具有對準標記層的半導體器件及其製造方法
2023-06-04 19:12:56 4
專利名稱：具有對準標記層的半導體器件及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體器件及其製造方法，且更具體而言，涉及一種具有用作半導體晶片的封裝操作中的對準手段的對準標記的半導體器件及其製造方法。
背景技術：
形成在半導體襯底上的半導體器件以適當形式典型地組裝起來以連接到外部裝置，並封裝以保護這些半導體器件免受外界影響，從而連接到外部裝置並保護免受外部環境影響。因此，具體地，半導體器件可以具有用作輸入/輸出端子以連接到外部裝置的焊盤電極層，以及用作組裝半導體器件操作中的對準手段的對準標記。例如，用作LCD(液晶顯示器)裝置的驅動裝置的半導體器件可以組裝在玻璃襯底上。這是公知的COG(玻璃上晶片)組裝法。
根據COG組裝法，半導體器件使用對準標記在玻璃襯底上對準。例如，對於COG組裝法，可以參考題為「Panel Structure for Chip on Glass(用於玻璃上晶片的平板結構)」的韓國專利第0258719號。然而，用於半導體器件的常規對準標記結構在製造操作中工藝改變時可能引起誤差。
圖1是示出具有常規對準標記結構的半導體器件的剖面圖。
參考圖1，對準標記層55形成在半導體器件上並由鈍化層60圍繞。保護半導體器件的聚醯亞胺層70形成在鈍化層60上。聚醯亞胺層70被構圖以暴露形成在對準標記層55上的鈍化層60。通常，對準標記層55形成在由用於隔離的絕緣層形成的場區域(未顯示)中。
光學對準設備感知場區與一部分對準標記層55之間的對比度並通過利用場區與對準標記層55之間的此對比度來對準半導體器件。然而，形成在根據本裝置的對準標記層55上的鈍化層60的厚度偏差可能改變該部分對準標記層55的顏色，並且此顏色變化可能又引起這些半導體器件的對準誤差。由於光學對準設備基於場區與對準標記層55之間的對比度在標準範圍內來處理半導體器件的對準，這些對準設備對於對比度在標準範圍之外的半導體器件不能正確地完成對準工作。
然而，鈍化層60的對比度根據鈍化層60的厚度偏差顯著變化。因此，很可能難以通過控制鈍化層60的厚度來控制對比度。因此，即使鈍化層60可能處於通常允許的裕量範圍內，仍可能發生半導體器件的對準誤差。
因此，需要提供一種具有減小的對準誤差的半導體器件。此外，還需要在半導體器件的組裝中減小對準誤差並且有成本效益的半導體器件的製造方法。
發明內容
本發明的示範性實施例提供了一種在組裝操作中具有減小的對準誤差的半導體器件。
此外，本發明的示範性實施例還提供了一種在半導體器件的組裝操作中具有減小的對準誤差並且有成本效益的半導體器件的製造方法。
根據本發明的示範性實施例，提供了一種半導體器件。該半導體器件包括在半導體襯底上的用作輸入/輸出端子的焊盤電極層；用作組裝操作的對準手段並形成在半導體襯底上的對準標記層；和形成在半導體襯底上的鈍化層，因此分別暴露至少焊盤電極層的頂部和至少對準標記層的頂部，並形成在半導體襯底上；且半導體器件還包括光透射保護層，所述光透射保護層覆蓋至少一部分鈍化層、暴露從鈍化層暴露出的焊盤電極層的一部分頂部、並覆蓋從鈍化層暴露出的對準標記層的一部分頂部。
焊盤電極層和對準標記層可以由相同材料形成。例如，焊盤電極層可以包括阻擋金屬層、位於該阻擋金屬層上的互聯金屬層、和位於該互聯金屬層上的蓋金屬層，且蓋金屬層可以暴露互聯金屬層的至少一部分。此外，對準標記層可以包括阻擋金屬層、位於該阻擋金屬層上的互聯金屬層、和位於該互聯金屬層上的蓋金屬層，蓋金屬層可以暴露互聯金屬層的至少一部分。
半導體器件還可以包括位於從鈍化層和光透射保護層暴露出的焊盤電極層的互聯金屬層上的凸塊。半導體器件還可以包括設置在焊盤電極層的互聯金屬層與凸塊之間和凸塊與鈍化層之間的第二阻擋金屬層。
根據另一示範性實施例，本發明提供了一種半導體器件。該半導體器件包括位於半導體襯底上的層間絕緣層、用作輸入/輸出端子並形成在層間絕緣層上的焊盤電極層；用作組裝操作的對準手段並形成在層間絕緣層上的對準標記層；暴露焊盤電極層頂部的至少一部分和對準標記層頂部的至少一部分並形成在層間絕緣層上的鈍化層；和聚醯亞胺層，所述聚醯亞胺層覆蓋至少一部分鈍化層，暴露從鈍化層暴露出的焊盤電極層的頂部並覆蓋從鈍化層暴露出的對準標記層的頂部部分。該半導體器件還包括形成在焊盤電極層上並從鈍化層和聚醯亞胺層暴露出的焊盤電極層。
根據本發明的另一示範性實施例，提供了一種製造半導體器件的方法。該方法包括在半導體襯底上形成用作輸入/輸出端子的焊盤電極層和用作組裝操作的對準手段的對準標記層；在半導體襯底上形成鈍化層，因此分別暴露半導體襯底上的焊盤電極層頂部的至少一部分以及對準標記層頂部的至少一部分；並在形成有鈍化層的所得結構上形成光透射保護層，因此在形成有鈍化層的所得結構上，暴露從鈍化層暴露出的焊盤電極層的頂部，並覆蓋從鈍化層暴露出的對準標記層的頂部。
根據本發明的示範性實施例的製造方法還可以包括在從鈍化層和光透射保護層暴露出的焊盤電極層上形成凸塊。該凸塊可以通過鍍覆工藝形成。
參考附圖，通過對本發明的示範性實施例的詳細描述，本發明的上述和其他特點和優點將更為明顯，在附圖中圖1是示出具有常規對準標記結構的半導體器件的剖面圖；圖2是示出根據本發明的示範性實施例的半導體器件的平面圖；圖3是沿圖2的線III-III』所取的剖面圖；圖4到11是示出根據本發明的示範性實施例的半導體器件的製造方法。
具體實施例方式
現在將參考附圖更充分地描述本發明，在附圖中示出了本發明的優選實施例。然而，本發明可以實施為許多不同的形式且不應理解為局限於此處給出的實施例。而是，提供這些實施例使本公開充分和完整，並向本領域技術人員充分傳達本發明的範疇。為了清楚理解的目的選擇性地放大了組成元件。
結構圖2是示出根據本發明的示範性實施例的半導體器件的平面圖，且圖3是沿圖2的線III-III』所取的剖面圖。根據本發明的示範性實施例的半導體器件可以包括LCD(液晶顯示器)裝置的驅動裝置但不限於此驅動裝置。例如，根據本發明實施例的半導體器件可以包括用於COG(玻璃上晶片)組件的半導體器件。
參考圖2，該半導體器件包括至少一個或多個對準標記層135、136、137和138以及至少一個或多個凸塊170。對準標記層135、136、137和138覆蓋有光透射保護層150。凸塊170輔助將半導體器件連接到外部裝置(未顯示)。例如，凸塊170可以是焊料凸塊。對準標記層135、136、137和138形成在場區(未顯示)中，該場區由用於隔離的絕緣層形成。
圖2中對準標記層135、136、137和138的數目以及凸塊170的數目是示例性的。因此，本領域的技術人員可以適當選擇對準標記層的數目和凸塊的數目。對準標記層135、136、137和138具有平坦面板結構，該結構具有包括「+」形、「T」形、「L」形或「Γ」形之一的形狀。然而，對準標記層的形狀是示例性的，因此對準標記層可以具有光學對準設備可感知的任何形狀。下面，描述根據本發明的示範性實施例的對準標記層135作為例子。
參考圖3，凸塊170電連接到定位在凸塊170下面的焊盤電極層130。該焊盤電極層130和對準標記層135形成在半導體襯底105上的層間絕緣層110上。焊盤電極層130電連接到半導體襯底105之中或之上的單元裝置(未顯示)，且焊盤電極層130充當該單元裝置的輸入/輸出端子。例如，單元裝置可以包括電晶體或電容器結構(未顯示)。
半導體器件形成在半導體襯底105上並還包括連接到單元裝置的多個互聯電極層(未顯示)。例如，互聯絕緣層110可以具有堆疊了多個絕緣層的結構。此外，多個互聯電極層可以分別形成在該多個絕緣層上。在此情形，焊盤電極層130電連接到一個或多個互聯電極層。例如，互聯絕緣層110包括氧化矽層或氮化矽層。
例如，焊盤電極層130和對準標記層135可以由相同材料形成。作為更具體的例子，焊盤電極層130可以包括阻擋金屬層115a、互聯金屬層120a和蓋金屬層125a，且對準標記層135可以包括阻擋金屬層115b、互聯金屬層120b和蓋金屬層125b。阻擋金屬層115a和115b可以由相同材料分別形成在層間絕緣層110上。此外，互聯金屬層120a和120b可以由相同材料分別形成在阻擋金屬層115a和115b上。此外，蓋金屬層125a和125b可以由相同材料分別形成在互聯金屬層120a和120b上。
例如，阻擋金屬層115a和115b可以包括鈦層、鉭層、氮化鈦層、氮化鉭層或這些層的兩個或多個堆疊的複合層。互聯金屬層120a和120b可以包括例如具有低電阻的鋁層或銅層。蓋金屬層125a和125b可以包括例如鈦層、鉭層、氮化鈦層、氮化鉭層或這些層的兩個或多個堆疊的複合層。蓋金屬層125a和125b可以分別用作構圖互聯金屬層120a和120b時的抗反射層。
蓋金屬層125a和125b可以被構圖以分別暴露互聯金屬層120a的至少一部分122a和互聯金屬層120b的至少一部分122b。然而，根據本發明的示範性實施例，蓋金屬層125a和125b可以分別覆蓋互聯金屬層120a和120b的頂部。根據本發明的另一示範性實施例，焊盤電極層130和對準標記層135還可以分別包括多個金屬層(未顯示)或可以由一個金屬層形成。
鈍化層140形成在層間絕緣層110上並分別暴露焊盤電極層130頂部的至少一部分122a和對準標記層135頂部的至少一部分122b。例如，鈍化層140包括孔146和148。焊盤電極層130的部分122a通過孔146暴露，且對準標記層135的部分122b通過另一孔148暴露。
更具體地，孔146和148在蓋金屬層125a和125b內延伸，且互聯金屬層120a和120b分別通過孔146和148從鈍化層140和蓋金屬層125a和125b暴露。焊盤電極層130的側壁和對準標記層135的側壁被鈍化層140圍繞。例如，鈍化層140可以包括氮化矽層或氧化矽層。鈍化層140保護半導體襯底105之內或之上的單元裝置不受水的影響。
形成光透射保護層150以覆蓋鈍化層140的至少一部分。例如在此示範性實施例中，光透射保護層150覆蓋對準標記層135頂部的部分122b並暴露焊盤電極層130頂部的部分122a。作為更具體的示例，光透射保護層150包括孔154，且對準標記層135頂部的部分122b和鈍化層140圍繞部分122b的部分通過孔154暴露。
光透射保護層150保護半導體器件的結構不受外部條件例如物理影響或化學滲透比如水的影響。例如，光透射保護層150還可以包括光敏或非光敏聚醯亞胺層或矽橡膠、環氧或尿烷(urethane)絕緣層。
雖然鈍化層140的厚度變化可以改變對準標記層135的部分的顏色，但當從上觀察時，光透射保護層150的厚度變化幾乎不引起對準標記層135的部分的顏色變化。因此，即使光透射保護層150的厚度可能在形成光透射保護層150的過程中的工藝變化而改變，但對準標記層135的部分的顏色仍始終保持。換言之，場區和對準標記層135的所述部分之間的對比度始終保持。因此，光學對準設備可以無誤地對準半導體器件，即使光透射保護層150的厚度可能略有不同。
具體地，例如，當互聯金屬層120b頂部的部分122b從蓋金屬層125b暴露出時，場區與對準標記層135的部分之間的對比度基本保持。然而，根據本發明的另一示範性實施例，蓋金屬層125b覆蓋互聯金屬層120b的部分122b，且場區和對準標記層135之間的對比度可以在某種程度上保持。
凸塊170形成在從鈍化層140和光透射保護層150暴露出的焊盤電極層130頂部的部分122a上。例如，凸塊170填充鈍化層140的孔146、以預定寬度延伸到鈍化層140上、並延伸到光透射保護層150上。凸塊170直接接觸互聯金屬層120a頂部的部分122a。然而，根據本發明的另一示範性實施例，凸塊170可以直接接觸蓋金屬層125a。
例如，在光透射保護層150上暴露出的凸塊170的部分在COG組件的組裝操作中用作與玻璃襯底的接觸部分。凸塊170包括例如金(Au)層。第二阻擋金屬層160形成在凸塊170與互聯金屬層120a頂部的部分122a之間以及凸塊170與鈍化層140之間。例如，第二阻擋金屬層160包括銅(Cu)和鎳(Ni)的合金層，並防止第二阻擋金屬層160和互聯金屬層120a的相互擴散。
然而，根據本發明的另一示範性實施例，當半導體器件不通過COG組件方法組裝時，可以不使用凸塊170。例如，焊盤電極層130可以通過使用另一導電連接層連接到外部裝置，例如導線。
製造方法將參考圖4到11描述根據本發明的示範性實施例的半導體器件的製造方法。
參考圖4，層間絕緣層110形成在半導體襯底105上，初始焊盤電極層130』和初始對準標記層135』形成在層間絕緣層110上。初始焊盤電極層130』和初始對準標記層135』包括阻擋金屬層115a和115b、互聯金屬層120a和120b、以及初始蓋金屬層125a』和125b』。
例如，阻擋金屬層(未顯示)、互聯金屬層(未顯示)和蓋金屬層(未顯示)依次形成在層間絕緣層110上。然後，通過使用常規光刻和蝕刻技術構圖阻擋金屬層、互聯金屬層和蓋金屬層而同時形成初始焊盤電極層130』和初始對準標記層135』。
參考圖5，形成鈍化層140』以覆蓋初始焊盤電極層130』和初始對準標記層135』。例如，通過使用CVD(化學氣相沉積)法形成包括氧化矽層或氮化矽層的鈍化層140』。
然後，在鈍化層140』上形成暴露一部分初始焊盤電極層130』和初始對準標記層135』上的鈍化層140』的第一光致抗蝕劑層142。
參考圖6，使用(圖5的)第一光致抗蝕劑層142作為蝕刻掩模，蝕刻暴露的鈍化層140』和蓋金屬層125a和125b而形成包括孔146和148的鈍化層140。蓋金屬層125a和125b分別通過孔146和148暴露互聯金屬層120a和120b頂部的部分122a和122b。因此，焊盤電極層130和對準標記層135每個都分別包括阻擋金屬層115a和115b、互聯金屬層120a和120b、以及蓋金屬層125a和125b。對準標記層135可以具有例如「+」形、「T」形、「L」形或「Γ」形的平坦面板結構。
然而，根據本發明的另一示範性實施例，(圖5的)初始蓋金屬層125a』和125b』可以不被蝕刻以覆蓋互聯金屬層120a和120b的頂部。在此情形，(圖5的)互聯金屬層130和初始互聯金屬層130』彼此相同，且(圖5的)對準標記層135和初始對準標記層135』彼此相同。
參考圖7，光透射保護層150』形成在形成有鈍化層140的所得結構上。光透射保護層150』填充鈍化層140中的孔146和148。例如，光透射保護層150』包括光敏或非光敏聚醯亞胺層或矽橡膠、環氧或尿烷絕緣層。
然後，暴露位於互聯金屬層120a』頂部的至少一部分上的一部分光透射保護層150』的第二光致抗蝕劑層152形成在光透射保護層150』上。
參考圖8，光透射保護層150利用(圖7的)第二光致抗蝕劑層152作為蝕刻掩模通過蝕刻(圖7的)光透射保護層150』的暴露部分而形成。光透射保護層150填充鈍化層140中的孔148並暴露另一孔146。即，光透射保護層150覆蓋對準標記層135上的互聯金屬層120b的頂部部分122b並暴露互聯金屬層120a的頂部部分122a。光透射保護層150包括孔154，且孔154具有大於鈍化層140的孔146的寬度。因此，光透射保護層150暴露焊盤電極層130周圍的鈍化層140的部分。
參考圖9，第二阻擋金屬層160』形成在形成有光透射保護層150的所得結構上。例如，第二阻擋金屬層160』包括鎳和銅的合金並通過常規沉積法形成。
然後，暴露互聯金屬層120a的頂部部分122a的第三光致抗蝕劑層165形成在第二阻擋金屬層160』上。例如，光致抗蝕劑層165覆蓋由光透射保護層150的孔154暴露出的一部分鈍化層140，並暴露鈍化層140的孔146。因此，第二阻擋金屬層160』的部分162暴露在互聯金屬層120a的頂部部分122a上。
參考圖10，凸塊170形成在由第三光致抗蝕劑層165暴露的第二阻擋金屬層160』上。然後，第三光致抗蝕劑層165被除去。例如，凸塊170可以包括金(Au)層並可以通過鍍覆形成。然而，根據本發明的另一示範性實施例，可以不使用第二阻擋金屬層160』，且凸塊170可以形成在焊盤電極層130上。
參考圖11，第二阻擋金屬層160通過除去從凸塊170暴露的(圖10的)第二阻擋金屬層160』的部分而形成。因此，第二阻擋金屬層160插入在凸塊170與互聯金屬層120a頂部的部分122a之間和凸塊170與鈍化層140之間。
在除去一部分第二阻擋金屬層160』的操作期間，光透射保護層150充當蝕刻掩模以保護對準標記層135。如果光透射保護層150不覆蓋對準標記層135，除去操作可能需要通過更複雜的工藝完成，並且/或者一部分對準標記層135變得損壞。因此，本發明的示範性實施例簡化了除去第二阻擋金屬層160』的操作並防止一部分對準標記層被損壞。
實施例表1比較了根據本發明示範性實施例的半導體器件的對準特性與具有常規對準標記結構的半導體器件的對準特性。
表1
I組和II組代表根據本發明的示範性實施例的半導體器件，其中光透射保護層150、聚醯亞胺層形成在半導體器件的對準標記層135上，如圖3所示。III組代表常規半導體器件，其中鈍化層60形成在對準標記層55上，如圖1所示。I組的聚醯亞胺層的厚度不同於II組的聚醯亞胺層的厚度。I組具有約3μm的聚醯亞胺層厚度，而II組具有約3.8μm的聚醯亞胺層厚度。
從表1所示的結構顯示出，公知在代表常規半導體器件的III組中，表示對準標記層135與場區的對比度的灰度為-29到-35(任意尺度)，因此在III組中的灰度的差值處於相對低和寬的範圍。然而，此外，表1所示的結構還顯示，在代表根據本發明的示範性實施例的I組和II組中，灰度差值約53到約55(任意尺度)，因此顯然I組和II組的灰度差值比III組更高並更均勻。
從上面的討論可知，首先，表1顯示了與常規半導體器件相比，根據本發明示範性實施例的半導體器件在場區與對準標記層之間具有較高的灰度差值，即對比度。因此通過使用根據本發明示範性實施例的半導體器件和/或方法，可以提高光學對準設備中的對準靈敏度。第二，如表1的結果所示，在根據本發明的實施例的半導體器件中，根據本發明示範性實施例的半導體器件的灰度差處於基本窄的範圍，因此不會通過半導體器件的聚醯亞胺層的厚度而改變對比度。因此，即使聚醯亞胺層的厚度受到工藝變化的影響，根據本示範性實施例的半導體器件仍可以無誤地對準。
在根據本發明示範性實施例的半導體器件中，對準標記層部分的顏色始終保持，即使光透射保護層的厚度被形成光透射保護層的操作中的工藝變化所改變。因此，光學對準設備可以無誤地對準本發明示範性實施例的半導體器件，即使光透射保護層的厚度稍有不同。例如，半導體器件和玻璃襯底可以通過COG組裝法在組裝操作中使用對準標記層無誤地對準。
根據本發明示範性實施例的半導體器件的製造方法，光透射保護層充當蝕刻掩模以保護除去一部分第二阻擋金屬層操作中的對準標記層。因此，除去一部分第二阻擋金屬層的操作被簡化，且防止一部分對準標記層被損壞。
雖然參考本發明的示範性實施例具體描述並示出了本發明，本領域的技術人員應該理解，可以在不脫離由所附權利要求所限定的本發明的精神和範疇內進行各種形式和細節的修改。
本申請要求於2005年11月22日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請NO.10-2005-0111994的權益，其全部內容引入於此作為參考。
權利要求
1.一種半導體器件，包括焊盤電極層，位於半導體襯底上，用作輸入/輸出端子；對準標記層，用作組裝操作的對準手段並形成在所述半導體襯底上；鈍化層，形成在所述半導體襯底上，因此分別暴露所述焊盤電極層頂部的至少一部分和對準標記層頂部的至少一部分，並形成在所述半導體襯底上；和光透射保護層，覆蓋所述鈍化層的至少一部分，暴露從所述鈍化層暴露出的所述焊盤電極層頂部，並覆蓋從所述鈍化層暴露出的所述對準標記層頂部的部分。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述焊盤電極層和對準標記層由相同材料形成。
3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述焊盤電極層包括阻擋金屬層、位於所述阻擋金屬層上的互聯金屬層、和位於所述互聯金屬層上的蓋金屬層，且所述蓋金屬層暴露所述互聯金屬層的至少一部分。
4.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述對準標記層包括阻擋金屬層、位於所述阻擋金屬層上的互聯金屬層、和位於所述互聯金屬層上的蓋金屬層、且所述蓋金屬層暴露所述互聯金屬層的至少一部分。
5.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述鈍化層暴露從所述焊盤電極層的蓋金屬層暴露出的互聯金屬層的一部分。
6.根據權利要求5所述的半導體器件，還包括位於從所述鈍化層和光透射保護層暴露出的所述焊盤電極層的互聯金屬層上的凸塊。
7.根據權利要求6所述的半導體器件，還包括插入設置在所述焊盤電極層的互聯金屬層和凸塊之間以及凸塊和鈍化層之間的第二阻擋金屬層。
8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述光透射保護層包括聚醯亞胺層。
9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述對準標記層具有平坦面板結構，該結構具有包括「+」形、「T」形、「L」形或「Γ」形之一的形狀。
10.一種半導體器件，包括層間絕緣層，位於半導體襯底上；焊盤電極層，用作輸入/輸出端子，並形成在所述層間絕緣層上；對準標記層，用作組裝操作的對準手段並形成在所述層間絕緣層上；鈍化層，暴露所述焊盤電極層頂部的至少一部分和對準標記層頂部的至少一部分，並形成在所述層間絕緣層上；聚醯亞胺層，覆蓋所述鈍化層的至少一部分，暴露從所述鈍化層暴露出的焊盤電極層的頂部，並覆蓋從所述鈍化層暴露出的對準標記層的部分；和凸塊，位於從所述鈍化層和聚醯亞胺層暴露出的焊盤電極層上。
11.根據權利要求10所述的半導體器件，還包括插入設置在所述焊盤電極層和凸塊之間以及凸塊與鈍化層之間的第二阻擋金屬層。
12.根據權利要求10所述的半導體器件，其中所述焊盤電極層和對準標記層由相同材料形成。
13.根據權利要求12所述的半導體器件，其中所述焊盤電極層和對準標記層均分別包括阻擋金屬層、位於阻擋金屬層上的互聯金屬層、和位於互聯金屬層上的蓋金屬層，且焊盤電極層和對準標記層的各個蓋金屬層暴露互聯金屬層的至少一部分。
14.根據權利要求10所述的半導體器件，其中所述對準標記層具有平坦板形結構，該結構具有包括「+」形、「T」形、「L」形或「Γ」形之一的形狀。
15.一種半導體器件的製造方法，所述方法包括在半導體襯底上形成用作輸入/輸出端子的焊盤電極層、和用作組裝操作的對準手段的對準標記層；在所述半導體襯底上形成鈍化層，因此分別暴露所述半導體襯底上的所述焊盤電極層頂部的至少一部分和所述對準標記層頂部的至少一部分；和在形成有鈍化層的所得結構上，形成位於形成有鈍化層的所得結構上的光透射保護層，因此在形成有鈍化層的所得結構上暴露從鈍化層暴露出的焊盤電極層的頂部，並覆蓋從鈍化層暴露出的對準標記層的部分。
16.根據權利要求15所述的方法，其中形成所述焊盤電極層和對準標記層包括在所述半導體襯底上形成阻擋金屬層；在所述阻擋金屬層上形成互聯金屬層；在所述互聯金屬層上形成蓋金屬層；和通過構圖所述焊盤電極層的阻擋金屬層、互聯金屬層和蓋金屬層形成包括阻擋金屬層、互聯金屬層和蓋金屬層的焊盤電極層；並同時通過構圖所述對準標記層的阻擋金屬層、互聯金屬層和蓋金屬層形成包括阻擋金屬層、互聯金屬層和蓋金屬層的對準標記層。
17.根據權利要求16所述的方法，還包括在形成光透射保護層之前，通過除去所述焊盤電極層和對準標記層的蓋金屬層的預定部分而暴露互聯金屬層。
18.根據權利要求15所述的方法，還包括在從鈍化層和光透射保護層暴露出的焊盤電極層上形成凸塊。
19.根據權利要求15所述的方法，還包括在形成有光透射保護層的所得結構上形成初始的第二阻擋金屬層；在所述第二阻擋金屬層上形成位於所述初始第二阻擋金屬層上的掩模層，暴露至少從光透射保護層暴露出的焊盤電極層上的初始第二阻擋金屬層的部分；在從所述掩模層暴露出的所述初始第二阻擋金屬層的部分上形成凸塊；除去所述掩模層；和通過蝕刻從所述凸塊暴露出的初始第二阻擋金屬層的部分而形成第二阻擋金屬層。
20.根據權利要求19所述的方法，其中在形成凸塊中使用鍍覆方法。
21.根據權利要求15所述的方法，其中所述光透射保護層包括聚醯亞胺層。
22.根據權利要求15所述的方法，其中所述對準標記層具有平坦板形結構，該結構具有包括「+」形、「T」形、「L」形或「Γ」形之一的形狀。
全文摘要
本發明提供了一種具有對準標記層的半導體器件及其製造方法。該半導體器件可以在組裝操作中減少對準誤差。該半導體器件包括形成在半導體襯底上的焊盤電極層和對準標記層。鈍化層形成在所述半導體襯底上並暴露所述焊盤電極層頂部的至少一部分和對準標記層頂部的至少一部分。光透射保護層覆蓋所述鈍化層的至少一部分，暴露從所述鈍化層暴露出的所述焊盤電極層頂部，並覆蓋從所述鈍化層暴露出的所述對準標記層的部分。
文檔編號H01L23/485GK1971903SQ20061014866
公開日2007年5月30日 申請日期2006年11月22日 優先權日2005年11月22日
發明者黃皓益, 李受哲 申請人:三星電子株式會社