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一種帶頂環屏蔽結構的800kV套管的製作方法

2023-10-09 06:02:54


本發明涉及一種用於交流高壓開關設備中的帶頂環屏蔽結構的800kv套管,屬於電力設備技術領域。



背景技術:

專利號cn202550379《550kv套管的單屏蔽罩》中介紹一種550kv套管用單屏蔽罩,包括筒形的屏蔽罩,其特徵為屏蔽罩由上罩體和下罩體兩部分組成,上下罩體直徑相同且同軸。該單屏蔽罩結構使用在550kv電壓等級套管上的絕緣性能可滿足技術要求,但若將該單屏蔽罩結構使用在800kv電壓等級套管上,就會存在單屏蔽罩上端對應的套管空心複合絕緣筒內壁及外壁電位線過於集中、電場強度值過高的問題,這將導致其絕緣性能無法滿足技術要求。

目前,市場上的800kv套管為了使電場分布更加合理,還無法採用上述專利中提到單屏蔽結構,而是採用中間電位和接地電位雙重屏蔽結構,即採用兩個同軸的筒形屏蔽罩,其中,中間電位屏蔽罩還需要通過絕緣支撐筒才可以固定在套管法蘭上。這種雙屏蔽罩結構的套管存在零部件過多、結構複雜、工藝要求高、裝配難度大、成本高和經濟性不好等缺點。



技術實現要素:

本發明所要解決的是現有800kv套管的屏蔽罩零部件過多、結構複雜、工藝要求高、裝配難度大、成本高和經濟性差的問題。

為了解決上述問題,本發明的技術方案是提供了一種帶頂環屏蔽結構800kv套管,其特徵在於,包括設於空心複合絕緣筒內的導電管,導電管頂端與接線板連接;空心複合絕緣筒內設有帶頂環接地屏蔽罩,其包括屏蔽罩主體,屏蔽罩主體頂部通過多根支撐杆連接多個上下重疊的頂環,導電管穿設於頂環內。

優選地,所述空心複合絕緣筒頂部設有均壓環。

優選地,所述空心複合絕緣筒底部連接過渡殼體。

優選地,所述屏蔽罩主體為筒狀。

優選地,所述頂環採用鋁環;所述支撐杆採用鋁棒;所述導電管採用鋁製管材。

優選地,所述頂環的外徑為40-60mm;相鄰兩個頂環之間的距離為200-600mm。

優選地,所述支撐杆的數量為3-7根。

優選地,所述導電管的兩個端部與其它部件接觸的部位表面鍍銀。

本發明在屏蔽罩主體頂部增加頂環,顯著改善在帶頂環接地屏蔽罩上端對應的套管空心複合絕緣筒內壁及外壁電位線過於密集的問題,優化並降低該處電場強度值,將電位線整體向套管上部推移,達到充分利用套管絕緣距離和提高套管整體絕緣性能的目的。同時,相對於傳統的雙屏蔽結構,該結構可在保證絕緣性能基本持平的情況下,使套管的結構簡單、製造和安裝方便、快捷、生產成本得到顯著降低。

附圖說明

圖1為本發明提供的帶頂環屏蔽結構800kv套管的剖視圖;

圖2為帶頂環接地屏蔽罩的剖視圖。

具體實施方式

為使本發明更明顯易懂,茲以優選實施例,並配合附圖作詳細說明如下。

實施例

如圖1所示,為本實施例提供的一種帶頂環屏蔽結構800kv套管,其包括設於空心複合絕緣筒50內的導電管30,導電管30的兩個端部與其它部件接觸的部位表面鍍銀,該結構可極大減少電流集膚效應和降低接觸電阻,顯著提高套管的整體通流能力。導電管30頂端通過螺栓固定在空心複合絕緣筒50頂端的金屬端蓋上,空心複合絕緣筒50頂部設有均壓環10,均壓環10和接線板20也通過螺栓連接在空心複合絕緣筒50頂端的金屬端蓋上;空心複合絕緣筒50底部通過螺栓緊固連接過渡殼體60。均壓環10是一個大管徑的鋁製單環,其可使套管頂部電場分布均勻、合理。空心複合絕緣筒50內設有同軸布置的帶頂環接地屏蔽罩40,其包括筒狀的屏蔽罩主體41(如圖2所示),屏蔽罩主體41頂部通過多根支撐杆43焊接三個上下重疊的頂環42,導電管3穿設於頂環42內。帶頂環接地屏蔽罩40通過螺栓連接在過渡殼體60的法蘭上。

所述頂環42採用實心鋁環,其外徑r為50mm,外徑過小則頂環42上電場強度值過高,外徑過大則頂環42的重量過重;相鄰兩個頂環42之間的距離l為400mm,距離過小起不到均化電場的作用,距離過大則頂環42上電場強度值過高。所述支撐杆43採用實心鋁棒,整體圓周上均布,支撐杆43的數量為4根,根數過少無法滿足平穩支撐,根數過多則起不到均化電場的作用。所述導電管30採用鋁製管材。



技術特徵:

技術總結
本發明公開了一種帶頂環屏蔽結構800kV套管,其特徵在於,包括設於空心複合絕緣筒內的導電管,導電管頂端與接線板連接;空心複合絕緣筒內設有帶頂環接地屏蔽罩,其包括屏蔽罩主體,屏蔽罩主體頂部通過多根支撐杆連接多個上下重疊的頂環,導電管穿設於頂環內。本發明在屏蔽罩主體頂部增加頂環,顯著改善在帶頂環接地屏蔽罩上端對應的套管空心複合絕緣筒內壁及外壁電位線過於密集的問題,優化並降低該處電場強度值,將電位線整體向套管上部推移,達到充分利用套管絕緣距離和提高套管整體絕緣性能的目的的同時,在保證絕緣性能基本持平的情況下,使套管的結構簡單、製造和安裝方便、快捷、生產成本得到顯著降低。

技術研發人員:楊震;殷福煜;湯偉;李傳陽
受保護的技術使用者:特變電工中發上海高壓開關有限公司
技術研發日:2017.03.22
技術公布日:2017.09.15
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