固體電解電容器的製造方法

2023-09-22 20:07:55 2

專利名稱：：固體電解電容器的製造方法
技術領域：
：本發明涉及具有高性能的固體電解電容器的製造方法。
背景技術：
：作為一般的卷繞型固體電解電容器，已知的有圖1所示的電容器。如圖1的剖視圖所示，固體電解電容器100包括電容器元件10、有底的外殼11、密封構件12、支承板13、引線14A以及14B。在電容器元件10中連接引線接頭(leadtab)16A、16B，引線接頭16A、16B上分別電連接引線14A、14B。電容器元件10被收納在有底的外殼11中，收納的電容器元件10通過密封構件12被密封。有底的外殼11的開口端附近進行橫擰-捲曲加工，在加工的捲曲部分配置有支撐板13。圖2是說明電容器元件10的圖，表示部分分解的狀態。如圖2所示，電容器元件10如下形成將表面形成有電介體被膜的陽極體21和陰極體22隔著隔片23捲曲，利用止卷帶24固定形成。在電容器元件10中，引線14A通過引線接頭16A與陽極體21連接，弓丨線14B通過引線接頭16B與陰極體22連接。作為具有這種結構的固體電解電容器100的電解質，使用由導電性高分子形成的固體電解質等，該固體電解質填充到陽極體21和陰極體22的空隙間。作為由導電性高分子形成的固體電解質，例如在日本特開平2-15611號公報中公開了聚噻吩。
發明內容隨著近年的電子機器的數位化，上述這種固體電解電容器也需要小型化、大容量化、低ESR化。其中，所述的ESR是指等值串聯電阻。此外，在使用環境苛刻的車載機器和工業機器領域中，對具有高耐壓性的固體電解電容器的要求更高。目前，作為使固體電解電容器有高耐壓性的方法，包括在陽極體表面形成電介體被膜時的化成處理中，提高化成電壓，從而使電介體被膜高耐壓化的方法。但是，在提高化成電壓時，具有固體電解電容器的漏電流和短路產生率增加的問題。本發明可以製造漏電流和短路產生率低且具有高耐壓性的固體電解電容器，並提供該固體電解電容器的製造方法。本發明的第1方案是一種固體電解電容器的製造方法，包括形成具有陽極體的電容器元件的工序，該陽極體在表面具有電介體被膜；使含有導電性高分子前體單體和氧化劑的聚合液含浸電容器元件中的工序；使矽烷化合物或含有矽烷化合物的溶液含浸已含浸過所述聚合液的電容器元件的工序；以及在含浸矽烷化合物或含矽烷化合物的溶液後，使前體單體聚合，從而形成導電性高分子層的工序。在本發明的第1方案中，含矽烷化合物的溶液包含矽烷化合物和有機溶劑，含矽烷化合物的溶液中的矽烷化合物的濃度優選為10重量％以上。在本發明的第1方案中，有機溶劑優選含有醇類、烴類、酯類和酮類有機溶劑中的至少1種。本發明的第2方案是一種固體電解電容器的製造方法，其包括將表面具有電介體被膜的陽極體和陰極體卷繞，形成電容器元件的工序；使含有導電性高分子前體單體和氧化劑的聚合液含浸電容器元件後，使前體單體聚合，從而形成導電性高分子層的工序；以及使矽烷化合物或含矽烷化合物的溶液含浸形成有導電性高分子層的電容器元件後，使之乾燥，從而在導電性高分子層表面形成矽烷化合物層的工序。在本發明的第2方案中，形成矽烷化合物層的工序中的乾燥溫度優選為50°C以上150°C以下。在本發明的第2方案中，含矽烷化合物的溶液包含矽烷化合物和有機溶劑，含矽烷化合物的溶液中的矽烷化合物的濃度為5重量％以上。根據本發明，可以製造漏電流和短路產生率低，而且具有高耐壓性的可靠性高的固體電解電容器。在以下本發明的詳細描述中，結合附圖，對本發明的前述和其它的主題、特徵、方式和優點進行更加詳細的說明。附圖的簡單說明圖1是一般的卷繞型的固體電解電容器的剖視圖。圖2是為了說明圖1的固體電解電容器中的電容器元件的圖。圖3是表示第一實施方式涉及的電容器元件的製造工序的流程圖。圖4是表示第二實施方式涉及的電容器元件的製造工序的流程圖。具體實施例方式以下，對本發明的實施方案進行說明。另外，在下述附圖中，相同或相應的部分使用相同的參照符號，不對其重複說明。另外，為了使附圖明確和簡化，附圖中的長度、大小、寬等尺寸關係可以適當改變，並不表示實際尺寸。通過第1實施方式的固體電解電容器的製造方法製造的固體電容器500的結構，除了導電性高分子層的結構以外，其餘結構和圖1和圖2表示的普通的固體電解電容器100相同。因此，下文中使用圖1和圖2對固體電解電容器500的結構進行說明。第1實施方式中，製造的固體電解電容器500包括電容器元件50、有底的外殼11、密封構件12、支撐板13以及引線14A、14B。電容器元件50連接引線接頭16A、16B，其中的弓丨線接頭16A、16B分別和引線14A、14B電連接。電容器元件50被收納在有底的外殼11中，收納的電容器元件50通過密封構件12被密封。有底的外殼11的開口端附近進行了橫擰、捲曲加工，在加工的捲曲部分配置有支撐板13。電容器元件50包括與引線接頭16A連接的陽極體21、與引線接頭16B連接的陰極體22以及隔片23。另外，陽極體21和陰極體22中至少在陽極體21表面形成有電介體被膜。在固體電解電容器500中，陽極體21、陰極體22和隔片23各自間的空隙內形成有導電性高分子層。該導電性高分子層中存在矽烷化合物，陽極體21的電介體被膜附近的導電性高分子層中的矽烷化合物的濃度(g/cm3)比其它部分的矽烷化合物的濃度(g/cm3)低。使用圖3對上述固體電解電容器500的製造方法進行說明。首先，在步驟S31中，在表面形成有電介體被膜的陽極體21與陰極體22間插入隔片23，將其卷繞而形成的終端利用止卷帶24固定，從而形成電容器元件50。另外，陽極體21和陰極體22中分別連接引線接頭16A、16B。然後，在步驟S32中，調配含有前體單體和氧化劑的聚合液，使該聚合液含浸到電容器元件50中。所述的前體單體是通過聚合形成導電性高分子的化合物。然後，在步驟S33中，在含浸到電容器元件50的聚合液的化學聚合完成前，在電容器元件50中含浸矽烷化合物或含有矽烷化合物的含矽烷化合物溶液。之後，在步驟S34中，含浸到電容器元件50的聚合物中的化學聚合完成，從而形成導電性高分子層。通過上述工序，製造具有存在矽烷化合物的導電性高分子層的電容器元件50。然後，該電容器元件50被收納在有底的外殼11中後，經過利用密封構件12的電容器50的密封、有底的外殼11的開口端附近的橫擰、捲曲加工、對該捲曲加工部分的支撐板13的配置，從而製造圖1所示的固體電解電容器500。矽烷化合物具有提高導電性高分子的分子量分布和結晶性，通過交聯效果強化導電性高分子鏈的鍵的作用。因此，導電性高分子層中存在矽烷化合物的固體電解電容器相對於導電性高分子層中不存在矽烷化合物的固體電解電容器而言，漏電流、短路產生率不會增加，耐壓性提高。但是，由於矽烷化合物不具備導電性，所以使添加了矽烷化合物的聚合液含浸卷繞體，使前體單體化學聚合時，電容器的ESR可能變高。相對於此，第1實施方式中，使聚合液含浸電容器元件50，然後使矽烷化合物或含矽烷化合物的溶液含浸後，使前體單體完成化學聚合。由此，可以將電介體被膜附近的導電性高分子層中的矽烷化合物的濃度控制得很低，所以可以降低固體電解電容器500的ESR。由此，可以抑制固體電解電容器的漏電流和短路產生率的增加，而且提高固體電解電容器的耐壓性，同時降低ESR。作為含矽烷化合物溶液中使用的溶劑，可以使用醇類、烴類、酯類和酮類的揮發性有機溶劑。含矽烷化合物的溶液中的矽烷化合物的濃度優選為10100重量％。另外，也可以不用溶劑稀釋，單獨使用矽烷化合物。另外，矽烷化合物的濃度為100重量％時的含矽烷化合物的溶液和矽烷化合物相同。另外，在含有閥金屬(valvemetal)的燒結體或箔片的陽極體表面，依次形成電介體被膜、導電性高分子層和陰極體引出層的片型固體電解電容器的情況下，如果在導電性高分子層形成後形成矽烷化合物層，則在導電性高分子層和陰極體引出層的界面形成矽烷化合物層，ESR可能增大。在為卷繞型的固體電解電容器的情況下，可以將在陽極體和陰極體的空隙間形成的導電性高分子層中的矽烷化合物濃度控制得很低，所以可以減輕固體電解電容器的ESR的增大。本實施方式是卷繞型固體電解電容器，但是也可以是片型固體電解電容器，層疊多層電容器元件的層疊型固體電解電容器。第2實施方式涉及的通過固體電解電容器的製造方法製造的固體電解電容器600的構成和上述固體電解電容器500的不同只是在於導電性高分子層的結構和有無矽烷化合物層。因此，固體電解電容器600的結構只說明和固體電解電容器500不同的部分。在固體電解電容器600中，電容器元件600的陽極體21、陰極體22和隔片23的各自間的間隙中形成作為固體電解質的導電性高分子層。此外，在電容器元件60的外周側形成的導電性高分子層的表面有形成矽烷化合物層。其中，所述的矽烷化合物層是指滲入有高濃度矽烷化合物的導電性高分子層的表層部和形成於導電性高分子層表面的矽烷化合物的層。使用圖4對上述固體電解電容器600的製造方法進行說明。首先，在步驟S41中，形成電容器元件60。步驟S41中的電容器元件60的形成方法與圖3的步驟S31相同，因此不再說明。然後，在步驟S42中，調配含有成為導電性高分子的前體單體和氧化劑的聚合液，將該聚合液含浸到電容器60中。然後，在步驟S43中，使含浸電容器元件60的聚合液完成化學聚合，從而形成導電性高分子層。然後，在步驟S44中，在形成了導電性高分子層的電容器元件60中，含浸矽烷化合物或含有矽烷化合物的含矽烷化合物溶液。之後，在步驟S45中，使含浸了矽烷化合物或含矽烷化合物溶液的電容器元件60在規定溫度下乾燥。由此，在形成於電容器元件60的外周側的導電性高分子層上形成矽烷化合物層。通過上述工序，製造具有存在矽烷化合物層的導電性高分子層的固體電解電容器元件60。然後，在該電容器元件60被收納到有底的外殼11中後，經過密封構件12對電容器元件60的密封、有底的外殼11的開口端附近的橫擰-捲曲加工、對該捲曲加工部分配置支撐板13，製造圖1所示的固體電解電容器600。如上所述，由於矽烷化合物沒有導電性，所以使添加了矽烷化合物的聚合液含浸卷繞體，使前體單體化學聚合時，電容器的ESR可能變高。相對於此，在第2實施方式中，在形成了導電性高分子層的電容器元件60中含浸含矽烷化合物溶液。由此，電容器元件60的外周側的導電性高分子層上形成矽烷化合物層，可以將在陽極體21和陰極體22的空隙間形成的導電性高分子層中的矽烷化合物濃度控制得很低，所以可以降低固體電解電容器600的ESR增大。由此，可以一邊抑制固體電解電容器的漏電流以及短路產生率增加，一邊提高耐壓性，同時可以降低ESR。另外，在含有閥金屬的燒結體或箔片的陽極體的表面依次形成電介體被膜、導電性高分子層和陰極體引出層的片型固體電解電容器的情況下，如果在導電性高分子層形成後形成矽烷化合物層，則在導電性高分子層和陰極體引出層的界面形成矽烷化合物層，ESR可能增大。在為卷繞型固體電解電容器時，可以將在陽極體和陰極體的空隙間形成的導電性高分子層中的矽烷化合物的濃度抑控制得很低，所以可以減少固體電解電容器的ESR增大。作為含矽烷化合物溶液中使用的溶劑，可以使用醇類、烴類、酯類和酮類的揮發性有機溶劑。含矽烷化合物溶液中的矽烷化合物的濃度優選為5100重量％。另外，也可以不用溶劑稀釋，而單獨使用矽烷化合物。另外，矽烷化合物的濃度為100重量％時的含矽烷化合物溶液和矽烷化合物相當。另外，含浸了含矽烷化合物溶液的電容器元件60為了除去不需要的溶液，優選在規定溫度下乾燥。從溶劑除去效果的觀點出發，乾燥溫度優選為50°C以上，從電容器元件60的熱負荷以及抑制矽烷化合物因受熱而變性的觀點出發，優選為150°C以下。另外，為了使矽烷化合物穩定，乾燥時間優選為30120分鐘。以上，對第1實施方式和第2實施方式進行說明。作為第1和第2實施方式中使用的矽烷化合物，可以列舉出乙烯基三氯矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、β-(3，4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、Y-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、Y-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、Y-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、對-苯乙烯基三甲氧基矽烷、Y-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、Y-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、Y-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、Y-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、Ν-2-(氨基乙基)γ-氨基丙基甲基二甲氧基矽烷、Ν-2-(氨基乙基)Y-氨基丙基三甲氧基矽烷、Ν-2-(氨基乙基)Y-氨基丙基三乙氧基矽烷、Y-氨基丙基三甲氧基矽烷、Y-氨基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基矽烷、Y-氯代丙基三甲氧基矽烷、Y-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、Y-巰基丙基三甲氧基矽烷、Y-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷等。更優選為β-(3，4_環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、Y-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、Y-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、Y-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、Y-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、Y-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷。另外，也可以組合這些矽烷化合物中的2種以上使用。在第1和第2實施方式中，作為使矽烷化合物或含矽烷化合物溶液含浸電容器元件的方法，包括將電容器元件浸漬到矽烷化合物或含矽烷化合物溶液中的方法；在電容器元件上塗布矽烷化合物或含矽烷化合物溶液的方法；用濺射器等將矽烷化合物含矽烷化合物溶液噴霧到電容器元件的方法等。作為可以用於形成第1和第2實施方式的導電性高分子層的導電性高分子，有脂肪族、芳香族、雜環和含雜原子的導電性高分子。另外，也可以將這些導電性高分子中的2種以上組合使用。其中，優選聚噻吩類、聚苯胺類、聚吡咯類導電性高分子。作為可以在第1和第2實施方式中使用的氧化劑，可以使用以對_甲苯磺酸鐵鹽為代表的現有公知的氧化劑。另外，氧化劑可以以溶解到甲醇、乙醇和丁醇等醇類中的狀態使用，在這種情況下，優選使用3570重量％的濃度。[實施例1]首先，在由鋁箔構成的陽極體21和陰極體22的表面進行蝕刻處理。之後，將進行了蝕刻處理的陽極體21浸漬到化成液中，施加150V的電壓，從而形成電介體被膜。在陽極體21和陰極體22中分別連接引線接頭16Α和引線接頭16Β。然後，將陽極體21和陰極體22與隔片23—起卷繞，最外層利用止卷帶24固定，製造電容器元件50。接著，對固體電解電容器50的切口進行化成處理。切口化成通過將電容器元件50浸漬到化成液中施加電壓來進行。接著，製備聚合液。聚合液是將作為前體單體的3，4-乙烯二氧噻吩、作為氧化劑的對-甲苯磺酸鐵丁醇溶液混合而製備。其中，對-甲苯磺酸鐵丁醇溶液中的對-甲苯磺酸的濃度為40重量％。另外，3，4-乙烯二氧噻吩和對-甲苯磺酸鐵丁醇溶液的重量比例分別為25重量％和75重量％。然後，將電容器元件50浸漬到聚合液中之後，浸漬到含矽烷化合物溶液中。含矽烷化合物溶液使用Y-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷作為矽烷化合物、使用丁醇作為溶齊U，含矽烷化合物溶液中的矽烷化合物的濃度為10重量％。之後，使浸漬到電容器元件50中的3，4_乙烯二氧噻吩熱聚合，從而在電容器元件50內部形成導電性高分子。之後，將電容器元件50收納到有底的外殼11中，在該有底的外殼11的開口端部插入密封構件12，進行橫擰、捲曲加工。然後，在該捲曲面插入支撐板13，將分別連接到引線接頭16A、16B的引線14A、14B進行擠壓加工、折彎加工，完成固體電解電容器500。[實施例2]除了使含矽烷化合物溶液中的矽烷化合物的濃度為20重量％以外，和實施例1同樣地，製造固體電解電容器。[實施例3]除了使含矽烷化合物溶液中的矽烷化合物的濃度為50重量％以外，和實施例1同樣地，製造固體電解電容器。[實施例4]除了使含矽烷化合物溶液中的矽烷化合物的濃度為100重量％，也就是矽烷化合物不稀釋就使用以外，和實施例1同樣地，製造固體電解電容器。[實施例5]除了矽烷化合物使用Y-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷以外，和實施例1同樣地製造固體電解電容器。[實施例6]除了矽烷化合物使用Y-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷以外，和實施例2同樣地製造固體電解電容器。[實施例7]除了矽烷化合物使用Y-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷以外，和實施例3同樣地製造固體電解電容器。[實施例8]除了矽烷化合物使用Y-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷以外，和實施例4同樣地製造固體電解電容器。[比較例1]除了使含矽烷化合物溶液中的矽烷化合物的濃度為1重量％以外，和實施例1同樣地製造固體電解電容器。[比較例2]除了使含矽烷化合物溶液中的矽烷化合物的濃度為5重量％以外，和實施例1同樣地，製造固體電解電容器。[比較例3]除了矽烷化合物使用Y-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷以外，和比較例1同樣地製造電解電容器。[比較例4]除了矽烷化合物使用Y-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷以外，和比較例2同樣地製造固體電解電容器。[比較例5]除了將電容器元件50浸漬到聚合液中之後，不浸漬到含矽烷化合物溶液中而進行化學聚合以外，和實施例1同樣地製造固體電解電容器。表1是分別對於實施例和比較例的固體電解電容器的20個的平均值的電性質測定結果。另外，固體電解電容器是額定電壓35V、容量22μF，尺寸是直徑10mm、高度12mm。短路產生率表示將固體電解電容器在125°C進行5小時蝕刻處理後的固體電解電容器的短路產生率。另外，靜電容量和介質損耗因子在120Hz的頻率下測定，ESR在IOOkHz的頻率下測定。另外，漏電流是開始對固體電解電容器施加額定電壓2分鐘後的值。BDV值(耐壓性質)表示在常溫環境下，對固體電解電容器施加電壓，以lV/s的速度升高施加電壓，固體電解電容器絕緣破壞時的電壓。tableseeoriginaldocumentpage10從表1的結果可知，實施例1~8的固體電解容器與比較例5相比，短路產生率和漏電流更低，BDV電流更高。由於BDV值高，所以與比較例5的固體電解電容器的耐壓性相比，實施例18的固體電解電容器的耐壓性更高。因此，通過將電容器元件浸漬在聚合液中，浸漬在含矽烷化合物的溶液中之後，使之完成化學聚合，可以抑制固體電解電容器的漏電流和短路產生率的增加，同時提高耐壓性。另外，將實施例18和比較例14進行比較，含矽烷化合物的溶液中的矽烷化合物的濃度越高，短路產生率和漏電流越低，BDV值越高。這種趨勢在矽烷化合物的濃度為10重量％以上時，特別明顯。因此，通過增加矽烷化合物的濃度，可以抑制短路產生率和漏電流的增加，進一步擴大提高耐壓性的效果。[實施例9]首先，在由鋁箔形成的陽極體21和陰極體22的表面進行蝕刻處理。之後，將進行蝕刻處理的陽極體21浸漬到化成液中，通過施加150V的電壓，形成電介體被膜。在陽極體21和陰極體22中分別連接引線接頭16A和引線接頭16B。然後，將陽極體21和陰極體22與隔片23—起卷繞，最外層通過止卷帶24固定，製造電容器元件60。接著，對固體電解電容器60的切口進行化成處理。切口化成通過將電容器元件60浸漬到化成液中施加電壓來進行。接著，調節聚合液。聚合液是將作為前體單體的3，4-乙烯二氧噻吩、作為氧化劑的對-甲苯磺酸鐵丁醇溶液混合而製備。其中，對-甲苯磺酸鐵丁醇溶液中的對-甲苯磺酸的濃度為40重量％。另外，3，4-乙烯二氧噻吩和對-甲苯磺酸鐵丁醇溶液的重量比例分別為25重量％和75重量％。然後，將切口化成的電容器元件60浸漬到聚合液中之後，通過將3，4-乙烯二氧噻吩熱化學聚合，形成導電性高分子層。之後，將電容器元件60放在含矽烷化合物的溶液中浸漬1分鐘後，使該電容器元件60在100°C下乾燥，形成矽烷化合物層。含矽烷化合物的溶液使用Y-巰基丙基三甲氧基矽烷作為矽烷化合物，使用乙醇作為溶劑，含矽烷化合物的溶液中的矽烷化合物的濃度為1.0重量％。之後，將具備有矽烷化合物層的導電性高分子層的電容器元件60收納到有底的外殼11中，在該有底的外殼11的開口端部插入密封構件12，進行橫擰、捲曲加工。然後，在該捲曲面插入支撐板13，將分別連接到引線接頭16A、16B的引線14A、14B進行擠壓加工、折彎加工，完成固體電解電容器600。[實施例10]除了使含矽烷化合物的溶液中的矽烷化合物的濃度為5.0重量％以外，和實施例9同樣地製造固體電解電容器。[實施例11]除了使含矽烷化合物的溶液中的矽烷化合物的濃度為10重量％以外，和實施例9同樣地製造固體電解電容器。[實施例12]除了使含矽烷化合物的溶液中的矽烷化合物的濃度為50重量％以外，和實施例9同樣地製造固體電解電容器。[實施例13]除了使含矽烷化合物的溶液中的矽烷化合物的濃度為100重量％，也就是矽烷化合物不稀釋就使用以外，和實施例9同樣地製造固體電解電容器。[實施例14]除了使電容器元件60浸漬到含矽烷化合物的溶液中後的乾燥溫度成為150°C以夕卜，和實施例10同樣地製造固體電解電容器。[實施例15]除了使電容器元件60浸漬到含矽烷化合物的溶液中後的乾燥溫度為150°C以外，和實施例11同樣地，製造固體電解電容器。[實施例16]除了使電容器元件60浸漬到含矽烷化合物的溶液中後的乾燥溫度為150°C以外，和實施例12同樣地製造固體電解電容器。[實施例17]除了使電容器元件60浸漬到含矽烷化合物的溶液中後的乾燥溫度為200°C以外，和實施例10同樣地製造固體電解電容器。[實施例18]除了使電容器元件60浸漬到含矽烷化合物的溶液中後的乾燥溫度為200°C以外，和實施例11同樣地製造固體電解電容器。[實施例19]除了使電容器元件60浸漬到含矽烷化合物的溶液中後的乾燥溫度為200°C以外，和實施例12同樣地製造固體電解電容器。[比較例6]除了在電容器元件60上形成導電性高分子層後，不進行浸漬含矽烷化合物的溶液和乾燥以外，和實施例9同樣地製造固體電解電容器。表2是分別對於實施例和比較例的固體電解電容器的是各20個的平均值的電性質測定結果。另外，固體電解電容器是額定電壓35V、容量22μF，尺寸是直徑10mm、高度12mm。短路產生率表示將固體電解電容器在125°C進行5小時蝕刻處理後，固體電解電容器的短路產生率。另外，靜電容量和介質損耗因子在120Hz的頻率下測定，ESR在IOOkHz的頻率下測定。另外，漏電流是開始對固體電解電容器施加額定電壓2分鐘後的值。BDV值(耐壓性質)表示在常溫環境下，對固體電解電容器施加電壓，以lV/s的速度升高施加電壓，固體電解電容器絕緣破壞時的電壓。tableseeoriginaldocumentpage13從表2的結果可以知道，實施例9一19的固體電解電容器與比較例6相比，短路產生率和漏電流減少，BDV值增高。由於BDV值高，所以與比較例6的固體電解電容器的耐壓性相比，實施例919的固體電解電容器的耐壓性更高。因此，通過將形成了導電性高分子層的電容器元件浸漬到含矽烷化合物的溶液中，形成矽烷化合物層，可以抑制固體電解電容器的漏電流和短路產生率的增加，同時提高耐壓性。另外，將實施例9和實施例1013進行比較，含矽烷化合物的溶液中的矽烷化合物的濃度越高，短路產生率和漏電流越少，BDV值越高。這種趨勢在矽烷化合物的濃度為5重量％以上時，特別明顯。因此，通過增加含矽烷化合物的溶液中的矽烷化合物的濃度，可以抑制短路產生率和漏電流的增加，進一步擴大提高耐壓性的效果。另外，將實施例916和實施例1719進行比較，乾燥溫度越低，短路產生率、ESR、漏電流越低，BDV值越高。這種趨勢在乾燥溫度為150°C以下時，更明顯。因此，通過降低乾燥溫度，可以抑制短路產生率和漏電流的增加，進一步擴大提高耐壓性的效果。上述實施方式和實施例只是對本發明進行說明的，並不是限定權利要求的範圍記載的發明。本發明可以在權利要求的範圍內以及等同的範圍內進行任意變更。例如，陽極體除了鋁以外，還可以使用鉭、鈮、鈦等閥金屬。權利要求一種固體電解電容器的製造方法，其包括形成具有陽極體的電容器元件的工序，該陽極體在表面具有電介體被膜；使含有導電性高分子的前體單體和氧化劑的聚合液含浸電容器元件的工序；使矽烷化合物或含有矽烷化合物的溶液含浸已含浸過所述聚合液的電容器元件的工序；以及，在含浸矽烷化合物或含矽烷化合物的溶液後，使前體單體聚合，從而形成導電性高分子層的工序。2.根據權利要求1所述的固體電解電容器的製造方法，其中，所述含矽烷化合物的溶液包含矽烷化合物和有機溶劑，含矽烷化合物的溶液中的矽烷化合物的濃度為10重量％以上。3.根據權利要求2所述的固體電解電容器的製造方法，其中，所述有機溶劑含有醇類、烴類、酯類和酮類有機溶劑中的至少1種。4.一種固體電解電容器的製造方法，其包括將表面具有電介體被膜的陽極體和陰極體卷繞，形成電容器元件的工序；使含有導電性高分子的前體單體和氧化劑的聚合液含浸電容器元件後，使前體單體聚合，從而形成導電性高分子層的工序；以及使矽烷化合物或含矽烷化合物的溶液含浸形成有導電性高分子層的電容器元件後，使之乾燥，從而在導電性高分子層表面形成矽烷化合物層的工序。5.根據權利要求4所述的固體電解電容器的製造方法，其中，形成所述矽烷化合物層的工序中的乾燥溫度為50°C以上150°C以下。6.根據權利要求4所述的固體電解電容器的製造方法，其中，所述含矽烷化合物的溶液包含矽烷化合物和有機溶劑，含矽烷化合物的溶液中的矽烷化合物的濃度為5重量％以上。全文摘要一種固體電解電容器的製造方法，其包括形成具有陽極體的電容器元件的工序，該陽極體在表面具有電介體被膜；使含有導電性高分子的前體單體和氧化劑的聚合液含浸電容器元件中的工序；使矽烷化合物或含有矽烷化合物的溶液含浸已含浸過聚合液的電容器元件的工序；以及在含浸矽烷化合物或含矽烷化合物的溶液後，使前體單體聚合，從而形成導電性高分子層的工序。文檔編號H01G9/15GK101826398SQ20091100030公開日2010年9月8日申請日期2009年12月1日優先權日2008年12月1日發明者古川剛士,犬塚雄一郎申請人:三洋電機株式會社;佐賀三洋工業株式會社