高調光比led驅動晶片的製作方法

2023-06-09 01:49:36

專利名稱：：高調光比led驅動晶片的製作方法
技術領域：
：本實用新型涉及電學領域，尤其涉及發光二極體(LED)驅動裝置，特別是一種高調光比LED驅動晶片。
背景技術：
：現有技術中，驅動發光二極體的電路的輸入電壓範圍窄，外圍元件多，不利於降低產品成本。
發明內容本實用新型的目的在於提供一種高調光比LED驅動晶片，所述的這種高調光比LED驅動晶片要解決現有技術中發光二極體的驅動電路輸入電壓範圍窄、外圍元件多的技術問題。本實用新型的這種高調光比LED驅動晶片由封裝體、矽襯底、PCB板、管腳和兩個以上數目的分立元件構成，所述的管腳與PCB板連接，所述的矽襯底設置在PCB板上，所述的分立元件設置在矽襯底上，矽襯底、PCB板和分立元件均設置在封裝體內，其中，所述的分立元件分別是開關使能緩衝器、柵極驅動器、帶隙基準電路、穩壓電路、CS比較器和欠壓鎖住比較器，穩壓電路的一端、CS比較器的一個輸入端和帶隙基準電路分別與電源輸入管腳,連接，穩壓電路的另一端與帶隙基準電路和柵極驅動器連接，CS比較器的另一個輸入端與電流採用端管腳連接，欠壓鎖住比較器的一個輸入端與帶隙基準電路連接，欠壓鎖住比較器的另一個輸入端與穩壓電路、帶隙基準電路、柵極驅動器、一個場效應三極體的源極和接地管腳連接，欠壓鎖住比較器的輸出端與柵極驅動器連接，開關使能緩衝器與開關使能管腳和柵極驅動器連接，柵極驅動器的輸出端與所述的場效應三極體的柵極連接，場效應三極體的漏極與漏端管腳連接。進一步的，所述的封裝體由樹脂固化物構成。本實用新型和已有技術相對比，其效果是積極和明顯的。本實用新型是一款連續電感電流導通模式的降壓恆流源，用於驅動一顆或多顆串聯LED。輸入電壓範圍從8伏到30伏，輸出電流可調，最大可達1.2安培。根據不同的輸入電壓和外部器件，可以驅動高達數十瓦的LED。並且內置功率開關，採用高端電流採樣設置LED平均電流，並通過DIM引腳可以接受模擬調光和很寬範圍的P麗調光。當DIM的電壓低於0.3伏時，功率開關關斷，電路進入極低工作電流的待機狀態。外部元器件要求最少，對於降低LED照明燈具成本較有優勢。圖1是本實用新型的高調光比LED驅動晶片的電路模塊示意圖。具體實施方式實施例1:如圖1所示，本實用新型的高調光比LED驅動晶片由封裝體、矽襯底、PCB板、管腳和兩個以上數目的分立元件構成，所述的管腳與PCB板連接，所述的矽襯底設置在PCB板上，所述的分立元件設置在矽襯底上，矽襯底、PCB板和分立元件均設置在封裝體內，其中，所述的分立元件分別是開關使能緩衝器、柵極驅動器、帶隙基準電路、穩壓電路、CS比較器和欠壓鎖住比較器，穩壓電路的一端、CS比較器的一個輸入端和帶隙基準電路分別與電源輸入管腳連接，穩壓電路的另一端與帶隙基準電路和柵極驅動器連接，CS比較器的另一個輸入端與電流採用端管腳連接，欠壓鎖住比較器的一個輸入端與帶隙基準電路連接，欠壓鎖住比較器的另一個輸入端與穩壓電路、帶隙基準電路、柵極驅動器、一個場效應三極體的源極和接地管腳連接，欠壓鎖住比較器的輸出端與柵極驅動器連接，開關使能緩衝器與開關使能管腳和柵極驅動器連接，柵極驅動器的輸出端與所述的場效應三極體的柵極連接，場效應三極體的漏極與漏端管腳連接。進一步的，所述的封裝體由樹脂固化物構成。在本實用新型的一個優選實施例中，管腳描述如下表:tableseeoriginaldocumentpage5極限參數如下表-tableseeoriginaldocumentpage5工作範圍如下表:tableseeoriginaldocumentpage5電氣參數如下表:tableseeoriginaldocumentpage6流為高端電流採樣結構使得外部元器件數量很少，採用1%精度的採樣電阻，LED輸出電流控制在±5%的精度。LED驅動電路可以在DIM管腳加PWM信號進行調光，DIM管腳電壓低於0.3V關斷LED電流，高於2.5V全部打開LED電流，PWM調光的頻率範圍從100Hz到20KHz以上。當高電平在0.5V到2.5V之間，也可以調光，具體應用細節見後面應用說明。DIM管腳也可以通過外加直流電壓(VDM)向下調節LED電流(模擬調光)，最大LED電流由採樣電阻RS決定。直流電壓(VDM)的有效範圍是0.5V至IJ2.5V。當直流電壓(VoM)高於2.5V，輸出LED電流保持恆定，並由RS設定。LED電流還可以外接一個電阻到DIM進行調節，內部有一個上拉電阻(典型1.2兆歐姆)接在內部穩壓電壓5V上，DIM管腳的電壓由內部和外部的電阻分壓決定。DIM管腳在正常工作時可以浮空。當加在DIM上的電壓低於0.3V時，內部功率開關關斷，LED電流也降為零。關斷期間，內部穩壓電路保持待機工作，靜態電流僅為60uA。.此外，為了保證可靠性，LED驅動電路內部包含過熱保護功能(TSD)，過熱保護功能在晶片過熱(160°C)時保護晶片和系統，於是LED驅動電路能夠安全地輸出較大電流。權利要求1.一種高調光比LED驅動晶片，由封裝體、矽襯底、PCB板、管腳和兩個以上數目的分立元件構成，所述的管腳與PCB板連接，所述的矽襯底設置在PCB板上，所述的分立元件設置在矽襯底上，矽襯底、PCB板和分立元件均設置在封裝體內，其特徵在於所述的分立元件分別是開關使能緩衝器、柵極驅動器、帶隙基準電路、穩壓電路、CS比較器和欠壓鎖住比較器，穩壓電路的一端、CS比較器的一個輸入端和帶隙基準電路分別與電源輸入管腳連接，穩壓電路的另一端與帶隙基準電路和柵極驅動器連接，CS比較器的另一個輸入端與電流採用端管腳連接，欠壓鎖住比較器的一個輸入端與帶隙基準電路連接，欠壓鎖住比較器的另一個輸入端與穩壓電路、帶隙基準電路、柵極驅動器、一個場效應三極體的源極和接地管腳連接，欠壓鎖住比較器的輸出端與柵極驅動器連接，開關使能緩衝器與開關使能管腳和柵極驅動器連接，柵極驅動器的輸出端與所述的場效應三極體的柵極連接，場效應三極體的漏極與漏端管腳連接。2.如權利要求1所述的高調光比LED驅動晶片，其特徵在於所述的封裝體由樹脂固化物構成。專利摘要一種高調光比LED驅動晶片，由封裝體、矽襯底、PCB板、管腳和兩個以上數目的分立元件構成，分立元件分別是開關使能緩衝器、柵極驅動器、帶隙基準電路、穩壓電路、CS比較器和欠壓鎖住比較器，本實用新型是一款連續電感電流導通模式的降壓恆流源，用於驅動一顆或多顆串聯LED。輸入電壓範圍從8伏到30伏，輸出電流可調，最大可達1.2安培。根據不同的輸入電壓和外部器件，可以驅動高達數十瓦的LED。並且內置功率開關，採用高端電流採樣設置LED平均電流，並通過DIM引腳可以接受模擬調光和很寬範圍的PWM調光。當DIM的電壓低於0.3伏時，功率開關關斷，電路進入極低工作電流的待機狀態。文檔編號H05B37/02GK201234390SQ200820150990公開日2009年5月6日申請日期2008年7月18日優先權日2008年7月18日發明者石勁松申請人:金詩電子技術(上海)有限公司