通過不規則電極進行電容測量的方法及實施該方法的裝置製造方法

2023-09-22 22:45:30

通過不規則電極進行電容測量的方法及實施該方法的裝置製造方法
【專利摘要】本發明涉及對象相對於集成到用於檢測所述對象的人機界面裝置中的至少兩個獨立電極的絕對電容測量的方法。該方法包括以下步驟：a)對於每個電極，測量電極和對象之間的絕對電容的值，a』)通過對絕對電容的實際值應用多變量非線性預測模型進行預測，以獲得概率密度的圖像，這些概率密度被認為是用於檢測所述對象的實際校正值。例如，多變量非線性預測模型可以通過以下方式來獲得：基於對於多個對象位置相對於所述至少兩個電極獲得的絕對電容的實際值的非線性回歸，和基於對於多個對象位置相對於理想化電極獲得的概率密度的圖像的非線性回歸。
【專利說明】通過不規則電極進行電容測量的方法及實施該方法的裝置
[0001] 本發明涉及測量在多個獨立電極附近的對象的絕對電容（自電容）的方法，這些 電極具有不規則表面。本發明還涉及實施所述方法的電子手勢界面裝置。
[0002] 更具體地，但非限制性地，本發明的領域是用於人機界面指令的觸摸敏感和3D電 容式的表面的領域。
[0003] 通信和工作裝置正越來越多地使用觸摸敏感的控制界面，如面板或屏幕。例如，可 以提及的是行動電話、智慧型手機、具有觸摸敏感屏幕的計算機、平板電腦、個人電腦、滑鼠裝 置、觸摸面板、寬屏顯示器等。
[0004] 這些界面中的多種使用電容技術。
[0005] 觸摸敏感表面配備有配有連接至電子元件的導電電極，這使得能夠測量在電極和 待檢測對象之間出現的電容變化以給出指令。
[0006] 目前在觸摸敏感界面中使用的電容技術通常使用行和列形式的兩層導電電極。最 廣泛使用的幾何拓撲結構是每一行和每一列都由菱形構成，所述菱形在垂直方向上連接到 一起以形成列，並且在水平方向上連接到一起以形成行。
[0007] 使用該幾何拓撲結構可以產生兩種操作模式用來檢測在表面前方的對象的存 在：
[0008] 1.電子設備測量在這些行和列之間存在的耦合電容。當手指非常接近活動表 面時，手指附近的耦合電容被改變，電子設備可以由此在活動表面的平面中定位2D位置 (XY)。這些技術使得能夠通過電介質檢測手指的存在和位置。它們具有在一個或更多個手 指在敏感表面的平面（XY)中的定位中實現非常好的解析度的優勢。然而，這些技術具有在 電極和電子設備的水平處基本上產生原理上大的洩漏電容的缺點。此外，由於老化、材料變 形或環境溫度變化的影響，這些洩漏電容可以隨時間漂移。這些變化會可能降低電極的敏 感度，或甚至可能以不合時宜的方式觸發指令。該技術的另外一個缺點是：在行和列之間產 生的電場仍然主要集中在表面周圍，而耦合電容的變化僅在對象非常接近表面或甚至接觸 表面時發生。這限制了該技術僅為用於觸摸和2D的使用。
[0009] 2.對於電極的每一行和每一列，電子設備測量在對象和所討論的電極之間出現的 絕對電容。該方法的優點是：電場從表面更遠地輻射，使得能夠測量位於屏幕上方幾釐米處 的對象。該方法的缺點是：由於兩個對象的位置模糊，限制檢測多個對象，實際上即使置換 這些對象的X或Y坐標，所測量的電容也將是相同的。對本領域技術人員而言，這種現象被 稱為"鬼影（ghosting) "。
[0010] 還已知使得能夠測量在電極和將待檢測對象之間出現的絕對電容的技術。例如， 已知RoziSre的文獻FR 2 844 349,其公開了一種包括會被獨立地激發並測量的多個電極 的電容式接近檢測器。該檢測器使得能夠測量電極與附近對象之間的絕對電容和距離。 [0011] 這些技術使得能夠實現具有高解析度和高靈敏度的電極與對象之間的電容的測 量。這使得能夠檢測例如在距離幾釐米處的手指而不模糊。檢測可以在三維空間（XYZ)中 完成，也可以在平面（XY)中的表面上完成。這些技術提供了開發真正非接觸的手勢界面的 可能性，並使得能夠改善觸摸敏感界面的性能。
[0012] 為了便於說明測量方法、可靠地檢測對象的存在並準確地判斷其位置，理想的是 電極理想地規則地設置在表面上，這優選地導致以具有相同矩形幾何結構的構造來設置電 極。電極的尺寸近似等於待檢測對象的尺寸或比待檢測對象的尺寸小50%。通常，範圍在 0. 35至0. 65cm2的電極表面積很適合於人機界面型應用，其中待檢測對象是人類手指。該 類型的常規分區很適合於虛擬2D/3D按鈕型的界面，所述界面中電極被刻蝕在電子印刷電 路板（PCB)上並且由位於導電錶面層下方的電源供電。
[0013] 然而，由於與"智慧型手機"型的特定應用中表面的透明度有關的約束，其中檢測表 面必須允許最大量的來自顯示器的光通過，電極的表面與其與電子激發和採集電路的電連 接設置在相同的層上。電連接使得能夠將位於屏幕中央的電極連接至屏幕的邊緣，然後，如 果有必要的話，這些連接沿著屏幕周邊向下。可以通過用隔離表面將周邊上的連接覆蓋、然 後在附近設置導體來保護周邊上的連接免受環境的電容幹擾，或可以不保護該連接，所述 導體被稱為保護導體，所述保護導體利用與電極的電勢相同的電勢來激發。如果軌道是"受 保護的"，則它們被認為是非測量的並且不認為是電容測量的一部分。在相反的情況下，這 些軌道是測量的一個組成部分。將中央電極連接至邊緣外圍的連接導致每個單獨的測量不 再被定位在矩形表面中。其不僅測量對象在主表面上方時的響應，還測量對象一接近連接 軌道時的響應，所述連接軌道可以在遠離該主測量表面處。
[0014] 然而，屏幕更好的透明度的約束使得必須將電極及其連接設置在相同的表面上。 這使得能夠降低製造成本。這種簡化使得能夠通過消除中間層連接元件而具有較大的可靠 性。
[0015] 本發明的一個目的是一種限制由於連接軌道產生的幹擾的新測量方法。
[0016] 本發明的另一目的是降低設計包括手勢人機界面的裝置的成本。
[0017] 所述目的中的至少一個是用測量對象相對於集成在用於檢測所述對象的人機界 面裝置中的至少兩個獨立電極的絕對電容的方法來實現的。根據本發明，該方法包括以下 步驟：
[0018] a)對於每個電極，測量電極和對象之間的絕對電容的值，
[0019] a'）通過對絕對電容的實際值應用多變量非線性預測模型進行預測，以獲得概率 密度的圖像（在測量時，實時地進行），這些概率密度被認為是用於檢測所述對象的經校正 的絕對電容值。
[0020] 利用根據本發明的這種方法，使用多變量非線性預測模型用於校正實際的絕對電 容值。該校正使得能夠將這些實際值變換成校正值，使得能夠補償電極設計中的各種缺陷。 這些缺陷可能是由於會特別地限制檢測解析度的電極的非優化幾何形狀造成的。例如，該 幾何形狀可能是由於從電極平面的外圍出發至設置在電極平面中央區域的電極的連接軌 道產生的。這種不適宜的幾何形狀可被描述為不規則表面。"不規則表面"是指沒有規則幾 何形狀如方形、矩形、圓形或任何其它形狀的表面。舉例來說，這樣的表面是包括鄰接薄帶 如連接軌道的矩形的表面。
[0021] 如下文會看到的，概率密度的圖像可以是通過在理想電極平面上測量獲得的虛擬 值的圖像，或是由理想電極平面的高斯分布獲得的函數的圖像。該理想電極平面可以是對 高解析度的電極布置的理論設計，其具有與實際電極的數目和形狀不同的電極數目和形 狀。
[0022] 優選地，多變量非線性預測模型是通過以下方式獲得的：
[0023] -基於對於多個對象位置相對於所述至少兩個電極獲得的絕對電容的實際值的非 線性回歸，和
[0024] -基於對於多個對象位置相對於理想化電極獲得的概率密度的圖像的非線性回 歸。
[0025] 通過非線性回歸進行的確定可以通過人工神經網絡模型來獲得。存在利用神經網 絡的不同方式，並且其為本領域技術人員所知的。
[0026] 優選地，本發明提供以下實施方式：在步驟a)中，由所測量的絕對電容值建立矢 量Vmw，步驟a'）中的預測包括以下步驟：
[0027] b)對至少矢量Vraw應用第一非線性變換F2以獲得矢量X2，
[0028] c)應用仿射變換以通過將矢量X2乘以矩陣M2並加上平移矢量Y02來獲得矢量 Y2 ;矩陣M2是對象存在下在具有不規則表面的電極上獲得的絕對電容的實際值的矢量與 對象存在下對於理想化電極獲得的虛擬值的矢量之間的變換的矩陣，
[0029] d)對至少矢量Y2應用與第一非線性變換F2相逆的第二非線性變換，以獲得校正 矢量V_corr，和
[0030] e)使用校正矢量V_corr作為用於檢測所述對象的絕對電容的值。
[0031] 利用該實施方式，實施絕對電容的測量值的校正。這些值已經被修改以特別地消 除連接軌道的影響，這些連接軌道是實際電極與虛擬電極之間的差別。通過矩陣M2和變換 矢量Y02，在實際電極與被認為理想的虛擬電極之間使用模型。
[0032] 由於根據本發明的方法，可以準確地檢測在電極前或在電極附近移動一定體積的 對象。這使得能夠容易地設想設置在相同層上作為連接的電極的矩陣陣列的設計。
[0033] 根據本發明的有利特徵，可以使用不同的函數F2,例如：
[0034] -F2 (Vraw) = 1/Vraw；
[0035] _F2(Vraw) = l/(Vraw/Vmax+P )，Vmax 為預定的最大電壓，β 為正數；或
[0036] -F2 (Vraw) = Vraw/Vmax，Vmax 為預定的最大電壓。
[0037] 根據本發明的一個有利實施方案，在步驟a)之後，實施以下步驟：
[0038] -篩選矢量Vraw的值以獲得矢量Vinf MW
[0039] -對矢量Vinf MW應用非線性變換Fl以獲得矢量XI，
[0040] -應用仿射變換以通過將矢量Xl乘以矩陣Ml並加上平移矢量YOl來獲得矢量Yl ; 矩陣Ml是在不存在檢測對象的情況下在具有不規則表面的電極上獲得的絕對電容的實際 值的矢量與不存在檢測對象的情況下虛擬值的矢量之間的變換的矩陣，和
[0041] -對矢量Yl應用與非線性變換Fl相逆的非線性變換，以獲得校正矢量Vinf_ corr,
[0042] -然後實施步驟b)至e)，其中，在步驟b)中，對矢量Vmw和Vinf raw應用非線性變 換F2以獲得作為Vraw和Vinf MW的函數的矢量X2 ;和在步驟d)中，對矢量Y2和Vinf_corr 應用與第一非線性變換F2相逆的第二非線性變換以獲得作為Y2和Vinf_corr的函數的校 正矢量V_corr。
[0043] 利用該實施方案，首先在不考慮關注對象的條件下校正了與實際電極相關的一組 值，而所述篩選使得能夠消除關注對象的影響。第二校正在考慮關注對象的條件下利用第 一校正的結果校正與實際電極相關的值。
[0044] 根據本發明，函數Fl還可以具有不同的形式，如：
[0045] -Fl (Vraw) = 1/Vraw,
[0046] -Fl (Vraw) = l/(Vraw/Vmax+@ )，Vmax 為預定的最大電壓，β 為正數；或
[0047] -Fl (Vraw) = Vraw/Vmax，Vmax 為預定的最大電壓。
[0048] 在該實施方案中，函數F2可以使得：
[0049] -F2 (Vraw，VinfJ = VMW/Vinf* ;Vinf*在步驟b)中的非線性變換期間等於Vinf MW，而在 步驟d)中的逆非線性變換期間等於Vinf_corr，或
[0050] -F2 (Vraw，VinfJ = I- (Vraw/Vinf J ;Vinf# 在步驟 b)中的非線性變換期間等於 Vinf raw， 而在步驟d)中的逆非線性變換期間等於Vinf_corr。
[0051] 在步驟e)期間，還可以設想使校正矢量V_c〇rr歸一化的步驟，在該步驟期間進行 以下步驟：
[0052] -篩選校正矢量V_corr以獲得經篩選的矢量V_corr_f，和
[0053] -利用經篩選的矢量V_corr_f使校正矢量歸一化，以獲得歸一化的矢量V_corr_ nor 〇
[0054] 根據本發明的一個有利特徵，該篩選是根據下式之一獲得的：
[0055] V(t0) = max{V(t) :t e (-〇〇，t〇)} ;t0 為測量時間，V(t)為進行篩選的矢量，t 是時間指數，或
[0056] V(tO) =max{V(t):t e (t〇-窗口大小，tO)}，其中窗口大小為自動校準窗口的 時間段-即其中任何不變的幹擾會被認為是由非關注對象引起的時間段-to為測量時間， V(t)為進行篩選的矢量，t是時間指數。
[0057] 篩選也可以通過用預定矢量替代進行篩選的矢量來簡單地獲得。
[0058] 根據本發明，矩陣M可以通過偏最小二乘法獲得，虛擬值的矢量是對於理想化電 極獲得的值的矢量。這些是在一定距離處沒有連接軌道的規則電極。
[0059] 另一方面，可以為從來源於相對於電極的多個準確對象位置的概率密度函數的抽 樣中獲得矩陣M做準備，虛擬值的矢量是其值為存在的概率的矢量。在這種情況下，概率密 度函數可以有利地是集中在每一水平對象位置的2D高斯分布，其寬度取決於對象的垂直 位置，該高斯分布是由下式定義的：
[0060] G j (t) = A (zO) *exp [_ ((X j - xo)2+ (y j - yo)2) / 0 (Z0)2]，
[0061] 其中，（xj，yj)為包括電極的檢測表面上的規則網格的坐標； (義〇(1：)，7〇(1：)，2〇(1：))為最接近檢測表面的對象的端部的30坐標汸(2〇)和〇(2〇)為以單 調方式取決於距離ZO的兩個預定函數，A(Z)遞減而 σ (ZO)遞增。
[0062] 根據本發明的另一方面，提供了一種電子裝置，其包括：
[0063]-集成在人機界面裝置中的兩個獨立電極，
[0064]-用於通過測量對象相對於電極的絕對電容來檢測所述對象的位置的處理單元。 根據本發明，處理單元配置為實施上述步驟中的至少一個。
[0065] 該裝置可包括或不包括觸摸敏感的屏幕。
[0066] 一般而言，檢測可以是屏幕上的二維方向或是在或不在屏幕附近的三維體積的手 勢檢測（例如，設置在木製面板後面的檢測平板等）。
[0067] 本發明的電子設備的一個實施方案可以是專利WO 2011/015795 Al所描述的一個 實施方案。在該實施方案中，已經放置了主動保護裝置，以使電容洩漏最小化並提供更好的 關注對象的測量品質。如果不提供主動保護裝置，則應對電容洩漏進行校準和扣除。
[0068] 電極優選地基於摻錫氧化銦（ITO)來設計。也可以使用對光透明的其它材料，如 摻錯氧化鋅（AZO)或摻錫氧化鎘.
[0069] 通過查閱非限制性實施方案的詳細描述和附圖，本發明的其它優點和特徵會變得 明顯，其中：
[0070] -圖Ia和圖Ib是根據本發明的裝置的示意圖；
[0071] -圖2是說明電勢隨關注對象在根據本發明的裝置上方的移動而變化的示意圖；
[0072] --方面，圖3a是說明具有不規則劃分的實際電極，另一方面，圖3b是說明具有規 則表面劃分的虛擬電極的示意圖；
[0073] -圖4是說明圓形虛擬電極的示意圖；
[0074] --方面，圖5a是說明具有不規則劃分的實際電極，另一方面，圖5b是說明具有規 則表面劃分但電極朝邊緣具有更高集中度的虛擬電極的示意圖；
[0075] -圖6是說明根據本發明的"智慧型手機"型裝置的示意圖；
[0076] -圖7a和圖7b分別是說明經過編號的實際電極的示意圖和電極之一的圖像放 大；
[0077] -圖8是說明根據本發明的步驟的流程圖的示意圖；和
[0078] -圖9是根據本發明的一般方法的示意圖。
[0079] -般而言，在圖Ia和Ib中可以看到根據本發明的裝置AP。它可以是"智慧型手機" 型的電話或具有觸摸敏感屏幕的數字平板。該裝置AP包括檢測表面SD，所述檢測表面SD 是特別地電極的平面（平坦的或彎曲的）位於其下方的觸摸敏感部分。該檢測表面SD從 其頂部開始包括由透明材料製成的幾個層，例如：
[0080] -外部窗口 VE，
[0081] -防碎片膜FAD，
[0082] -透明黏合劑(^，和
[0083] -起偏器P，
[0084] -由透明材料如摻錫氧化銦（ITO)製成的電極E，
[0085] -電極的玻璃支撐體S，
[0086] -保護裝置G，其為由透明導電材料如摻錫氧化銦（ITO)製成的層，和
[0087] -顯示屏EC，其必須是通過外部窗口 VE可以從外部看見的。
[0088] 因此，電極和保護裝置位於檢測表面下方，並且由具有高電阻率的透明導電材料 製成。
[0089] 還可以看到非檢測表面SND，其在該情況下圍繞在檢測表面SD周圍。該表面從外 部看通常是不透明的，並且沒有電極但具有連接軌道PT和彈性連接器CF，所述彈性連接器 CF是金屬的，由此實際上具有零電阻率。
[0090] 儘管本發明不限於此，但是現在會描述其中回歸和預測利用以下三種變換的根據 本發明的方法：非線性變換、線性變換和第二非線性變換。如先前所陳述的，可以使用其它 相關技術，特別是在神經網絡的家族內的技術。
[0091] 本發明可以用於第一校準步驟以確定仿射變換的矩陣和平移矢量。根據一個實施 方案，在實際絕對電容值和虛擬絕對電容值之間建立模型。根據定義，由每個電極精確測量 的絕對電容?_α)與該電極的表面Aj上的電荷密度的積分在數學上成比例，圖3a說明了 這樣的電極：
【權利要求】
1. 一種測量對象相對於集成在用於檢測所述對象的人機界面裝置中的至少兩個獨立 電極的絕對電容的方法，其特徵在於，所述方法包括以下步驟： a) 對於每個電極，測量所述電極和所述對象之間的絕對電容的值， a'）通過對所述絕對電容的實際值應用多變量非線性預測模型進行預測，以獲得概率 密度的圖像，這些概率密度被認為是用於檢測所述對象的經校正的絕對電容值。
2. 根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述多變量非線性預測模型是通過以下 方式獲得的： -基於對於多個對象位置相對於所述至少兩個電極獲得的絕對電容的實際值的非線性 回歸，和 -基於對於多個對象位置相對於理想化電極獲得的概率密度的圖像的非線性回歸。
3. 根據權利要求1或2所述的方法，其特徵在於，在步驟a)中由所測量的絕對電容值 建立矢量VMW，並且步驟a'）中的所述預測包括以下步驟： b) 對至少所述矢量VMW應用第一非線性變換F2以獲得矢量X2， c) 應用仿射變換以通過將矢量X2乘以矩陣M2並加上平移矢量Y02來獲得矢量Y2 ;所 述矩陣M2是在對象存在下在具有不規則表面的電極上獲得的絕對電容的實際值的矢量與 對象存在下對理想化電極獲得的虛擬值的矢量之間的變換的矩陣， d) 對至少所述矢量Y2應用與所述第一非線性變換F2相逆的第二非線性變換，以獲得 校正矢量V_corr，和 e) 使用所述校正矢量V_corr作為用於所述對象的檢測的絕對電容的值。
4. 根據權利要求3所述的方法，其特徵在於，函數F2使得F2(Vraw) = 1/VMW。
5. 根據權利要求3所述的方法，其特徵在於，函數F2使得F2(〇 = lAVraw/ Vmax+P)，Vmax為預定的最大電壓，β為正數。
6. 根據權利要求3所述的方法，其特徵在於，函數F2使得F2 (Vraw) = VMW/Vmax，Vmax 為預定的最大電壓。
7. 根據權利要求3所述的方法，其特徵在於，在步驟a)之後進行以下步驟： -篩選所述矢量VMW的值以獲得矢量Vinf_MW， -對所述矢量vinf_raw應用非線性變換F1以獲得矢量XI， -應用仿射變換以通過將所述矢量XI乘以矩陣Ml並加上平移矢量Y01來獲得矢量Y1 ; 所述矩陣Ml是在不存在檢測對象的情況下在具有不規則表面的電極上獲得的絕對電容的 實際值的矢量與不存在檢測對象的情況下虛擬值的矢量之間的變換的矩陣，和 -對所述矢量Y1應用與所述非線性變換F1相逆的非線性變換，以獲得校正矢量Vinf_ corr, -然後實施步驟b)至e)，其中，在步驟b)中，對所述矢量VMW和Vinf MW應用所述非線性 變換F2以獲得為Vraw和Vinf MW的函數的矢量X2 ;和在步驟d)中，對所述矢量Y2和Vinf_ corr應用與第一非線性變換F2相逆的第二非線性變換以獲得為Y2和Vinf_corr的函數的 校正矢量V_corr。
8. 根據權利要求7所述的方法，其特徵在於，函數F1使得FI (Vraw) = 1/VMW。
9. 根據權利要求7所述的方法，其特徵在於，函數F1使得FI (〇 = lAVraw/ Vmax+P)，Vmax為預定的最大電壓，β為正數。
10. 根據權利要求7所述的方法，其特徵在於，函數F1使得FI (Vraw) = VMW/Vmax，Vmax 為預定的最大電壓。
11. 根據權利要求7至10中任一項所述的方法，其特徵在於，函數F2使得F2 (VMW，VinfJ =Uvinf?K 在步驟b)中的所述非線性變換期間等於Vinf_MW，而在步驟d)中的逆非線 性變換期間等於Vinf_corr。
12. 根據權利要求7至10中任一項所述的方法，其特徵在於，函數F2使得F2 (VMW，VinfJ =l_(VMW/VinfH<) ;VinfH<在步驟b)中的所述非線性變換期間等於\^_"￥，而在步驟d)中的逆 非線性變換期間等於Vinf_corr。
13. 根據權利要求3至12中任一項所述的方法，其特徵在於，在步驟e)期間其另外包 括使校正矢量V_corr歸一化的步驟，在該步驟期間實施以下步驟： -篩選所述校正矢量V_corr以獲得經篩選的矢量V_corr_f，和 -利用所述經篩選的矢量v_c〇rr_f?使所述校正矢量歸一化，以獲得歸一化的矢量V_ corr_nor〇
14. 根據權利要求7至13中任一項所述的方法，其特徵在於，所述篩選是根據以下公式 獲得的： V(to) = max{V(t) :t e (-〇〇，to)} ;t0為測量時間，V(t)為進行所述篩選的矢量，t 為時間指數。
15. 根據權利要求7至13中任一項所述的方法，其特徵在於，所述篩選是根據以下公式 獲得的： V(t0) =max{V(t):t e (t〇-窗口大小，t0)}，其中窗口大小為自動校準窗口的時間 段，to為測量時間，V(t)為進行所述篩選的矢量，t為時間指數。
16. 根據權利要求7至13中任一項所述的方法，其特徵在於，所述篩選是通過用預定矢 量替代進行所述篩選的所述矢量來獲得的。
17. 根據權利要求3至16中任一項所述的方法，其特徵在於，矩陣Μ是通過偏最小二乘 法獲得的，所述虛擬值的矢量為對理想化電極獲得的值的矢量。
18. 根據權利要求3至16中任一項所述的方法，其特徵在於，矩陣Μ是由來源於多個準 確對象位置相對於所述電極的概率密度函數的抽樣獲得的，所述虛擬值的矢量是其值為存 在的概率的矢量。
19. 根據權利要求18所述的方法，其特徵在於，所述概率密度函數是集中在每個水平 對象位置的2D高斯分布，所述2D高斯分布的寬度取決於所述對象的垂直位置，該高斯分布 由下式定義： G j (t) = A (z0) *exp [- ((x j - xo) 2+ (y j - yo)2) / σ (zo)2], 其中，（xj，yj)為包括所述電極的檢測表面上的規則網格的坐標； (xo(t)，yo(t)，zo(t))為最接近所述檢測表面的對象的端部的3D坐標；A(zo)和σ (z〇)為 以單調方式取決於距離ζ〇的兩個預定函數，Α(ζ)遞減而〇 (zo)遞增。
20. 根據前述權利要求中任一項所述的方法，其特徵在於，所述電極具有不規則表面。
21. -種電子裝置，其包括： -集成在人機界面裝置中的兩個獨立電極， -用於通過測量對象相對於所述電極的絕對電容來檢測所述對象的位置的處理單元， 其特徵在於，所述處理單元配置為實施至少以下步驟： a) 對於每個電極，測量所述電極和所述對象之間的絕對電容的值， a'）通過對絕對電容的實際值應用多變量非線性預測模型進行預測，以獲得概率密度 的圖像，這些概率密度被認為是用於檢測所述對象的經校正的實際值。
22. 根據權利要求21所述的裝置，其特徵在於，所述多變量非線性預測模型是通過以 下方式獲得的： -基於對於多個對象位置相對於所述至少兩個電極獲得的絕對電容的實際值的非線性 回歸，和 -基於對於多個對象位置相對於理想化電極獲得的概率密度的圖像的非線性回歸。
23. 根據權利要求21或22所述的裝置，其特徵在於，所述處理單元還配置為實施以下 步驟： -在步驟a)中，由所測量的絕對電容值建立矢量Vraw，並且步驟a'）中的所述預測包括 以下步驟： b) 對至少所述矢量VMW應用第一非線性變換F2以獲得矢量X2， c) 應用仿射變換以通過將所述矢量X2乘以矩陣M2並加上平移矢量Y02來獲得矢量 Y2 ;所述矩陣M2是在對象存在下在具有不規則表面的電極上獲得的絕對電容的實際值的 矢量與對象存在下對理想化電極獲得的虛擬值的矢量之間的變換的矩陣， d) 對至少所述矢量Y2應用與所述第一非線性變換F2相逆的第二非線性變換，以獲得 校正矢量V_corr，和 e) 使用所述校正矢量V_corr作為用於檢測所述對象的絕對電容的值。
24. 根據權利要求21至23中任一項所述的裝置，其特徵在於，所述電極是基於摻錫氧 化銦設計的。
25. 根據前述權利要求21至24中任一項所述的方法，其特徵在於，所述電極具有不規 則表面。
【文檔編號】G06F3/044GK104246669SQ201380013800
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年3月8日 優先權日:2012年3月13日
【發明者】布魯諾·隆 申請人:納米技術方案公司