雙重模式升壓調節器的製造方法
2023-06-07 12:02:36 1
雙重模式升壓調節器的製造方法
【專利摘要】本發明涉及一種集成電路升壓調節器設計，所述集成電路升壓調節器設計使用同一集成電路裝置提供低功率晶片上功率組件升壓調節器電路或高功率晶片外功率組件升壓調節器電路的選擇。
【專利說明】雙重模式升壓調節器
【技術領域】
[0001]本發明涉及具有升壓調節器電路的集成電路裝置，且更特定來說涉及一種具有晶片上低功率組件或晶片外高功率組件的選擇的集成電路升壓調節器。
【背景技術】
[0002]依靠單個電池進行操作的電子裝置將具有較小形狀因子。然而，為了使電子裝置依靠單個電池的原生電壓(例如，大約0.9伏到1.8伏)操作，電子裝置電路所使用的電壓必須增加到大約3.3伏。升壓調節器用於將電池電壓提高到電子裝置中的電路所需要的較高電壓。包含功率切換電晶體的完整升壓調節器可製作於集成電路(IC)晶片中但限於通常65毫瓦或65毫瓦以下的低功率應用。當需要較高功率時，使用在IC晶片外部的功率電晶體的混合型升壓調節器可用於需要較大功率的應用。然而，具有外部功率電晶體的混合型升壓調節器花費更大、更複雜且需要印刷電路板上的更多空間，包含散熱。迄今為止，具有整體升壓調節器控制電路的經不同設計的集成電路用於低功率應用或高功率應用而非低功率應用及高功率應用兩者。這需要兩種不同集成設計及至少兩種極不相同且不可互換類型的集成電路部件。
【發明內容】
[0003]因此，需要一種使用同一集成電路設計及裝置提供可用於低功率晶片上功率組件升壓調節器電路或高功率晶片外功率組件升壓調節器電路的電壓調節器拓撲的選擇且具有用於低功率應用或高功率應用的電路拓撲的選擇的升壓調節器集成電路設計。
[0004]根據一實施例，一種在集成電路裝置(102)中的雙重模式升壓調節器可包括:電源端子(134);電源共用端子(142);電感器端子(136);外部電晶體柵極控制端子(138)；電壓輸出端子(140);升壓調節器模式選擇端子(126);電壓感測端子(141);電晶體切換控制電路(108)，其具有耦合到所述升壓調節器模式選擇端子(126)的模式選擇輸入；第一功率電晶體(124)，其耦合於所述電感器端子(136)與所述電壓輸出端子(140)之間，且由所述電晶體切換控制電路(108)控制；電壓反饋電路(106)，其耦合於所述電壓輸出端子(140)與所述電晶體切換控制電路(108)之間，且具有耦合到至少一個電壓參考的至少一個輸入；啟動電路(110);振蕩器(112)，其耦合到所述啟動電路(110)及所述電晶體切換控制電路(108);第二功率電晶體(116)，其耦合於所述電感器端子(136)與所述電源共用端子(142)之間，且由所述電晶體切換控制電路(108)控制；第一電壓測量裝置(114)，其具有耦合到所述電晶體切換控制電路(108)的輸出；第二電壓測量裝置(115)，其具有耦合到所述電感器端子(136)的第一差分輸入及耦合到所述電壓感測端子(141)的第二差分輸入；及模式選擇開關(I 18)，其具有耦合到所述第一電壓測量裝置(114)的輸入的共用點、耦合到所述電感器端子(136)的第一輸入及耦合到所述第二電壓測量裝置(115)的輸出的第二輸入；其中當經由所述升壓調節器模式選擇端子(126)選擇低功率升壓調節器模式時，所述第一功率電晶體(124)及所述第二功率電晶體(116)為作用的且由所述電晶體切換控制電路(108)控制，且所述電壓測量裝置(114)的所述輸入經由所述模式選擇開關(118)耦合到所述電感器端子(136);且當經由所述升壓調節器模式選擇端子(126)選擇高功率升壓調節器模式時，所述第一功率電晶體(124)及所述第二功率電晶體(116)為非作用的，且所述第一電壓測量裝置(114)的所述輸入經由所述模式選擇開關(118)耦合到所述第二電壓測量裝置(115)的所述輸出。
[0005]根據又一實施例，當在所述低功率升壓調節器模式中時，電感器(120)耦合於所述電源端子(134)與所述電感器端子(136)之間；電源(122)耦合於所述電源端子(134)與所述電源共用端子(142)之間；且濾波電容器(104)耦合於所述電壓輸出端子(140)與所述電源共用端子(142)之間。
[0006]根據又一實施例，當在所述高功率升壓調節器模式中時，電感器(120)耦合於所述電源端子(134)與所述電感器端子(136)之間；電源(122)耦合於所述電源端子(134)與所述電源共用端子(142)之間；濾波電容器(104)耦合於所述電壓輸出端子(140)與所述電源共用端子(142)之間；肖特基功率二極體耦合於所述電感器端子(136)與所述電壓輸出端子(140)之間；第三功率電晶體(230)具有耦合到所述電源共用端子(142)的源極、耦合到所述外部電晶體柵極控制端子(138)的柵極及耦合到所述電壓感測端子(141)的漏極；且電流感測電阻器(228)耦合於所述電壓感測端子(141)與所述電感器端子(136)之間。
[0007]根據又一實施例，所述電晶體切換控制電路(108)產生脈衝寬度調製或頻率調製控制信號。根據又一實施例，所述振蕩器(112)使用電阻-電容電路來確定其振蕩器頻率。根據又一實施例，所述第一功率電晶體(124)為P通道金屬氧化物半導體場效應電晶體。根據又一實施例，所述第二功率電晶體(116)為N通道金屬氧化物半導體場效應電晶體。
[0008]根據又一實施例，所述第三功率電晶體(230)為N通道金屬氧化物半導體場效應電晶體。根據又一實施例，所述電源(122)為電池。根據又一實施例，所述電池具有從大約
0.9伏到大約1.8伏的電壓。
[0009]根據又一實施例，所述第一電壓測量裝置(114)為差分輸入運算放大器。根據又一實施例，所述第二電壓測量裝置(115)為差分輸入運算放大器。根據又一實施例，其中所述集成電路裝置(102)為包括模擬與數字電路及數字存儲器的微控制器。根據又一實施例，所述升壓調節器模式的選擇存儲於非易失性存儲器中。根據又一實施例，所述非易失性存儲器選自由熔絲位及電可編程非易失性存儲器位組成的群組。
[0010]根據另一實施例，一種在集成電路裝置(102)中提供雙重模式升壓調節器的方法，所述方法包括以下步驟:提供電源端子(134);提供電源共用端子(142);提供電感器端子(136);提供電壓輸出端子(140);提供升壓調節器模式選擇端子(126);提供電壓感測端子(141);提供具有耦合到所述升壓調節器模式選擇端子(126)的模式選擇輸入的電晶體切換控制電路(108);提供耦合到所述電晶體切換控制電路(108)的外部電晶體柵極控制端子(138);提供耦合於所述電感器端子(136)與所述電壓輸出端子(140)之間且由所述電晶體切換控制電路(108)控制的第一功率電晶體(124);提供耦合於所述電壓輸出端子(140)與所述電晶體切換控制電路(108)之間且具有耦合到至少一個電壓參考的至少一個輸入的電壓反饋電路(106);提供啟動電路(110);提供耦合到所述啟動電路(110)及所述電晶體切換控制電路(108)的振蕩器(112);提供耦合於所述電感器端子(136)與所述電源共用端子(142)之間且由所述電晶體切換控制電路(108)控制的第二功率電晶體(116);提供具有耦合到所述電晶體切換控制電路(108)的輸出的第一電壓測量裝置(114);提供具有耦合到所述電感器端子(136)的第一差分輸入及耦合到所述電壓感測端子(141)的第二差分輸入的第二電壓測量裝置(115);及提供具有耦合到所述第一電壓測量裝置(114)的輸入的共用點、耦合到所述電感器端子(136)的第一輸入及耦合到所述第二電壓測量裝置(115)的輸出的第二輸入的模式選擇開關(118);選擇低功率升壓調節器模式包括以下步驟:藉助所述電晶體切換控制電路(108)控制所述第一功率電晶體(124)及所述第二功率電晶體(116)，經由所述模式選擇開關(118)將所述第一電壓測量裝置(114)的所述輸入耦合到所述電感器端子(136);且選擇高功率升壓調節器模式包括以下步驟:將所述第一功率電晶體(124)及所述第二功率電晶體(116)去激活；及經由所述模式選擇開關(118)將所述第一電壓測量裝置(114)的所述輸入耦合到所述第二電壓測量裝置(115)的所述輸出。
[0011]根據所述方法的又一實施例，所述選擇所述低功率升壓調節器模式的步驟進一步包括以下步驟:將電感器(120)耦合於所述電源端子(134)與所述電感器端子(136)之間；將電源(122)耦合於所述電源端子(134)與所述電源共用端子(142)之間；及將濾波電容器(104)耦合於所述電壓輸出端子(140)與所述電源共用端子(142)之間。
[0012]根據所述方法的又一實施例，所述選擇所述高功率升壓調節器模式的步驟進一步包括以下步驟:將電感器(120)耦合於所述電源端子(134)與所述電感器端子(136)之間；將電源(122)耦合於所述電源端子(134)與所述電源共用端子(142)之間；將濾波電容器(104)耦合於所述電壓輸出端子(140)與所述電源共用端子(142)之間；將肖特基功率二極體耦合於所述電感器端子(136)與所述電壓輸出端子(140)之間；將第三功率電晶體(230)的源極耦合到所述電源共用端子(142);將所述第三功率電晶體(230)的柵極耦合到所述外部電晶體柵極控制端子(138);將所述第三功率電晶體(230)的漏極耦合到所述電壓感測端子(141);及將電流感測電阻器(228)耦合於所述電壓感測端子(141)與所述電感器端子(136)之間。
[0013]根據所述方法的又一實施例，所述選擇所述低或高功率升壓調節器模式的步驟包括將所述功率升壓調節器模式存儲於非易失性存儲器中的步驟。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0014]可通過結合隨附圖式一起參考以下描述來獲得對本發明的更全面理解，其中:
[0015]圖1是根據本發明的特定實例性實施例的包括可選擇雙重模式升壓調節器拓撲且配置為低功率升壓調節器的集成電路裝置的示意性電路及框圖；及
[0016]圖2是根據本發明的另一特定實例性實施例的包括可選擇雙重模式升壓調節器拓撲且配置為高功率升壓調節器的集成電路裝置的示意性電路及框圖。
[0017]儘管易於對本發明作出各種修改及替代形式，但已在圖式中展示並在本文中詳細描述其特定實例性實施例。然而，應理解，本文對特定實例性實施例的描述並非打算將本發明限制於本文中所揭示的特定形式，而是相反，本發明將涵蓋如由所附權利要求書界定的所有修改及等效形式。
【具體實施方式】
[0018]現在參考圖式，示意性地圖解說明特定實例性實施例的細節。圖式中的相同元件將由相同編號表示，且類似元件將由具有不同小寫字母後綴的相同編號表示。
[0019]參考圖1，其描繪根據本發明的特定實例性實施例的包括可選擇雙重模式升壓調節器拓撲且配置為低功率升壓調節器的集成電路裝置的示意性電路及框圖。集成電路(IC)裝置102中的升壓調節器電路包括閉環電壓反饋電路106、PWM/頻率調製器108、啟動電路110、電阻器-電容器(RC)振蕩器112、運算放大器114及115、分流切換電晶體116、固態開關118及串聯功率切換電晶體124。電感器120及濾波電容器104在IC裝置102外部，但對低功率升壓調節器的操作為必需的。IC裝置102的升壓調節器從電源122 (例如，電池、交流電(AC)到經整流直流電(DC)(未展示)等)接收電力(電壓及電流)。IC裝置102可為(舉例來說但不限於)混合信號(模擬與數字電路)IC裝置，例如，具有程序及數據存儲存儲器的微控制器。
[0020]圖1中所展示的升壓調節器為針對低功率應用使用在IC裝置102內部的功率開關(電晶體116及124)的DC/DC切換調節器。來自電池122的低電壓(例如，0.9伏到1.8伏)供應到IC裝置102的電源端子134 (Vbat)及電源共用端子142。PWM/頻率調製器108中的控制電路控制內部功率電晶體116 (NMOS-FET)及124 (PMOS-FET)的切換以使連接到濾波電容器104的Vdd端子140處的輸出電壓升壓。此DC/DC切換調節器還具有確定功率電晶體116及124的切換頻率的內置振蕩器112(例如，電阻器-電容器(RC))。電壓反饋電路106以及包括運算放大器114及開關118的電流反饋電路分別監視輸出電壓Vdd (端子140)及輸入電流以控制輸出電壓VDD。還包含啟動電路110以管理輸出電壓Vdd的初始斜升。開關118可為使用MOSFET及/或CMOS電晶體開關在包括IC裝置102的集成電路裸片上製作的固態單刀雙擲開關。通過經由模式選擇端子126選擇低功率模式還是高功率模式來確定開關118的選擇位置，且此選擇可在非易失性存儲器(未展示)中，如下文中更全面地描述。
[0021]當DC/DC切換調節器啟動時，端子140處的輸出電壓Vdd經由PMOS電晶體124緩慢增加。啟動電路110限制穿過PMOS電晶體124的電流直到電壓Vdd達到大約輸入電壓Vbat為止。接著，內置振蕩器112接通且PWM/頻率調製器108中的驅動器電路開始藉助非重疊接通信號交替地接通及關斷內部功率電晶體116及124，所述非重疊接通信號在切換期間於電晶體116及124中的每一者的接通狀態與關斷狀態之間具有靜帶。在此啟動時間期間，所述切換調節器以固定工作循環操作。
[0022]當輸出電壓Vdd達到充分高的充足電壓時，帶隙電壓參考VBe及低壓降(LDO)電路將接通。接著，PWM/頻率調製器108的PWM部分變為作用的且將調整PWM信號的工作循環(接通及關斷電晶體116及124)以供應產生及維持經調節輸出電壓Vdd必需的電流及電壓。閉環模擬電壓反饋電路106等可用作電壓誤差反饋電路，其與電壓參考Vkef及/或帶隙電壓參考VBe結合以將誤差電壓提供到PWM/頻率調製器108以便維持實質上恆定的經調節輸出電壓VDD。為了實施電流模式控制，通過在放大器114及開關118處於圖1中所展示的連接位置中的情況下測量跨越處於「接通」飽和的內部NMOS電晶體116的漏極-源極的電壓來確定穿過電晶體116的電流。接著使用此電流測量來調整切換調節器的工作循環。可通過模式選擇端子126處的模式選擇信號執行低功率/高功率模式選擇，且選擇的模式可存留於非易失性存儲器(例如但不限於熔絲位、電可編程非易失性存儲器位等)中。預期且在本發明的範圍內，可同樣成功地使用測量DC/DC切換調節器的操作電流的其它方法及方式，且集成電路及切換調節器設計領域的且受益於本發明的技術人員可容易地創建用於測量此電流的替代設計。
[0023]參考圖2，其描繪根據本發明的另一特定實例性實施例的包括可選擇雙重模式升壓調節器拓撲且配置為高功率升壓調節器的集成電路裝置的示意性電路及框圖。集成電路(IC)裝置102中的升壓調節器電路包括閉環電壓反饋電路106、PWM/頻率調製器108、啟動電路110、電阻器-電容器(RC)振蕩器112、運算放大器114及115、分流功率切換電晶體116 (不用於高功率模式中)、固態開關118及串聯功率切換電晶體124 (不用於高功率模式中)。電感器120、外部分流功率切換電晶體230、用於測量穿過電感器120的電流的電流感測電阻器228、功率肖特基二極體232及濾波電容器104在IC裝置102外部，但對高功率升壓調節器的操作是必需的。IC裝置102的升壓調節器從電源122 (例如，電池、交流電流(AC)到經整流直流電流(DC)(未展示)等)接收電力(電壓及電流)。IC裝置102可為(舉例來說但不限於)混合信號(模擬與數字電路)IC裝置，例如，具有程序及數據存儲存儲器的微處理器。
[0024]高功率升壓調節器模式的操作實質上與低功率調節器模式相同，只不過通過檢測穿過與NMOS外部分流功率切換電晶體230串聯的極小電阻值電流感測電阻器228的電流(例如，測量跨越電阻器228的電壓)來實施電流模式控制。可使用此電流測量來調整切換調節器的工作循環。PMOS電晶體124可由外部功率肖特基二極體232替換，這是因為將內部功率電晶體116及124用於較高功率應用將需要使所述內部功率電晶體為極大的。因此，使用外部NMOS功率切換電晶體230及外部功率肖特基二極體232減輕了在將內部功率切換電晶體用於高功率應用的情況下將產生的增加的成本及效率損失。
[0025]當經由模式選擇端子126做出高功率模式選擇時，選擇外部NMOS功率切換電晶體230且取消選擇內部切換電晶體116及124。感測端子141及電感器端子136將電流感測電阻器228耦合到差分放大器115的輸入。差分放大器115檢測表示穿過電流感測電阻器228的電流的電壓，且開關118當處於所展示的位置時將差分放大器115的輸出耦合到差分放大器114的正輸入。放大器115經配置以便提供表示在電流感測電阻器228中流動的電流的輸出。因此，電流模式控制可用於具有相同IC裝置102的低功率應用及高功率應用兩者。此外，當選擇高功率模式時，適當調整控制環路電壓反饋電路106的補償網絡以實現較高負載電流的電壓反饋調節。
[0026]預期且在本發明的範圍內，可同樣成功地使用測量穿過電流感測電阻器228的操作電流的其它方法及方式，且集成電路及切換調節器設計領域的且受益於本發明的技術人員可容易地創建用於測量此電流的替代設計。
[0027]儘管已參考本發明的實例性實施例來描繪、描述及界定本發明的各實施例，但此些參考並不暗指對本發明的限制，且不應推斷出存在此類限制。如相關領域的且受益於本發明的技術人員將會想到，所揭示的標的物能夠在形式及功能上具有大量修改、變更及等效形式。本發明的所描繪及所描述實施例僅為實例，且並非是對本發明的範圍的窮盡性說明。
【權利要求】
1.一種在集成電路裝置(102)中的雙重模式升壓調節器，其包括: 電源端子(134)； 電源共用端子(142)； 電感器端子(136)； 外部電晶體柵極控制端子(138)； 電壓輸出端子(140)； 升壓調節器模式選擇端子(126)； 電壓感測端子(141)； 電晶體切換控制電路(108)，其具有耦合到所述升壓調節器模式選擇端子(126)的模式選擇輸入； 第一功率電晶體(124)，其耦合於所述電感器端子(136)與所述電壓輸出端子(140)之間，且由所述電晶體切換控制電路(108)控制； 電壓反饋電路(106)，其耦合於所述電壓輸出端子(140)與所述電晶體切換控制電路(108)之間，且具有耦合到至少一個電壓參考的至少一個輸入； 啟動電路(110)； 振蕩器(112)，其耦合到所述啟動電路(110)及所述電晶體切換控制電路(108)； 第二功率電晶體(116)，其耦合於所述電感器端子(136)與所述電源共用端子(142)之間，且由所述電晶體切換控制電路(108)控制； 第一電壓測量裝置(114)，其具有耦合到所述電晶體切換控制電路(108)的輸出； 第二電壓測量裝置(115)，其具有耦合到所述電感器端子(136)的第一差分輸入及耦合到所述電壓感測端子(141)的第二差分輸入 '及 模式選擇開關(I 18)，其具有耦合到所述第一電壓測量裝置(114)的輸入的共用點、耦合到所述電感器端子(136)的第一輸入及耦合到所述第二電壓測量裝置(115)的輸出的第二輸入; 其中 當經由所述升壓調節器模式選擇端子(126)選擇低功率升壓調節器模式時，所述第一功率電晶體(124)及所述第二功率電晶體(116)為作用的且由所述電晶體切換控制電路(108)控制，且所述電壓測量裝置(114)的所述輸入經由所述模式選擇開關(118)耦合到所述電感器端子(136);且 當經由所述升壓調節器模式選擇端子(126)選擇高功率升壓調節器模式時，所述第一功率電晶體(124)及所述第二功率電晶體(116)為非作用的，且所述第一電壓測量裝置(114)的所述輸入經由所述模式選擇開關(118)耦合到所述第二電壓測量裝置(115)的所述輸出。
2.根據權利要求1所述的雙重模式升壓調節器，當在所述低功率升壓調節器模式中時，其進一步包括: 電感器(120)，其耦合於所述電源端子(134)與所述電感器端子(136)之間； 電源(122)，其耦合於所述電源端子(134)與所述電源共用端子(142)之間；及 濾波電容器(104)，其耦合於所述電壓輸出端子(140)與所述電源共用端子(142)之間。
3.根據權利要求1所述的雙重模式升壓調節器，當在所述高功率升壓調節器模式中時，其進一步包括: 電感器(120)，其耦合於所述電源端子(134)與所述電感器端子(136)之間； 電源(122)，其耦合於所述電源端子(134)與所述電源共用端子(142)之間； 濾波電容器(104)，其耦合於所述電壓輸出端子(140)與所述電源共用端子(142)之間； 肖特基功率二極體，其耦合於所述電感器端子(136)與所述電壓輸出端子(140)之間； 第三功率電晶體(230)，其具有耦合到所述電源共用端子(142)的源極、耦合到所述外部電晶體柵極控制端子(138)的柵極及耦合到所述電壓感測端子(141)的漏極；及 電流感測電阻器(228)，其耦合於所述電壓感測端子(141)與所述電感器端子(136)之間。
4.根據權利要求1所述的雙重模式升壓調節器，其中所述電晶體切換控制電路(108)產生脈衝寬度調製或頻率調製控制信號。
5.根據權利要求1所述的雙重模式升壓調節器，其中所述振蕩器(112)使用電阻-電容電路來確定其振蕩器頻率。
6.根據權利要求1所述的雙重模式升壓調節器，其中所述第一功率電晶體(124)為P通道金屬氧化物半導體場效應電晶體。
7.根據權利要求1所述的雙重模式升壓調節器，其中所述第二功率電晶體(116)為N通道金屬氧化物半導體場效應電晶體。
8.根據權利要求3所述的雙重模式升壓調節器，其中所述第三功率電晶體(230)為N通道金屬氧化物半導體場效應電晶體。
9.根據權利要求1所述的雙重模式升壓調節器，其中所述電源(122)為電池。
10.根據權利要求9所述的雙重模式升壓調節器，其中所述電池具有從大約0.9伏到大約1.8伏的電壓。
11.根據權利要求1所述的雙重模式升壓調節器，其中所述第一電壓測量裝置(114)為差分輸入運算放大器。
12.根據權利要求1所述的雙重模式升壓調節器，其中所述第二電壓測量裝置(115)為差分輸入運算放大器。
13.根據權利要求1所述的雙重模式升壓調節器，其中所述集成電路裝置(102)為包括模擬與數字電路及數字存儲器的微控制器。
14.根據權利要求1所述的雙重模式升壓調節器，其中所述升壓調節器模式的選擇存儲於非易失性存儲器中。
15.根據權利要求14所述的雙重模式升壓調節器，其中所述非易失性存儲器選自由熔絲位及電可編程非易失性存儲器位組成的群組。
16.一種在集成電路裝置(102)中提供雙重模式升壓調節器的方法，所述方法包括以下步驟: 提供電源端子(134)； 提供電源共用端子(142)； 提供電感器端子(136)； 提供電壓輸出端子(140)； 提供升壓調節器模式選擇端子(126)； 提供電壓感測端子(141)； 提供具有耦合到所述升壓調節器模式選擇端子(126)的模式選擇輸入的電晶體切換控制電路(108)； 提供耦合到所述電晶體切換控制電路(108)的外部電晶體柵極控制端子(138)；提供耦合於所述電感器端子(136)與所述電壓輸出端子(140)之間且由所述電晶體切換控制電路(108)控制的第一功率電晶體(124)； 提供耦合於所述電壓輸出端子(140)與所述電晶體切換控制電路(108)之間且具有耦合到至少一個電壓參考的至少一個輸入的電壓反饋電路(106)； 提供啟動電路(110)； 提供耦合到所述啟動電路(110)及所述電晶體切換控制電路(108)的振蕩器(112)；提供耦合於所述電感器端子(136)與所述電源共用端子(142)之間且由所述電晶體切換控制電路(108)控制的第二功率電晶體(116)； 提供具有耦合到所述電晶體切換控制電路(108)的輸出的第一電壓測量裝置(114)；提供具有耦合到所述電感器端子(136)的第一差分輸入及耦合到所述電壓感測端子(141)的第二差分輸入的第二電壓測量裝置(115);及 提供具有耦合到所述第一電壓測量裝置(114)的輸入的共用點、耦合到所述電感器端子(136)的第一輸入及耦合到所述第二電壓測量裝置(115)的輸出的第二輸入的模式選擇開關(118)； 選擇低功率升壓調節器模式包括以下步驟: 藉助所述電晶體切換控制電路(108)控制所述第一功率電晶體(124)及所述第二功率電晶體(116)， 經由所述模式選擇開關(118)將所述第一電壓測量裝置(114)的所述輸入耦合到所述電感器端子(136);且 選擇高功率升壓調節器模式包括以下步驟: 將所述第一功率電晶體(124)及所述第二功率電晶體(116)去激活；及經由所述模式選擇開關(118)將所述第一電壓測量裝置(114)的所述輸入耦合到所述第二電壓測量裝置(115)的所述輸出。
17.根據權利要求16所述的方法，其中所述選擇所述低功率升壓調節器模式的步驟進一步包括以下步驟: 將電感器(120)耦合於所述電源端子(134)與所述電感器端子(136)之間； 將電源(122)耦合於所述電源端子(134)與所述電源共用端子(142)之間；及 將濾波電容器(104)耦合於所述電壓輸出端子(140)與所述電源共用端子(142)之間。
18.根據權利要求16所述的方法，其中所述選擇所述高功率升壓調節器模式的步驟進一步包括以下步驟: 將電感器(120)耦合於所述電源端子(134)與所述電感器端子(136)之間； 將電源(122)耦合於所述電源端子(134)與所述電源共用端子(142)之間； 將濾波電容器(104)耦合於所述電壓輸出端子(140)與所述電源共用端子(142)之間； 將肖特基功率二極體耦合於所述電感器端子(136)與所述電壓輸出端子(140)之間； 將第三功率電晶體(230)的源極耦合到所述電源共用端子(142)； 將所述第三功率電晶體(230)的柵極耦合到所述外部電晶體柵極控制端子(138)； 將所述第三功率電晶體(230)的漏極耦合到所述電壓感測端子(141);及 將電流感測電阻器(228)耦合於所述電壓感測端子(141)與所述電感器端子(136)之間。
19.根據權利要求16所述的方法，其中所述選擇所述低或高功率升壓調節器模式的步驟包括將所述功率升壓調節器模式存儲於非易失性存儲器中的步驟。
【文檔編號】H02M3/158GK104170228SQ201380014812
【公開日】2014年11月26日 申請日期:2013年2月12日 優先權日:2012年2月13日
【發明者】尼爾·多伊徹, 陳金輝, 詹姆斯·巴特林 申請人:密克羅奇普技術公司