場效應電晶體、有機薄膜電晶體及有機電晶體的製造方法
2023-09-22 09:29:25
專利名稱：場效應電晶體、有機薄膜電晶體及有機電晶體的製造方法
技術領域：
本發明涉及場效應電晶體、有機薄膜電晶體及有機電晶體的製造方法，
特別涉及在溝道中使用了有機半導體的薄膜電晶體(TFT)，特別涉及將在溝 道中傳導的載流子為電子(n型溝道TFT)和空穴(p型溝道TFT)的2種 FET進行串連的的所謂CTFT (互補TFT)電晶體及其製造方法。
背景技術：
使用了有機EL (ElectroLuminescence,電致發光)元件或液晶的薄型顯 示裝置中，作為驅動像素點的元件，使用的是在溝道中使用了非晶矽或多晶 矽的薄膜電晶體(TFT)。實際中，使用了非晶矽或多晶矽的TFT，使其難以 具有可塑性，另外，由於製造過程中使用了真空設備，通常也使製造成本增 高。因此，這些顯示裝置中，為了實現撓性的顯示裝置或降低製造成本，以 用有機材料形成驅動迴路中所用的TFT為目的而進行了廣泛研究。有機薄膜 電晶體(有機TFT)中，利用印刷法、濺射法、噴墨法等簡便的工藝就可以 形成構成溝道的半導體層，與使用無機半導體的TFT相比，期望能夠非常廉 價地進行製造。另外，能夠很容易地製造大面積且輕量、薄型的顯示、集成 電路，期望應用於液晶面板、有機EL面板、IC卡等。
為了實現撓性顯示裝置，需要包括驅動像素點的周邊迴路在內都是具有 撓性的。驅動像素點的迴路中使用的TFT要求具有10 cm/V *s左右以上的載 流子遷移率，證實在溝道中使用了小分子量有機分子的TFT滿足該要求。非 專利文獻1中，使用在溝道中使用了紅熒烯(rubrene)分子的單晶的有機TFT 可以得到15 (cm/V*s)的載流子遷移率。另外，非專利文獻2中，對於高 純度的並五苯(pentacene)分子的單晶，報導了室溫下35 (cm/V s)的載 流子遷移率。但是，由容易提高性能的低分子構成的有機TFT中，通常在制 造中使用真空蒸鍍，這在製造方面是不利的。另一方面，由高分子構成的有 機TFT容易控制製造成本，但其性能顯著降低，僅適用於有限的用途。
作為解決這些問題的手段，有將低分子溶解於溶劑中，通過塗布而形成
溝道的半導體層的方法。關於作為低分子TFT應用例而最具代表性的有機分 子並五苯，例如，非專利文獻3和非專利文獻4中，報導了合成並五苯分子 的衍生物，使用提高對溶劑溶解性的溶液來形成薄膜的技術。另外，非專利 文獻5中，記載了將並五苯分子直接溶解於溶劑中，通過塗布而形成薄膜的 技術。進而，非專利文獻2和非專利文獻6中對於將並五苯分子溶解於有機 溶劑的順序也進行了記載。
進一步，為了通過塗布而廉價地製造有機FET，不僅是有機半導體，而 且希望金屬線的配線和電極也通過塗布而製成。因此，有的方法是使金屬成 為微粒，通過被有機物包覆而具有對溶劑的溶解性，將溶解了這樣微粒的金 屬油墨或糊通過印刷而分配於規定的部位，然後通過規定溫度下的處理除去 有機物，而形成金屬配線或電極。目前，確立了使用銀或金的糊通過印刷而 進行配線的方法。
另一方面，使用矽的FFT中，集成化的必要條件是互補型TFT (CTFT) 電晶體，其特徵為，使溝道中傳導的載流子為電子(n型溝道TFT)和空穴 (p型溝道TFT)的2種FET串聯，電力消耗小。
但是，有機TFT中，就是到最近，已知幾乎都是僅作為p型FET進行動 作的。其原因有幾種說法，但仍在爭論中。例如，非專利文獻7中，舉出了 n型溝道和p型溝道有機FET的例子，但n型和p型TFT是通過使用各自的 有機半導體來實現的，沒有提及在經濟上有利的工藝。另外，沒有指明構成 n型和p型TFT的原理方針。
專利文獻1中公開了有機半導體元件，其特徵是，作為源極和漏極，由 具有相互不同的功函數的材料構成。例如，作為p型有機半導體元件中使用 的源極的材料，功函數儘量大的物質(金、鉑、鈀、鉻、硒、鎳等金屬，氧 化銦錫(所謂ITO)、氧化銦鋅(所謂IZO)、氧化鋅或它們的合金，或者氧 化錫、碘化銅等)是適宜的。作為漏極的材料，功函數小於源極功函數的金 屬或化合物(銀、鉛、錫、鋁、鈣、銦等金屬，鋰等鹼金屬，鎂等鹼土金屬， 或它們的合金，或者鹼金屬化合物，鹼土金屬化合物等)是適宜的。但是， 在有機半導體材料與電極材料接觸時，電極-有機半導體界面上，通常，由於
發生電荷的交換和電荷的屏蔽，因此n型/p型不僅僅是由電極的功函數確定 的。
專利文獻2中，通過向高分子主鏈中引入具有p型半導體特性的單元(例 如噻吩單元)和具有n型半導體特性的單元(例如噻唑)，提供了同時表現出 電氣上p型特性和n型特性的有機半導體高分子，利用其表現出低反向電流， 另外，公開了同時表現兩種特性的有機薄膜電晶體用的有機半導體高分子。 但是，即使能夠規定主體的性質，也不能確定FET中所使用的電極-有機半導 體界面和絕緣體-有機半導體界面中的半導體的電子結構，因而不能確定有機 TFT的特性。
專利文獻3中公開了有機FET，作為半導體層其使用了由於偏離化學當 量，產生氧空穴或晶格間金屬從而表現高導電率的金屬氧化物(氧化錫、氧 化鈦、氧化鍺、氧化銅、氧化銀、氧化銦、氧化鉈、鈦酸鋇、鈦酸鍶、鉻酸 鑭、氧化鎢、氧化銪、氧化鋁、鉻酸鉛)，化學當量比的情況下，導電率最高 的金屬氧化物(氧化錸、氧化鈦、鈦酸鑭、鎳酸鑭、氧化銅鑭、氧化釕銅、 銥酸鍶、鉻酸鍶、鈦酸鋰、氧化銥、氧化鉬)，導電性金屬氧化物(氧化釩、 氧化鉻、鐵氧化鈣、鐵氧化鍶、鈷酸鍶、釩酸鍶、釕酸鍶、鈷酸鑭、氧化鎳)、 導電性金屬氧化物青銅(oxidebronze)(氧化鉤、氧化鉬、氧化錸的鈣鈦礦結 構沒有A位置原子時，加入氫原子、鹼金屬、鹼土金屬或稀土金屬的鎢青銅 (MxW03)、 MxM03、 MxRe03)等金屬氧化物。這時，這些金屬氧化物僅作 為半導體材料使用，而沒有作為電極使用。
另一方面，非專利文獻8中，對於通常從半導體構成元素的物理常數推 導出電極-無機半導體界面上真空能級位移A的方法進行了討論。使用該真空 能級位移A時，可以計算電極-無機半導體界面中與載流子(電子和空穴)注 入有關的肖特基勢壘①，使用熱離子發射模型等適當的載流子注入機理，可 以計算載流子注入速度(一秒內注入的電荷數)。即，載流子是電子的情況下， 肖特基勢壘O可以由(數l)
formula see original document page 5 (數l)
求得。這時，真空能級位移A，在電子從電極注入半導體的情況下，肖
特基勢壘O變大時記為正號，(PM為電極的功函數，Xs為半導體的電子親和力
(真空能級和導帶下端能量的差)。進而，根據非專利文獻8，肖特基勢壘O 由(數2)
其中，Eg:半導體的帶隙能量，e:電子的元電荷量，dMS:構成電極-半
導體界面的電極和半導體的原子間距，NB:電極-半導體界面的每單位面積的 鍵(原子鍵)的個數，a:電極-半導體界面的界面方向的構成原子的最鄰近 原子數，ss:半導體的電容率，dB:電極-半導體界面上的界面方向的構成原
子間的間距，SM:電極的電容率。電極是金屬時，因為SM 無限大，所以
(數5)使用Sit 2ss (數6)。電極不是金屬時，可以原樣使用(式5)。
但是，非專利文獻8的討論是只適用於界面的原子鍵主要是化學鍵的電 極-無機半導體界面，通常，不適用於鍵比較弱的電極-有機半導體界面。 [專利文獻1]特開2004-55654號公報 [專利文獻2]特開2004-211091號公報 [專利文獻3]特開2004-128028號公報 [非專利文獻1] Science, 303， 1644(2004) [非專利文獻2] Applied Physics Letters, 84， 3061(2004) [非專利文獻3] Journal of Applied Physics, 79， 2136(1996) [非專利文獻4] Journal of American Chemical Society, 124, 8812(2002) [非專利文獻5] Synthetic Metals， 153, 1(2005) [非專利文獻6] Japanese Journal of Applied Physics, 43, L315(2004) [非專利文獻7]応用物理，第74巻，第9號，第1196頁(2005) [非專利文獻8] Physical Review Letters, 84(26),6078(2000)
發明內容
本發明的實施例中，提供了對有機TFT中，電子注入效率和空穴注入效 率得以改善的電極和有機半導體組合分別進行判別的方法，另外，實現了 n
formula see original document page 6
(數2)
給出。這裡，(數3) (數5)如下所示。
formula see original document page 6
(數3) (數4) (數5)
型溝道FET和p型溝道FET兩種FET，進而提供了互補型TFT (CTFT)晶 體管。進一步，提供了即使使用相同的有機半導體也可以實現n型和p型TFT， 在經濟上有利的製造方法。
首先，使用幾個電極金屬-有機半導體界面的電子狀態的評價結果，推導 出通常從電極和有機半導體構成元素的物理常數推導出電極金屬-有機半導 體界面中真空能級位移A的方法。利用該真空能級位移A，通過電化學手段使 幾個電極金屬和這些金屬變化，製成可以控制電子注入和空穴注入的電極。 通過這些電極來實現n型溝道FET和p型溝道FET兩種FET，進而，提供了 互補型TFT (CTFT)電晶體。進而，作為製作n型溝道FET和p型溝道FET 的方法，公開了將形成了電極的撓性基板連續地導入電化學槽，使電極表面 發生電化學變化的方法。
根據本發明的實施例，能夠製造使用了有機TFT的低耗電型CTFT晶體 管，可以容易地製造使用了有機TFT的大面積且輕量、薄型的集成電路，另 外:，能夠應用於有機TFT或有機薄膜元件整體的液晶面板、有機EL面板、 IC卡、標籤(tag)等。
圖1是表示根據本發明的實施例形成的CTFT電晶體的結構的一個例子 的截面圖。
圖2是表示根據本發明的實施例形成的CTFT電晶體的製造方法的一個 例子的截面圖。
圖3是實現本發明實施例的CTFT電晶體用電極的表面處理連續加工的 製造裝置的一部分的模式圖例。 符號說明
11 基板
12 門極
13 絕緣膜護套 14、 15 源極
16 漏極
17 有機半導體薄膜
18防液區域
20n型溝道FET
21p型溝道FET
31基板
32、33基板導向輥
34溶液容器
35恆電位儀(2輸出)
36參比電極
37工作電極
38、39氧化還原用電極
40容器
41氧化還原用溶液
61基板
62門極
63門絕緣膜
64感光性薄膜
65防液膜
67防液膜
68、69源極
70漏極
71有機半導體薄膜
具體實施方式
實施例1
本實施例中，對非專利文獻8的討論進行了擴充，推導出在電極-有機半 導體界面中，從電極和半導體的構成元素的物理常數推導出肖特基勢壘O)的 方法。通過利用第一原理計算的理論計算和利用掃描隧道顯微鏡的電子狀態 測定，對於作為電極-有機半導體的組合，氫末端矽表面-聚噻吩高分子、金-並五苯晶體、銀-並五苯晶體、金-各種硫醇單分子膜、銀-各種硫醇單分子膜 等的電子狀態進行研究後，使用(數7)至(數ll)，可以一般性地估計肖特
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說明書第7/ll頁
基勢壘O。 g卩，載流子是電子時，肖特基勢壘O)由(數7)給出。
= Yb((Pm — Xs) + (1一 YB)Eg/2 (數7)
這裡，(數8) (數IO)如下。
Yb = 1 —aMS e2 dMS NB /sit (Eg+ k ) (數8)
K = aaBe2/(ssdB) —2aMS e2/(sit dMS) (數9)
sit=l/(l/(2ss) + l/(2sM)) (數IO)
特別是在電極是金屬的情況下為
sit 2ss (數ll)
其中，(Pm:電極的功函數，Xs:有機半導體的電子親和力，Eg:有機半導體 的帶隙能量，aMS:電極-有機半導體間的相互作用修正係數，e:電子的元電 荷量，dMS:電極-有機半導體界面的電極和有機半導體的原子間距，NB:電
極-有機半導體界面的單位面積的鍵(化學鍵或其他的相互作用)的個數，a:
電極-有機半導體界面的界面方向的電極構成原子的最鄰近原子數，aB:電極 -有機半導體界面的界面方向的電極構成要素間的相互作用修正係數，ss:半 導體的電容率，dB:電極-有機半導體界面的界面方向的電極構成原子間距，
SM:電極的電容率(電極是金屬時，Sm 無限大)。(xms和(xb各自涉及電極-
有機半導體間和電極構成要素間的相互作用，是根據相互作用的種類而不同 的修正係數，對於金屬鍵或無機半導體的離子鍵或共價鍵，使用約a-l的值， 對於通常相互作用小的範德華力(分子間作用力)，使用(x《.7 l左右的值， 另外，對於銀和並五苯分子這樣的期望某種程度電荷移動的相互作用，使用 oH).4 l的值時，可以得到對肖特基勢壘(D的良好估量。
使用該估量法，從一種電極出發，使用一種有機半導體，可以實現n型 溝道FET和p型溝道FET兩種FET，作為其例子，可以是(1)電極銀和 氧化銀，有機半導體並五苯晶體(單晶或多晶)；(2)電極銀和硫化銀(或 硫原子與烴分子結合的硫醇分子)，有機半導體並五苯晶體(單晶或多晶);
(3)電極鈦、氧化鈦，有機半導體並五苯晶體(單晶或多晶)；(4)電 極炭化鈦、氧化鈦，有機半導體並五苯晶體(單晶或多晶)等。
實施例2
本實施例中，公開了本發明的CTFT電晶體的一個例子。
圖1是表示本發明的CTFT電晶體結構的模式截面圖。圖1中，有機半 導體薄膜17是由本實施例中的並五苯晶體顆粒構成的多晶並五苯薄膜。源極 14和源極15、有機半導體薄膜17、共同的漏極16、 2個門極12構成了 CTFT 電晶體。CTFT電晶體是由n型溝道FET20和p型溝道FET21串聯的結構， 本實施例中，源極15為接地電極，源極14為外加動作電壓的電極，在2個 門極12上輸入共同的電壓信號，漏極16為輸出電極。防液區域18是防液性 高的區域，在形成有機半導體薄膜17前的階段中，通過使有機半導體薄膜 17和絕緣膜13的界面成為親液性(防液性低)的狀態，可以自發地形成有 機半導體薄膜17。
圖1中，在基板11的上面形成門極12後，形成絕緣膜13。絕緣膜13 上，形成圖1說明的防液區域18和親液性區域(有機半導體薄膜17和絕緣 膜13的界面)。該親液性區域自身調整性地進行位置重合，成為與門極12對 應的位置。利用防液區域18和親液性區域的親液性的差，在形成有機半導體 薄膜17後，形成源極14、源極15、漏極16。
本發明中，對於源極14和源極15，從相同材料(本實施例中為銀)開 始，通過將源極14進行選擇性氧化，形成源極14 (氧化銀電極)和源極15 (銀電極)。
實施例3
本實施例中公開了根據本發明形成的CTFT電晶體的製造方法的一個例 子。圖2是表示根據本發明的實施例形成的CTFT電晶體的製造方法的一個 例子的截面圖。本實施例中，對於使用具有可塑性的材料，不利用平版印刷 法，而以印刷或塗布等方法構成本發明的有機薄膜CTFT電晶體的方法進行 了說明。圖2(a)-(f)是具體說明製造方法的圖。
如圖2(a)所示，使用導電性油墨在塑料制的基板61上印刷門極62。將其 燒成而形成門極62,但由於基板使用了塑料，因此必須注意其軟化溫度。本 實施例中，基板61使用了厚100 pm的高耐熱高透明性聚醯亞胺片，燒成溫 度可以提高到25(TC左右。因此，對於導電性油墨中使用了銀超微粒子分散 水溶液的情況，可以充分承受其需要的12(TC的燒成溫度。
在基板61和門極62上旋轉塗布聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，使其充分
乾燥，形成門絕緣膜63。這裡，使用加熱板於10(TC乾燥10分鐘。進而，形 成感光性薄膜64。本實施例中，旋轉塗布陽性抗蝕劑，得到膜厚100nm的 膜。
下面，為了形成源極68、源極69、漏極70，而形成防液圖案。防液膜 65為，將由全氯辛烷稀釋至0.1 wt。/。的氟化烴系矽烷偶聯劑(夕V年y工業， 商品名才7°7—》)進行旋轉塗布，如圖2(b)截面圖中箭頭所示，用水銀燈 從塑料基板61的面照射紫外線。因為本實施例中使用的感光性薄膜64感光 所需要的紫外線是波長365 nm的i射線，所以為了避免對層疊的門絕緣膜63
(高分子膜-聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)膜)的損傷，300nm以下波長的紫 外線最好經濾光片削弱而進行照射。由於門極62上已經形成金屬電極，因此 照射的紫外線不能透過形成有機半導體薄膜71的區域，只有源極68、源極 69、漏極70對應區域的感光性薄膜感光。30秒左右的照射後，通過使感光 性薄膜顯影而除去源極68、源極69、漏極70對應區域的感光性薄膜64，該 區域的防水膜65被剝離。這樣，在形成有機半導體薄膜71的區域形成防液 膜65 (圖2(c))。與門極62同樣，使用導電性油墨，形成源極68、源極69、 漏極70 (圖2(d))。在此階段中，通過對源極68的選擇性氧化，形成源極68
(氧化銀電極)和源極69 (銀電極)。與上述相同，旋轉塗布氟化烴系矽垸 偶聯劑，形成防液膜67 (圖2(d))。通過使用感光性薄膜64的溶劑除去感光 性薄膜64，剝離防水膜65，如(圖2(e))所示，在形成有機半導體薄膜71 的區域以外的區域，即源極68、源極69、漏極70對應的區域67表現防液性。 本實施例中使用丙酮作為感光性薄膜溶劑。
接著，為了形成溝道，塗布有機半導體薄膜71。使用帶有噴嘴位置控制 機構、溶液吐出量控制機構和溶液加熱機構的吐出機，在氮氣環境下向溝道 供給有機半導體薄膜71的溶液。本實施例中，如非專利文獻5中，在溶媒 中使用三氯苯，將並五苯進行O.l wt。/。分散後，加熱到200'C使其溶解，作為 溶液來使用。通過噴嘴供給該溶液約3 ^。為了防止溶液溫度急劇下降引起 溶液中生長晶體，可以將基板加熱到17(TC左右。將供給的溶液乾燥，如(圖 2(f))以上的圖中所示，形成有機半導體薄膜71。這樣，在親水性區域中形 成有機半導體薄膜71，不使用平版印刷，而以印刷、塗布等廉價的方法就可
以構成具有可塑性的CTFT電晶體。
本實施例中，基板使用聚醯亞胺，絕緣膜使用PMMA，此外，基板使用 以聚苯乙烯為代表的各種塑料基板，絕緣膜使用聚醯亞胺、聚乙烯酚等也是 沒有問題的。另外，不需要可塑性時，通過在基板中使用無機絕緣膜，可以 獲得印刷、塗布等製造工藝的選擇性增加的優點。形成門極後，通過旋塗式 玻璃(SOG， spin-on glass)形成絕緣膜，旋轉塗布陽性抗蝕劑，使用水銀燈 從背面照射紫外線。通過門極遮光的區域以外的抗蝕劑通過顯影而溶解、除 去，因而抗蝕劑圖案成為與門極相同的圖案。在此狀態下旋轉塗布氟化烴系 矽烷偶聯劑。接著，通過使用丙酮等除去抗蝕劑，剝離氟化烴系矽烷偶聯劑， 得到期望的防液圖案。該方法中SOG燒成需要45(TC左右的熱處理，由於抗 蝕劑的除去使用有機溶劑，因此不能用於基板以外使用有機材料的情況。該 方法具有製造步驟減少或不需要防液膜形成用金屬的優點。
實施例4
本實施例中，公開了實現本發明CTFT電晶體用電極表面處理連續加工 的製造裝置的一部分的模式圖例。圖3是實現本發明CTFT電晶體用電極的 表面處理連續加工的製造裝置的一部分的模式圖例。容器40是為了保持裝置 整體的氣氛環境，例如充滿乾燥氮氣，但根據使用有機半導體或電極材料的 特性，不一定是必須的。基板31使用成形了n型溝道FET和p型溝道FET 用的源極和漏極且具有可塑性的撓性基板。基板31隨著基板導向輥32和33
(巻出側)旋轉而送出，通過基板導向輥32和33 (巻入側)旋轉而巻起。 在容器40前後，也可以連續設置電極表面加工以外的製造裝置。基板31在 溶液容器34內，通過基板導向輥33的引導而浸入氧化還原用溶液41中。這 時，利用恆電位計35，對n型溝道FET和p型溝道FET用的源極進行如下 表面加工。恆電位計35具有參比電極36、工作電極37、氧化還原用電極38 和氧化還原用電極39。參比電極36將氧化還原用溶液41的電位(參比電位) 輸入恆電位計35。恆電位計35以該參比電位為基準，控制工作電極37和氧 化還原用電極38和氧化還原用電極39的電位。這時，氧化還原用電極38和 氧化還原用電極39中的電流也得到控制，使作為配極的工作電極37中有電 流流動，參比電極36中沒有電流流動，從而構成迴路。本實施例的情況下， 氧化還原用電極38保持氧化電位，用於氧化n型溝道FET用的源極表面， 另一方面，氧化還原用電極39保持還原電位，使成為氧化p型溝道FET用 的源極的銀電極表面不被氧化。這樣，在可管理的環境下，可以進行n型溝 道FET和p型溝道FET用的源極的表面加工，可以連續進行基板31的送進， 可以以低成本實現穩定性能的製品。
權利要求
1.場效應電晶體，其特徵為，具有多個源極、至少1個漏極和有機半導體薄膜，所述任意電極的至少一個具有可以被氧化或還原的性質。
2. 根據權利要求1所述的場效應電晶體，其特徵為，利用所述多個源極 和漏極構成互補型電晶體。
3. 有機薄膜電晶體，其特徵為，源極和漏極由第1金屬構成，這些電極 表面由厚0.3原子層到5原子層的第2元素與第1金屬的化合物構成的薄膜 包覆。
4. 根據權利要求3所述的有機薄膜電晶體，其特徵為，具有第一和第二 源極、至少1個漏極和有機半導體薄膜，所述第一源極之一由金、銀、銅或 鈦中的任一種構成，所述第二源極由金、銀、銅或鈦中的任一種構成，所述 第二源極由厚0.3原子層到5原子層的硫、氧、滷素、鈣、鎂或這些元素與 電極元素的化合物構成的薄膜包覆。
5. 根據權利要求3所述的有機薄膜電晶體，其特徵為，具有第一和第二 源極、至少1個漏極和有機半導體薄膜，所述第一源極由金、銀、銅或鈦構 成，所述第二源極由金、銀、銅或鈦構成，所述第二電極表面吸附厚0.3原 子層到5原子層的含有五氟苯硫醇、全氟代垸基硫醇、三氟甲硫醇、五氟乙 硫醇、七氟丙硫醇、九氟丁硫醇、丁鈉硫醇、丁酸鈉硫醇或丁醇鈉硫醇的薄 膜。
6. 有機薄膜電晶體的製造方法，其特徵為，形成第一和第二源極、至少 1個漏極和有機半導體薄膜，具有至少一個所述電極通過電化學的溶液反應 或氣相反應氧化或還原的工序。
7. 根據權利要求6所述的有機薄膜電晶體的製造方法，其特徵為，具有 在至少一個所述電極表面上進行吸附或解吸加工的工序。
8. 根據權利要求6所述的有機薄膜電晶體的製造方法，其特徵為，通過使形成了所述電極的基板在溶液中或氣相中連續通過，對至少一個所述電極 表面進行加工。
全文摘要
本發明的目的是提供在有機TFT中，對電子注入效率和空穴注入效率得以改善的電極和有機半導體組合分別進行判別的方法，實現n型溝道FET和p型溝道FET兩種FET，進而提供互補型TFT(CTFT)電晶體。為此，推導出通常從電極和有機半導體構成元素的物理常數推導出電極金屬-有機半導體界面中真空能級位移Δ的方法。通過電化學手段使電極金屬變化，製成可以控制電子注入和空穴注入的電極。通過這些電極來實現n型溝道FET和p型溝道FET兩種FET，進而，提供了互補型TFT(CTFT)電晶體。
文檔編號H01L51/30GK101106153SQ200710084820
公開日2008年1月16日 申請日期2007年2月27日 優先權日2006年7月13日
發明者新井唯, 橋詰富博, 藤森正成, 諏訪雄二 申請人:株式會社日立製作所