突發光信號發送裝置和突發光信號發送方法與流程

2023-06-09 01:56:26 2

本發明涉及發送突發光信號的突發光信號發送裝置及其控制方法。

背景技術：

近年來，伴隨網際網路的快速普及，要求光接入系統的大容量化、高度化和經濟化。作為實現這種系統的方法不斷推進pon(passiveopticalnetwork)的研究。pon是有利於經濟化的光接入通信系統，通過利用光功率分配器等光無源器件使來自多個用戶的多個傳輸通道集中在單一傳輸通道中，可以由多個用戶共用中央裝置和光無源器件之間的傳輸通道。

當前在日本導入了經濟性的光接入通信系統ge-pon(gigabitethernet(註冊商標)-pon)，通過時分復用(tdm：timedivisionmultiplexing)最多由32個用戶共用1gb/s級的線路容量。

作為能夠應對更大容量化的需求的下一代光接入系統，不斷推進10gb/s級的10g-epon的研究開發，在上述方式中，通過使光收發器的位速率增大，傳輸通道部分利用與現有的ge-pon相同的部分而成為能夠大容量化的系統。

另一方面，考慮到因高清視頻服務等服務而需要超過10gb/s級的大容量化，但是收發器的位速率的進一步高速化(40或100gb/s級)導致收發器的成本大幅度增加，存在不能成為實用性系統的課題。

作為實現經濟性大容量化的方法，報導了如下的波長可調諧型wdm/tdm-pon：為了能夠根據帶寬需求量階段性地增設站側裝置內的光收發器，對光收發器賦予波長可調諧性，並且組合tdm和波長復用(wdm：wavelengthdivisionmultiplexing)(例如參照非專利文獻1)。

現有技術文獻

非專利文獻

非專利文獻1：s.kimura，「wdm/tdm-pontechnologiesforfutureflexibleopticalaccessnetwoks」，15thoecc2010，6a1-1.

當前，這種系統在itu-t和fsan以40gb/s級ng-pon2(itu-tg.989系列)不斷推進標準化，通過將波長不同的10gb/s級的裝置以4波長wdm化，經濟性地實現40gb/s級。考慮到與現有系統的共存等的要求條件，當前上行信號用波段將1524-1544nm作為有力候補。

另一方面，在ge-pon等關聯技術的pon和10g-epon中，作為上行信號用波段使用1300nm段，作為上行信號用光源適合使用低價的無溫度調節直接調製雷射(dml：directmodulatedlaserdiode)。dml通過使對dml施加的ld驅動電流增減來生成信號光，所以光頻譜寬度變寬，因此如果以存在光纖的波長分散的波段進行傳輸，則會因為波長分散而引起的波形變形顯著而成為問題，但是由於光纖的波長分散在1300nm段幾乎為零，所以其優點在於能夠實現20km以上的傳輸距離。

此外，dml還具有能夠僅通過ld驅動電流的控制來生成突發信號的特長。然而，由於在ng-pon2中作為上行波段使用1524-1544nm的情況最為普遍，所以在dml中受到分散的影響而只能得到10km程度的傳輸距離。

此外，在ng-pon2中，在關聯技術的tdm的基礎上，使用波長數4、光頻率間隔100ghz(波長間隔約0.8nm)程度的wdm技術(wdm/tdm-pon方式)。然而，未安裝溫度調節用元件(tec：thermoelectriccooler)的直接調製ld根據收發器的外殼溫度的變化，振蕩波長以大約0.1nm/℃的比例變化。

因此，由於依存於設置有收發器的環境溫度，振蕩波長變化，所以有可能發生大的波長信道間串擾。由此，在ng-pon2中使用未安裝tec或某種溫度穩定元件(或溫度穩定機構)的dml不是上策。

因此，ng-pon2中需要導入不容易受到分散的影響的外部調製方式且振蕩波長不依存於外殼溫度而固定的上行信號發送器。作為外部調製方式的光源，從小型、低成本化的觀點出發，將電場吸收型半導體調製器(eam：electroabsorptionmodulator)和分布反饋型ld(dfb-ld：distributedfeedback-laserdiode)單片集成(單晶片)化的eml(eamintegrated-dfb-ld)是有希望的。由於內置有eml的eml光發送器組件(eml-tosa：eml-transmitteropticalsubassembly)為了用於wdm網絡而開發，並且一般由eml元件、溫度調節用的tec和其他部件構成，因此即使收發器的外殼溫度變化，但利用溫度調整機構使溫度固定化(例如45℃)，所以不產生振蕩波長的偏移。

圖1是使用eml光發送器組件(eml-tosa)22的外部調製型突發信號光發送器的關聯技術的結構，收發器1包括：eml-tosa22、eam驅動電路24和突發對應ld驅動電路31。eml-tosa22包括dfb-ld13和eam23。另外，eam23與dfb-ld13單片集成，被稱為eml。在圖1中僅著眼於安裝在onu上的收發器1的發送部進行表示(省略了接收器及其它周邊電路)。

圖2表示圖1所示的關聯技術的外部調製型突發信號光發送器中的突發控制電路部，突發控制電路部包括：dfb-ld13、突發對應ld驅動電路31、電極37和接地電極38，在分別連接的各電路中，偏置電流(ib)61按照圖2的箭頭的方向流動。

圖2著眼於圖1所示的關聯技術的外部調製型突發信號光發送器內的與eml-tosa22內部的dfb-ld13連接的突發對應ld驅動電路31及其周邊進行表示，省略了ea調製器(eam)23、eam驅動電路24及其周邊。圖3表示圖1所示的關聯技術的外部調製型突發信號光發送器的突發信號控制方法的時序圖。

在圖1中，關聯技術的外部調製型突發信號光發送器主要由eml-tosa22、突發對應ld驅動電路31和eam驅動電路24構成。由收發器1發出的突發信號光10以如下方式生成。從收發器1的上位層(未圖示)發出的發送信號數據5由空閒信號52和數據信號51構成(參照圖3)。

此外，同樣由上位層(未圖示)發出的突發控制信號6通過根據分配給該onu的發送容許時間對突發對應ld驅動電路31的on/off進行控制，生成突發信號光10。從突發對應ld驅動電路31通過ld偏置線25向內置於eml-tosa22內的dfb-ld13供給的偏置電流(ib)61(參照圖1和圖3)的值與突發控制信號6的on/off對應設定。

另外，設定的偏置電流61是恆定電流值，在圖3所示的關聯技術中，on/off時分別是80ma/0ma。即，突發控制信號6為off時，ld驅動電流(偏置電流61)是0ma，不發出光信號。此外，突發控制信號6為on時，從dfb-ld13射出與80ma的偏置電流61對應的強度的連續光，並且射入單片集成的eam23。

另一方面，從收發器1的上位層(未圖示)發出的發送信號數據5由數據信號51和空閒信號52構成(參照圖3)，所述發送信號數據5輸入eam驅動電路24，從eam驅動電路24生成eam偏置電壓(vb)72(參照圖3)和eam調製電壓振幅(vpp)73(參照圖3)，並且經由eam信號線27輸入eam23。由此，射入eam23的連續光由eam23進行調製而轉換成突發信號光10(數據光信號101)。

由此，突發控制信號6為on時，由收發器1發送突發信號光10(數據光信號101)，突發控制信號6為off時，不發送突發信號光10(數據光信號101)。在此，在圖1所示的關聯技術中，eam偏置電壓(vb)72(參照圖3)和eam調製電壓振幅(vpp)73(參照圖3)分別是-1v和2v。

但是，如果想要以上述方式對eml-tosa22進行突發驅動，則產生如下所述的重大問題。一般來說，為了抑制因在光部件中產生的噪聲造成的特性劣化，公知在dc電流或電壓流動的路徑中附加旁路電容器，除去某頻率成分以上的電流或電壓的波動。

在eml-tosa22中，也同樣為了除去進入偏置電流(ib)61的噪聲成分，如圖4所示，與dfb-ld13並列使用旁路電容器(cbp)14。通過這種電路結構，旁路電容器(cbp)14能夠屏蔽噪聲成分，該噪聲成分因向存在於dfb-ld13附近(以50μm以內的距離相鄰)的eam23施加的具有大的振幅的高頻電壓成分(即eam調製電壓振幅(vpp)73)進入向dfb-ld13施加的偏置電流(ib)61而產生。

通過使用旁路電容器(cbp)14，具有上述優點，但是產生如下所述的重要問題。圖5表示使用圖4所示的突發控制電路時外部調製器型突發信號光發送器的控制方法的時序圖。如果圖5所示的突發控制信號6輸入突發對應ld驅動電路31(參照圖4)，則由於dfb-ld13與旁路電容器(cbp)14並聯，所以從突發對應ld驅動電路31不僅有偏置電流(ib)61向dfb-ld13流動，並且到旁路電容器(cbp)14充電完為止的時間有旁路電容器電流(ic)62向所述旁路電容器(cbp)14流動。

因此，由於偏置電流(ib)61到充電完為止的時間減少了旁路電容器電流(ic)62，所以如圖5所示上升變緩。由此，如果偏置電流(ib)61的過渡響應性變緩，則同樣如圖5所示，突發信號光10的數據光信號101的上升也變緩(突發光信號的突發響應時間100ps)，突發信號on到達足夠的光強度需要時間。突發信號未到達足夠的光強度的期間，olt/onu間的傳輸不成立，從而存在導致帶寬利用效率下降的重大問題。

技術實現要素：

為了解決所述課題，本發明的目的在於改進因潛在於光源內部的電容器成分或用於噪聲除去等的電容器等產生的突發光信號的上升緩慢。

具體地說，本發明提供一種突發光信號發送裝置，其具有：光源，產生並輸出突發信號光；光源驅動電路，基於突發控制信號向所述光源輸出用於切換所述突發信號光的輸出時和停止時的驅動信號；以及預加重電路，輸出預加重控制信號，所述預加重控制信號用於將對所述光源所具有的電容器進行充電的附加信號疊加在所述驅動信號的起始附近。

所述驅動信號的起始附近可以是比所述驅動信號的起始早的規定時機。所述規定時機是從所述驅動信號的起始回溯對所述電容器充電至第一規定比例所需要的時間的時機。基於所述電容器的容量、流入所述電容器的電流和對所述光源施加的電壓確定所述規定時機。

在本發明的突發光信號發送裝置中，還具有電流供給部，所述電流供給部向所述光源供給如下電流：使所述電容器的充電達到小於低於所述第一規定比例的第二規定比例的範圍內。

在本發明的突發光信號發送裝置中，所述電容器包括與所述光源並列配置的旁路電容器、潛在於所述光源中的寄生電容器、或所述旁路電容器和所述寄生電容器。

具體地說，本發明的突發光信號發送方法由利用光源產生突發信號光並輸出的突發光信號發送裝置執行，光源驅動電路基於突發控制信號向所述光源輸出用於切換所述突發信號光的輸出時和停止時的驅動信號時，預加重電路輸出預加重控制信號，所述預加重控制信號用於將對所述光源所具有的電容器進行充電的附加信號疊加在所述驅動信號的起始附近。

另外，可以儘可能地組合上述各發明。

如上所述，通過利用本發明的技術，可以實現突發上升時間快的外部調製器型的突發光信號的發送，能夠在c段中減少因波長分散產生的光信號波形變形而進行20km以上的長距離傳輸，並且在突發信號發送開始時也不會發生傳輸錯誤。

附圖說明

圖1表示關聯技術的外部調製型突發信號光發送器的結構圖。

圖2表示第一關聯技術的外部調製型突發信號光發送器的突發控制電路的結構圖。

圖3表示第一關聯技術的外部調製型突發信號光發送器的控制方法的時序圖。

圖4表示第二關聯技術的外部調製型突發信號光發送器的突發控制電路。

圖5表示第二關聯技術的外部調製型突發信號光發送器的控制方法的時序圖。

圖6表示本實施方式的外部調製型突發信號光發送器的結構圖。

圖7表示本實施方式的外部調製型突發信號光發送器的突發控制電路的第一結構圖。

圖8表示實施方式1的外部調製型突發信號光發送器的控制方法的時序圖。

圖9表示實施方式2的外部調製型突發信號光發送器的控制方法的時序圖。

圖10表示比較例的突發光信號的上升時間的評價結果的一例。

圖11表示實施例的突發光信號的上升時間的評價結果的一例。

圖12表示本實施方式的外部調製型突發信號光發送器的突發控制電路的第二結構圖。

圖13表示本實施方式的外部調製型突發信號光發送器的突發控制電路的第三結構圖。

具體實施方式

下面，參照附圖對本發明的實施方式進行詳細說明。另外，本發明並不限於以下說明的實施方式。上述實施例只是舉例說明，可以基於本領域技術人員的知識以各種變更、改良的方式來實施本發明。另外，本說明書和附圖中附圖標記相同的結構要素表示相互相同的結構要素。

(發明的實施方式1)

以下，基於圖6～圖8，詳細說明本發明實施方式1的10gb/s級外部調製器型突發光信號發送器的控制方法。圖6是本發明實施方式1的10gb/s級外部調製器型突發信號光發送器的收發器1的結構。輸出突發信號光10的收發器1包括：eml-tosa22、eam驅動電路24、突發對應ld驅動電路31和預加重電路35，eml-tosa22包括dfb-ld13和eam23。在此，收發器1可以作為突發光信號發送裝置發揮功能，突發對應ld驅動電路31可以作為光源驅動電路發揮功能，dfb-ld13可以作為光源發揮功能。

從外部輸入的發送信號數據5由eam驅動電路24接收，並且通過eam信號線向eam23輸出，突發控制信號6由突發對應ld驅動電路31和預加重電路35接收，並且通過ld偏置線25向dfb-ld13輸出。另外，僅著眼於安裝在onu中的收發器1的發送部進行表示(省略了接收器部及其它周邊電路)。

此外，圖7表示本實施方式的突發控制電路。突發控制電路包括：dfb-ld13、旁路電容器14、突發對應ld驅動電路31、預加重電路35、電極#1-54、電極#2-55和接地電極56。如圖4所示，旁路電容器14具有除去進入偏置電流(ib)61中的噪聲成分的功能。在圖7中，旁路電容器14作為光源所具有的電容器發揮功能。

圖8表示本實施方式的時序圖。在圖6中，該發送部主要包括：內置有eml(dfb-ld13和eam23)的eml-tosa22、突發對應ld驅動電路31、預加重電路35和eam驅動電路24。

通過以下方式生成由收發器1發出的突發信號光10。從收發器1的上位層(未圖示)發出的具有10gb/s級的信號速度的發送信號數據5由空閒信號52和數據信號51構成，數據信號51是該onu用收發器1需要向olt發送的上行信號，利用突發控制信號6的on/off控制來對數據信號51的發送時機進行控制(參照圖8)。在此，突發控制信號6輸入突發對應ld驅動電路31和預加重電路35。

如圖7所示，與突發控制信號6的on/off對應，on時從突發對應ld驅動電路31輸出ld驅動電流(ildd)63。此外，同樣與所述突發控制信號6的on/off對應，on時從預加重電路35輸出預加重電流(ipe)64。另外，預加重電路35可以將預加重控制信號作為預加重電流(ipe)64在突發控制信號6的起始附近或比起始早的時機輸出，該預加重控制信號用於將對電容器進行充電的附加信號疊加在驅動信號上。

由此，通過在ld驅動電流(ildd)63上疊加預加重電流(ipe)64，經由ld偏置線25向dfb-ld13施加疊加電流(ildd+pe)65。從dfb-ld13射出的輸出光利用eam23轉換為調製信號，並且由收發器1作為突發信號光10發送。

在此，為了補償因僅在對旁路電容器(cbp)14充電完為止的時間流動的旁路電容器電流(ic)62產生的不足部分，作為本實施方式的最大特徵的預加重電路35輸出的預加重電流(ipe)64如圖8所示僅在對旁路電容器(cbp)14充電完為止的時間被附加施加。

在此，如果將ld驅動電流63的上升開始時間作為t0、將預加重電流64的上升開始時間作為t1、將預加重電流64的下降開始時間作為t3，則在本實施方式中，t0為任意的值，並且t1＝t0、t3＝t0+30ps。即，預加重電流流動的時間是30ps。此外，突發控制信號6為on/off時的預加重電流64分別為30ma/0ma。

預加重電流64流動的時間是對旁路電容器14充電完為止的時間，並不限於30ps。預加重電流64流動的時間並不限於充電至負載容量cp的100％所需要的時間，可以是任意比例。例如，負載容量cp的第一規定比例例如可以是50％以上、100％以下的任意比例，從由預加重電流64進行的充電時間的縮短化的觀點出發，優選的是75％以上、95％以下。

如果將dfb-ld13的過途響應過程的順向電壓作為vf、將旁路電容器14的負載容量作為cp、並且將向旁路電容器14流動的旁路電容器電流62作為ichg，則對旁路電容器14充電完為止的充電時間tchg可以由如下公式表示。

(數1)

tchg＝(vf×cp)/icng(1)

根據上述公式，如果使充電電流ichg增加，則充電時間tchg變短。因此，通過在驅動信號的基礎上以脈衝方式注入預加重信號來使旁路電容器14的充電電流增大，能夠使上升時間高速化。

由此，利用從預加重電路35輸出的預加重電流(ipe)64，如圖8所示，使偏置電流(ib)61的過途響應高速化，由此突發信號光10的突發上升時間(數據光信號101的突發響應時間)也改進為50ps。

圖10和圖11表示突發光信號的上升時間的具體的評價結果。圖10表示預加重電路35未使預加重電流64流動的情況，圖11表示預加重電路35使預加重電流64流動的情況。dfb-ld13的過途響應過程的順向電壓vf是0～2.5v，旁路電容器14的負載容量cp是100pf，旁路電容器電流ichg是0～10ma，來自預加重電路35的預加重電流64是20ma。eam23以10gbit/s進行調製。

相對於圖10所示的突發光信號的上升時間是60ns，圖11所示的突發光信號的上升時間是15ns。由此，通過使預加重電流64流動，可以確認到75％的突發上升時間的改善效果。

另外，在本實施方式中為10g/bs級的調製速度，但是本實施方式的控制方法也能夠應用於調製速度為10gb/s以外(例如1gb/s、25gb/s或40gb/s或40gb/s以上等)的調製速度。此外，在本實施方式中使用了eml型的外部調製集成型光源，但是使用將半導體mzm(馬赫-曾德爾調製器)和dfb-ld13集成的方式的外部調製集成型光源，也能夠得到同樣的效果。

此外，作為光源並不僅限於dfb-ld13，使用波長可調諧雷射也能夠得到同樣的效果。此外，也能夠應用於如下方式的外部調製器型光源：使eam23或mzm型外部調製器模塊(半導體mzm或ln調製器)和dfb-ld模塊分別成為單獨的模塊，並且利用光纖等光學連接單元來連接它們。

根據上述方式，如圖12和圖13所示，作為光源發揮功能的dfb-ld13可以具有在製造dfb-ld13的過程中潛在於dfb-ld13中的寄生電容器。光源可以是分布反饋型半導體雷射、分布布拉格反射鏡型半導體雷射或波長可調諧雷射。此外，按照本發明，有時在光源中安裝有旁路電容器14(圖7)。或者有時具有潛在於光源中的寄生電容器15(圖12)。或者有時具有潛在於光源中的寄生電容器15且安裝有旁路電容器15(圖13)。按照本發明，在上述情況下，通過在與突發控制信號相同的時機、或比突發控制信號早的時機施加預加重電流，可以改進突發光信號的上升。

圖12表示在dfb-ld13中具有寄生電容器時的等效電路。在圖12的結構中，代替旁路電容器電流(ic)62在旁路電容器14中流動，寄生電容器電流66在寄生電容器15中流動。採用圖12所示的結構的突發光信號發送裝置時，在參照圖7說明的實施方式中，將旁路電容器14的電容器容量替換為寄生電容器15的電容器容量，並且將旁路電容器電流(ic)62替換為寄生電容器電流66。由此，可以實現採用圖12所示的結構的突發光信號發送裝置。

圖13表示具有旁路電容器14、且進一步在dfb-ld13中具有寄生電容器時的等效電路。在圖13所示的結構中，旁路電容器電流(ic)62在旁路電容器14中流動，此外，寄生電容器電流66在寄生電容器15中流動。採用圖13所示的結構的突發光信號發送裝置時，在參照圖7說明的實施方式中，將旁路電容器14的電容器容量替換為旁路電容器14和寄生電容器15的電容器容量的合計值，並且將旁路電容器電流(ic)62替換為旁路電容器電流(ic)62和寄生電容器電流66。由此，可以實現採用圖13所示的結構的突發光信號發送裝置。

另外，本實施方式的收發器1不僅可以適用於onu，也可以適用於olt。此外，可以用於傳輸突發光信號的任意的ops(opticalpacketswitching)傳輸裝置等。

(發明的實施方式2)

以下，基於圖6～圖7和圖9，詳細說明本發明的實施方式2的10gb/s級外部調製器型突發光信號發送器的控制方法。圖6是本發明實施方式2的10gb/s級外部調製器型突發信號光發送器的結構，僅著眼於安裝在onu上的收發器1的發送部進行表示(省略了接收器部及其它周邊電路)。

此外，圖7表示本實施方式的突發控制電路，圖9表示本實施方式的時序圖。在圖6中，該發送部主要包括：內置有eml(dfb-ld13和eam23)的eml-tosa22、突發對應ld驅動電路31、預加重電路35和eam驅動電路24。

由收發器1發出的突發信號光10通過以下方式生成。從收發器1的上位層(未圖示)發出的具有10gb/s級的信號速度的發送信號數據5由空閒信號52和數據信號51構成，數據信號51是該onu用收發器1需要向olt發送的上行信號，利用突發控制信號6的on/off控制對數據信號51的發送時機進行控制(參照圖9)。在此，突發控制信號6輸入突發對應ld驅動電路31和預加重電路35。

如圖7所示，與所述突發控制信號6的on/off對應，on時從突發對應ld驅動電路31輸出ld驅動電流(ildd)63。此外，同樣與所述突發控制信號6的on/off對應，on時從預加重電路35輸出預加重電流(ipe)64。

由此，通過在ld驅動電流(ildd)63上疊加預加重電流(ipe)64，經由ld偏置線25向dfb-ld13施加疊加電流(ildd+pe)65。從dfb-ld13射出的輸出光利用eam23轉換為調製信號，並且由收發器1作為突發信號光發送。

在此，為了補償因僅在對旁路電容器(cbp)14充電完為止的時間流動的旁路電容器電流(ic)62產生的不足部分，作為本實施方式的特徵的預加重電路35輸出的預加重電流(ipe)64如圖9所示僅在對旁路電容器(cbp)14充電完為止的時間被附加施加。

在此，如果將ld驅動電流63上升開始時間作為t0、將預加重電流64上升開始時間作為t1、將預加重電流64下降開始時間作為t3，則在本實施方式中，使t0為任意的值，並且t1＝t0-15ps、t3＝t0+15ps。即，預加重電流(ipe)64流動的時間為30ps，雖然與實施方式1相同，但是本實施方式的最大的特徵在於，使預加重電流64上升開始時間t1比ld驅動電流63上升開始時間t0早(t1＜t0)。由此，通過在t0和t1之間設置偏移時間，大幅度改進了偏置電流(ib)61的突發響應，突發信號光10的突發上升時間(數據光信號101的突發響應時間)也改善為20ps。

設置在預加重電流64中的偏移時間是比驅動信號的起始早的規定時機，並不限於15ps。例如，旁路電容器14的充電時間tchg由公式(1)表示。因此，基於旁路電容器14的負載容量cp、向旁路電容器14的充電電流ichg和dfb-ld13的順向電壓vf電壓，確定規定時機。預加重電流64流動的時間並不限於充電至負載容量cp的100％所需要的時間，可以是任意的比例。

(發明的實施方式3)

本實施方式的突發光信號發送裝置還具有用於使充電時間tchg更短的電流供給部(未圖示)。電流供給部(未圖示)可以設置在突發對應ld驅動電路31或預加重電路35中。

電流供給部(未圖示)向dfb-ld13供給小於第二規定比例的範圍內的任意的電流，該第二規定比例比發明的實施方式1中說明的負載容量cp的第一規定比例低。例如，負載容量cp的第二規定比例是例如在0％超以上、小於50％的任意的比例。

電流供給部(未圖示)供給的電流優選使dfb-ld13不發光的程度的電流。因此，第二規定比例優選是小於在dfb-ld13的閾值電流向dfb-ld13供給時向旁路電容器14充電的負載容量cp的比例。

另外，在本實施方式中是10g/bs級的調製速度，但是本實施方式的控制方法也能夠適用於調製速度為10gb/s以外(例如1gb/s、25gb/s、40gb/s或40gb/s以上等)的調製速度。此外，在本實施方式中使用了eml型的外部調製集成型光源，但是使用將半導體mzm(馬赫-曾德爾調製器)和dfb-ld13集成的方式的外部調製集成型光源，也能夠得到同樣的效果。

此外，作為光源並不僅限於dfb-ld13，使用波長可調諧雷射也能夠得到同樣的效果。此外，也可以使用如下方式的外部調製器型光源：使eam23或mzm型外部調製器模塊(半導體mzm或ln調製器)與dfb-ld模塊分別成為單獨的模塊，並且利用光纖等光學連接單元來連接它們。如上所述，光源可以具有外部調製器，外部調製器可以是電場吸收型半導體調製器、半導體馬赫-曾德爾調製器或鈮酸鋰調製器。

作為光源除了可以使用dfb雷射或面發光雷射以外，還可以使用固體雷射等任意光源。

如上所述，通過利用本發明的技術，可以實現突發上升時間快的外部調製器型的突發光信號發送裝置及其控制方法，能夠在c段中減少因波長分散產生的光信號波形變形而進行20km以上的長距離傳輸，並且在突發信號發送開始時也不會發生傳輸錯誤。

另外，預加重電流(ipe)64的值是任意值。此外，在本實施方式中說明了驅動信號是電流信號的光源，但是也可以使用驅動信號是電壓信號的光源。在這種情況下，代替預加重電流而成為預加重電壓。

工業實用性

本發明可以應用於通信信息產業。

附圖標記說明

11：收發器

5：發送信號數據

6：突發控制信號

10：突發信號光

13：dfb-ld

14：旁路電容器(cbp)

15：寄生電容器

22：eml-tosa

23：eam

24：eam驅動電路

25：ld偏置線

27：eam信號線

31：突發對應ld驅動電路

35：預加重電路

37：電極

38：接地電極

51：數據信號

52：空閒信號

54：電極#1

55：電極#2

56：接地電極

61：偏置電流(ib)

62：旁路電容器電流(ic)

63：ld驅動電流(ildd)

64、66：預加重電流(ipe)

65：疊加電流(ildd+pe)

72：eam偏置電壓(vb)

73：eam調製電壓振幅(vpp)

74：預加重電流控制信號

101：數據光信號