防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構及其製備工藝的製作方法
2023-06-04 10:41:26
專利名稱：防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構及其製備工藝的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體器件封裝結構及工藝，特別是一種LED封裝結構及其製備工藝，應用於半導體器件製造技術領域。
背景技術：
大功率LED散熱是封裝工藝中最具挑戰性的問題，尤其是伴隨著功率型LED器件功率的增加，散熱的挑戰更為嚴峻。而用金屬互連技術替代傳統導電銀膠已經是一種必然的發展趨勢。在回流共晶焊接LED晶片時，尤其是多晶片LED集成封裝的技術，在回流工藝中無法實現每個LED晶片位置的固定，從而造成在錫膏焊料或者共晶焊料融化時會有LED晶片發生位置偏移，因此在大規模生產中如何避免晶片發生偏移是一個急需解決的問題，否則會造成晶片短路，並產生影響美光及出光均勻性等一系列問題。
發明內容
為了解決現有技術問題，本發明的目的在於克服已有技術存在的不足，提供一種防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構及其製造工藝，通過在LED晶片回流焊接或者共晶焊接的位置處製作一個防偏移凹槽，防偏移凹槽比LED晶片尺寸略大，以有效的防止LED晶片在回流共晶工藝過程發生晶片位置偏移的缺陷，從而簡化LED回流工藝，提高生產效率及可靠性。為達到上述目的，本發明的構思是:
針對當前大功率LED，尤其是多晶片LED，如2顆 100顆晶片的集成模塊，甚至更多晶片的集成模塊，在回流焊接或者共晶焊接時，因為無法每個晶片進行固定而發生位置偏移的缺陷，通過在LED晶片回流焊接或者共晶焊接的位置，通過刻蝕工藝或者精密機械加工技術製作一個比LED晶片尺寸略大的防偏移凹槽，通過防偏移凹槽的形狀來限制LED晶片的位置，而為了有效的將焊料中的柱焊接揮發完全，凹槽底部跟側壁可以做幾道溝槽，在不影響限制LED晶片發生偏移的情況下，有效的提高助焊劑的揮發度，從而可以有效的防止LED晶片在回流共晶工藝過程發生晶片位置偏移的缺陷。在螢光片與LED封裝基座的結合處，塗覆粘合劑，該粘合劑可以是紫外近紫外光固化的粘合劑，塗覆好之後，通過紫外或者近紫外燈光的照射，直接固化，完成螢光片與基座的密封，紫外燈光的固化不進不會影響前面LED晶片與基座之間的焊料，還會對基座內灌封的娃I父進行保護。根據上述的發明構思，本發明採用下述技術方案:
一種防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構，包括基座、金屬互連層、LED晶片、透光鏡片、密封層、負電極、正電極、金絲、導電通孔、底部正電極、底部負電極和散熱面，在封裝體內，負電極通過球形接觸點與金絲鍵合為內引線與LED晶片的一端相連，正電極直接與LED晶片的另一端相連，LED晶片的頂部用透光鏡片封蓋，透光鏡片通過密封層與基座結合在一起形成封裝體，貫穿基座的兩個導電通孔使正電極、負電極分別與封裝體外部的底部正電極、底部負電極連通，在封裝體外部的基座外表面設有散熱面，在封裝體內設置密封槽，在密封槽內，LED晶片的一端通過金屬互連層與正電極表面部分焊接實現鍵合連接，密封槽主要由在安裝LED晶片的焊接位置處制的防偏移凹槽形成，使LED晶片以間隙配合方式固定嵌入設置於防偏移凹槽內，防偏移凹槽作為晶片安裝凹槽約束LED晶片的安裝位置偏移。作為本發明的一種優選的技術方案，在正電極板上製作防偏移凹槽，LED晶片的一端通過金屬互連層與防偏移凹槽底部的正電極表面部分鍵合連接。作為本發明的另一種優選的技術方案，在基座上直接製作防偏移凹槽，至少在防偏移凹槽的槽底的基座表面上製作導電功能層，導電功能層形成正電極，LED晶片的一端通過金屬互連層與導電功能層鍵合連接。作為本發明上述技術方案的改進，在上述防偏移凹槽的底面和側面製作一系列細小的溝槽，溝槽的深度和寬度為0.1 0.2mm，作為助焊劑的揮發及焊料的流動的渠道。上述透光鏡片優選由在玻璃板或者塑料透明板上進行均勻塗覆螢光粉和矽膠的混合膠體形成，或者優選將黃色YAG螢光粉摻雜在塑料中製作摻雜有YAG黃色螢光粉的螢光罩子形成，還或者優選通過製作陶瓷螢光晶片形成。上述防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構的製備工藝包括如下步驟:
a.通過刻蝕方法、機械精密加工方法或者化學溶液腐蝕方法，在安裝LED晶片的焊接位置處製作防偏移凹槽，防偏移凹槽大於LED晶片的尺寸，並能約束LED晶片在防偏移凹槽內的安裝位置偏移，製作完成設置於封裝體內部的正電極和負電極，其中在防偏移凹槽底部表面上和側面上一併製作正電極的導電層，並製作完成設置於封裝體外部且固定於基座外側表面上的的底部正電極、底部負電極和散熱面；
b.在防偏移凹槽、正電極、負電極、底部正電極、底部負電極和散熱面的位置依次鍍鎳、鍍金或者鍍銀；防偏移凹槽7內鍍鎳厚度優選為2微米 10微米，防偏移凹槽7內鍍金厚度優選為0.1 2微米；
c.然後通過雷射打孔方法或者機械精加工方法製作導電通孔，在導電通孔內表面製作金屬鍍層，使正電極、負電極分別與底部正電極、底部負電極連通；
d.將錫膏塗覆在防偏移凹槽中，並將LED晶片依次對應放置在錫膏的上方後，將放置好LED晶片和防偏移凹槽進行回流焊接或共晶焊接，在焊接結束後，錫膏形成金屬互連層，使LED晶片的一端與防偏移凹槽內的正電極表面部分鍵合連接在一起；
e.最後在LED晶片上方灌封矽膠後，在預先製作好的透光鏡片與基座接觸的位置塗覆粘結材料，通過紫外光照射使粘結材料固化，完成透光鏡片與基座之間的密封，形成封裝結構；透光鏡片與基座之間塗覆的粘結材料最好是有機矽膠或者近紫外感光膠，近紫外感光膠通過350nm 420nm之間波段的LED燈光照射即進行迅速固化。作為上述防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構的製備工藝的一種優選技術方案，具體為:
①在上述步驟a中，首先在基座上覆導電材料分別形成正電極和負電極，覆導電材料厚度大於0.1mm，然後在對應放置LED晶片的正電極的導電層的相應位置上製作防偏移凹槽，使在防偏移凹槽7底部表面上和側面剩餘的導電層仍然使正電極8各部分連為一體；
②在上述步驟d中，將放置好LED晶片的正電極進行焊接，在焊接結束後，LED晶片的一端與防偏移凹槽內的正電極表面部分鍵合連接在一起。
作為上述防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構的製備工藝的另一種優選技術方案，具體為: ①在上述步驟a中，首先在對應放置LED晶片的基座的相應位置上直接製作防偏移凹槽，然後在防偏移凹槽底面和側面、基座的其他上表面上覆導電材料形成正電極，並在防偏移凹槽外圍的基座的上表面上覆導電材料形成負電極； ②在上述步驟d中，將放置好LED晶片的基座進行焊接，在焊接結束後，LED晶片的一端與防偏移凹槽內的正電極鍵合連接在一起。
上述防偏移凹槽的深度最好在20微米 2000微米之間。
上述基座為矽基板時，在步驟a和步驟b之間最好增加絕緣層製作步驟，即在防偏移凹槽、正電極、負電極、底部正電極、底部負電極的位置進行絕緣層製作；基座為矽基板時，在步驟c中，最好還在導電通孔內表面製作金屬鍍層之前先在導電通孔內表面製作絕緣層。
本發明與現有技術相比較，具有如下顯而易見的突出實質性特點和顯著優點: 本發明的防偏移凹槽與傳統結構相比，可以避免發光二級管晶片在金屬互連材料融化時發生位置偏移，無需對每個LED分別進行固定和獨立焊接，而是可同時進行回流焊接或共晶焊接，提高了發光二極體的生產效率及可靠性，提高封裝的對位精度及美觀，有利於LED實現高散射，使發光二極體的出光均勻性顯著提高。
圖1為本發明實施例一防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構的外部透視圖。
圖2為本發明實施例一防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構的示意圖。
圖3為本發明實施例二防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構的示意圖。
具體實施方式
本發明的優選實施例詳述如下: 實施例一: 在本實施例中，參見圖1和圖2，一種防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構，包括基座10、金屬互連層6、LED晶片5、透光鏡片3、密封層1、負電極2、正電極8、金絲4、導電通孔9、底部正電極11、底部負電極13和散熱面12，在封裝體內，負電極2通過球形接觸點與金絲4鍵合為內引線與LED晶片5的一端相連，正電極8直接與LED晶片5的另一端相連，LED晶片5的頂部用透光鏡片3封蓋，透光鏡片3通過密封層I與基座10結合在一起形成封裝體，貫穿基座10的兩個導電通孔9使正電極8、負電極2分別與封裝體外部的底部正電極11、底部負電極13連通，在封裝體外部的基座10外表面設有散熱面12，在封裝體內設置密封槽，密封槽主要由在安裝LED晶片5的焊接位置處制的防偏移凹槽7形成，在正電極8板上製作一個比LED晶片5略大的防偏移凹槽7，LED晶片5的一端通過金屬互連層6與防偏移凹槽7底部的正電極8表面部分鍵合連接，使LED晶片5以間隙配合方式固定嵌入設置於防偏移凹槽7內，防偏移凹槽7作為晶片安裝凹槽約束LED晶片5的安裝位置偏移。
本實施例防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構的製備工藝，包括如下步驟: a.首先，基座10的材料氧化鋁或者氮化鋁陶瓷時，在基座10上覆銅分別形成正電極8和負電極2，覆銅厚度大於0.1mm，並製作完成設置於封裝體外部且固定於基座10外側表面上的的底部正電極11、底部負電極13和散熱面12 ;然後通過刻蝕方法、機械精密加工方法或者化學溶液腐蝕方法，在安裝LED晶片5的正電極8的導電層的相應位置上製作防偏移凹槽7，即防偏移凹槽7直接在正電極8的覆銅上進行加工製作，防偏移凹槽7的深度在20微米 2000微米之間，防偏移凹槽7大於LED晶片5的尺寸，並能約束LED晶片5在防偏移凹槽7內的安裝位置偏移，使在防偏移凹槽7底部表面上和側面剩餘的導電層仍然能使正電極8各部分連為一體； b.在防偏移凹槽7、正電極8、負電極2、底部正電極11、底部負電極13和散熱面12的位置依次通過CVD蒸鍍方法或化學鍍方法進行鍍鎳、鍍金或者鍍銀；防偏移凹槽7內鍍鎳厚度為2微米 10微米，防偏移凹槽7內鍍金厚度為0.1 2微米；基座10為矽基板時，在步驟a和步驟b之間增加絕緣層製作步驟，即在防偏移凹槽7、正電極8、負電極2、底部正電極11、底部負電極13的位置進行絕緣層製作，而基座10選用氧化鋁、氮化鋁和其他陶瓷基板時，不需要絕緣層製作該工藝；絕緣層優選由氧化矽製作形成； c.然後通過雷射打孔方法或者機械精加工方法製作導電通孔9，在導電通孔9內表面製作金屬鍍層，使正電極8、負電極2分別與底部正電極11、底部負電極13連通；防偏移凹槽7內鍍鎳厚度為2微米 10微米，防偏移凹槽7內鍍金厚度為0.1 2微米；基座10為矽基板時，在導電通孔9內表面製作金屬鍍層之前先在導電通孔9內表面製作絕緣層，而基座10選用氧化鋁、氮化鋁和其他陶瓷基板時，不需要絕緣層製作該工藝； d.將錫膏塗覆在防偏移凹槽7中，並將LED晶片5依次對應放置在錫膏的上方後，將放置好LED晶片5和帶有防偏移凹槽7的正電極8進行回流工藝焊接，在回流焊接結束後，錫膏形成金屬互連層6，使LED晶片5的一端與防偏移凹槽7內的正電極8表面部分鍵合連接在一起； e.最後在LED晶片5上方灌封矽膠後，透光鏡片3為在模具預先製作好的螢光片或者陶瓷螢光晶片，在透光鏡片3與基座10接觸的位置塗覆近紫外感光膠粘結材料，通過350nm 420nm之間波段的紫外光照射使近紫外感光膠固化，完成透光鏡片3與基座10之間的密封，形成封裝結構。透光鏡片3由在玻璃板或者塑料透明板上進行均勻塗覆螢光粉和矽膠的混合膠體形成，或者將黃色YAG螢光粉摻雜在塑料中製作摻雜有YAG黃色螢光粉的螢光罩子形成，還或者通過製作陶瓷螢光晶片形成。
在本實施例中，在正電極8位置處製作一個比LED晶片尺寸略大的防偏移凹槽7，通過回流技術將LED晶片5與正電極8連接在一起，在回流結束後，錫膏形成金屬互連層6，透光鏡片3通過密封層I與基座10結合在一起。在大功率LED在回流或共晶過程中，針對LED晶片5在金屬互連層6融化狀態容易發生位置移動偏移的缺陷，在大功率LED封裝體內需要互連晶片的位置製作一個比LED晶片5尺寸略大的凹槽，通過將凹槽深度控制在幾十微米的深度，可以避免發光二級管晶片在金屬互連材料融化時發生位置偏移，從而提高封裝的對位精度及美觀，有利於提高產品的出光均勻性及產品的可靠性，尤其是對於白光產品的性能提高顯著。
實施例二: 本實施例與實施例一基本相同，特別之處在於: 在本實施例中，參見圖3，在基座10上直接製作防偏移凹槽7，至少在防偏移凹槽7的槽底的基座10表面上製作導電功能層，導電功能層互相連接形成正電極8，LED晶片5的一端通過金屬互連層6與導電功能層鍵合連接。
本實施例防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構的製備工藝，包括如下步驟: a.首先通過刻蝕方法、機械精密加工方法或者化學溶液腐蝕方法，在安裝LED晶片5的基座10的相應位置上直接製作防偏移凹槽7，防偏移凹槽7的深度在20微米 2000微米之間，防偏移凹槽7大於LED晶片5的尺寸，並能約束LED晶片5在防偏移凹槽7內的安裝位置偏移；然後在防偏移凹槽7底面和側面、基座10的其他上表面上進行鍍金或鍍銀形成正電極8、負電極2，當基座10的材質為矽，鍍金或鍍銀之前需要先進行絕緣層，當基座10的材質為氧化矽，鍍金或鍍銀厚度大於0.1mm,並製作完成設置於封裝體外部且固定於基座10外側表面上的的底部正電極11、底部負電極13和散熱面12 ； b.與實施例一相同； c.與實施例一相同； d.將錫膏塗覆在防偏移凹槽7中，並將LED晶片5依次對應放置在錫膏的上方後，將放置好LED晶片5和帶有防偏移凹槽7的基座10進行回流焊接，在回流焊接結束後，錫膏形成金屬互連層6，使LED晶片5的一端與防偏移凹槽7內的正電極8鍵合連接在一起； e.與實施例一相同。
在本實施例中，在基座10的相應位置上直接製作防偏移凹槽7，可以減少正電極8材料的用量，使大功率LED的結構層和功能層更加緊湊，更加有利於提高產品的出光均勻性及產品的可靠性。
實施例三: 本實施例與前述實施例基本相同，特別之處在於: 在本實施例中，在防偏移凹槽7的底面和側面製作一系列細小的溝槽，溝槽的深度和寬度為0.1 0.2_，作為助焊劑的揮發及焊料的流動的渠道，以有效的讓柱焊接揮發，提高焊料的流動均勻性，減少空洞的存在。
上面結合附圖對本發明實施例進行了說明，但本發明不限於上述實施例，還可以根據本發明的發明創造的目的做出多種變化，凡依據本發明技術方案的精神實質和原理下做的改變、修飾、替代、組合、簡化，均應為等效的置換方式，只要符合本發明的發明目的，只要不背離本發明防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構及其製備工藝的技術原理和發明構思，都屬於本發明的保護範圍。
權利要求
1.一種防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構，包括基座(10)、金屬互連層(6)、LED晶片(5)、透光鏡片(3)、密封層(I)、負電極(2)、正電極(8)、金絲(4)、導電通孔(9 )、底部正電極(11)、底部負電極(13 )和散熱面(12 )，在封裝體內，所述負電極(2 )通過球形接觸點與金絲(4)鍵合為內引線與所述LED晶片(5)的一端相連，所述正電極(8)直接與所述LED晶片(5)的另一端相連，所述LED晶片(5)的頂部用透光鏡片(3)封蓋，所述透光鏡片(3 )通過所述密封層(I)與所述基座(10 )結合在一起形成封裝體，貫穿所述基座(10 )的兩個所述導電通孔(9)使所述正電極(8)、所述負電極(2)分別與封裝體外部的所述底部正電極(11)、所述底部負電極(13)連通，在封裝體外部的基座(10)外表面設有散熱面(12)，其特徵在於:在封裝體內設置密封槽，在所述密封槽內，所述LED晶片(5)的一端通過金屬互連層(6)與所述正電極(8)表面部分焊接實現鍵合連接，所述密封槽主要由在安裝所述LED晶片(5)的焊接位置處制的防偏移凹槽(7)形成，使所述LED晶片(5)以間隙配合方式固定嵌入設置於所述防偏移凹槽(7)內，防偏移凹槽(7)作為晶片安裝凹槽約束所述LED晶片(5)的安裝位置偏移。
2.根據權利要求1所述的防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構，其特徵在於:在所述正電極(8)板上製作防偏移凹槽(7)，所述LED晶片(5)的一端通過金屬互連層(6)與所述防偏移凹槽(7)底部的所述正電極(8)表面部分鍵合連接。
3.根據權利要求1所述的防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構，其特徵在於:在所述基座(10)上直接製作防偏移凹槽(7)，至少在所述防偏移凹槽(7)的槽底的所述基座(10)表面上製作導電功能層，所述導電功能層互相連接形成所述正電極(8)，所述LED晶片(5)的一端通過金屬互連層(6)與所述導電功能層鍵合連接。
4.根據權利要求1 3中任意一項所述的防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構，其特徵在於:在所述防偏移凹槽(7)的底面和側面製作一系列細小的溝槽，溝槽的深度和寬度為0.1 0.2mm，作為助焊劑的揮發及焊料的流動的渠道。
5.根據權利要求1 3中任意一項所述的防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構，其特徵在於:所述透光鏡片(3)由在玻璃板或者塑料透明板上進行均勻塗覆螢光粉和矽膠的混合膠體形成，或者將黃色YAG螢光粉摻雜在塑料中製作摻雜有YAG黃色螢光粉的螢光罩子形成，還或者通過製作陶瓷螢光晶片形成。
6.—種權利要求1所述的防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構的製備工藝，其特徵在於，包括如下步驟: a.通過刻蝕方法、機械精密加工方法或者化學溶液腐蝕方法，在安裝所述LED晶片(5)的焊接位置處製作防偏移凹槽(7)，防偏移凹槽(7)大於LED晶片(5)的尺寸，並能約束LED晶片(5)在防偏移凹槽(7)內的安裝位置偏移，製作完成設置於封裝體內部的正電極(8)和負電極(2)，其中在防偏移凹槽(7)底部表面上和側面上一併製作正電極(8)的導電層，並製作完成設置於封裝體外部且固定於基座(10)外側表面上的的底部正電極(11)、底部負電極(13)和散熱面(12)； b.在防偏移凹槽(7)、正電極(8)、負電極(2)、底部正電極(11)、底部負電極(13)和散熱面(12)的位置依次鍍鎳、鍍金或者鍍銀； c.然後通過雷射打孔方法或者機械精加工方法製作導電通孔(9)，在導電通孔(9)內表面製作金屬鍍層，使正電極(8 )、負電極(2 )分別與底部正電極(11 )、底部負電極(13 )連通； d.將錫膏塗覆 在防偏移凹槽(7)中，並將LED晶片(5)依次對應放置在錫膏的上方後，將放置好LED晶片(5)和防偏移凹槽(7)進行回流焊接或共晶焊接，在焊接結束後，錫膏形成金屬互連層(6),使LED晶片(5)的一端與所述防偏移凹槽(7)內的正電極(8)表面部分鍵合連接在一起； e.最後在LED晶片(5)上方灌封矽膠後，在預先製作好的透光鏡片(3)與基座(10)接觸的位置塗覆粘結材料，通過紫外光照射使粘結材料固化，完成透光鏡片(3)與基座(10)之間的密封，形成封裝結構。
7.根據權利要求6所述的防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構的製備工藝，其特徵在於: ①在上述步驟a中，首先在基座(10)上覆導電材料分別形成正電極(8)和負電極(2)，覆導電材料厚度大於0.1mm,然後在對應放置LED晶片(5)的正電極(8)的導電層的相應位置上製作防偏移凹槽(7)，使在防偏移凹槽(7)底部表面上和側面剩餘的導電層仍然能使正電極(8)各部分連為一體； ②在上述步驟d中，將放置好LED晶片(5)的正電極(8 )進行焊接，在焊接結束後，LED晶片(5)的一端與所述防偏移凹槽(7)內的正電極(8)表面部分鍵合連接在一起。
8.根據權利要求6所述的防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構的製備工藝，其特徵在於: ①在上述步驟a中，首先在對應放置LED晶片(5)的基座(10)的相應位置上直接製作防偏移凹槽(7)，然後在防偏移凹槽(7)底面和側面、基座(10)的其他上表面上覆導電材料形成正電極(8)，並在防偏移凹槽(7)外圍的基座(10)的上表面上覆導電材料形成負電極(2)； ②在上述步驟d中，將放置好LED晶片(5)的基座(10)進行焊接，在焊接結束後，LED晶片(5)的一端與所述防偏移凹槽(7)內的正電極(8)鍵合連接在一起。
9.根據權利要求7或8所述的防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構的製備工藝，其特徵在於:防偏移凹槽(7)的深度在20微米 2000微米之間。
10.根據權利要求7或8所述的防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構的製備工藝，其特徵在於:基座(10)為矽基板時，在所述步驟a和步驟b之間增加絕緣層製作步驟，即在防偏移凹槽(7)、正電極(8)、負電極(2)、底部正電極(11)、底部負電極(13)的位置進行絕緣層製作；基座(10)為矽基板時，在所述步驟c中，還在導電通孔(9)內表面製作金屬鍍層之前先在導電通孔(9)內表面製作絕緣層。
11.根據權利要求7或8所述的防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構的製備工藝，其特徵在於:在所述步驟b中，防偏移凹槽(7)內鍍鎳厚度為2微米 10微米，防偏移凹槽(7)內鍍金厚度為0.1 2微米。
12.根據權利要求7或8所述的防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構的製備工藝，其特徵在於:在所述步驟e中，透光鏡片(3)與基座(10)之間塗覆的粘結材料是有機矽膠或者近紫外感光膠，近紫外感光膠通過350nm 420nm之間波段的LED燈光照射即進行迅速固化。
全文摘要
本發明公開了一種防止大功率發光二極體晶片偏移的封裝結構，在封裝體內設置密封槽，在密封槽內，LED晶片的一端通過金屬互連層與正電極表面部分焊接實現鍵合連接，密封槽主要由在安裝LED晶片的焊接位置處制的防偏移凹槽形成，使LED晶片以間隙配合方式固定嵌入設置於防偏移凹槽內，防偏移凹槽作為晶片安裝凹槽約束LED晶片的安裝位置偏移，從而簡化LED回流工藝，提高生產效率及可靠性。本發明還公開了該封裝結構的製備工藝，通過刻蝕工藝或者精密機械加工技術製作一個比LED晶片尺寸略大的防偏移凹槽，優化回流焊接或共晶焊接，提高了發光二極體的生產效率及可靠性，提高封裝的對位精度及美觀，使發光二極體的出光均勻性顯著提高。
文檔編號H01L33/64GK103178193SQ201310106339
公開日2013年6月26日 申請日期2013年3月29日 優先權日2013年3月29日
發明者殷錄橋, 張建華, 張金龍, 宋鵬 申請人:上海大學