磁存儲裝置、頭驅動控制裝置及頭驅動控制方法

2023-06-07 09:22:31 1

專利名稱：：磁存儲裝置、頭驅動控制裝置及頭驅動控制方法
技術領域：
：本發明涉及搭載了具有通過對磁存儲介質施加高頻磁場來誘發磁化反轉的功能的記錄磁頭的磁存儲裝置、頭驅動控制裝置及其控制方法。
背景技術：
：近年來由於由網絡環境的進化、雲計算的滲透等導致的數據中心的增設等，生成的信息量劇增。毫無疑問，記錄密度最高且位成本方面優異的磁碟裝置(HDD)等磁存儲裝置是「大數據時代」的存儲的主角。因此，需要磁存儲裝置的大容量化及支持大容量化的高密度化。高密度化的基礎是比例規律，需要減小磁頭的磁軌寬度、頭和介質間的間隔、介質的晶粒等。但是若減小介質的晶粒，則保持磁化狀態的各向異性能變小，已記錄的磁化狀態易被熱擾動擾亂。該現象被稱為超順磁效應。因此，如非專利文獻I所記載，若進入ITb/in2左右的時代，則現有技術的單純延伸存在實用上有極限這樣的障礙。這被稱為超順磁界限、三難困境(trilemma)等。開發超越超順磁界限的技術以實現高密度化是最大的課題，對此在日本特開平7-244801號公報(專利文獻I)中提出了以下自旋(spin)加熱記錄方法，即通過使設置在外部的高頻源追隨磁頭的動作而將滿足磁共振條件的高頻磁場提供給磁記錄介質，磁記錄介質的自旋吸收高頻磁場的能量而使矯頑力實際上降低，利用這一性質，事實上不會使介質的溫度上升，就可以在低磁場下在高矯頑力介質上進行寫入。在這種自旋加熱記錄方法中，由於施加功率集中在滿足磁共振條件的頻率範圍內的高頻電磁場，因此幾乎不激發傳導電子的等離子振動或晶格振動等自旋以外的內部自由度，而是能選擇性地只激發自旋，即能夠自旋加熱，不會產生如通常加熱那樣整個介質的溫度上升的情況。這種對磁記錄介質施加微波波段的高頻磁場，利用磁共振現象進行磁記錄的方法被稱為微波輔助磁記錄方法(MAMR:MicrowaveAssistedMagnetRecording)(非專利文獻I)。此外，作為利用高頻磁場的其他方法，日本特開2008-34004號公報(專利文獻2)公開了以下熱輔助磁記錄方法，即通過對磁記錄層的一部分或該部分附近施加高頻磁場而產生渦電流來加熱該部分，在成為使該部分的矯頑力暫時降低的狀態後，對該部分的至少一部分施加寫入磁場，在磁記錄介質上進行寫入。另外，作為該熱輔助磁記錄方法中簡單地照射能量的方法，日本特開2005-285242號公報(專利文獻3)中公開了作為高頻振蕩器至少具有兩個磁性薄膜的自旋力矩型或自旋共振型的微小自旋波產生元件。近年來，在非專利文獻2及美國專利7616412B2(專利文獻8)中提出了利用藉助自旋力矩使自旋高速旋轉從而產生高頻磁場的高頻磁場產生層FGL(FieldGenerationLayer)的微小結構的實用的自旋力矩型高頻振蕩元件(STO:SpinTorqueOscillator)。接著，在非專利文獻3中公開了以下微波輔助記錄方法，即將同種結構的高頻振蕩元件STO與垂直磁頭的主磁極相鄰地配置，在來自STO的微波波段的高頻磁場下激發介質磁化的旋進，在降低反轉磁場的同時在磁各向異性較大的磁記錄介質上磁記錄信息，從而謀求高密度化。另外，在日本專利第4255869號(專利文獻4)中也公開了以下方法:通過與記錄磁場極性相應地使高頻磁場振蕩元件產生向與希望產生磁化反轉的磁記錄介質的磁化的旋進方向相同的方向旋轉的高頻磁場，由此更高效率地誘發磁化反轉。根據這些方法，近年來面向微波輔助記錄方法的實用化的研究開發急劇加速，在日本特開2011-113621號公報(專利文獻5)中面向本方法的實用化公開了以下頭驅動控制裝置，即為了確保微波輔助記錄所需的高頻振蕩元件的可靠性並可靠地維持其振蕩，按照寫入門(writegate)的輸入，在施加記錄磁場的狀態下只在一定有效時間提供比穩定電平更高電平的高頻振蕩元件驅動信號。專利文獻1:日本特開平7-244801號公報專利文獻2:日本特開2008-34004號公報專利文獻3:日本特開2005-285242號公報專利文獻4:日本專利第4255869號公報專利文獻5:日本特開2011-113621號公報專利文獻6:日本特開2006-114159號公報專利文獻7:日本特開2007-220232號公報專利文獻8:美國專利7616412B2非專利文獻1:Y.Shiroishi,etal,「FutureOptionsforHDDStorage，，，IEEETrans.Magn.Vol.45,n0.10,pp3816_3822(2009)非專利文獻2:X.ZhuandJ._G.Zhu,「Bias-field-freemicrowaveoscillatordrivenbyperpendicularlypolarizedspincurrent，，，IEEETrans.Magn.,vol.42,pp.2670-2672.2006.非專利文獻3:J-G.Zhu,X.Zhu,andY.Tang,「MicrowaveAssistedMagneticRecording」,IEEEtrans.Magn.，Vol44,n0.1,ppl25_131(2008)非專利文獻4:S.0kamoto,M.1garashi,N.Kikuchi,and0.Kitakam1:「Microwaveassistedswitchmechanismanditsstableswitchinglimit，，，J.Appl.Phys.107,ppl23914-7(2010)
發明內容但是，在專利文獻1、4或非專利文獻2、3中，對於用於將使用了基於自旋的自旋力矩效應的新結構的高頻產生元件適用於實際的磁記錄裝置，適當地運用微波輔助記錄方法進行記錄再現的詳細流程沒有充分地研究，連問題點也沒有公開。如專利文獻2、3等所示，該情況在使用高頻磁場進行加熱的熱輔助方法中也同樣存在。因此本發明人在與以往裝置相同的多種環境條件下對搭載了高頻產生元件的磁存儲裝置進行了銳意研究和試驗之後得知，即使能夠實現高記錄密度化，面向實用化也存在以下重大的課題。最大的課題是儘管如日本特開2006-114159號公報(專利文獻6)記載的以往技術中利用延伸來對磁頭實施了充分的漏磁場對策，但在根據外部環境的不同而在進行信息再現時或查找時使記錄頭處於非動作狀態下，也會產生信息消失或改寫的情況。對於其根本原因，發明人從LLG(Landau-Lifshitz-Gilbert,朗道-利夫席茨-吉爾伯特)模擬及實驗兩方面進行了銳意研究，從中得知本現象的起因是:在以往的記錄方法中，即使是來自實施了充分對策的外部設備或磁記錄介質中的伺服信息、記錄信息等的微小的雜散磁場(straymagneticfield)也會對高頻磁場振蕩元件產生很大影響,在進行如信息再現或查找時的非記錄動作時，高頻磁場振蕩元件也會對磁記錄介質作用。另外，在進行面向量產的試製時，也得知存在將新結構的高頻磁場產生元件組裝到磁記錄裝置並使裝置動作時的磁記錄裝置的製造成品率與以往的頭相比非常低的課題。根據運用了LLG模擬的發明人的研究可知起因如下:在使用了自旋力矩效應的高頻產生元件的高頻磁場強度和振蕩頻率中存在很強的元件尺寸依賴性，進而在這些對振蕩特性有很強影響的記錄頭磁場中，對記錄電流的響應時間產生偏差，因此要求比以往的頭更高的磁疇結構控制技術和加工精度；另外基於高頻磁場的介質磁化的旋進的動態激發過程極其複雜，輔助效果自身也強烈地依賴於磁記錄介質或磁頭的製造工序的偏差、物性常數的溫度依賴性。如上所述，為了將微波輔助記錄方法適用於信息存儲裝置，最大的課題是克服消除、誤記錄(記錄狀態變為與記錄時不同的狀態)的問題，以及基於本方法的磁存儲裝置的製造成品率特別低的問題。如上所述，該課題的本質是:利用高頻振蕩元件來激發介質磁化的旋進的過程因為非常複雜的動態概率現象而要求遠超以往技術範圍的工藝技術。因此，為了微波輔助記錄方法的實用化，需要立足於該本質尋求裝置水平的改進作為對策，這也是本發明要解決的課題。即，本發明的目的在於提供一種具有高的可靠性、製造成品率及記錄密度的大容量、高可靠性的磁存儲裝置。本申請包含多個解決上述課題，實現目的的方法，舉出其中的一個例子如下，本發明的磁存儲裝置包括:磁記錄介質；微波輔助記錄磁頭，其至少具有產生用於在該磁記錄介質上進行寫入的記錄磁場的記錄磁極和產生高頻磁場的高頻磁場振蕩元件；再現磁頭，其從磁記錄介質讀取信息；以及控制、處理所述記錄磁頭的記錄動作、所述再現磁頭的再現動作的機構，及控制該高頻磁場振蕩元件與該磁記錄介質的空隙(clearance、間隙、間隔)的機構。其特徵在於，在本發明的磁存儲裝置中，至少在信息再現的主要時(實質上讀取信號的時間)，通過將與動作時相反極性的電流向所述高頻磁場振蕩元件通電、或者完全不通電電流等方法，在記錄時以外不使所述高頻磁場振蕩元件動作。此外，在向裝置的記錄動作切換時，優選在流向主磁極的記錄電流通電前完成向所述高頻磁場振蕩元件的通電，更優選在製造裝置時、進而裝置動作時，實施該記錄動作時流向記錄磁極的記錄電流、流向高頻振蕩元件的動作電流、以及空隙控制機構的調整。本發明通過在記錄時以外抑制基於高頻磁場振蕩元件的微波輔助效果，從而使微波輔助磁記錄方法中的信息消除、誤記錄等的概率小於以往的垂直記錄方法，而且，通過在記錄磁頭勵磁電流的通電之前、即施加記錄磁場之前，預先將驅動電流向微波輔助元件通電，進而在裝置製造時、更優選為在裝置動作時也調整其定時，由此能夠提供具有高的可靠性、製造成品率、記錄密度的大容量、高可靠性的磁存儲裝置。圖1A是基於本發明的磁頭和磁記錄介質的概念圖的例子。圖1B表示高頻磁場產生元件的各層的磁化狀態。圖1C表示磁頭勵磁電流和高頻磁場的關係的一個例子。圖2是基於本發明的頭驅動控制裝置及磁存儲裝置的概念圖的例子。圖3是基於本發明的磁頭和磁記錄介質的實施例。圖4是基於本發明的微波輔助記錄效果和抑制輔助效果的例子。圖5是基於本發明的參數控制的流程圖的例子。圖6是由本發明實施例的圖5決定的參數控制的概念圖的例子。圖7是基於本發明的參數控制的其他流程圖的例子。圖8是由本發明實施例的圖7決定的參數控制的概念圖的例子。圖9是由本發明決定的參數控制的其他概念圖的例子。圖10是基於本發明的高頻振蕩元件電流動作定時的設定流程圖的例子。圖11是由本發明實施例的圖10決定的定時的設定的概念圖的例子。附圖標記說明100:磁頭的行走方向101:磁頭和磁記錄介質的空隙102:熱膨脹元件(TFC)102a、b:熱膨脹元件(TFC)102c、d:熱膨脹長元件(TFC)110:再現頭部111:屏蔽層112:傳感器元件113:上部磁屏蔽部114:下部磁屏蔽部120:記錄頭部121:記錄磁場122:記錄磁極(主磁極)123:線圈124:輔助磁極125:記錄間隙部126:振蕩控制磁場130:磁記錄介質131:潤滑層132:保護層133:第二磁性層134:第一磁性層135:軟磁性基底層136:非磁性基板137:記錄在磁記錄介質上的向上的磁化138:記錄在磁記錄介質上的向下的磁化140:高頻振蕩元件部(STO)141:高頻磁場產生層(FGL)142:中間層143:自旋注入固定層144=STO驅動用直流電源145:高頻磁場146:自旋注入固定層的磁化147:高頻磁場產生層(FGL)的磁化148:高頻磁場產生層(FGL)的磁化的旋轉方向149:STO驅動電流150:滑塊151:頭保護膜152:記錄再現磁頭浮起面(ABS)200:主軸馬達201:磁記錄介質202:臂203:磁記錄再現元件搭載滑塊204:懸架205:HGA206:執行機構207:用於驅動STO的驅動信號208:頭放大集成電路(R/W-1C)209:信號處理電路(R/W通道)210:微處理器(CPU)211:磁碟控制器(HDC)212:系統集成電路具體實施例方式以下，使用附圖來說明實施例。實施例1圖1A中表示本發明的磁存儲裝置的結構例的一部分、即記錄再現磁頭的概略圖。記錄再現磁頭主要由在以空隙101在磁記錄介質130上沿方向100行進的滑塊150上形成的再現頭部110、記錄頭部120，以及如日本專利第4255869號公報(專利文獻4)記載的空隙控制用熱膨脹元件部TFC(ThermalFlyingHeightController)102構成。這裡TFC102由NiFe合金等高電阻率、高熱膨脹材料形成，由用氧化鋁膜等絕緣的50150Ω左右的發熱電阻薄膜構成。頭保護層151由CVD_C、FCAC(FilteredCathodicArcCarbon,過濾陰極碳弧)等構成，底面152是記錄再現磁頭的浮起面(ABS:AirBaringSurface)0如日本特開2007-220232號公報(專利文獻7)所記載，對滑塊150實施蝕刻加工以在Al2O3-TiC陶瓷的ABS面產生負壓,從而使磁頭磁極部的浮起量在磁記錄介質全周範圍內為IOnm左右，因此用femto模具成型滑塊150的大小為0.85mmX0.7mmX0.23mm左右。在本實施例中採用記錄再現磁頭以再現頭部110為前頭、記錄頭部120為後方的朝向在磁記錄介質130上相對移動的結構，但也可以是相反的結構，而且也可以沒有頭保護層。再現頭部110包括:屏蔽層111、再現傳感器元件112、上部磁屏蔽部113及下部磁屏蔽部114。再現傳感器元件112承擔再現來自介質的信號的作用，作為其結構，可以是具有TMR(TunnelingMagneto-Resistive,穿隧磁電阻)效應、CPP(CurrentPerpendiculartoPlane,電流方向垂直於膜面)_GMR(GiantMagneto-Resistance,巨磁阻)效應、或EMR(ExtraordinaryMagneto-Resistive,特異磁電阻)效應的元件，也可以是還應用了STO(SpinTorqueOscillator,自旋力矩振蕩器)效應的元件，或所謂的差動型。其元件寬度Tfe根據作為目標的記錄磁場、記錄密度被設計、加工,其大小為80nm5nm左右。此外，在該圖中省略記載輸出的輸出端子。記錄頭部120包括:用於產生高頻磁場145的高頻磁場振蕩元件部140、用於產生記錄頭磁場145的記錄磁極(主磁極)122、用於控制高頻磁場振蕩元件140的磁化旋轉方向等的輔助磁極124以及用於勵磁記錄磁極的由Cu等構成的線圈123。此外，磁間隙125設置於記錄磁極122和輔助磁極124之間，振蕩控制磁場126控制高頻磁場振蕩元件140的磁化方向及磁化旋轉方向等。這裡,記錄磁極122是用電鍍法或噴鍍法等形成FeCoN1、CoFe合金等高飽和磁通軟磁性膜，呈斜角(bevelangle)為1020度的梯形狀，且形成為截面積隨著接近ABS面而變小。而且呈梯形狀的記錄磁極較寬的一側的記錄元件的寬度Twff根據作為目標的記錄磁場、記錄密度被設計、加工，其大小為160nmIOnm左右。此外,本發明中的記錄磁極122連同輔助磁極124優選由CoNiFe合金、NiFe合金等軟磁性合金薄膜形成,並形成用非磁性層包圍其周圍的所謂WAS結構(WrapAroundStructure,環繞結構)。高頻磁場振蕩元件部140包括:高頻磁場產生層FGL141，其由FeCo、NiFe等軟磁性合金、CoPt>CoCr等硬磁性合金、Fea4Coa6、Fe001Co0.99>Co08Ir02等具有負垂直磁各向異性的磁性合金，CoFeGe>CoMnGe>CoFeAl>CoFeSi>CoMnSi等惠斯勒合金，TbFeCo等Re-TM系非晶類合金，或Co/Fe、Co/Ir等磁性人工晶格等構成；中間層142,其由Au、Ag、Pt、Ta、Ir、Al、S1、Ge、T1、Cu等非磁性傳導材料等構成；以及自旋注入固定層143等，自旋固定層143用於對高頻磁場產生層FGL施加自旋力矩。這裡，FGL141的寬度WFa根據作為目標的記錄磁場、記錄密度被設計、加工，其大小為150nm5nm左右。此外，為了得到高自旋效率，非磁性中間層142的膜厚優選0.24nm左右，通過將具有垂直磁各向異性的材料用作自旋注入固定層143，能夠使FGL的振蕩穩定，因此優選使用Co/Pt、Co/N1、Co/Pd、CoCrTa/Pd等人工磁性材料。另外，為使FGL141的高頻磁化旋轉穩定化，可以與FGL141相鄰地設置與自旋注入固定層143相同結構的旋轉引導強磁性層。此外，自旋注入固定層143和FGL141的層疊順序可以是相反的。另外，自旋從直流電源144提供到FGL141等，但在圖1A中為表示其結構而省略電流的提供端子，簡化記載。圖1B中示意地表示在磁記錄介質130上進行記錄時的高頻磁場產生元件140各層的磁化狀態。這裡，箭頭146、147分別是自旋注入固定層143、高頻磁場產生層(FGL)141的磁化，箭頭148是高頻磁場產生層(FGL)的磁化147的旋轉方向，箭頭149是從電源144向聞頻廣生兀件提供的直流電流。在圖1B的(b-Ι)中表示將記錄在磁記錄介質130的磁性層133、134上的向上的磁化137改寫為向下的情況的概念圖。在該情況下，將記錄電流向記錄頭的線圈123通電以使得從記錄磁極122產生圖1A中向下的記錄磁場121a。此時，在間隙部125也產生朝向輔助磁極124的來自記錄磁極122的磁場的一部分126。如圖1A所示，為了產生使自旋注入固定層143及高頻磁場產生層(FGL)141的磁化向右地取向所需的足夠強的振蕩控制磁場126a而預先設計記錄磁極122、輔助磁極124、磁間隙125等的結構、材料以及高頻產生元件140的結構、材料等。如圖1B的(b-Ι)所示,通過如上所述地設定,高頻磁場產生層141的磁化147a逆時針(箭頭148a的方向)高速旋轉，產生具有輔助磁記錄介質130向上的記錄磁化137逆時針地旋進的性質的高頻磁場。最終，藉助該高頻磁場145的輔助效果，磁記錄介質130向上的磁化137被向下的記錄磁場121a反轉為向下，進行信息的改寫。另外這裡，上述振蕩頻率由振蕩控制磁場126a和FGL141的各向異性磁場之和決定。因此，在例如由軟磁性材料或負垂直磁各向異性材料構成FGL141的情況下，由於該各向異性磁場很小，因此FGL141的振蕩頻率根據振蕩控制磁場126a的強度而決定。此外來自記錄頭的振蕩控制磁場對於記錄頭勵磁電流有0.1ns左右的延遲。該延遲時間根據記錄頭的製造偏差、環境溫度等而變化，因此如後所述，希望補償該延遲。接著，利用圖1B的(b-2)的概念圖來說明與此相反地將記錄在磁記錄介質130的磁性層133、134上的向下的磁化138改寫為向上的情況。首先，對自旋注入固定層143及FGL141施加與圖1B的(b-Ι)相反(向左)的強振蕩控制磁場126b，使自旋注入固定層143及FGL141的磁化147b的朝向高速地轉換為與圖1B的(b_l)相反的朝向(向左)。成為該狀態後，FGL141的磁化147b吸收從自旋注入固定層143注入的自旋能量，從磁記錄介質130觀察，以與圖1B的(b-Ι)相反的旋轉(箭頭148b的方向)而高速旋轉。從該相反旋轉的FGL141的磁化147b產生具有與圖1B的(b_l)相反的性質、即輔助向下的記錄磁化138的旋進(輔助向上的反轉)的性質的高頻磁場。最終，利用該高頻磁場145的輔助效果，藉助向上的記錄磁場121b，磁記錄介質130向下的磁化138反轉為向上，進行信息的改寫。在圖1C中表示由LLG模擬解析的本發明的上述結構的磁頭中的磁頭勵磁電流和高頻磁場的關係的一個例子。在改變記錄電流的極性時，由於其定時和高頻振蕩頻率的均衡，在0.1ns的時間範圍內STO的振蕩波形多少被擾亂，但之後穩定並廣生聞頻磁場。通常，高頻磁場的振蕩頻率、強度與記錄電流、或磁場的反轉後的時間一同變化。因此，如非專利文獻4中所討論，若適當設計、調整磁頭的結構、材料，磁記錄介質的材料、製造工藝或構造等，則能夠實現進行介質磁化的旋進和高頻磁場的同步、及來自旋進的高頻磁場的能量的吸收、及介質反轉磁場的降低的微波輔助記錄。根據LLG模擬可知，為了高效率地產生上述高頻磁場，FGL141優選其膜厚為IIOOnm,更優選為530nm,並且為了使磁疇結構難以形成,磁化能夠穩定地旋轉,優選其元件寬度、元件高度大致相等。此外，確認若元件尺寸在4020nm左右以下，則抑制磁疇結構的產生，若施加強磁場，則軟磁性材料、硬磁性材料、或負垂直磁各向異性材料中任一種材料都穩定地振蕩。由此，可以說微波輔助記錄方法特別適用於高密度記錄。但是，也可知在該高頻磁場強度或振蕩頻率中，存在很強的元件尺寸依賴性、來自磁頭的振蕩控制磁場的方向或強度的依賴性。這些不僅依賴於製造工藝的偏差，也依賴於環境溫度。因此，在微波輔助方法的實用化中，需要結合磁頭加工精度的飛躍性的提高，開發、導入難以依賴頭加工尺寸的偏差或環境條件的裝置水平下的調整方法，關於後者將在以後的本實施例中詳細地說明。磁記錄介質130包括:在由玻璃或NiP鍍Al等構成的非磁性基板136上由FeCoTaZr等形成的軟磁性基底層135，由以CoCrPt、Ll2-Co3Pt基合金、Ll2-(CoCr)3Pt基合金、Ll1-Co5ciPt5tl基合金、CoCrB/Pt、CoB/Pd磁性人工晶格、LI。型FePt等為主要構成要素的磁性膜形成的第一及第二記錄層134、133，由C等形成的保護層132，以及潤滑層131等。箭頭137、138分別表示記錄在磁記錄介質上的向上、向下的磁化。這裡，優選為記錄層的至少一層是具有垂直磁各向異性的材料，優選為其磁化的共振頻率和高頻振蕩元件140的高頻磁場的振蕩頻率差別不大。此外,可以在兩層之間設置用於控制磁結合的中間層。而且，可以在軟磁性基底層135和基板136之間設置至少一層非磁性層，而且，可以在軟磁性基底層135和磁性層134之間設置Ru等至少一層非磁性中間層或在其基礎上設置磁性中間層。另外，可以使軟磁性基底層135為夾著Ru等的兩層結構，使磁性層133、134為單層或三層以上的多層結構。此外，在本實施例中表示了在基板136的單面上設置磁性層133、134等的例子，但也可以在非磁性基板136的兩面設置這些層。在本實施例中表示了磁記錄介質130為各存儲位連續地存在的連續介質的例子，但也可以是在基板上設置IOnm左右的磁性圖形的圖形介質。在圖2中表示適用了本發明的磁存儲裝置的結構例。即，本實施例包括:主軸馬達200,磁記錄介質201,臂202,包括具有高頻振蕩元件(STO)、記錄再現元件、空隙控制元件TFC等的磁頭滑塊203和懸架204的磁頭HGA(HeadGimbalAssembly)205，執行機構206，具有生成用於驅動STO的驅動信號(驅動電流信號或驅動電壓信號)207的高頻振蕩元件驅動控制裝置等的本發明的頭驅動控制裝置(R/W-1C)208，R/W通道209，微處理器(CPU)210，以及磁碟控制器(HDC)211等。此外，從磁存儲裝置的小型輕量化方面考慮優選為執行機構206是旋轉型的執行機構。這裡，CPU210是磁存儲裝置的主控制裝置，進行記錄再現動作或磁頭的定位所需的伺服控制。例如，CPU在包括R/W-1C在內的各種寄存器設定其動作所需的參數。如後所述，在各種寄存器中，獨立地設定規定的溫度、每個磁記錄介質區域的記錄電流值、空隙控制值、STO驅動電流值、記錄電流、STO驅動電流的過調量值、或定時時間等。HDC211構成磁存儲裝置和上位的主系統(未圖示)的界面，通過向R/W通道209輸出用於指示在磁記錄介質上寫入記錄數據213的信息記錄的開始(記錄的定時)的寫入門來進行記錄再現信息的傳輸控制。R/W通道209是信號處理電路，在信息記錄時向R/W-1C輸出將從磁碟控制器211傳輸的記錄信息編碼化後的信號213,在信息再現時向磁碟控制器211輸出將從磁頭205輸出的再現信號解碼化後的再現信息。R/W-1C208是按照上述寫入門的輸入，至少生成與從R/W通道209提供的記錄數據213相對應的記錄信號(記錄電流)，並將該記錄信號與控制通電定時的高頻振蕩元件(STO)驅動信號(驅動電流信號或驅動電壓信號)一同提供給磁頭的驅動集成電路，具有設定來自CPU的記錄電流值、STO驅動電流值、TFC輸入電力值等的寄存器，更優選為具有由寄存器構成的設定表，並生成根據這些值的記錄電流、STO驅動電流、過調量、TFC輸入電力等。這裡各寄存器值能夠按照磁記錄介質的區域、環境溫度、氣壓等各條件而變化。此外，R/W通道209、CPU210、HDC211等通常被組裝入一個晶片的系統集成電路(SoC=SystemonChip)212中。以下，說明本發明的磁存儲裝置中的記錄再現動作的概略。按照來自計算機等主機、上位系統的信息的記錄、再現的命令，通過作為磁存儲裝置的主控制裝置的CPU210的控制，磁記錄介質201以規定的旋轉數藉助主軸馬達200而旋轉，進而，由再現元件利用來自預先在磁存儲裝置的製造工序中記錄在磁記錄介質上的伺服信息的信號來檢測介質上的位置，並且通過由執行機構206經由臂202來控制磁頭HGA205，從而使磁頭HGA205在磁記錄介質的規定的記錄磁軌上移動(查找動作)，在該位置進行磁頭的之後的動作。接著在該磁軌上如下所述地進行信息的記錄。在信息記錄時，從磁碟控制器211向R/W通道209輸出用於指示在磁記錄介質上寫入記錄數據213的數據記錄的開始(記錄的定時)的寫入門。按照該寫入門的輸入，生成與從R/W通道209提供的記錄數據213相對應的記錄信號(記錄電流)，並且驅動信號207與控制通電定時的高頻振蕩元件(STO)驅動信號(驅動電流信號或驅動電壓信號)一同被提供給磁頭203的記錄頭部120，用微波輔助方法記錄在磁記錄介質上的規定記錄磁軌上。另一方面，在信息再現時，從讀取記錄在磁記錄介質上的磁化信息的磁頭203的再現頭部110輸出的再現信號在R/W-1C中被放大，被傳輸到R/W通道209，並被解碼化。再現信息被輸出到磁碟控制器211。在本實施例中表示了磁記錄介質為一個，磁頭滑塊為兩個的情況，但相對於一個磁記錄介質磁頭滑塊可以是一個，而且也可以按照目的而適當地增加多個磁記錄介質、磁頭。以下，包括最優化方法及效果在內來說明實施例的詳細情況。(最優化方法及效果)以下說明本發明的特徵，即用於補償由於漏磁場及記錄頭120或高頻振蕩元件140的製造工序偏差而引起的性能偏差的、流向記錄頭120(線圈123)的記錄電流Iw、高頻振蕩元件140的動作電流144、以及基於熱膨脹元件TFC102的空隙補正的方法及其效果。如圖3的實施例la、lb、Ic所示地改變上述結構中記錄頭部120中的記錄磁極122的磁軌寬度Tw、高頻磁場產生元件140的磁化高速旋轉體FGL141的元件寬度WFa、及再現頭部110中的再現元件112的元件寬度TWr、以及各自的主要結構、熱膨脹元件TFC102的位置和個數、以及磁碟130的結構，試製磁頭和磁記錄介質，並將其搭載於磁存儲裝置。在採用了微波磁記錄方法的本磁存儲裝置中，作為比較例，為了抑制產生與以往技術相同地FGL層中的不穩定磁結構、即為使元件穩定動作，在使高頻振蕩元件始終動作的狀態下進行記錄再現，雖然能夠實現高的記錄密度，但存在由於外部環境而在信息再現或查找時產生信息消除、或誤記錄的情況。以往眾所周知的是，來自主軸馬達、計算機等外部設備的雜散磁場被磁記錄介質的軟磁性基底層吸收，集中在記錄磁極，而且該磁場與來自記錄在磁記錄介質上的複雜的記錄圖形的漏磁場重疊，磁場集中在記錄磁極。於是，在本發明中，儘管根據日本特開2006-114159號公報(專利文獻6)所記載的以往技術，採用充分地實施了雜散磁場對策的結構，並確認了在模擬中也具有充分的外部磁場耐性，但仍會產生上述問題，因此認為上述問題是微波輔助記錄方法中固有的問題。於是，對於本現象的根本原因，從LLG模擬及實驗兩方面進行了銳意研究。其結果是，可知除了來自在以往技術中已實施了對策的記錄磁極的微弱磁場之外，由其他機構誘發的磁場與高頻振蕩元件的輔助效果重疊，從而在信息再現時或查找時引起信息消除、誤記錄。這裡，由其他機構誘發的磁場是指磁記錄介質的漏磁場中經由記錄頭的間隙部被吸收並強化類型的記錄圖形的磁場引起的磁場，該磁場具有與圖1所示的振蕩控制磁場126相同的成分，因此會對FGL141和輔助效果產生影響。即，被插入間隙部125的高頻振蕩元件140由於非記錄動作時本來不應該存在的磁場而誤動作，誘發輔助效果。該機制在以往的記錄方法中完全不會成為問題，是在磁間隙部125設置高頻振蕩元件140的本微波輔助記錄方法中固有的問題，是在由軟磁性體形成記錄磁極122、輔助磁極124，且有很大可能性吸入來自介質130的漏磁場的記錄頭中，是以單獨的部件水平不能避免的本質性的課題。於是首先，在裝置水平反覆地銳意研究在記錄動作時以外的裝置動作時抑制輔助效果的技術。在由本實施例的磁頭、磁記錄介質組裝成圖2所示的裝置後，首先在規定的磁記錄介質的區域R內使高頻振蕩元件以規定的電流值工作，然後向主磁極的線圈通電記錄電流，對主磁極勵磁，從而將伺服信號記錄在磁記錄介質上。接著，在圖4中表示基於該伺服信號將正負的電流值Isra向高頻振蕩元件通電，同時向主磁極122的線圈123通電來記錄規定的檢查信號等，評價在再現檢查信號時的各自的Istc下的S/N的結果。圖4所示的S/N表示相對值。如圖4所示，其結果是，根據流向主磁極的記錄電流(假定外部記錄磁場)，在信號的再現時，即使使該驅動電流為零(高頻振蕩元件非工作)，也殘餘基於微波輔助磁頭的輔助效果，因此由於記錄磁場121和FGL141的相互作用，在記錄動作時以外的裝置動作時也殘餘影響。但是，其大小十分小，是在實用上能夠無視的程度，但更優選為將相反極性的電流-1d在信號再現之前(或緊接信號記錄結束之後)向高頻振蕩元件通電來抑制該影響，由此能夠完全抑制輔助效果。實際上，停止向高頻振蕩元件140的通電，或在各區域R通電相反極性的電流-1d，在與引起了信息消除、誤記錄的比較例相同的條件下以規定的臺數評價磁記錄裝置，則能夠確認無論在任何情況下，都完全觀測不到信息消除或誤記錄等問題。於是接著，關於用於使高頻振蕩元件從上述非動作狀態再現性良好且穩定地向動作狀態過度，並且引出頭和介質的最高性能，緩和製造偏差和環境條件變化的影響的方法，利用本發明的頭驅動控制製造進行了銳意研究。為了得到高效率的輔助效果，使高頻振蕩兀件穩定地振蕩，得到聞頻振蕩兀件的聞頻磁場和磁記錄介質的介質旋進各自的頻率和相位的整合性很重要。但是，與FGL層的磁疇結構的穩定性相同，這些頻率和相位也由於製造工序的偏差、物性常數的溫度依賴性、以及來自磁頭的振蕩控制磁場的相對方位、強度而產生變化。本發明人銳意研究的結果是，發現對於ECC(Exchange-coupledcomposite,交換稱合介質)介質，在用微波輔助記錄頭向其記錄磁極通電的至少0.1ns以上、更優選為Ins以上之前，向所述非記錄動作或相反極性通電狀態的高頻磁場振蕩元件140開始元件動作所需的通電，並按照磁記錄介質和外部環境適當調整對於記錄電流通電開始的定時，由此能夠使FGL層內的磁化旋轉固定化且穩定化，而且對於磁記錄介質能夠得到最優的輔助效果，其結果是能夠始終穩定地保持錯誤率。此外，記錄磁場通常對記錄電流存在0.20.5ns左右的延遲，因此為了適當地處理該延遲，STO驅動電流的切斷定時調整也同樣重要。從通過LLG模擬等詳細研究的結果可知，本效果由以下的條件得到。(I)電流在尺寸為數十nm的元件內固定且穩定的流動，且為了在施加磁場後使高頻磁場振蕩元件的振蕩穩定化，需要0.1Ins左右，若考慮相位整合的定時，則多出相當於其5%左右的時間的富餘再控制定時是有效的。(2)在適當地設定了高頻磁場振蕩元件140和磁記錄介質130的定時常數α等的系統中，高頻磁場振蕩元件140和磁記錄介質130的磁化旋轉頻率和時間一起變化,易於得到相位整合，能夠由適當的調諧實現更高效率的輔助效果。(3)另外，若設置輔助磁極124，對磁記錄介質施加具有面內磁場成分的記錄磁場，同時施加高頻磁場，則特別是在ECC型的介質中，晶粒內磁化間的偶極相互作用有效地發揮作用，以使各自的介質晶粒中的磁化的旋進的相位相符。S卩，認為使用本發明的頭驅動控制裝置和方法，在磁存儲裝置水平進行相對於記錄電流的STO驅動電流的導通、切斷的適當定時調整等，由此使高頻產生元件140從非動作狀態再現性良好且穩定地向動作狀態過渡，進而能夠提高得到高頻磁場與位於決定介質記錄位的磁化反轉區域內的晶粒磁化群的旋進同步的概率，能夠得到所希望的高輔助效果。(裝置調整的步驟)在圖5中表示基於在上述見解下發明的本發明的頭驅動控制裝置的磁存儲裝置調整的流程圖。在本實施例的頭驅動控制裝置中，同時設定向高頻振蕩元件140的通電定時、該通電的電流波形和電流值、空隙控制電力、以及流向記錄磁極的記錄電流(501)。在使用本頭驅動控制裝置及四個所述磁頭和兩張磁記錄介質來組裝成圖2的磁存儲裝置後，首先在規定的磁記錄介質的區域內，調整熱膨脹元件TFC102的輸入電力以首先使高頻振蕩元件相對於磁記錄介質確保規定的空隙(Pttc(I))。該調整例如通過順次向膨脹元件TFC102輸入電力，檢測到與磁記錄介質130的接觸後，從那時的輸入電力中減去與規定的空隙相當的電力而進行。此外，在事前弄清空隙、熱膨脹量、向TFC的輸入電力量之間的關係。而且，在事前預先評價STO驅動電流的相對於記錄電流的導通、切斷的定時tKW(l)、tEWB(l)、電流波形(過調量)OS(I)等，預先決定適當值。接著，如圖6所示，使高頻振蕩元件140以規定的電流值Isto(I)、規定的定時⑴、⑴、電流波形(過調量)OS(I)動作,進而將記錄電流Iw(I)向記錄磁極122通電，進行勵磁，將伺服信號記錄在磁記錄介質130的所述規定區域內(502)。此外，過調量(OS)是用於旋轉的旋進初始加速的電流波形。接著，基於該伺服信號，在上述規定的區域內，以圖5的表5a所記載的Iw(m)、Isto(η)的各組合進行規定的檢查信號的記錄再現(503)。這些值作為參數控制用表存儲在寄存器中。此外這裡，進行使電流值Isto恆定，改變Iw來進行向主磁極122的線圈123通電的過程，進而，一邊改變電流值Isto—邊重複該過程。測定各組合下的位錯誤率、覆蓋、再現輸出、及相鄰磁軌記錄幹涉特性(ATI:AdjacentTrackInterference)等記錄再現特性,決定得到最高特性的最優的Iw(m)、Istc(η)的組合。接著，在該狀態下，再次測量向熱膨脹元件TFC102的輸入電力Ptfc、及空隙(504)，若空隙變得比規定的值小(輸入電力PTFC(i)不在規定值以下)(505)，則一邊將記錄電流Iff降低一個水準並測量記錄再現特性，一邊將向高頻振蕩元件140的通電量最優化(506)，再次評價空隙是否為規定值。重複該過程直到在空隙變為規定值以下，決定Iw、IST0>Ptfc的最終的最優值(507)。此外，這裡，記錄電流1定時的事前補償(所謂的寫前補償(writepre-compensation))也按照記錄數據自動地進行。若過調量(OS)較高，則存在定時tKW及其偏差很少也沒問題的傾向，但若過調量過高，則元件動作不穩定，因此優選進行調整。於是，最後，為了謀求高頻振蕩元件140內的電流分布和振蕩狀態的穩定化，如圖5的表5b記載的組合地改變流向高頻振蕩元件的電流波形OS和通電定時tKW，並同樣測定位錯誤率、覆蓋、再現輸出、及相鄰磁軌記錄幹涉特性(ATI)等記錄再現特性(508)，決定得到最高特性的最優的0S(h)、tKW(k)的組合(509)。此夕卜，雖然在圖5中省略，但如圖6所示，與tKW(k)的設定相同，也實施切斷STO驅動電流的定時tKWB(k)的調整。上述最優值作為參數控制用表儲存在頭驅動控制裝置的寄存器中，用於磁存儲裝置動作的控制。在圖6中表示按照本實施例的流程圖而被最優化的記錄電流、及高頻元件驅動電流的動作概念圖。圖6是比較記錄電流電流值Isto各自的通電開始的定時的圖。比記錄電流Iw的通電開始前只提前通電定時tKW開始流向高頻振蕩元件140的電流值Istc的通電。此外，通電定時tKW是為了在將電流值Istc向高頻振蕩元件140通電後謀求元件內的電流分布和振蕩狀態的穩定化或記錄等的穩定化所需的時間。此外，在如硬碟裝置(HDD)那樣的磁存儲裝置中，記錄和再現的切換時間為50ns左右，在本實施例中，為了使切換在該時間內完成，進而使聞頻振湯兀件驅動電路的啟動完成時期比記錄頭驅動電路的從再現向記錄切換的時期至少提前0.1ns以上，從而調整了各自的啟動定時。而且各自的電路系統的開始時間為IOns左右。在本實施例中，在圖3的實施例la、lb、lc的組合中，確認任一個都在與以往技術等同的製造成品率下，各自的記錄密度為1.2Tb/in2、l.6Tb/in2、2.0Tb/in2，能夠實現以往技術的23倍的記錄密度。另外，能夠確認對於外部磁場的耐力也在與以往製造同等以上。而且即使通電定時tKW為O也得到了同樣的效果。實施例2圖7中表示特別是對記錄密度更高，更加擔心外部磁場耐力的情況有效的實施例。首先，在利用實施例1中所述的頭驅動控制裝置、六個磁頭、以及三張磁記錄介質組裝成圖2所示的磁存儲裝置後，首先與實施例1相同地，在規定的磁記錄介質的區域內，調整熱膨脹元件TFC102的輸入電力(PTrc(l))以使高頻振蕩元件相對於磁記錄介質確保規定的空隙(701)。接著，使高頻振蕩元件以規定的電流值Istc(I)、電流波形OS(I)動作，進而將記錄電流Iw(I)向記錄磁極通電，進行勵磁，將伺服信號記錄在磁記錄介質130上(702)。此外這裡，為了謀求元件內的電流分布和振蕩狀態的穩定化、及穩定記錄，將Isto(I)的穩定電流部分只比Iw(I)的通電開始提前在事前的實驗中求出的平均值tKW(l)而進行通電，而且，考慮記錄磁場比記錄電流延遲0.2ns0.5ns左右的情況,只延遲tKWB(l)再結束通電。該tKW根據溫度而變化，而且，tEWB根據記錄頻率和溫度而變化，因此需要分別最優化。接著，如圖4所示，基於該伺服信號，將正負的電流值Istc向高頻振蕩元件140通電，同時向主磁極122通電來記錄規定的檢查信號,評價各自的Isio下的S/N,決定高頻振蕩元件140的輔助效果抑制電流-1d(703)。這些值作為參數控制用表被存儲在頭驅動控制裝置的寄存器中。接著，使高頻振蕩元件140以規定的電流值Istc(I)、過調量OS(I)動作，進而將記錄電流Iw(I)向記錄磁極通電，進行勵磁，將伺服信號記錄在磁記錄介質130的所述規定區域內，然後，基於該伺服信號在上述規定區域內，以圖7的表7a所記載的Iw(m)、Isra(η)的各組合來進行規定的檢查信號的記錄再現(704)。這裡，進行使Iw恆定，改變Istc來進行記錄的過程，進而，一邊改變記錄電流Iw—邊重複該過程。測定各組合下的位錯誤率、覆蓋、再現輸出、及相鄰磁軌記錄幹涉特性(ATI)等記錄再現特性，決定得到最高特性的最優的Iw(m)、Isxo(η)的組合(705)。此外，即使使1和Istc可變的順序與上述相反，也同樣能夠決定最優的組合。接著，在該狀態下，再次測量向熱膨脹元件的輸入電力PTrc及空隙，若空隙與規定值的差(輸入電力Ptfc與規定值之差的絕對值)變大(706)，則一邊將記錄電流Iw降低一個水準並測量記錄再現特性，一邊將向高頻振蕩元件的通電量最優化(707)，再次評價空隙是否為規定值。重複該過程直到空隙變為規定值以下，決定IW、ISTC、PTTC最終的最優值(708)。這些最優值作為參數控制用表被存儲在頭驅動控制裝置的寄存器中，並用於頭驅動裝置的控制。此外這裡，相對於特殊記錄參數的記錄電流Iw的定時的事前補償(所謂的寫前補償)也自動地進行。圖8中表示按照本實施例的流程圖而被最優化的記錄電流、及高頻元件驅動電流的動作概念圖。在本實施例中，確認能夠實現與實施例1同等的裝置製造成品率、記錄密度，另外，確認對外部磁場的耐力改善為實施例1的1.5倍以上。此外，與實施例1相同地，對通電定時tKW、切斷定時t.、輔助效果抑制電流Id和過調量OS進行最優化，得到實施例1的兩倍左右的、對於外部環境變化的高可靠性(沒有再現時的錯誤)，特別優選對通電定時tKW、切斷定時t.、輔助效果抑制電流Id和過調量OS進行最優化。實施例3作為實施例3，表示性價比最高的系統。首先，在利用實施例1中所述的頭驅動控制裝置、一個磁頭、以及一張磁記錄介質組裝成圖2所示的磁存儲裝置後，與實施例1相同地，在規定的磁記錄介質130的區域內，調整熱膨脹元件的輸入電力(PTrc(l))以使高頻振蕩元件140從磁記錄介質130確保規定的空隙(501)。接著，使高頻振蕩元件140以規定的電流值Istc(I)動作，進而將記錄電流Iw(I)向記錄磁極122的線圈123通電，進行勵磁，將伺服信號記錄在磁記錄介質上(502)。在本實施例中,在高頻振蕩元件驅動電路中省略過調量功能和相反極性電流通電功能。此外這裡，Ist^I)的通電定時與其他實施例相同，將穩定電流部分只比Iw(I)的通電定時提前tRW(l)地開始通電，並只延遲tRWB(I)地結束通電。接著，與圖7的流程相同，使高頻振蕩元件140以規定的電流值Istq(I)動作，進而將記錄電流Iw(I)向記錄磁極122的線圈123通電，進行勵磁，將伺服信號記錄在磁記錄介質130的所述規定區域內，然後，基於該伺服信號在上述規定區域內，以圖7的Iff(m)-1sto(η)的表所記載的各組合來進行規定的檢查信號的記錄再現(704)。這裡，進行使Iw恆定，改變Isra來進行記錄的過程，進而，一邊改變記錄電流Iw—邊重複該過程。測定各組合下的位錯誤率、覆蓋、再現輸出、及相鄰磁軌記錄幹涉特性(ATI)等記錄再現特性，決定得到最聞特性的最優的Iw(m)、Isio(η)的組合(705)。此外，即使使I1^PIsio可變的順序與上述相反，也同樣能夠決定最優的組合。接著，在該狀態下，再次測量向熱膨脹元件的輸入電力PTrc、及空隙，若空隙與規定值的差(輸入電力Ptfc與規定值之差的絕對值)變大(706)，則一邊將記錄電流Iw降低一個水準並測量記錄再現特性，一邊將向高頻振蕩元件140的通電量最優化(707)，再次評價空隙是否為規定值。重複該過程直到空隙變為規定值以下，決定Iw、Isxo>Ptfc的最終的最優值(708)。這些最優值作為參數控制用表被存儲在頭驅動控制裝置的寄存器中，並用於頭驅動裝置的控制。此外這裡，相對於特殊記錄參數的記錄電流Iw的定時的事前補償(所謂的寫前補償)也按照記錄參數自動地進行。圖9中表示按照本實施例的流程圖而被最優化的記錄電流、及高頻元件驅動電流的動作概念圖。在本實施例中，雖然製造成品率和記錄密度比實施例1差數％，但確認能夠實現與以往技術相比外部磁場耐力特性同等，且記錄密度特性壓倒性地優異的磁存儲裝置。而且與實施例1相同，進行通電定時tKW、切斷定時的最優化，則成品率改善為與實施例I同等的製造成品率，優選進行通電定時tKW、切斷定時t.的最優化。實施例4在本實施例中說明能夠提供不僅在室溫下動作，在裝置保證溫度範圍全區域內都具有優良特性的裝置的磁存儲裝置的例子。圖10中以動作開始時的定時tKW為例來表示裝置動作環境發生了變化的情況下的以記錄電流通電開始時為基準時的高頻振蕩元件140中的電流動作定時的本發明的設定流程圖。本實施例的磁存儲裝置與實施例1、2及3相同地組裝，但作為追加功能，具有在外部環境檢測功能和基於檢測到外部環境的信息，以圖5或圖7所記載的過程而再調整各參數的補正功能。以下說明在外部環境檢測功能和基於檢測到的信息將記錄電流和高頻振蕩元件的動作定時tKW進行再調整的補正功能。以下，外部環境的檢測對象是溫度。首先，將整個溫度區域根據1\、T2.....Tp的邊界溫度分割成Q+1(Q:0、1、2、...)的區域。在Q=O的情況下不進行分割。將各溫度區域T彡T1.....Ttrl<T彡Tq.....Tq<T定義為各自的溫度條件A[I].....A[q].....A[Q+1]。首先，開始、結束高頻振蕩元件140的動作的定時根據磁存儲裝置的製造工序中圖5等所示的流程決定，並將其值設定為tKW(IN)及(IN)。然後，在其製造和檢查工序中，決定上述溫度區域內的適當的代表點，在這些代表溫度下預先根據圖5等所示的流程在事前求出最優的參數，並儲存在頭驅動控制裝置的寄存器中(1001)，用於磁存儲裝置的控制。接著，在野外的實際動作環境中，若環境溫度發生變化，包圍磁存儲裝置的記錄磁頭、及磁記錄介質的環境溫度T變為溫度條件A[q](10031006)，則將使高頻振蕩元件140動作的定時變更為與各自的溫度條件相對應的通電定時tKW(q)(10071010)，進行記錄再現。高頻振蕩元件的動作結束的定時tRWB(q)也相同。圖11(a)、(b)中分別關於高頻振蕩元件的動作開始的定時tKW(q)地表示圖10所示的實施例的Q=3、1的例子。高頻振蕩元件的動作結束的定時tKTO(q)也相同。如圖8所示，若在再現動作時設定抑制電流則可靠性進一步提高，因此特別優選在再現動作時設定抑制電流。在上述實施例1、2及3中以溫度環境變化為例說明了本發明的結構，但毫無疑問，能夠通過根據對空隙產生影響的氣壓變化來決定最優參數，並且進行調整從而根據環境溫度用這些參數來進行磁記錄，從而提供在動作保證環境下具有更優異特性的磁存儲裝置。此外，在上述實施例中說明了高頻振蕩元件140位於記錄磁極122和輔助磁極124之間的間隙部的情況，但如果高頻振蕩元件140位於記錄磁極122附近，則不需要間隙部，此外以磁碟裝置(HDD)為例說明了本發明的結構，但也能夠適用於磁帶裝置等其他的磁存儲裝置。權利要求1.一種磁存儲裝置，其特徵在於，包括:磁記錄介質；微波輔助記錄磁頭，其包括:產生用於寫入所述磁記錄介質的記錄磁場的記錄磁極、產生高頻磁場的高頻磁場振蕩元件、及向所述高頻磁場振蕩元件通電的機構；再現磁頭，其從所述磁記錄介質讀取信息；以及控制、處理所述記錄磁頭的記錄動作和所述再現磁頭的再現動作的機構，在進行對所述磁記錄介質的記錄動作時，藉助向所述高頻磁場振蕩元件通電的機構向所述高頻磁場振蕩元件通電，在來自所述磁記錄介質的信息再現時的至少規定期間及查找時的至少一方，停止向所述高頻磁場振蕩元件的通電。2.一種磁存儲裝置，其特徵在於，包括:磁記錄介質；微波輔助記錄磁頭，其包括:產生用於寫入所述磁記錄介質的記錄磁場的記錄磁極、產生高頻磁場的高頻磁場振蕩元件、及向所述高頻磁場振蕩元件通電的機構；再現磁頭，該再現磁頭從所述磁記錄介質讀取信息；以及控制、處理所述記錄磁頭的記錄動作和所述再現磁頭的再現動作的機構，在進行對所述磁記錄介質的記錄動作時，藉助向所述高頻磁場振蕩元件通電的機構向所述高頻磁場振蕩元件通電，在來自所述磁記錄介質的信息再現之前，向與所述記錄動作時相反的方向，向所述高頻磁場振蕩元件通電。3.—種磁存儲裝置，其特徵在於，包括:磁記錄介質；微波輔助記錄磁頭，其包括:產生用於寫入所述磁記錄介質的記錄磁場的記錄磁極、產生高頻磁場的高頻磁場振蕩元件、及向所述高頻磁場振蕩元件通電的機構；再現磁頭，其從所述磁記錄介質讀取信息；以及控制、處理所述記錄磁頭的記錄動作和所述再現磁頭的再現動作的機構，在進行對所述磁記錄介質的記錄動作時，藉助向所述高頻磁場振蕩元件通電的機構向所述高頻磁場振蕩元件通電，在緊接所述記錄之後，向與所述記錄動作時相反的方向，向所述高頻磁場振蕩元件通電。4.一種磁存儲裝置，其特徵在於，包括:磁記錄介質；微波輔助記錄磁頭，該微波輔助記錄磁頭包括:產生用於寫入所述磁記錄介質的記錄磁場的記錄磁極、產生高頻磁場的高頻磁場振蕩元件、及向所述高頻磁場振蕩元件通電的機構；再現磁頭，該再現磁頭從所述磁記錄介質讀取信息；以及控制、處理所述記錄磁頭的記錄動作和所述再現磁頭的再現動作的機構，在記錄動作時，比向所述記錄磁極的通電提前規定期間，藉助向所述高頻磁場振蕩元件通電的機構向所述高頻磁場振蕩元件通電。5.根據權利要求1至4中任意一項所述的磁存儲裝置，其特徵在於，所述微波輔助記錄磁頭具有記錄磁極和輔助磁極，且在記錄磁極和輔助磁極之間的間隙部具有所述高頻磁場振蕩元件。6.根據權利要求1至4中任意一項所述的磁存儲裝置，其特徵在於，向所述磁存儲裝置的記錄再現特性被調整為最優化的所述高頻磁場振蕩元件通電的定時和向所述記錄磁極通電的定時存儲在所述磁存儲裝置的動作控制所用的寄存器中。7.根據權利要求1至4中任意一項所述的磁存儲裝置，其特徵在於，所述磁存儲裝置還包括控制所述高頻磁場振蕩元件和所述磁記錄介質的空隙的機構，並將使所述磁記錄裝置的記錄再現特性調整為最優化的空隙的值存儲在寄存器中。8.根據權利要求6所述的磁存儲裝置，其特徵在於，在所述磁存儲裝置的環境發生了變化的情況下，再調整向所述高頻振蕩元件通電的定時。9.根據權利要求7所述的磁存儲裝置，其特徵在於，所述記錄再現特性為再現輸出或錯誤率。10.根據權利要求8所述的磁存儲裝置，其特徵在於，所述環境的變化為溫度變化。11.根據權利要求8所述的磁存儲裝置，其特徵在於，所述環境的變化為氣壓變化。12.根據權利要求1至4中任意一項所述的磁存儲裝置，其特徵在於，所述磁記錄介質為圖形介質。13.一種頭驅動控制裝置，其驅動微波輔助記錄磁頭，該微波輔助記錄磁頭包括:產生用於寫入磁記錄介質的記錄磁場的記錄磁極、產生高頻磁場的高頻磁場振蕩元件、以及向所述高頻磁場振蕩元件通電的機構，該頭驅動控制裝置的特徵在於，包括:提供記錄信號的記錄信號提供機構；向所述高頻磁場振蕩元件提供驅動信號的驅動控制機構；以及以在提供所述驅動信號之後，開始向所述記錄磁極的記錄電流通電的方式進行控制的機構。14.根據權利要求13所述的頭驅動控制裝置，其特徵在於，所述驅動控制機構包括調整過調量的機構。15.根據權利要求13所述的頭驅動控制裝置，其特徵在於，所述驅動控制機構包括切換正、負極性的驅動機構。16.根據權利要求13所述的頭驅動控制裝置，其特徵在於，該頭驅動控制裝置還包括控制所述高頻磁場振蕩元件和所述磁記錄介質的空隙的機構。17.根據權利要求14所述的頭驅動控制裝置，其特徵在於，該頭驅動控制裝置還包括寄存器，該寄存器保持所述驅動信號的值、所述過調量的值、所述記錄信號提供信號的值、以及這些信號的動作定時的值。18.一種頭驅動控制裝置，其驅動微波輔助記錄磁頭，該微波輔助記錄磁頭包括:產生用於寫入磁記錄介質的記錄磁場的記錄磁極、產生高頻磁場的高頻磁場振蕩元件、以及向所述高頻磁場振蕩元件通電的機構，該頭驅動控制裝置的特徵在於，包括:提供記錄信號的記錄信號提供機構；以及向高頻磁場振蕩元件提供驅動信號的驅動控制機構，所述驅動控制機構以如下方式控制:在進行對磁記錄介質的記錄動作時，向所述高頻磁場振蕩元件通電，在信息再現時的至少規定期間及查找時的至少一方，停止向所述高頻磁場振蕩元件的通電。19.一種頭驅動控制裝置，其驅動微波輔助記錄磁頭，該微波輔助記錄磁頭包括:產生用於寫入磁記錄介質的記錄磁場的記錄磁極、產生高頻磁場的高頻磁場振蕩元件、以及向所述高頻磁場振蕩元件通電的機構，該頭驅動控制裝置的特徵在於，包括:提供記錄信號的記錄信號提供機構；以及向高頻磁場振蕩元件提供驅動信號的驅動控制機構，所述驅動控制機構以如下方式控制:在信息再現之前，將與記錄時相反極性的電流向所述高頻磁場振蕩元件通電。20.一種頭驅動控制裝置，其驅動微波輔助記錄磁頭，該微波輔助記錄磁頭包括:產生用於寫入磁記錄介質的記錄磁場的記錄磁極、產生高頻磁場的高頻磁場振蕩元件、以及向所述高頻磁場振蕩元件通電的機構，該頭驅動控制裝置的特徵在於，包括:提供記錄信號的記錄信號提供機構；以及向高頻磁場振蕩元件提供驅動信號的驅動控制機構，所述驅動控制機構以如下方式控制:緊接所述記錄信號的提供結束之後，將與記錄時相反極性的電流向所述高頻磁場振蕩元件通電。21.一種頭驅動控制方法，其驅動微波輔助記錄磁頭，該微波輔助記錄磁頭包括:產生用於寫入磁記錄介質的記錄磁場的記錄磁極、產生高頻磁場的高頻磁場振蕩元件、以及向所述高頻磁場振蕩元件通電的機構，該頭驅動控制方法的特徵在於，向所述高頻磁場振蕩元件提供驅動信號，之後，對所述記錄磁頭提供記錄信號。22.—種頭驅動控制方法，其驅動微波輔助記錄磁頭，該微波輔助記錄磁頭包括:產生用於寫入磁記錄介質的記錄磁場的記錄磁極、產生高頻磁場的高頻磁場振蕩元件、以及向所述高頻磁場振蕩元件通電的機構，該頭驅動控制方法的特徵在於，進行如下控制:在進行對所述磁記錄介質的記錄動作時，向所述高頻磁場振蕩元件通電，在信息再現時的至少規定期間及查找時的至少一方，停止向所述高頻磁場振蕩元件的通電。全文摘要本發明提供一種磁存儲裝置。該磁存儲裝置包括磁記錄介質；微波輔助記錄磁頭，其至少具有產生用於在該磁記錄介質上進行寫入的記錄磁場的記錄磁極和產生高頻磁場的高頻磁場振蕩元件；再現磁頭，其從磁記錄介質讀取信息；以及處理所述記錄磁頭寫入的信號、所述再現磁頭讀取的信號的信號處理機構，及控制該高頻磁場振蕩器與該磁記錄介質的空隙的機構，在該磁存儲裝置中，其特徵在於，在記錄時以外不會使所述高頻磁場振蕩元件動作。根據本發明，能夠解決在基於以往的微波輔助記錄方法的磁存儲裝置中，若根據外部環境在信息再現時或查找時使高頻磁場振蕩元件處於動作狀態，則產生信息消失或重寫的課題。文檔編號G11B5/127GK103106904SQ201210379728公開日2013年5月15日申請日期2012年9月28日優先權日2011年9月29日發明者城石芳博,福田宏,田河育也,岡田智弘申請人:株式會社日立製作所