具有非共面的、包封的微電子器件和無焊內建層的微電子封裝的製作方法
2023-06-19 06:05:46 2
具有非共面的、包封的微電子器件和無焊內建層的微電子封裝的製作方法
【專利摘要】一種具有包封的基板的微電子封裝，包括包封在包封材料內的多個微電子器件，其中，包封結構可以具有鄰近多個微電子器件的有源面的有源面，並且其中，所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件可以具有大於所述多個微電子器件中另一個微電子器件的高度(例如非共面)。微電子封裝進一步包括鄰近包封結構的有源面而形成的無焊內建層結構。微電子封裝還可以包括鄰近在包封結構的有源面上設置的、並與包封的基板的多個微電子器件中的至少一個微電子器件電接觸的具有有源面的微電子器件。
【專利說明】具有非共面的、包封的微電子器件和無焊內建層的微電子封裝
【技術領域】
[0001]本說明的實施例總體上涉及微電子封裝的領域，更具體而言，涉及具有多個非共面的、包封的微電子器件和無焊內建層的微電子封裝。
【背景技術】
[0002]微電子產業一直爭取生產更快且更小的微電子封裝，以便用於不同移動電子產品中，例如可攜式計算機、電子平板電腦、蜂窩電話、數位相機等。典型地，微電子封裝在諸如微處理器、晶片組、圖形設備、無線設備、存儲器設備、專用集成電路等的微電子器件與諸如母板、中介層、印刷電路板等的外部組件之間必須具有相當大量的導電路徑(用於發送電力/接地和輸入/輸出信號)。相當大量的導電路徑的形成導致必須在相對大的微電子器件中的形成，會需要嚴格的設計規則和/或會需要在互連層中的多層電介質材料和導電跡線，以實現到外部互連部的適當的導電路徑。而且，多個微電子器件可以用於微電子封裝的製造中，本領域技術人員會理解，這會導致的問題包括但不限於:在多個微電子器件的互連之間的帶寬限制，當使用球柵陣列貼裝結構時的封裝的可靠性，微電子封裝的尺寸縮放，由於貼裝到單個微電子基板或母板的多個封裝的形狀因子問題，由於集成每一個都具有自身封裝的多個器件的成本問題，及電位導電跡線「扇出」限制。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0003]在說明書的結論部分中具體指出並清楚地要求了本公開內容的主題。結合附圖，依據以下的說明和所附權利要求書，本公開內容的前述及其他特徵會變得更為明顯。應當理解，附圖僅示出了根據本公開內容的幾個實施例，因此不應認為是限制本公開內容的範圍。將通過使用附圖，藉助另外的特殊性和細節來說明本公開內容，以便更易於確定本公開內容的優點，在附圖中:
[0004]圖1示出了根據本說明的實施例的位於基板載體上的多個微電子器件的橫截面圖。
[0005]圖2示出了根據本說明的實施例的布置在圖1的微電子器件上的包封材料的橫截面圖。
[0006]圖3示出了根據本說明的另一個實施例的布置在圖1的微電子器件上的包封材料的橫截面圖。
[0007]圖4示出了根據本說明的實施例的通過固化/凝固包封材料而形成的包封結構以及從基板載體的去除包封結構的橫截面圖。
[0008]圖5示出了根據本說明的實施例的位於包封結構的有源面上的具有有源面的微電子器件。
[0009]圖6示出了根據本說明的實施例的具有有源面的微電子器件藉助鍵合引線與包封結構的至少一個微電子器件的電氣附接。
[0010]圖7示出了根據本說明的實施例的具有有源面的微電子器件藉助焊球與包封結構的至少一個微電子器件的電氣附接。
[0011]圖8示出了根據本說明的實施例的具有有源面的微電子器件藉助焊球與包封結構的至少一個微電子器件的電氣附接。
[0012]圖9示出了根據本說明的實施例的本說明的包封結構，其中，包封材料沒有圍繞至少微電子器件的突出的互連部或者已經被去除了。
[0013]圖10示出了根據本說明的實施例的圖9的結構，如果存在的話，具有布置在包封結構和具有有源面的微電子器件上的電介質材料層。
[0014]圖11示出了根據本說明的實施例的圖10的結構，如果存在的話，具有通過電介質層而形成的開口部，以便露出至少一個微電子器件與至少一個具有有源面的微電子器件的至少一個互連部。
[0015]圖12示出了根據本說明的實施例的圖11的結構，其中，以導電材料填充開口部以便形成導電通孔。
[0016]圖13示出了根據本說明的實施例的圖12的結構，其中，在電介質材料層上形成導電跡線。
[0017]圖14示出了根據本說明的實施例的微電子封裝。
[0018]圖15示出了根據本說明的一個實現方式的用於同時製造多個微電子封裝的多組微電子器件。
[0019]圖16示出了根據本說明的一個實現方式的圖15的結構，其中，分割或切割多組微電子器件，以形成單個微電子封裝。
[0020]圖17示出了根據本說明的實施例的用於製造微電子結構的過程的流程圖。
[0021]圖18示出了根據本說明的一個實現方式的電子系統/設備。
【具體實施方式】
[0022]在以下說明中，參考了附圖，附圖示例性地顯示了特定實施例，在其中可以實踐所要求的主題。足夠詳細地說明了這些實施例，以使得能量源技術人員能夠實踐主題。會理解，多個實施例儘管有所不同，但不必是相互排斥的。例如，本文結合一個實施例所述的特定特徵、結構或特性可以在其他實施例內實施，不會脫離所要求主題的精神和範圍。本說明書內對「一個實施例」或「實施例」的提及表示結合該實施例所述的特定特徵、結構或特性包括在本發明包含的至少一個實現方式中。因此，短語「一個實施例」或者「在實施例中」的使用不一定指代同一實施例。另外，會理解，在不脫離所要求主題的精神和範圍的情況下，可以修改單個元件在每一個公開的實施例中的位置或布置。以下的詳細說明因此不應在限制性意義上來理解，主題的範圍僅由所附權利要求書連同所附權利要求書給與等效替代的完整範圍來限定，並適當地解釋。在附圖中，全部幾個圖中的相似的參考標記指代相同或相似的元件或功能，其中所示的元件不一定彼此按照比例，而是可以放大或縮小單個元件，以便在本說明的環境中更易於理解元件。
[0023]本說明的實施例可以包括一種微電子封裝，具有包封的基板，所述包封的基板包括基本上包封在包封材料內的多個微電子器件，其中，包封結構可以具有鄰近所述多個微電子器件的有源面的有源面，並且其中，所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件可以具有大於所述多個微電子器件中另一個微電子器件的高度(例如非共面)。微電子封裝進一步包括鄰近包封結構的有源面而形成的無焊內建層結構。微電子封裝還可以包括鄰近包封結構的有源面而設置的具有有源面的微電子器件，並與包封結構的所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件電接觸。
[0024]在本說明的一個實施例中，諸如微處理器、晶片組、控制器、圖形設備、無線設備、存儲器設備、專用集成電路、電阻器、電容器、電感器等的多個微電子器件(示出為元件102r1023)可以位於基板載體112上，如圖1所示的。微電子器件102^1023可以位於基板載體112上，它們各自的有源面KM1-KM3鄰接和/或鄰近基板載體112。如圖1進一步所示的，微電子器件的有源面KM1-KM3的每一個都可以在其上具有至少一個連接結構IlO1-1lO3，例如焊盤、焊料塊或柱、焊樁等。注意，高度，即，從微電子器件的有源面(參見元件1042)或者自微電子器件(例如分別為微電子器件1021和1023)突出的連接結構(參見元件IlO1和IlO3)到各自相應的微電子器件102^1023的各自相應的背面1e1-1Oe3的距離(示出為H1-H3),不必基本上相等。
[0025]如圖2和3所示的，包封材料122可以布置在每一個微電子器件K^1-1OZ3和基板載體122上。可以藉助任何適當的技術來布置包封材料122，包括但不限於材料沉積和成型。包封材料122可以是任何適當的材料，包括但不限於，二氧化矽填充的環氧樹脂，例如可以從 Ajinomoto Fine-Techno C0., Inc., l-2Suzuki_cho, Kawasak1-ku, Kawasak1-shi,210-0801，Japan(例如 Ajinomoto ABF-GX 13>Ajinomoto GX92 等)得到的材料。如圖 2 所示的，包封材料122可以構成覆蓋每一個微電子器件102^1023的背面124，其中，包封材料122鄰接每一個微電子器件的背面1e1-1oe3並鄰接每一個微電子器件102^1023的至少一個側面lOS1-lOSj在各自相應的微電子器件的有源面KM1-KM3與各自相應的微電子器件背面106^1063 2間延伸)。可替換地，如圖3所示的，包封材料的背面124可以形成為與具有最大高度的微電子器件的背面(示出為具有高度H2的微電子器件1022(參見圖1))基本上平齊。這可以藉助成型來實現。這也可以通過使圖2中所示的結構平坦化來實現(例如化學機械拋光)。
[0026]一旦包封材料122已經固化或基本上凝固了，就可以將它從基板載體112去除以構成包封結構130，所述包封結構130具有由與基板載體112以及每一個微電子器件102r1023的有源面KM1-KM3和/或連接結構IlO1-1lO3鄰接的包封材料122的一部分構成的有源面132，如圖4所示的，其中，包封材料122與基板載體112鄰接的部分可以與每一個微電子器件102^1023的有源面KM1-KM3和/或連接結構IlO1-1lO3基本上平齊。如圖5-7所示的，至少一個具有有源面的微電子器件142可以鄰近包封結構的有源面132而設置。具有有源面的微電子器件142可以是任何適當的器件，例如有源器件，包括但不限於微處理器、晶片組、控制器、圖形設備、無線設備、存儲器設備、和專用集成電路，或者無源器件，包括但不限於，電阻器、電容器、和電感器。儘管在圖5-13中將具有有源面的微電子器件142不出為與微電子器件1022相鄰,但它可以與任何微電子器件102^1023相鄰，與包封材料122相鄰，或者與二者都相鄰。
[0027]如圖5所示的，可以設置至少一個具有有源面的微電子器件142，其背面144接觸包封結構的有源面132，以便可以在實質上形成的內建層中與至少一個微電子器件102r1023電接觸。在其他實施例中，可以設置至少一個具有有源面的微電子器件142，其背面144藉助至少一條鍵合引線152接觸包封結構的有源面132，鍵合引線152從具有有源面的微電子器件142的有源面146上的至少一個連接結構148和至少一個微電子器件102r1023的至少一個連接結構IlO1-1lO3延伸，如圖6所示的。此外，在如圖7所示的另一個實施例中，具有有源面的微電子器件142可以通過多個互連部154直接電氣連接到至少一個微電子器件102^1023，的互連部154例如是在至少一個具有有源面的微電子器件的連接結構148與至少一個微電子器件的連接結構I11-113(顯示為微電子器件連接結構IlO2)之間延伸的焊球。在圖7的實施例的一個示例中，微電子器件1022可以是微處理器，具有有源面的微電子器件142可以是存儲器設備。此外，在如圖8所示的實施例中，具有有源面的微電子器件142可以通過多個互連部154直接電氣連接到至少兩個微電子器件102r1023 (顯示為微電子器件102i和1022)，互連部154例如是在至少一個具有有源面的微電子器件的連接結構148與至少兩個微電子器件的連接結構IlO1-1lO3 (顯示為微電子器件連接結構IlO1和IlO2)之間延伸的焊球。
[0028]參考圖2和3，包封材料122可以具有足夠的粘性，以便圍繞從微電子器件延伸的任何突出的互連部，例如微電子器件互連部IlO1和1103。如圖9所示的，包封材料122的粘性可以不足以圍繞突出的互連，例如微電子器件互連部IlOp此外，應當理解，如果不希望包封材料122圍繞突出的互連部，就可以藉助本領域已知的任何技術將其去除。
[0029]如圖10所示的，可以與包封結構的有源面132與具有有源面的微電子器件142 (如果存在的話)相鄰地布置第一電介質材料層162lt)第一電介質材料層162i可以藉助本領域已知的任何技術來形成，包括沉積，例如噴塗，之後是平坦化、自平坦化絲網印刷等。電介質層可以是任何適當地電介質材料，包括但不限於，如前所述的二氧化矽(S12)、氮氧化矽(S1xNy)和氮化矽(Si3N4)及碳化矽(SiC)，以及二氧化矽填充的環氧樹脂等。
[0030]如圖11所不的,可以通過第一電介質材料層WZ1形成開口部164,以露出每一個微電子器件的連接結構IlO1-1lO3的至少一部分和至少一個具有有源面的微電子器件的互連部148 (如果存在的話)。開口部164可以由本領域已知的任何技術形成，包括但不限於，雷射鑽孔、尚子鑽孔、光刻/蝕刻等。
[0031]如圖12所不的,可以用導電材料填充開口部164,以形成第一導電通孔166i。導電材料可以是任何適當的材料，包括但不限於，銅、鋁、銀、金、它們的合金等。可以藉助本領域已知的任何技術來布置導電材料，包括但不限於，沉積、電鍍等，之後可以進行平坦化，如本領域技術人員會理解的。
[0032]如圖13所示的，可以在第一電介質材料層WZ1上形成多條第一導電跡線WS1的圖案，以便接觸至少一個第一導電通孔166ρ可以藉助本領域已知的任何技術來形成第一導電跡線Ies1的圖案，包括但不限於，沉積或電鍍，之後是光刻/蝕刻。第一導電跡線Ies1可以由如前所述的任何適當的導電材料，並藉助本領域已知的任何技術形成，包括光刻、沉積、電鍍等。第一電介質材料層1621、第一導電通孔166i和第一導電跡線WS1可以構成第一內建層170:。
[0033]可以重複用於形成如圖13所示的第一內建層HO1的工藝，直至形成期望的導電路徑。如圖14所示的，可以形成第二內建層1702，其包括第二電介質材料層1622、第二導電通孔1662和第二導電跡線1682。如圖14進一步所示的，可以形成最終內建層1703，其包括第三電介質材料層1623、第三導電通孔1663和焊盤172。內建層的組合(例如，第一內建層HO1、第二內建層1702、和最終內建層1703)可以構成無焊內建層結構170。
[0034]如圖13進一步所示的，可以在無焊內建層結構170上形成阻焊材料174，其中，通過阻焊材料174露出每一個焊盤172的至少一部分。可以在每一個焊盤172上形成外部互連部176，例如藉助所示的球柵陣列互連部，以形成微電子封裝180。可以利用阻焊材料174來包含用於形成含焊料的外部互連部176的焊料，如本領域技術人員會理解的。外部互連部176可以用於將微電子封裝180連接到其他微電子結構(未示出)，例如母板、印刷電路板等。儘管外部互連部176示出為球柵陣列互連部，但會理解，外部互連部176可以是任何適當的外部互連部，包括但不限於，焊柵陣列、針柵陣列、連接盤網格陣列等，如本領域技術人員會理解的。在將焊料用於形成外部互連部176時，例如球柵陣列和焊柵陣列，焊料可以是任何適當的材料，包括但不限於，鉛/錫合金和高錫含量合金(例如約90%或更多的錫)，及類似的合金。
[0035]儘管圖1-14示出了單個微電子封裝180的形成，但會理解，可以同時形成多個封裝。如圖15所示的，微電子器件102^1(^(參見圖1-14)的多個組310「3103可以如前所述的設置在基板載體122上(參見圖2-14)，以構成多個包封結構330。可以按照在前相關於無焊內建層結構170 (參見圖9-14)所述的方式在多個包封結構330上形成多個無焊內建層結構370。可以按照在前相關於阻焊層結構172和外部互連部174 (參見圖14)所述的方式形成多個阻焊層372和多個封裝外部互連部374，以形成多個包封結構380。
[0036]如圖16所示的，可以切割或裁切圖15的多個包封結構380，以將每一個微電子器件組31(^-31(^分隔為單個微電子封裝ISO1-1SO3t5可以藉助本領域已知的任何技術來執行切割，包括但不限於，鋸切、雷射切割、離子轟擊等。
[0037]在圖17的流程圖400中示出了製造本說明的微電子結構的一個過程的實施例。如在塊410中限定的，多個微電子器件可以位於基板載體上，其中，每一個微電子器件的有源面都面向基板載體，並且其中，多個微電子器件中的至少一個的高度高於多個微電子器件中的另一個的高度。如在塊420中限定的，可以藉助包封材料來包封多個微電子器件。如在塊430中限定的，隨後固化包封材料層，以形成具有與基板載體鄰接的有源面的包封材料。如在塊440中所示的，從基板載體去除包封結構。如在塊450中所示的，可以將有源面微電子結構設置在包封結構的有源面上。如在塊460中所示的，具有有源面的微電子器件可以電氣連接到包封結構內的多個微電子器件中的至少一個微電子器件。如在塊470中所示的，可以在包封結構的有源面和具有有源面的微電子器件上形成無焊內建層結構。
[0038]圖18示出了電子系統/設備500的實施例，例如可攜式計算機、臺式機、行動電話、數位相機、數位音樂播放器、上網平板/平板設備、個人數字助理、尋呼機、即時通訊設備、或者其他設備。電子系統/設備200可以適於無線發送和/或接收信息，例如通過無線區域網(WLAN)系統、無線個域網(WPAN)系統、和/或蜂窩網。電子系統/設備500可以包括在外殼520內的微電子基板510 (例如母板、印刷電路板等)。正如本申請的實施例一樣，微電子封裝530 (參見圖14的元件180和圖16的元件WO1 — 1803)連接到其。如前所述的，微電子封裝530可以包括多個封裝微電子器件102^1023 (參見圖1-14)，構成包封結構1330 (參見圖4-14)，其中，微電子器件可以具有不同高度以及在包封結構的有源面132 (參見圖4-14)上的可任選的具有有源面的微電子器件142(參見圖5-14)，並且其中，可以在包封結構130上形成無焊內建層170(參見圖14)。微電子基板510可以連接到不同外圍設備，包括諸如鍵盤的輸入設備540、諸如IXD顯示器的顯示設備550。會理解，如果顯示設備550是觸敏的，顯示設備550也可以起到輸入設備的作用。
[0039]會理解，本說明的主題不一定局限於圖1-18中所示的特定應用。如本領域技術人員會理解的，主題可以應用於其他微電子器件製造應用。
[0040]如上詳細說明了本發明的實施例，會理解，由所附權利要求書限定的本發明不局限於以上說明中闡述的特定細節，因為在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，這些細節的許多顯而易見的變型是可能的。
【權利要求】
1.一種微電子封裝，包括: 包封結構，所述包封結構包括實質上包封在包封材料內的多個微電子器件，其中，所述包封結構包括鄰近所述微電子器件的有源面的有源面，並且其中，所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件的高度大於所述多個微電子器件中的另一個微電子器件的高度；以及 無焊內建層結構，所述無焊內建層結構被形成為鄰近所述包封結構的有源面。
2.根據權利要求1所述的微電子封裝，進一步包括設置在所述包封結構的有源面上的至少一個具有有源面的微電子器件。
3.根據權利要求2所述的微電子封裝，其中，所述至少一個有源面電氣連接到所述包封結構的所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件。
4.根據權利要求3所述的微電子封裝，其中，所述至少一個具有有源面的微電子器件通過所述無焊內建層結構電氣連接到所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件。
5.根據權利要求3所述的微電子封裝，其中，所述至少一個具有有源面的微電子器件通過至少一條鍵合引線電氣連接到所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件。
6.根據權利要求3所述的微電子封裝，其中，所述至少一個具有有源面的微電子器件通過至少一個焊料互連部直接電氣連接到所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件的有源面。
7.根據權利要求1所述的微電子封裝，進一步包括電氣連接到所述無焊內建層結構的外部互連部。
8.根據權利要求1所述的微電子封裝，其中，所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件包括從其有源面延伸的至少一個連接結構，並且其中，所述包封材料不包封所述多個微電子器件中的所述至少一個微電子器件的所述至少一個連接結構。
9.根據權利要求1所述的微電子封裝，其中，所述包封材料包括二氧化矽填充的環氧樹脂。
10.根據權利要求1-9中任意一項所述的微電子封裝，其中，所述包封結構進一步包括背面，其中，所述包封結構的背面與所述多個微電子器件中的具有最大高度的至少一個微電子器件的背面實質上平齊。
11.一種形成微電子封裝的方法，包括: 將多個微電子器件設置在基板載體上，其中，每一個所述微電子器件的有源面都面向所述基板載體，並且其中，所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件的高度大於所述多個微電子器件中的另一個微電子器件的高度； 用包封材料實質上包封所述多個微電子器件； 固化所述包封材料以形成包封結構，所述包封結構具有與所述基板載體鄰接的有源面； 從所述基板載體去除所述包封結構；以及 在所述包封結構的有源面上形成無焊內建層結構。
12.根據權利要求11所述的形成所述微電子封裝的方法，進一步包括將至少一個具有有源面的微電子器件設置在所述包封結構的有源面上。
13.根據權利要求12所述的形成所述微電子封裝的方法，進一步包括:在形成所述無焊內建層結構之前，將至少一個具有有源面的微電子器件電氣連接到所述包封結構的所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件。
14.根據權利要求13所述的形成所述微電子封裝的方法，其中，電氣連接所述至少一個具有有源面的微電子器件包括:將所述至少一個具有有源面的微電子器件通過所述無焊內建層結構電氣連接到所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件。
15.根據權利要求13所述的形成所述微電子封裝的方法，其中，電氣連接所述至少一個具有有源面的微電子器件包括:將所述至少一個具有有源面的微電子器件通過至少一條鍵合引線電氣連接到所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件。
16.根據權利要求13所述的形成所述微電子封裝的方法，其中，電氣連接所述至少一個具有有源面的微電子器件包括:將所述至少一個具有有源面的微電子器件通過至少一個焊料互連部電氣連接到所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件。
17.根據權利要求11所述的形成所述微電子封裝的方法，進一步包括形成電氣連接到所述無焊內建層結構的外部互連部。
18.根據權利要求11所述的形成所述微電子封裝的方法，其中，將多個微電子器件設置在基板載體上包括設置多組微電子器件，且進一步包括在形成所述無焊內建層結構之後，對單組微電子器件進行切割以形成單個微電子封裝。
19.根據權利要求11所述的形成所述微電子封裝的方法，進一步包括:在對單組微電子器件進行切割之前，形成電氣連接到所述無焊內建層結構的多個外部互連部。
20.根據權利要求11所述的形成所述微電子封裝的方法，其中，所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件的所述有源面包括從其有源面延伸的至少一個連接結構，並且其中，用包封材料來實質上包封所述多個微電子器件並沒有包封所述多個微電子器件中的所述至少一個微電子器件的所述至少一個連接結構。
21.根據權利要求11所述的形成所述微電子封裝的方法，其中，所述包封材料包括二氧化矽填充的環氧樹脂。
22.根據權利要求11-21中任意一項所述的形成所述微電子封裝的方法，其中，包封所述多個微電子器件進一步包括:形成所述包封結構的背面，所述包封結構的背面與所述多個微電子器件中的具有最大高度的至少一個微電子器件的背面實質上平齊。
23.—種微電子系統,包括: 外殼；及 布置在所述外殼內的微電子結構，包括: 微電子基板；以及 附接到所述微電子基板的至少一個微電子封裝，所述至少一個微電子封裝包括: 包封結構，所述包封結構包括實質上包封在包封材料內的多個微電子器件，其中，所述包封結構包括鄰近所述微電子器件的有源面的有源面，並且其中，所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件的高度大於所述多個微電子器件中的另一個微電子器件的高度；以及 無焊內建層結構，所述無焊內建層結構被形成為鄰近所述包封結構的有源面。
24.根據權利要求23所述的系統，進一步包括設置在所述包封結構的有源面上的至少一個具有有源面的微電子器件。
25.根據權利要求24所述的系統，其中，所述至少一個有源面電氣連接到所述包封結構的所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件。
26.根據權利要求25所述的系統，其中，所述至少一個具有有源面的微電子器件通過所述無焊內建層結構電氣連接到所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件。
27.根據權利要求25所述的系統，其中，所述至少一個具有有源面的微電子器件通過至少一條鍵合引線電氣連接到所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件。
28.根據權利要求25所述的系統，其中，所述至少一個具有有源面的微電子器件通過至少一個焊料互連部直接電氣連接到所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件的有源面。
29.根據權利要求23所述的系統，其中，所述多個微電子器件中的至少一個微電子器件包括從其有源面延伸的至少一個連接結構，並且其中，包封材料不包封所述多個微電子器件中的所述至少一個微電子器件的所述至少一個連接結構。
30.根據權利要求23-29中任意一項所述的系統，其中，所述包封結構進一步包括背面，其中，所述包封結構的背面與所述多個微電子器件中的具有最大高度的至少一個微電子器件的背面實質上平齊。
【文檔編號】H01L23/48GK104321864SQ201280073065
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2012年6月8日 優先權日:2012年6月8日
【發明者】C·胡 申請人:英特爾公司