一種交叉耦合輸入的低噪聲跨導放大器的製造方法
2023-09-22 20:55:45 1
一種交叉耦合輸入的低噪聲跨導放大器的製造方法
【專利摘要】本發明公開了一種交叉耦合輸入的具有噪聲抵消性能的低噪聲跨導放大器，該放大器包含交叉耦合輸入級放大器、片外接受網絡以及隔離電路，交叉耦合輸入級放大器包括第一N型金屬氧化物電晶體、第二N型金屬氧化物電晶體、第三P型金屬氧化物電晶體、第四P型金屬氧化物電晶體、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第一電容、第二電容、第三電容、第四電容；隔離電路包括第一電感、第二電感、第三電感、第四電感、第五電容、第六電容、第七電容、第八電容；片外接受網絡包括第九電容、第十電容、第五電感、第六電感、模擬天線的信號源和天線內阻；該結構的低噪聲跨導放大器具有噪聲抵消的功能，同時採用交叉耦合輸入，低功耗的性能。
【專利說明】一種交叉耦合輸入的低噪聲跨導放大器
【技術領域】
[0001]本發明涉及一种放大器，特別涉及一種交叉耦合輸入的具有噪聲抵消性能的低噪聲跨導放大器。
【背景技術】
[0002]在射頻信號接收鏈路中，低噪聲放大器是接收機的第一極有源電路，它本身具有很低的噪聲係數並提供足夠的增益。從整個接收鏈路考慮，低噪聲放大器應具有較高的增益以抑制後極射頻電路以及中頻電路的噪聲對整個接收鏈路噪聲的影響。此外，低噪聲放大器本身應具有較低的噪聲係數以減輕混頻器的設計壓力。隨著多載波技術和複雜調製技術越來越多地應用到無線通訊中，對接收機各項性能參數的要求也逐漸提高。由於MOS管(金屬氧化物電晶體)截止頻率的限制，很難對射頻電路採用諸如運放反饋、跨導自舉等改善性能的技術。這使得射頻電路不能像中頻電路那樣可以靈活應用各種模擬電路設計方法進行優化及折中。低噪聲放大器位於射頻前端電路的第一極，根據系統的級聯噪聲係數的公式，低噪聲放大器對整個射頻電路的噪聲係數的影響起到決定性的作用。綜上所述，降低低噪聲放大器的噪聲係數是設計者不斷追求的目標。
[0003]傳統的低噪聲放大器的結構大致可以分為共源極的低噪聲放大器和共柵極的低噪聲放大器。共源極低噪聲放大器，信號從柵極輸入。為了實現阻抗匹配，達到信號最優傳輸的目的，一般在源極接入一個源極退化電感，從柵極看進去的阻抗具有實數部分。共柵輸入級放大器，信號從源極輸入，源極看進去的等效阻抗如果與天線的內阻相等，即可實現阻抗匹配。然而，這兩種傳統的放大器都具有相對較高的噪聲係數，降低低噪聲放大器的噪聲係數主要有噪聲抵消和交叉耦合輸入等重要方法。
[0004]噪聲抵消結構的低噪聲放大器有很多種，一般的思路是使信號通過兩個支路進行放大，在輸出端得到差分或者單端的輸出信號。對於同一個器件產生的噪聲經過兩個支路後仍然是相干的噪聲電壓信號。採用適當的電路控制增益及相位差，在放大射頻信號的同時，抵消相應器件產生的噪聲，這樣就可以通過差分或單端抵消的方法達到噪聲抵消的目的。也可以通過另一種方式理解，信號通過兩個支路放大，與此同時，只有一個支路中器件的噪聲或者附加另一個支路中的部分器件的噪聲在輸出端產生影響。這樣的話，輸出端的噪聲電壓保持在相同增益的單支路放大器的數值，而信號的增益比單支路放大器的增益高了 6dB(放大一倍)。這樣就達到了相對較低的噪聲係數。
[0005]交叉耦合輸入技術主要是採用一對相互匹配的金屬氧化物電晶體作為低噪聲放大器的輸入管，利用電容將一對相互匹配的金屬氧化物電晶體的其中一個金屬氧化物電晶體的柵極與另一個金屬氧化物的源極連接在一起，這樣就形成了交叉耦合輸入。每一個金屬氧化物電晶體的柵極和源極都接極性相反的射頻信號。這樣，在金屬氧化物電晶體的尺寸和偏置電壓相同的情況下，每一個金屬氧化物電晶體的實際跨導增大了一倍。因此，在相同的功耗和噪聲電流的情況下，低噪聲放大器的增益增大了一倍，進而起到降低低噪聲放大器噪聲係數的作用。[0006]根據噪聲係數的公式，提高低噪聲放大器的增益對噪聲係數的優化起到重要的作用。而高增益的一般是以直流電流或者功耗作為代價的，在電阻負載的結構中，大偏置電流產生的壓降附加在負載電阻上，因此是被浪費掉的。
【發明內容】
[0007]發明目的:針對上述現有技術，提供一種交叉耦合輸入的低噪聲跨導放大器，該低噪聲跨導放大器的噪聲比傳統的交叉耦合輸入結構具有更低的噪聲和功耗；同時解決傳統交叉耦合輸入結構在較大偏置電流時在負載電阻上產生較大電壓降的問題。
[0008]技術方案:為解決上述技術問題，本發明採用的結構是一種交叉耦合輸入的噪聲抵消低噪聲跨導放大器，該放大器包含交叉耦合輸入級放大器、片外接受網絡以及隔離電路；所述交叉耦合輸入級放大器包括第一 N型金屬氧化物電晶體、第二 N型金屬氧化物電晶體、第三P型金屬氧化物電晶體、第四P型金屬氧化物電晶體、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第一電容、第二電容、第三電容、第四電容；所述隔離電路包括第一電感、第二電感、第三電感、第四電感、第五電容、第六電容、第七電容、第八電容；所述片外接受網絡包括第九電容、第十電容、第五電感、第六電感、模擬天線的信號源和天線內阻。
[0009]第六電容的下極板和第三電感的負端、第三電容的上極板、第三P型金屬氧化物電晶體的源極連接；第五電容的下極板和第一電感的正端、第一電容的上極板、第一 N型金屬氧化物電晶體的源極連接；第六電容的上極板和第五電容的上極板連接，並作為低噪聲跨導放大器的輸入信號的正端；第八電容的下極板和第二電感的正端、第二電容的上極板、第二 N型金屬氧化物電晶體的源極連接；第七電容的下極板和第四電感的負端、第四電容的上極板、第四P型金屬氧化物電晶體的源極連接；第八電容的上極板和第七電容的上極板連接，並作為低噪聲跨導放大器的輸入信號的負端；第一 N型金屬氧化物電晶體的柵極和第一電阻的正端、第二電容的下極板連接；第二 N型金屬氧化物電晶體的柵極和第二電阻的正端、第一電容的下極板連接；第三P型金屬氧化物電晶體的柵極和第三電阻的正端、第四電容的下極板連接；第四P型金屬氧化物電晶體的柵極和第四電阻的正端、第三電容的下極板連接；第一 N型金屬氧化物電晶體的漏極和第三P型金屬氧化物電晶體的漏極連接，並且作為低噪聲跨導放大器輸出信號的正端；第二 N型金屬氧化物電晶體的漏極和第四P型金屬氧化物電晶體的漏極連接，並且作為低噪聲跨導放大器輸出信號的負端；第四電阻的負端和第三電阻的負端連接，並且接固定電壓Vbias2，為第四P型金屬氧化物電晶體的柵極和第三P型金屬氧化物電晶體的柵極提供直流偏置；第二電阻的負端和第一電阻的負端連接，並且接固定電壓Vbiasl，為第一N型金屬氧化物電晶體的柵極和第二N型金屬氧化物電晶體的柵極提供直流偏置；第一電感的負端和第二電感的負端接地；第三電感的正端和第四電感的正端接電源電壓。
[0010]所述片外接受網絡的模擬天線的信號源和天線內阻設置在低噪聲跨導放大器的輸入端，模擬天線的信號源的輸出端和天線內阻的一端連接；第六電感的正端、第九電容的上極板和天線內阻的另一端相連；第九電容的下極板和第五電感的正端連接到所述低噪聲跨導放大器的輸入信號的正端；第六電感的負端和第十電容的上極板連接到所述低噪聲跨導放大器的輸入信號的負端；第五電感的負端和、第十電容的下極板接地。
[0011]有益效果:與現有技術相比，本發明具有以下有益效果:[0012]1.噪聲係數低。本發明的低噪聲跨導放大器處於接收機系統的第一級，對系統噪聲的貢獻起到關鍵的作用。本發明的低噪聲跨導放大器從兩個角度降低了電路的噪聲係數:
[0013]第一，採用噪聲抵消技術。本發明的電路通過第一 N型金屬氧化物電晶體和第三P型金屬氧化物電晶體以及第二 N型金屬氧化物電晶體和第四P型金屬氧化物電晶體組成的兩個支路對信號進行放大，在差分輸出端得到極性相反的射頻信號和極性相同的噪聲信號。通過正負兩個輸出端相減達到噪聲抵消的目的。
[0014]第二，採用交叉耦合輸入。本發明的低噪聲跨導放大器採用上下對稱的交叉耦合輸入，在相同的直流工作點的情況下，將輸入金屬氧化物電晶體的實際跨導提高了一倍，提高了整個低噪聲跨導放大器的增益，因此降低了電路的噪聲係數。
[0015]2.電流利用效率高，功耗低。傳統的交叉耦合輸入結構以一對相互匹配的金屬氧化物電晶體作為輸入管，以電阻作為負載。本發明的低噪聲跨導放大器採用兩對相互匹配的金屬氧化物電晶體作為輸入管，同時每一對相互匹配的金屬氧化物電晶體又是另一對相互匹配的金屬氧化物電晶體的負載。與傳統的交叉耦合結構相比，本發明的低噪聲跨導放大器在相同增益和噪聲係數的情況下，功耗是傳統結構的一半；同時由於兩對相互匹配的金屬氧化物電晶體彼此作為對方的負載，未採用電阻負載，因此解決了在較大偏置電流時在負載電阻上產生的較大的電壓降。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]圖1為本發明的晶片內部電路圖；
[0017]圖2為本發明的電路結構的片外接受網絡；
[0018]圖3為本發明與傳統低噪聲跨導放大器進行噪聲係數比較的仿真結果圖。`【具體實施方式】
[0019]下面結合附圖對本發明做更進一步的解釋。
[0020]如圖1所示，一種交叉耦合輸入的低噪聲跨導放大器，該放大器包含交叉耦合輸入級放大器、片外接受網絡以及隔離電路。交叉耦合輸入級放大器包括第一N型金屬氧化物電晶體Ml、第二 N型金屬氧化物電晶體M2、第三P型金屬氧化物電晶體M3、第四P型金屬氧化物電晶體M4、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4。隔離電路包括第一電感L1、第二電感L2、第三電感L3、第四電感L4、第五電容C5、第六電容C6、第七電容C7、第八電容C8。片外接受網絡包括第九電容C9、第十電容C10、第五電感L5、第六電感L6、模擬天線的信號源Vin和天線內阻Rs。
[0021]第六電容C6的下極板和第三電感L3的負端、第三電容C3的上極板、第三P型金屬氧化物電晶體M3的源極連接；第五電容仏的下極板和第一電感L1的正端、第一電容C1的上極板、第一 N型金屬氧化物電晶體M1的源極連接。第六電容C6的上極板和第五電容C5的上極板連接，並作為低噪聲跨導放大器的輸入信號的正端Vinp。第八電容C8的下極板和第二電感L2的正端、第二電容C2的上極板、第二 N型金屬氧化物電晶體M2的源極連接。第七電容C7的下極板和第四電感L4的負端、第四電容C4的上極板、第四P型金屬氧化物電晶體M4的源極連接。第八電容C8的上極板和第七電容C7的上極板連接，並作為低噪聲跨導放大器的輸入信號的負端vinn。第一 N型金屬氧化物電晶體M1的柵極和第一電阻R1的正端、第二電容C2的下極板連接。第二 N型金屬氧化物電晶體M2的柵極和第二電阻R2的正端、第一電容C1的下極板連接。第三P型金屬氧化物電晶體M3的柵極和第三電阻R3的正端、第四電容C4的下極板連接。第四P型金屬氧化物電晶體M4的柵極和第四電阻R4的正端、第三電容C3的下極板連接。第一 N型金屬氧化物電晶體M1的漏極和第三P型金屬氧化物電晶體M3的漏極連接，並且作為低噪聲跨導放大器輸出信號的正端ν_+。第二 N型金屬氧化物電晶體M2的漏極和第四P型金屬氧化物電晶體M4的漏極連接，並且作為低噪聲跨導放大器的輸出信號的負端ν__。第四電阻R4的負端和第三電阻R3的負端連接，並且接固定電壓Vbias2,為第四P型金屬氧化物電晶體M4的柵極和第三P型金屬氧化物電晶體M3的柵極提供直流偏置，本實施例中Vbias2取值為1.2V。第二電阻R2的負端和第一電阻R1的負端連接，並且接固定電壓Vbiasl，為第一 N型金屬氧化物電晶體M1的柵極和第二 N型金屬氧化物電晶體M2的柵極提供直流偏置，本實施例中Vbiasl取值為0.55V。第一電感L1的負端和第二電感L2的負端接地。第三電感L3的正端和第四電感L4的正端接電源電壓，本實施例中該電源電壓取值為1.8V。
[0022]片外接受網絡的模擬天線的信號源Vin和天線內阻Rs設置在低噪聲跨導放大器的輸入端，模擬天線的信號源Vin的輸出端和天線內阻Rs的一端連接。第六電感L6的正端、第九電容C9的上極板和天線內阻Rs的另一端相連。第九電容C9的下極板和第五電感L5的正端連接到所述低噪聲跨導放大器的輸入信號的正端Vinp。第六電感L6的負端和第十電容C10的上極板連接到所述低噪聲跨導放大器的輸入信號的負端Vim。第五電感L5的負端和、第十電容Cltl的下極板接地。
[0023]上述交叉耦合輸入的噪聲抵消低噪聲跨導放大器，抵消了交叉耦合輸入級放大器的第一 N型金屬氧化物電晶體M1 、第二 N型金屬氧化物電晶體M2、第三P型金屬氧化物電晶體M3和第四P型金屬氧化物電晶體M4在輸出端的噪聲，並且採用交叉耦合輸入，提高了金屬氧化物電晶體的實際跨導。本發明的信號隔離網絡包括由第一電感L1、第二電感L2、第三電感L3、第四電感L4、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5、第六電容C6、第七電容C7和第八電容C8,第一電感L1、第二電感L2、第三電感L3、和第四電感L4的主要作用是通直流阻交流。第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5、第六電容C6、第七電容C7和第八電容C8的主要作用是阻直流通交流。
[0024]該低噪聲跨導放大器利用噪聲抵消的方法極大的降低了電路的噪聲係數。射頻信號流過由第一 N型金屬氧化物電晶體M1和第三P型金屬氧化物電晶體M3以及第二 N型金屬氧化物電晶體M2和第四P型金屬氧化物電晶體M4組成的兩個支路，在差分輸出端產生極性相反的信號；第一 N型金屬氧化物電晶體M1、第二 N型金屬氧化物電晶體M2、第三P型金屬氧化物電晶體M3和第四P型金屬氧化物電晶體M4的噪聲電流在在差分輸出端產生極性相同的信號。通過正負輸出端的信號相減可以達到噪聲抵消的目的，在完全匹配的情況下，可以完全抵消掉第一 N型金屬氧化物電晶體M1、第二 N型金屬氧化物電晶體M2、第三P型金屬氧化物電晶體M3和第四P型金屬氧化物電晶體M4在輸出端產生的噪聲。
[0025]本發明的匹配網絡包括第五電感L5、第六電感L6、第九電容C9和第十電容C1(l。本發明所採用的片外差分網絡為L型匹配網絡。在低噪聲跨導放大器的輸入端設置模擬天線的信號源Vin以及天線內阻Rs。模擬天線的信號源Vin接收射頻信號，然後通過片外匹配網絡以及第五電容C5、第六電容C6、第七電容C7和第八電容C8交流耦合到第一 N型金屬氧化物電晶體M1的源端、第三P型金屬氧化物電晶體M3的源端、第二 N型金屬氧化物電晶體M2的源極和第四P型金屬氧化物電晶體M4的源端。第一 N型金屬氧化物電晶體M1的源端、第三P型金屬氧化物電晶體M3的源端、第二 N型金屬氧化物電晶體M2的柵極和第四P型金屬氧化物電晶體M4的柵極通過第五電容C5、第六電容C6、第三電容C3和第一電容C1連接在一起，作為輸入信號的正端。第一 N型金屬氧化物電晶體M1的柵端、第三P型金屬氧化物電晶體M3的柵端、第二 N型金屬氧化物電晶體M2的源極和第四P型金屬氧化物電晶體M4的源極通過第四電容C4、第二電容C2、第七電容C7和第八電容C8連接在一起，作為輸入信號的負端。整個電路具有上下左右對稱的結構。每一個金屬氧化物電晶體的柵極和源極分別連接不同的信號輸入端，這樣提高了金屬氧化物電晶體的實際跨導，在同樣功耗的情況下提高了增益，同時降低了電路的噪聲係數。 [0026]本發明以第一 N型金屬氧化物電晶體M1和第三P型金屬氧化物電晶體M3的漏極為輸出端的正端Vrat+ ；以第二 N型金屬氧化物電晶體M2和第四P型金屬氧化物電晶體M4的漏極為輸出端的負端ν__。第一 N型金屬氧化物電晶體M1和第三P型金屬氧化物電晶體M3的漏極以及第二 N型金屬氧化物電晶體M2和第四P型金屬氧化物電晶體M4的漏極具有較大的輸入阻抗，因此可以提高較大的信號增益。對於流過第一 N型金屬氧化物電晶體M1的噪聲電流而言，噪聲電流的一端流過由第三電感L3、第一電感L1、第一 N型金屬氧化物電晶體M1和第三P型金屬氧化物電晶體M3組成的支路；噪聲電流的另一端流過由第二電感L2、第四電感L4、第二 N型金屬氧化物電晶體M2和第四P型金屬氧化物電晶體M4組成的支路。該噪聲電流在輸出端的正端Vrat+和輸出端的負端V。*產生極性相同的噪聲電壓，通過兩者相減可以消除該噪聲電流產生的噪聲電壓；同樣的道理分別可以抵消流過第二 N型金屬氧化物電晶體M2、第三P型金屬氧化物電晶體M3和第四P型金屬氧化物電晶體M4的噪聲電流。為了滿足上述功能，要求設置第一 N型金屬氧化物電晶體M1的跨導、第二 N型金屬氧化物電晶體M2的跨導、第三P型金屬氧化物電晶體M3的跨導和第四P型金屬氧化物電晶體M4的跨導相同。
[0027]該低噪聲跨導放大器採用上下對稱的交叉耦合輸入，第一 N型金屬氧化物電晶體M1、第二 N型金屬氧化物電晶體M2、第三P型金屬氧化物電晶體M3和第四P型金屬氧化物電晶體M4均是交叉耦合輸入電晶體。通過抵消第一 N型金屬氧化物電晶體M1、第二 N型金屬氧化物電晶體M2、第三P型金屬氧化物電晶體M3和第四P型金屬氧化物電晶體M4在輸出端產生的噪聲電壓，降低了放大器的噪聲係數；同時，與傳統的交叉耦合結構相比，該結構的低噪聲跨導放大器米用兩對相互匹配的金屬氧化物電晶體作為輸入管。同時，每一對相互匹配的金屬氧化物電晶體又是另一對相互匹配的金屬氧化物電晶體的負載，即第三P型金屬氧化物電晶體M3和第四P型金屬氧化物電晶體M4在作為交叉耦合輸入電晶體的同時也是第一 N型金屬氧化物電晶體M1和第二 N型金屬氧化物電晶體M2的負載；同樣的，第一 N型金屬氧化物電晶體M1和第二 N型金屬氧化物電晶體M2在作為交叉耦合輸入電晶體的同時也是第三P型金屬氧化物電晶體M3和第四P型金屬氧化物電晶體M4的負載。從而，在同樣的增益和噪聲係數的要求下，本發明的低噪聲跨導放大器的功耗是傳統交叉耦合輸入結構的一半。並且由於每一對相互匹配的金屬氧化物電晶體又是另一對相互匹配的金屬氧化物電晶體的負載，未採用電阻負載，避免了電路在較大偏置電流時在電阻負載上產生較大的電壓降。
[0028]下面通過仿真對比來說明本發明具有低噪聲係數和低功耗的優點。
[0029]米用Cadence? Virtuoso仿真軟體進行低噪聲跨導放大器噪聲係數的仿真對比。對比對象是本發明的放大器和傳統的共源極低噪聲跨導放大器。
[0030]仿真對比結果如圖3所示,橫坐標表示輸入射頻信號的頻率,單位Hz,縱坐標表示噪聲係數，單位dB。從圖3可以看出，本發明的低噪聲跨導放大器工作在433MHz附近時，噪聲係數可達1.54dB。而傳統的交叉耦合輸入級低噪聲跨導放大器在此頻率附近工作時的噪聲係數約為3.2dB。本發明的低噪聲跨導放大器對噪聲係數的優化接近1.66dB。該結構的偏置電流僅為傳統的交叉耦合輸入級低噪聲跨導放大器的一半。與具有相同增益的傳統的交叉耦合輸入級低噪聲跨導放大器相比，本發明具有更低的功率和噪聲係數。
[0031]以上所述僅是本發明的優選實施方式，應當指出，對於本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發明的保護範圍。
【權利要求】
1.一種交叉耦合輸入的低噪聲跨導放大器，其特徵在於:該放大器包含交叉耦合輸入級放大器、片外接受網絡以及隔離電路；所述交叉耦合輸入級放大器包括第一 N型金屬氧化物電晶體(Ml)、第二 N型金屬氧化物電晶體(M2)、第三P型金屬氧化物電晶體(M3)、第四P型金屬氧化物電晶體(M4)、第一電阻(R1)、第二電阻(R2)、第三電阻(R3)、第四電阻(R4)、第一電容(Cl)、第二電容(C2)、第三電容(C3)、第四電容(C4);所述隔離電路包括第一電感(LI)、第二電感(L2)、第三電感(L3)、第四電感(L4)、第五電容(C5)、第六電容(C6)、第七電容(C7)、第八電容(C8);所述片外接受網絡包括第九電容(C9)、第十電容(CIO)、第五電感(L5)、第六電感(L6)、模擬天線的信號源(Vin)和天線內阻(Rs)； 所述第六電容(C6)的下極板和第三電感(L3)的負端、第三電容(C3)的上極板、第三P型金屬氧化物電晶體(M3)的源極連接；第五電容(C5)的下極板和第一電感(L1)的正端、第一電容(C1)的上極板、第一 N型金屬氧化物電晶體(M1)的源極連接；第六電容(C6)的上極板和第五電容(C5)的上極板連接，並作為低噪聲跨導放大器的輸入信號的正端(Vinp);第八電容(C8)的下極板和第二電感(L2)的正端、第二電容(C2)的上極板、第二 N型金屬氧化物電晶體(M2)的源極連接；第七電容(C7)的下極板和第四電感(L4)的負端、第四電容(C4)的上極板、第四P型金屬氧化物電晶體(M4)的源極連接；第八電容(C8)的上極板和第七電容(C7)的上極板連接，並作為低噪聲跨導放大器的輸入信號的負端(Vinn);第一 N型金屬氧化物電晶體(M1)的柵極和第一電阻(R1)的正端、第二電容(C2)的下極板連接；第二 N型金屬氧化物電晶體(M2)的柵極和第二電阻(R2)的正端、第一電容(C1)的下極板連接；第三P型金屬氧化物電晶體(M3)的柵極和第三電阻(R3)的正端、第四電容(C4)的下極板連接；第四P型金屬氧化物電晶體(M4)的柵極和第四電阻(R4)的正端、第三電容(C3)的下極板連接；第一 N型金屬氧化物電晶體(M1)的漏極和第三P型金屬氧化物電晶體(M3)的漏極連接，並且作為低噪聲跨導放大器輸出信號的正端(Vwt+);第二 N型金屬氧化物電晶體(M2)的漏極和第四P型金屬氧化物電晶體(M4)的漏極連接，並且作為低噪聲跨導放大器的輸出信號的負端(V。.)；第四電阻(R4)的負端和第三電阻(R3)的負端連接，並且接固定電壓Vbias2，為第四P型金屬氧化物電晶體(M4)的柵極和第三P型金屬氧化物電晶體(M3)的柵極提供直流偏置；第二電阻(R2)的負端和第一電阻(R1)的負端連接，並且接固定電壓Vbiasl，為第一 N型金屬氧化物電晶體(M1)的柵極和第二 N型金屬氧化物電晶體(M2)的柵極提供直流偏置；第一電感(L1)的負端和第二電感(L2)的負端接地；第三電感(L3)的正端和第四電感(L4)的正端接電源電壓； 所述片外接受網絡的模擬天線的信號源(Vin)和天線內阻(Rs)設置在低噪聲跨導放大器的輸入端，模擬天線的信號源(Vin)的輸出端和天線內阻(Rs)的一端連接；第六電感(L6)的正端、第九電容(C9)的上極板和天線內阻(Rs)的另一端相連；第九電容(C9)的下極板和第五電感(L5)的正端連接到所述低噪聲跨導放大器的輸入信號的正端(Vinp);第六電感(L6)的負端和第十電容(Cltl)的上極板連接到所述低噪聲跨導放大器的輸入信號的負端(ViJ ;第五電感(L5)的負端和、第十電容(Cltl)的下極板接地。
【文檔編號】H03F3/45GK103762947SQ201410015029
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2014年1月13日 優先權日:2014年1月13日
【發明者】吳建輝, 薛晨輝, 李紅, 陳超, 白春風, 劉智林, 尹海峰, 徐哲 申請人:東南大學