需求。
【專利說明】一種LED外延片及其形成方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體【技術領域】，具體一種LED外延片及其形成方法。
【背景技術】
[0002]隨著LED的發展，GaN為基礎的高亮藍光、綠光、紫外LED越來越受到關注，由於半導體二極體具有體積小、耗電量低、使用壽命長、環保耐用等特點而應用到各個領域，例如:藍綠光LED被廣泛應用於全彩色顯示和照明方面，紫外LED也被應用於光學探測方面。而製備大功率的LED外延片已成為發展的必然趨勢，但隨著發光功率的提升，伴隨而來有效率衰減的問題出現，該效率衰減問題主要是由於載流子溢出，低效率的電子注入和空穴的傳輸導致的。現有的減少載流子溢出是方法是採用電流阻擋層(Electron Blocking Layer,EBL)結構。
[0003]EBL結構即利用AlxGahN能帶效應限制電子的過溢，提高內量子效率。目前生長EBL的方式有兩種:單層AlxGa1J和AlxGai_xN/GaN超晶格結構。而現有生長AlxGa1J的所用的載氣一般為氫氣。但是現有的生長EBL的方法具有以下缺點:
[0004]在AlxGahN的EBL結構中產生的極化場效應使得勢壘作用變小而起不到阻擋電子的作用，因此載流子溢出沒有得到消除。同時極化場導致在GaN界面能帶彎曲和原子能帶偏移，EBL則被認為延遲了空穴的注入。為了減小EBL的極化場，匹配EBL極化的量子阱結構AlInN/AlInGaN證實可以起到限制電子的作用。但是這種結構在外延很難實現，同時導致P型的晶體質量也很差。
【發明內容】
[0005]本發明旨在至少在一定程度上解決上述技術問題之一或至少提供一種有用的商業選擇。為此，本發明的一個目的在於提出一種LED外延片及其形成方法。
[0006]根據本發明實施例的LED外延片的形成方法，包括以下步驟:提供襯底，並在所述襯底之上形成緩衝層；在所述緩衝層之上形成第一摻雜類型的半導體材料層；在所述第一摻雜類型的半導體材料層之上形成量子阱結構；在所述量子阱結構之上形成電子阻擋層，其中，包括:在所述量子阱結構上形成第一 AlxGa1J層，在形成第一 AlxGa1J層過程中，Al的組分X從第一組分值漸變至第二組分值，且所述第二組分值大於所述第一組分值，在所述第一 AlxGa1J層上形成第二 AlxGa1J層，在形成第二 AlxGa1J層過程中，Al的組分x為定值；以及在所述電子阻擋層之上形成第二摻雜類型的半導體材料層。
[0007]在本發明的一個實施例中，所述Al的組分X的第一組分值為0.05，第二組分值為
0.12。
[0008]在本發明的一個實施例中，第二 AlxGa1J層Al的組分x為0.1?0.25。
[0009]在本發明的一個實施例中，形成所述量子阱結構的過程是以N2氣為載氣。
[0010]在本發明的一個實施例中，在形成所述緩衝層之後，還包括:在所述緩衝層之上形成非摻雜的半導體材料層。[0011]在本發明的一個實施例中，其中，所述電子阻擋層的形成溫度為800-900° C，壓力為 100-200mbar。
[0012]在本發明的一個實施例中，所述第二 AlxGahN層中Al的組分x為第二組分值。
[0013]根據本發明實施例的LED外延片，包括:襯底；形成在所述襯底之上的緩衝層；形成在所述緩衝層之上的第一摻雜類型的半導體材料層；形成在所述第一摻雜類型的半導體材料層之上的量子阱結構；形成在所述量子阱結構之上的電子阻擋層；以及形成在所述電子阻擋層之上的第二摻雜類型的半導體材料層，其中，所述電子阻擋層包括第一 AlxGahN層和第二 AlxGa1J層，所述第一 AlxGa1J層中Al的組分x從第一組分值漸變至第二組分值，所述第一 AlxGahN層中與所述量子阱結構接觸的部分X為第一組分值，所述第一AlxGahN層中與第二 AlxGahN層接觸的部分x為第二組分值，且所述第二組分值大於所述第一組分值，所述第二 AlxGahN層中Al的組分x為定值。
[0014]在本發明的一個實施例中，所述Al的組分X的第一組分值為0.05，第二組分值為
0.12。
[0015]在本發明的一個實施例中，第二 AlxGa^N層Al的組分x為0.1~0.25。
[0016]在本發明的一個實施例中，形成所述量子阱結構是以N2氣為載氣形成的。
[0017]在本發明的一個實施例中，在形成所述緩衝層之後，還包括:在所述緩衝層之上形成非摻雜的半導體材料層。
[0018]在本發明的一個實施例中，其中，所述電子阻擋層的形成溫度為800-900° C，壓力為 100-200mbar。
[0019]在本發明的一個實施例中，所述第二 AlxGahN層中Al的組分x為第二組分值。
[0020]本發明與現有技術相比至少具有如下優點:現有的EBL技術通過能帶效應限制電子過溢，但是其能帶結構沒有漸變，由於極化效應的影響，在量子阱最後一個勢壘GaN與AlxGahN的界面會形成能帶的尖峰阻礙了空穴的隧穿，同時導帶上勢壘高度不足以限制電子。而本發明利用漸變組分加定值組分的雙層AlxGahN結構的EBL可以利用極化效應導致的能帶傾斜和Al漸變導致的能帶展寬效果綜合考慮，提高電子限制能力和增強空穴注入，使得導帶能帶尖峰更高，價帶能帶更加平緩，同時具有較寬的能帶，能夠到達提高內量子效率目的，促使外延片發光效率的提升，更適合大功率外延片的需求。
[0021]本發明的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發明的實踐了解到。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0022]本發明的上述和/或附加的方面和優點從結合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0023] 圖1是本發明的LED外延片的形成方法的流程圖；
[0024]圖2是本發明的LED外延片的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0025]下面詳細描述本發明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，旨在用於解釋本發明，而不能理解為對本發明的限制。
[0026]在本發明的描述中，需要理解的是，術語「中心」、「縱向」、「橫向」、「長度」、「寬度」、「厚度」、「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「豎直」、「水平」、「頂」、「底」 「內」、「外」、「順時
針」、「逆時針」等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。
[0027]此外，術語「第一」、「第二」僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此，限定有「第一」、「第二」的特徵可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特徵。在本發明的描述中，「多個」的含義是兩個或兩個以上，除非另有明確具體的限定。
[0028]在本發明中，除非另有明確的規定和限定，術語「安裝」、「相連」、「連接」、「固定」等術語應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對於本領域的普通技術人員而言，可以根據具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。
[0029]在本發明中，除非另有明確的規定和限定，第一特徵在第二特徵之「上」或之「下」可以包括第一和第二特徵直接接觸，也可以包括第一和第二特徵不是直接接觸而是通過它們之間的另外的特徵接觸。而且，第一特徵在第二特徵「之上」、「上方」和「上面」包括第一特徵在第二特徵正上方和斜上方，或僅僅表示第一特徵水平高度高於第二特徵。第一特徵在第二特徵「之下」、「下方」和「下面」包括第一特徵在第二特徵正下方和斜下方，或僅僅表示第一特徵水平高度小於第二特徵。
[0030]如圖1所示，根據本發明實施例的LED外延片的形成方法，包括步驟:
[0031]S1.提供襯底100，並在襯底之上形成緩衝層200。
[0032]在本發明的一個優選實施例中，還包括:在形成緩衝層200之後，在緩衝層200之上形成非摻雜的半導體材料層201。需要說明的是，形成非摻雜的半導體材料層201是可選而非必須的。
[0033]S2.在緩衝層200之上形成第一摻雜類型的半導體材料層300。
[0034]其中，第一摻雜類型可為N型也可為P型。
[0035]S3.在第一摻雜類型的半導體材料層300之上形成量子阱結構400。
[0036]S4.在量子阱結構400之上形成電子阻擋層500。
[0037]其中，該電子阻擋層500包括第一 AlxGa^N層501和第二 AlxGa^N層502。其中，第一 AlxGahN層501中Al的組分x從第一組分值漸變至第二組分值，其中，第一 AlxGapxN層501中與量子阱結構400接觸的部分X為第一組分值，第一 AlxGa^N層501中與第二AlxGahN層205接觸的部分x為第二組分值，且第二組分值大於所述第一組分值。在本發明的一個實施例中，Al的組分X的第一組分值為0.05，第二組分值為0.12。第二 AlxGahN層502中Al的組分X為固定值，其取值範圍可以是0.1-0.25。工藝中可以通過調節銦源、鎵源和氨源的混合反應氣體的比例，來控制形成的AlxGahN材料層的原子比。在不同的生長階段，通入不同比例的混合反應氣體，可以形成漸變組分值的第一 AlxGahN層501和固定組分值的第二 AlxGahN層。在本發明的一個實施例中，第二 AlxGahN層502中Al的組分X等於第二組分值，如此不僅具有良好的電子限制能力，而且在生長過程中可不必改變通過氣體的混合比例，實現不間斷連續生長。一般地，第一 AlxGahN層501的厚度為整個電子阻擋層500厚度的三分之一，第二 AlxGahN層502的厚度為整個電子阻擋層500厚度的三分之二。
[0038]其中,第一 AlxGa1^N層501利用了極化效應導致的能帶傾斜和Al漸變導致的能帶展寬，以達到提高電子限制能力和增強空穴注入的目的。具體地，因為極化使能帶同時由η層向P層向上傾斜，而Al漸變使得能帶由η層向P層同時展寬,這樣就使得導帶能帶尖峰更高，價帶能帶尖峰消失，促使價帶更加平緩，有利於空穴的隧穿，到達提高內量子效率目的。
[0039]其中，第二 AlxGa1J層502主要目的在於形成較寬的能帶，限制電子隧穿作用，防止電子與空穴在P-GaN中發生非輻射複合而導致內量子效率的降低。而由於能帶的展寬和極化效應造成的能帶傾斜恆定Al濃度的AlxGalxN對於空穴下限制作用很小，因此恆定Al濃度的AlxGahN結構能夠提高電子阻擋層500的內量子效率。
[0040]在本發明的一個實施例中，電子阻擋層500是以N2氣為載氣形成的。現有EBL技術為了獲得晶體質量較好的AlxGahN材料，而採用氫氣作為載氣生長，而氫氣對於量子阱阱區(InGaN)具有嚴重的腐蝕作用，同時獲得好的晶體質量的AlxGa1J導致AlxGa1J與GaN之間的應力增加，因而對於電子和空穴的複合產生阻礙。而本發明通過採用氮氣作為載氣生長AlxGai_xN，一方面氮氣對於量子阱而言能夠起到很好的保護作用，防止量子阱阱區被腐蝕。同時AlxGahN在氮氣氛圍下生長晶體質量相對於氫氣較差，正是利用這一點能夠將AlxGa1J與GaN由於晶格不 匹配而產生的應力釋放。
[0041]在本發明的一個實施例中，電子阻擋層500的形成溫度為800-900° C，壓力為100-200mbar。現有技術為了獲得晶體質量較好的AlxGai_xN材料，採用高溫低壓生長。而高溫對於量子阱同樣有破壞作用，造成量子阱阱區的In擴散，量子阱阱區和壘區界限不清晰，導致內量子效率的降低。而本發明採用低溫低壓生長AlxGai_xN，同樣生長的AlxGahN材料晶體質量相對於高溫較差，但是對於量子阱的保護作用很明顯。同時由於晶體質量較差而對於應力釋放又有一定的益處。通過測試發現本發明的方式生長的晶體質量差並沒有造成靜電釋放ESD性能的變壞，因此表明這種生長方式造成的晶體質量惡化對於器件的性能沒有負面的影響。
[0042]S5.在電子阻擋層500之上形成第二摻雜類型的半導體材料層600。
[0043]其中，當步驟S2中的第一摻雜類型為P型摻雜時，本步驟S5中的第二摻雜類型為N型摻雜；當步驟S2中的第一摻雜類型為N型摻雜時，本步驟S5中的第二摻雜類型為P型摻雜。
[0044]本發明的LED外延片的形成方法與現有技術相比至少具有如下優點:現有的EBL技術通過能帶效應限制電子過溢，但是其能帶結構沒有漸變，由於極化效應的影響，在量子阱最後一個勢壘GaN與AlxGahN的界面會形成能帶的尖峰阻礙了空穴的隧穿，同時導帶上勢壘高度不足以限制電子。而本發明利用漸變組分加定值組分的雙層AlxGahN結構的EBL可以利用極化效應導致的能帶傾斜和Al漸變導致的能帶展寬效果綜合考慮，提高電子限制能力和增強空穴注入，使得導帶能帶尖峰更高，價帶能帶更加平緩，同時具有較寬的能帶，能夠到達提高內量子效率目的，促使外延片發光效率的提升，更適合大功率外延片的需求。[0045]圖2為本發明實施例的LED外延片，包括:襯底100 ;形成在襯底100之上的緩衝層200 ;形成在緩衝層之上的第一摻雜類型的半導體材料層300 ;形成在第一摻雜類型的半導體材料層300之上的量子阱結構400 ;形成在量子阱結構400之上的電子阻擋層500，其中，電子阻擋層500的形成過程中以N2氣為載氣；以及形成在電子阻擋層500之上的第二摻雜類型的半導體材料層600。其中，電子阻擋層500包括第一 AlxGahN層501和第二 AlxGahN層502，第一 AlxGahN層501中Al的組分x從第一組分值漸變至第二組分值，第一 AlxGapxN層中501與量子阱結構接觸的部分X為第一組分值，第一 AlxGahN層501與第二 AlxGapxN層502接觸的部分X為第二組分值，且第二組分值大於第一組分值，第二 AlxGahN層中Al的組分X為定值。其中，第一摻雜類型為N型或P型中的一種，所述第二摻雜類型為N型或P型中的另一種，即:當第一摻雜類型的半導體材料層300為P型摻雜時，第二摻雜類型的半導體材料層600為N型摻雜；當第一摻雜類型的半導體材料層300為N型摻雜時，第二摻雜類型的半導體材料層600為P型摻雜。
[0046]在本發明的一個實施例中，Al的組分X的第一組分值為0.05，第二組分值為0.12。
[0047]在本發明的一個實施例中，第二 AlxGa1J層Al的組分x為0.1~0.25。
[0048]在本發明的一個實施例中，形成量子阱結構是以N2氣為載氣形成的。
[0049]在本發明的一個實施例中，在形成緩衝層之後，還包括:在緩衝層之上形成非摻雜的半導體材料層。
[0050]在本發明的一個實施例中，其中，電子阻擋層的形成溫度為800-900° C，壓力為100_200mbar。
[0051]在本發明的一個實施例中，第二 AlxGa^N層中Al的組分x為第二組分值。
[0052]本發明的LED外延片的形成方法與現有技術相比至少具有如下優點:現有的EBL技術通過能帶效應限制電子過溢，但是其能帶結構沒有漸變，由於極化效應的影響，在量子阱最後一個勢壘GaN與AlxGahN的界面會形成能帶的尖峰阻礙了空穴的隧穿，同時導帶上勢壘高度不足以限制電子。而本發明利用漸變組分加定值組分的雙層AlxGahN結構的EBL可以利用極化效應導致的能帶傾斜和Al漸變導致的能帶展寬效果綜合考慮，提高電子限制能力和增強空穴注入，使得導帶能帶尖峰更高，價帶能帶更加平緩，同時具有較寬的能帶，能夠到達提高內量子效率目的，促使外延片發光效率的提升，更適合大功率外延片的需求。
[0053]為使本領域技術人員剛好地理解本發明， 申請人:結合一個具體實施例闡述如下:
[0054]本發明採用三甲基鎵(TMGa)、三乙基鎵(TEGa)、三甲基鋁(TMA1)、三甲基銦(TMIn)、二茂鎂(Cp2Mg)、氨氣(NH3)、矽烷(SiH4)作為沉積材料，並分別以氫氣(H2)、氮氣(N2)作為載氣。
[0055](1)採用藍寶石作為襯底100，通過MOCVD利用NH3先對藍寶石襯底在530° C進行氮化處理150s，然後通入TMGa在藍寶石襯底上沉積20nm至40nm (例如30nm)厚度的GaN作為緩衝層200，再經過1070° C的高溫處理270s。 [0056](2)在1050° C溫度下以TMGa和NH3為源，以H2作為載氣生長2 μ m厚度的非摻雜的GaN作為非摻雜的半導體材料層201。
[0057](3)在1050° C溫度下以TMGa和NH3為源，以SiH4S摻雜源，以H2作為載氣，同時1.2μ m厚度n-GaN作為第一摻雜類型的半導體材料層300。需要說明的是，該n_GaN層中摻雜濃度可以是非恆定的，優選地，可以首先生長摻雜濃度為4E+18原子/cm3、厚度為200nm的η-GaN ;然後生長摻雜濃度為8E+18原子/cm3、厚度為600nm的η-GaN ;再生長摻雜濃度為4E+18原子/cm3、厚度為200nm的n_GaN ;最後生長摻雜濃度為3E+17原子/cm3、厚度 200nm 的 n_GaN。
[0058](4)以TMIn、TEGa、NH3為源，以N2作為載氣生長5周期至15周期(例如10周期)InGaN/GaN結構量子阱作為量子阱結構400。其中每層InGaN厚度為5nm，每層GaN厚度為12nm。
[0059](5)以TMGa、TMAl、Cp2Mg和NH3為源，以隊作為載氣，在800° C至900° C (例如860° C)溫度下，IOOmbar至200mbar (例如150mbar)壓力下，生長AlxGa^xN材料層作為電子阻擋層500。該電子阻擋層500分為第一 AlxGahN層501和第二 AlxGai_xN層兩個部分:第一部分中的X為漸變，X從0.05增加到0.12，厚度為5nm至20nm (例如15nm)。第二部分中X為恆定，保持為0.12,厚度為20nm至40nm (例如35nm)。最終形成的電子阻擋層的AlxGa1^xN的總厚度為20至60nm (例如50nm)。
[0060](6)以TMGaXp2Mg和NH3為源在960° C時，生長P-GaN作為第二摻雜類型的半導體材料層600，厚度為20(T300nm。
[0061]需要說明的是，本發明流程圖中或在此以其他方式描述的任何過程或方法描述可以被理解為，表示包括一個或更多個用於實現特定邏輯功能或過程的步驟的可執行指令的代碼的模塊、片段或部分，並且本發明的優選實施方式的範圍包括另外的實現，其中可以不按所示出或討論的順序，包括根據所涉及的功能按基本同時的方式或按相反的順序，來執行功能，這應被本發明的實施例所屬【技術領域】的技術人員所理解。
[0062]在本說明書的描述中，參考術語「一個實施例」、「一些實施例」、「示例」、「具體示例」、或「一些示例」等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體特徵、結構、材料或者特點包含於本發明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特徵、結構、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。
[0063]儘管上面已經示出和描述了本發明的實施例，可以理解的是，上述實施例是示例性的，不能理解為對本發明 的限制，本領域的普通技術人員在不脫離本發明的原理和宗旨的情況下在本發明的範圍內可以對上述實施例進行變化、修改、替換和變型。
【權利要求】
1.一種LED外延片的形成方法，其特徵在於，包括以下步驟: 提供襯底，並在所述襯底之上形成緩衝層； 在所述緩衝層之上形成第一摻雜類型的半導體材料層； 在所述第一摻雜類型的半導體材料層之上形成量子阱結構； 在所述量子阱結構之上形成電子阻擋層，其中，包括: 在所述量子阱結構上形成第一 AlxGa1J層，在形成第一 AlxGa1J層過程中，Al的組分X從第一組分值漸變至第二組分值，且所述第二組分值大於所述第一組分值， 在所述第一 AlxGahN層上形成第二 AlxGahN層，在形成第二 AlxGapxN層過程中，Al的組分X為定值；以及 在所述電子阻擋層之上形成第二摻雜類型的半導體材料層。
2.如權利要求1所述的LED外延片的形成方法，其特徵在於，所述Al的組分X的第一組分值為0.05，第二組分值為0.12。
3.如權利要求1所述的LED外延片的形成方法，其特徵在於，第二AlxGa1J層Al的組分 X 為 0.1-0.25。
4.如權利要求1所述的LED外延片的形成方法，其特徵在於，形成所述量子阱結構的過程是以N2氣為載氣。
5.如權利要求1所述的LED外延片的形成方法，其特徵在於，在形成所述緩衝層之後，還包括: 在所述緩衝層之上形成非摻雜的半導體材料層。
6.如權利要求1所述的LED外延片的形成方法，其特徵在於，其中，所述電子阻擋層的形成溫度為800_900。C，壓力為lOOJOOmbar。
7.如權利要求1所述的LED外延片的形成方法，其特徵在於，所述第二AlxGa1J層中Al的組分X為第二組分值。
8.一種LED外延片，其特徵在於，包括: 襯底； 形成在所述襯底之上的緩衝層； 形成在所述緩衝層之上的第一摻雜類型的半導體材料層； 形成在所述第一摻雜類型的半導體材料層之上的量子阱結構； 形成在所述量子阱結構之上的電子阻擋層；以及 形成在所述電子阻擋層之上的第二摻雜類型的半導體材料層， 其中，所述電子阻擋層包括第一 AlxGa^xN層和第二 AlxGa1J^層,所述第一 AlxGa^xN層中Al的組分X從第一組分值漸變至第二組分值，所述第一 AlxGahN層中與所述量子阱結構接觸的部分X為第一組分值，所述第一 AlxGahN層中與第二 AlxGahN層接觸的部分x為第二組分值，且所述第二組分值大於所述第一組分值，所述第二 AlxGahN層中Al的組分x為定值。
9.如權利要求8所述的LED外延片，其特徵在於，所述Al的組分X的第一組分值為0.05，第二組分值為0.12。
10.如權利要求8所述的LED外延片，其特徵在於，第二AlxGa1J層Al的組分x為0.1 ~0.25。
11.如權利要求8所述的LED外延片，其特徵在於，形成所述量子阱結構是以N2氣為載氣形成的。
12.如權利要求8所述的LED外延片，其特徵在於，在形成所述緩衝層之後，還包括: 在所述緩衝層之上形成非摻雜的半導體材料層。
13.如權利要求8所述的LED外延片，其特徵在於，其中，所述電子阻擋層的形成溫度為800-900° C，壓力為 100-200mbar。
14.如權利要求8所述的LED外延片，其特徵在 於，所述第二AlxGahN層中Al的組分X為第二組分值。
【文檔編號】H01L33/04GK103915534SQ201210592504
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2012年12月31日 優先權日:2012年12月31日
【發明者】陳飛 申請人:比亞迪股份有限公司