光掩模基板及製造方法、光掩模製造方法和圖案轉印方法

2023-09-20 10:11:35 1

專利名稱：光掩模基板及製造方法、光掩模製造方法和圖案轉印方法
技術領域：
本發明涉及被用於液晶顯示裝置用光掩模等的光掩模(photo mask)基板。尤其涉及在利用接近式(proximity)曝光裝置 進行圖案(pattern)轉印時使在被轉印體上形成的圖案的形狀精度(線寬精度、坐標精度等)提高的光掩模基板、以及利用了該光掩模基板的光掩模還料(photo mask blank)、光掩模的製造方法和圖案轉印方法等。
背景技術：
專利文獻I記載了一種在將光掩模和被轉印體接近配置來進行曝光的接近式曝光機中，作為用於使因光掩模的自重而導致的撓曲減輕的撓曲修正機構，具有分別保持光掩模的兩側2個邊的掩模支承體(mask holder)、和分別從上方對被該掩模支承體保持的光掩模的兩側的邊緣部進行按壓的2個撓曲修正條(bar)(參照圖I (a)、(b))。專利文獻2中記載了一種在接近式曝光裝置中，對光掩模的撓曲進行修正的掩模保持裝置。這裡，記載了一種利用大小(size)與掩模大致相同的框型形狀的掩模支承體來保持掩模，在光掩模的上方形成氣密室，利用氣密室的氣壓與外氣壓之差使光掩模上浮以抵消光掩模的自重，從而修正撓曲的方法(參照圖2)。在專利文獻3中，對於當在曝光裝置內水平保持大尺寸的光掩模基板的實際使用時，基板發生撓曲而得不到所希望的平坦度這一課題，記載了一種使這樣的基板高平坦化的玻璃基板。專利文獻I日本特開2009- 260172公報專利文獻2日本特開2003- 131388公報專利文獻3日本專利第4362732號最近，在製造液晶顯示裝置等顯示裝置時，要求通過所使用的光掩模的大型化來實現生產效率提高，並要求高的轉印精度。液晶顯示裝置具備形成有TFT(薄膜電晶體(thinfilm transistor))陣列(array)的TFT基板與形成有RGB圖案的CF (濾色器(colorfilter))被貼合併且在其間封入液晶的構造。這樣的TFT基板、CF通過使用多個光掩模，並應用光刻(photolithography)工序來製造。近年來,伴隨著作為最終產品的液晶顯示裝置的明亮度、動作速度等規格的高度化，光掩模的圖案越來越精細化，作為轉印結果的線寬精度、坐標精度的要求日趨嚴格。

發明內容
鑑於此，本發明的目的在於，提供一種即使是精細化了的轉印用圖案也能夠忠實於圖案設計值且高精度地進行轉印的光掩模基板、利用了該光掩模基板的光掩模坯料、光掩模的製造方法以及利用了該光掩模的製造方法的圖案轉印方法等。本發明的第I方式涉及一種光掩模基板，該光掩模基板用於形成為光掩模，該光掩模在主表面形成轉印用圖案，用於通過安裝於接近式曝光裝置而與所述接近式曝光裝置的載置臺所載置的被轉印體之間設置接近間隙(proximity gap)地進行曝光,來轉印所述轉印用圖案，通過在所述主表面上的I個或者多個特定區域中進行除去量與該特定區域外的周邊區域不同的形狀加工，形成凹形狀、凸形狀或者凹凸形狀，來降低將所述光掩模基板安裝到所述接近式曝光裝置時產生的所述接近間隙的由位置引起的變動，並且，所述形狀加工使從所述接近間隙的由位置引起的變動中提取出的所述接近式曝光裝置所固有的變動降低。本發明的第2方式基於第I方式所述的光掩模基板而提出，被進行了所述形狀加工的主表面具有基於所述提取出的所述接近式曝光裝置所固有的變動而決定的修正形狀。本發明的第3方式基於第I或第2方式所述的光掩模基板而提出，
所述形狀加工是在所述主表面上僅對包括所述提取出的所述接近式曝光裝置所固有的變動超過規定間隙(gap)變動允許值的區域的特定區域進行的加工。本發明的第4方式基於第I 3中任意一項所述的光掩模基板而提出，所述形狀加工是在所述主表面上形成I個或者多個凹部的加工。本發明的第5方式涉及ー種光掩模基板的製造方法,其中，該光掩模基板用於形成為光掩摸，該光掩模在主表面形成有轉印用圖案，用於通過安裝於接近式曝光裝置而與所述接近式曝光裝置的載置臺所載置的被轉印體之間設置接近間隙地進行曝光，來轉印所述轉印用圖案，在該光掩模基板的製造方法中，對所述主表面上的多個位置處的接近間隙進行測定，提取出所述接近間隙的由位置引起的變動中的所述接近式曝光裝置所固有的變動，基於提取出的所述接近式曝光裝置所固有的變動和規定的間隙變動允許值，來決定所述光掩模基板的主平面的修正形狀，對所述光掩模基板的主平面實施成為上述決定的修正形狀那樣的形狀加工。本發明的第6方式涉及ー種光掩模基板的製造方法，該光掩模基板用於形成為光掩模，該光掩模在主表面形成有轉印用圖案，用於通過安裝於接近式曝光裝置而與所述接近式曝光裝置的載置臺所載置的被轉印體之間設置接近間隙地進行曝光，來轉印所述轉印用圖案，該光掩模基板的製造方法包括通過將樣品掩模(sample mask)基板安裝到所述接近式曝光裝置，將樣品玻璃(sample glass)基板載置到所述接近式曝光裝置的載置臺(stage)，並對所述樣品掩模基板的主表面的多個位置處的接近間隙進行測定，來得到對基於位置引起的接近間隙的變動進行表示的間隙數據的エ序；從所述間隙數據(gap data)中提取出所述接近式曝光裝置所固有的變動成分，得到固有間隙數據的エ序；利用所述固有間隙數據和規定的間隙變動允許值，得到對所述光掩模基板實施的形狀加工數據的エ序；以及利用所述形狀加工數據對所述光掩模基板的主表面進行形狀加工的エ序。本發明的第7方式基於第6方式所述的光掩模基板的製造方法而提出，在得到所述固有間隙數據的エ序中，將所述多個位置出的接近間隙的變動中的因所述樣品掩模基板弓丨起的接近間隙變動的成分除去。本發明的第8方式基於第6或第7方式所述的光掩模基板的製造方法而提出，在得到所述固有間隙數據的工序中，將所述多個位置處的接近間隙的變動中的因所述樣品玻璃基板弓丨起的接近間隙變動的成分除去。本發明的第9方式基於第6 8中任意一項所述的光掩模基板的製造方法而提出，在測定所述接近間隙時，為了抑制因樣品掩模基板的自重引起的撓曲，利用所述 接近式曝光裝置所具備的撓曲抑制單元。本發明的第10方式基於第6 9中任意一項所述的光掩模基板的製造方法而提 出，在得到所述形狀加工數據的工序中，確定所述固有間隙數據所表示的所述接近式曝光裝置所固有的基於位置引起的接近間隙變動中超過所述間隙變動允許值的部分，對包括上述確定出的部分的特定區域進行形狀加工。本發明的第11方式基於第6 10中任意一項所述的光掩模基板的製造方法而提出，在將所述固有間隙數據中接近間隙為最大值的位置的所述主表面的高度設為Z1、將所述間隙變動允許值設為T時，確定所述主表面上的高度低於(Zl - T)的部分，對包括所述確定出的部分的特定區域進行形狀加工。本發明的第12方式基於第5 11中任意一項所述的光掩模基板的製造方法而提出，所述形狀加工是對所述光掩模基板的主表面形成I個或者多個凹部的加工。本發明的第13方式是在第I 4中任意一項所述的光掩模基板或者第5 12中任意一項所述的製造方法涉及的光掩模基板的主表面上，形成了用於形成所述轉印用圖案的光學薄膜的光掩模坯料。本發明的第14方式是通過利用光刻法對在第13方式所述的光掩模坯料的主表面上形成的光學薄膜進行圖案化(patterning)來形成所述轉印用圖案的光掩模。本發明的第15方式是液晶顯示裝置的製造中利用的第14方式所述的光掩模。本發明的第16方式是將第15方式所述的光掩模安裝到所述接近間隙的測定所利用的所述接近式曝光裝置，通過進行曝光來將形成在所述光掩模上的轉印用圖案轉印到被轉印體上的圖案轉印方法。本發明的第17方式是利用第16方式所述的圖案轉印方法的液晶顯示裝置的製造方法。本發明的第18方式是接近式曝光裝置的接近間隙評價方法，其具有通過將樣品掩模基板安裝到所述接近式曝光裝置，將樣品玻璃基板載置到所述接近式曝光裝置的載置臺，並測定所述樣品掩模基板的主表面的多個位置處的接近間隙，來得到對基於位置引起的接近間隙的變動進行表示的間隙數據的工序；和從所述間隙數據中提取出所述接近式曝光裝置所固有的變動成分，來得到固有間隙數據的工序；利用所述固有間隙數據和規定的間隙變動允許值，來求出超過變動允許值的接近間隙所產生的位置和該超過量。根據本發明，通過在利用接近式曝光將光掩模所具有的轉印用圖案轉印到被轉印體上時，將接近間隙控制在一定的數值範圍內，能夠提高轉印精度。尤其是能夠大幅減輕依賴於所使用的曝光裝置的接近間隙的變動。


圖I是對專利文獻I中記載的曝光裝置的撓曲修正機構進行說明的概要圖。圖2是對專利文獻2中記載的曝光裝置的撓曲修正機構進行說明的概要圖。圖3是表示針對光掩模基板的撓曲進行的修正的模擬(simulation)的概要圖。
圖4是表示本實施方式涉及的光掩模基板的製造エ序的一個エ序的概要圖，表示對接近間隙的測定以及曝光裝置固有的間隙變動進行把握的狀態。圖5是表示本實施方式涉及的光掩模基板的製造エ序的一個エ序的概要圖，(a)例示了產生接近間隙的狀態，(b)例示了曝光裝置固有的間隙數據，(c)例示了形成為抵消間隙數據的光掩模基板的表面形狀。圖6表示對曝光裝置固有的間隙數據應用變動允許值，決定光掩模基板的修正形狀的エ序的概要圖。
具體實施例方式(接近間隙均勻化的重要性)在製造上述TFT基板、CF時，採用了接近式曝光的圖案轉印方法被有效使用。在接近式曝光中，通過將形成了抗蝕劑(resist)膜的被轉印體(以下也稱為「玻璃基板」)與光掩模的圖案面對置保持，使圖案面朝向下方，從光掩模的背面(與圖案形成面相反側的面)側照射光，來對抗蝕劑膜轉印圖案。此時，在光掩模與轉印體之間設置規定的微小間隔(接近間隙)。接近間隙例如是30 300 μ m左右，更優選是50 180 μ m左右。其中，光掩模具備對形成在透明基板的主表面上的光學膜(遮光膜或者使曝光光線一部分透過的半透光膜等)進行規定的圖案化而成的轉印用圖案。形成該轉印用圖案的主表面成為圖案面。根據接近式曝光方式，對於如果在圖案面整體中上述接近間隙被均勻地維持則能夠高轉印精度地進行圖案轉印這方面、和如果能進一歩地保證接近間隙被均勻地維持則通過較小地設定接近間隙可得到解析度更高的轉印圖案這方面而言，控制接近間隙的面內偏差(即基於位置的接近間隙變動)的重要性増加。但是，在面內均勻地維持該接近間隙並不容易。例如，本發明的光掩模基板能夠有利地應用於液晶顯示裝置等顯示裝置製造用的光掩模，其主表面的尺寸例如可以是長邊LI為600 1400mm，短邊L2為500 1300mm，厚度T為5 13_左右。伴隨著這樣的光掩模的大型化、重量増大化趨勢，抑制轉印時接近間隙的變動成為越來越大的課題。(曝光裝置的保持方式)在接近式曝光裝置中，存在多個安裝光掩模(保持在裝置內)的方式。一般在將光掩模安裝到接近式曝光裝置的情況下，利用曝光裝置的保持部件來保持圖案面的形成了轉印用圖案的區域(也稱為「圖案區域」)的外側。例如，在圖I所示的專利文獻I所記載的裝置中，當將光掩模I的四邊形主表面的對置的兩邊的各自附近區域作為保持區域時(兩邊保持)，作為曝光裝置保持部件的掩模支承體2從下方與該保持區域抵接(下表面保持)，能夠保持光掩模。光掩模與保持部件的抵接面可以減壓吸附(參照日本特開2010 — 2571)，或者也可以如圖1(b)所示，成為基於接線的抵接。在這樣的下表面保持的情況下，通過光掩模被2個保持部件從下方保持，可一邊保持與玻璃基板的規定的接近間隙，一邊被以近似水平姿勢配置在曝光裝置上。或者，也可以分別從下方保持上述主表面的四邊的附近(四邊保持)。並且，在例如圖2所示的專利文獻2所記載的裝置中，將光掩模M的圖案區域的外偵U、即背面(與圖案面相反側的面)側作為保持區域，使其與作為保持部件的掩模支承體I相接觸(上表面保持)，通過經由掩模吸附路Ia來吸引並吸附它們的接觸面，能夠從上表面側支承光掩模M。(曝光裝置的撓曲抑制單元及其效果)
如果將光掩模基板安裝於接近式曝光裝置(以下也簡稱為「曝光裝置」)，則光掩模基板會由於自重而發生撓曲，這由上述文獻I 3可知。鑑於此，提供了一種設有對安裝在曝光裝置上的光掩模基板的撓曲進行抑制的撓曲抑制單元的曝光裝置。例如，在圖I所示的專利文獻I的裝置中，對光掩模I進行下表面保持，在此利用保持光掩模的兩邊的掩模支承體2和從上方按壓光掩模I兩側的邊緣部的2個撓曲修正條3，以槓桿的原理來進行撓曲修正。另外，在圖2所示的專利文獻2的裝置中，採用了當通過上表面保持(吸附)來保持光掩模M時，在光掩模M的上方形成氣密室SA，經由空氣吸引路Ib來對氣密室SA內進行排氣，通過利用氣密室SA的負壓使光掩模M向與重力方向相反的方向上浮，來修正光掩模M的撓曲的方式。鑑於此，發明人對撓曲抑制單元與光掩模基板的撓曲的相關關係進行了模擬。圖3表示應用了上述兩邊保持的保持部件、和以槓桿的原理進行撓曲抑制的撓曲抑制單元的模擬。圖3 (a)表示了將光掩模基板安裝到接近式曝光裝置上的狀況。光掩模基板被在其對置的兩邊(分開800_的兩邊)的附近從下方進行支承的保持部件分別從下方支承。而且，算出了在保持部件的外側使從上方按壓的力慢慢變化時的光掩模基板的撓曲舉動。圖3 (b)的橫軸表示了光掩模基板上的位置(mm)，縱軸表示了撓曲量(μπι)。另外，圖中的各線段表示使壓力變化時的撓曲舉動，按壓以撓曲為零時的壓力作為基準(I)。如圖3 (b)所示，如果使從上方給予的壓力逐漸增加，則與之相伴，光掩模基板的中央部的撓曲量逐漸變小，在某個時刻，撓曲實質上消除。如果進一步增加壓力，則光掩模基板會相反地向上方向翅曲。由此可知，如果恰當地利用曝光裝置所具備的撓曲抑制單元，則能減輕因光掩模基板的撓曲導致的接近間隙的面內不均勻性。即，如果接近間隙的基於位置引起的變動的主要原因是因光掩模基板的自重導致的撓曲，則認為可利用曝光裝置的撓曲抑制單元將該變動抑制為某種程度。本發明人使該見解進一步深化，研究了更高精度地管理接近間隙的基於位置引起的變動，能夠實現難度越來越高的高精細圖案轉印的光掩模基板。即，得到了為了提高轉印精度，僅停留在抑制上述那樣的因光掩模基板的自重而導致的撓曲的單元是不夠的這一見解，進行了潛心研究。(認為僅通過撓曲抑制單元是不夠的根據)由於這樣的曝光裝置的光掩模保持方式、撓曲抑制單元的方式、形狀存在多個，所以根據它們的不同，光掩模基板所受到的力的方向、大小、単位面積的壓力也不相同。因此，認為即使自重撓曲被撓曲抑制単元完全消除，光掩模基板也會受到由幹與曝光裝置的保持部件的接點(或者接面、接線)以及與撓曲抑制単元的接點(或者接面、接線)的不同而不同的各種力。而且，光掩模基板所受到的力的方向、大小、単位面積的壓力被推定為會由於曝光裝置所具有的光掩模的保持方式、撓曲抑制単元的方式而不同。另外，還被推定為即使採用了同一保持方式等，也會由於光掩模基板的尺寸、各個曝光裝置的保養方法等而不同。另夕卜，由於對構成被轉印體的玻璃基板進行載置的曝光裝置的載置臺也不是完全的平坦面，所以具有對接近間隙造成影響的因素。這些因素被認為導致接近間隙基於位置發生變動，對轉印精度產生影響。尤其是伴隨著轉印用圖案的精細化，在線寬為2 15 μ m，進而為3 10 μ m左右的圖案的精緻轉印中，不可忽視由曝光裝置的各種因素引起的接近間隙變動。 鑑於上述內容，僅利用專利文獻I、專利文獻2所記載的撓曲抑制単元，對接近間隙的控制而言是不夠的。並且，即使利用專利文獻3所記載的「與母玻璃(mother glass)對置的ー側的表面凹陷的截面圓弧形狀」的基板，也無法可靠地抑制因自重撓曲以外的因素導致的接近間隙的變動。鑑於此，為了抑止接近間隙的面內變動，本發明人經過潛心研究得到了以下的解決方案。下面說明本發明的一個實施方式。(用於得到本實施方式涉及的光掩模基板的過程(process))作為本實施方式中應用的光掩模基板的材料，可以利用玻璃材料。例如,可以使用石英玻璃(silica glass)、無鹼玻璃(alkali-free glass)、硼娃玻璃(borosilicateglass)、招娃酸鹽玻璃(aluminosilicate glass)、鈉I丐玻璃(soda-lime glass)。需要說明的是，本申請中的「光掩模基板」是指作為光掩模坯料的材料的基板，是指將玻璃等平板的表裡加工成規定的形狀、平坦度的透明基板的狀態。其中，對於在該狀態的光掩模基板上形成薄膜或者進ー步塗覆了抗蝕劑的狀態(光掩模坯料)、將該薄膜圖案化的狀態(光掩模)的基板，由於光掩模基板部分實質上相同，所以有時相應地稱為「光掩模基板，，。本實施方式的光掩模基板可以通過以下的エ序得到。I.間隙數據以及固有間隙數據的取得エ序首先，把握規定的曝光裝置所具有的接近間隙的基於位置引起的變動量。接近間隙的測定可以通過在曝光裝置的光掩模保持部上安裝樣品掩模基板，在曝光裝置的載置被轉印體的載置臺上載置樣品玻璃基板，測定其之間的距離來實施。即，在樣品掩模基板的主表面上的多個位置，把握作為樣品掩模基板與樣品玻璃基板之間的距離的接近間隙。具體而言，分別測定樣品掩模基板的主表面上的多個測定點處的接近間隙。例如，在樣品掩模基板的主表面中的與圖案區域相當的區域內，可以設定規定的一定間隔(例如IOmm 300mm的範圍內的規定值)的柵格點，並將各柵格點作為測定點。更為優選柵格點的距離在例如50mm 250mm的範圍內選擇。圖案區域例如是指樣品掩模基板的主表面中從成為外緣的4邊除去了 50mm以內的區域後的區域。接近間隙的測定可以通過例如從樣品掩模基板的斜上方(或者下方)照射光，檢測來自樣品掩模基板的掩模圖案面(主表面)的反射光與來自玻璃基板的反射光來進行。或者，也可以如日本專利3953841號所記載那樣，應用通過利用構成氣密室的玻璃板的反射來測定的方法。這裡，以使用了兩邊保持並且下表面保持的曝光裝置、即具備從上方按壓保持部件的外側的撓曲抑制單元的裝置的情況為例進行說明。在測定接近間隙的過程中，優選利用曝光裝置所具有的撓曲抑制單元來進行。例如，優選在利用通過上述圖3所示的模擬而得到的最佳條件(撓曲大致為零的條件)的同時，進行接近間隙的測定。由於如此得到的各測定點處的接近間隙根據位置而不 同(存在偏差)，所以表現出接近間隙基於位置引起的變動。將如此具有偏差的接近間隙的數據作為間隙數據A。其中，上述得到的間隙數據A是指實際上受到樣品掩模基板的平坦度(圖案面、在上表面保持的情況下為圖案面以及背面)、樣品玻璃基板所具有的平坦度(被轉印面以及其背面)等影響的接近間隙。但是，為了本實施方式的目的，優選獲得不含曝光裝置所固有的接近間隙變動以外的變動的間隙數據。接近間隙的基於位置引起的變動中的曝光裝置所固有的變動是指在規定的曝光裝置中具有再現性的變動，包括以下的(I) (3)。( I)對該曝光裝置安裝了光掩模基板時基於光掩模自重撓曲引起的間隙變動(2)基於該曝光裝置保持光掩模的機構(保持部的形狀、接觸面積等)、撓曲抑制單元的方式(按壓位置、壓力)引起的間隙變動(3)基於該曝光裝置的載置被轉印體(玻璃基板)的載置臺的平坦度不均勻引起的間隙變動另一方面，曝光裝置所固有的變動以外的變動包括以下的(4 )、( 5 )。(4)基於光掩模基板的圖案面的平坦度不均勻引起的間隙變動(在上表面保持的情況下，還包括基於背面的平坦度不均勻引起的間隙變動)(5)基於被載置在該曝光裝置的載置臺上的被轉印體(玻璃基板)的被轉印面以及其背面的平坦度不均勻引起的間隙變動在本實施方式中，目的是只使用規定的曝光裝置便能得到具有再現性，並對能夠算出定量的修正量的間隙變動尋求有效對策的單元。為此，作為修正量計算的基礎的接近間隙的測定應該利用平坦度沒有不均勻的理想樣品掩模基板和同樣構成的理想樣品玻璃基板來進行。因此，應該準備接近於上述理想的狀態的樣品掩模基板和樣品玻璃基板來進行解析。其中，在難以得到這樣的理想基板的情況下，只要按照下述方式處理即可。S卩，優選根據上述間隙數據A，得到將曝光裝置所固有的變動提取出了的數據。S卩，優選將因曝光裝置所固有的變動以外的變動引起的成分除去。鑑於此，下面可以首先從間隙數據A中將基於所使用的樣品玻璃基板的平坦度引起的間隙變動成分除去。具體而言，準備多個樣品玻璃基板來依次測定接近間隙，通過對使用各個樣品玻璃基板而得到的間隙數據A的各測定點的值進行平均化，來消除樣品玻璃基板所具有的個體差。由此，能夠除去因樣品玻璃基板引起的接近間隙變動(上述(5))。其為圖4 (a)所示的間隙數據(將其作為間隙數據B)。接著，將因樣品掩模基板的圖案面平坦度引起的間隙變動成分除去。這裡，對樣品掩模基板的圖案面另外進行平坦度測定，按照對應的每個測定點從上述圖4 Ca)所示的間隙數據B中減去得到的平坦度數據(如圖4 (b)所示)。作為平坦度測定中利用的測定裝置，例如可以應用黒田精エ社(黑田精エ公司)製造的平面度測定儀或日本特開2007 — 46946號公報所記載的裝置。具體而言，在樣品掩模的圖案面上與上述接近間隙的測定同樣地以規定間隔設置多個柵格點，將該柵格點作為平坦度測定的測定點。然後，在決定了與樣品掩模基板的主平面大致平行的基準面時，得到各測定點相對該基準面的高度信息，可以將其作為平坦度數據。在測定平坦度的過程中，優選豎直地保持作為被檢體的基板來進行測定，以便儘量不受重力的影響。因此，從圖4 (a)所示的間隙數據B減去圖4 (b)所示的平坦度數據而得到的圖 4(c)所示的間隙數據C成為表示曝光裝置所固有的接近間隙變動的數據(將其稱為「固有間隙數據」)。其中，關於上述(4)、(5)的變動成分的除去，也可以利用其他的方法。例如，關於
(4)，可以準備多個樣品掩模基板，通過對使用各個樣品掩模基板而得到的間隙數據A的各測定點的值進行平均化，來除去與所使用的樣品掩模有關的上述(4)。關於(5)，只要對樣品玻璃基板的2個主表面預先進行平坦度測定，並從成為基礎的間隙數據B所對應的每個測定點的數值減去所得到的每個測定點的平坦度數據(實際上成為兩個主表面所對應的每個測定點的平坦度數據之差、即平行度數據)即可。如上所述，由於得到的固有間隙數據表示所使用的曝光裝置固有的基於位置引起的間隙變動，所以據此來進行本實施方式的光掩模基板的形狀決定。2.形狀加工數據的取得エ序上述得到的固有間隙數據表示在對曝光裝置設置(set) 了理想的平坦光掩模基板和理想的平坦玻璃基板吋，因該曝光裝置而產生的間隙變動。因此，為了不產生該間隙變動，如果預先對光掩模基板的圖案面實施使該變動反轉的形狀的加工，則能夠使間隙變動實質上為零(zero)。圖4 (d)中表示了該狀態。在圖4 (d)中，表示用於根據圖4 (C)所示的間隙變動，形成反轉的形狀的圖案面的形狀加工數據。其中，由於這裡在圖4 (d)中表示了將光掩模基板翻過來從圖案面側觀察為了抵消圖4 (c)所示的間隙變動而被修正後的光掩模基板的面形狀的狀態，所以對應的位置向左右對稱位置移動。在圖4 (d)中，表示用於根據圖4 (C)所示的間隙變動，形成反轉的形狀的圖案面的形狀加工數據。即，準備具有圖4 (d)所示的圖案面形狀的光掩模基板，如果以其為基礎來製作光掩模，則在實際的曝光裝置中實質上不存在間隙變動的殘留。圖4 (e)表示該情況。利用圖5，在側視圖中說明上述情況。圖5 (a)中表示了即使在現實的曝光裝置中設置具有理想平坦度的光掩模基板以及具有理想平坦度的面板基板，也會根據面內位置產生接近間隙的變動的狀態。即，光掩模基板與面板基板之間的距離最大的部分其間隙值最大(圖5 (b))。其與前述的固有間隙數據(間隙數據C)相當。
根據實際的曝光裝置不同，間隙變動幅度(間隙的最大與最小之差)不同，一般是20 70 μ m範圍內的數值。例如，對於間隙變動幅度為50 μ m的曝光裝置，為了使其為零，可以通過光掩模基板的圖案面的形狀加工來抵消該50 μπι的量。圖5 (c)表示此時的光掩模基板的面形狀。在圖5 (c)中，當以曲線為圖案面時，其上側為空間側，下側為光掩模基板側。從轉印精度的觀點出發，優選間隙變動極小。但是，關於在接近式曝光中，基於面內位置引起的間隙變動被允許到何種程度這方面，由於根據想要得到的產品用途、規格而不同，所以更為優選根據目標精度來設定變動允許值。作為其理由，可舉出用於使間隙變動為零的光掩模基板的形狀加工在除去加工(研磨等)的除去量多、或者需要難以加工的形狀等實際的生產效率與成品率這方面的觀點不一定是有利的。鑑於此，以下說明當謀求接近間隙的面內均勻化時，考慮與應用產品、規格對應的間隙變動允許值的情況。例如，在想要得到的產品中，允許的最大的間隙變動值(以下設為變動允許值T (μπι))可以設為40 10 (ym)之間的規定數值。即，根據想要得到的液晶顯示裝置被要求的精度，高精細的可以為10 μ m,規格稍低的為40 μ m，中間的適合為20 μ m 或者30 μ m。圖6表示對間隙數據C適用變動允許值T的值，決定光掩模基板的修正形狀的工序。在圖6 (a)中，針對間隙數據C以最大值(間隙最大的位置)為基準，決定了修正形狀。即，在使最大間隙的位置P與形狀加工後的圖案面中的變動允許值T的上限一致時，通過形狀加工來修正無法充分滿足變動允許值T的部分(間隙超過允許範圍變小的部分。圖
6(a)的斜線部分)。換言之，在使最大間隙的位置P的高度為Zl時，確定比(Zl - T)低的部分，進行至少除去該部分那樣的形狀加工。將該方法作為最大值基準方式。其中，這裡所說的高度是相對於光掩模主平面(假定了理想的主平面時)的垂直方向的距離，可以認為是相對該理想主平面的高度。例如，當採用最大值基準方式時，只要在光掩模基板的圖案面上形成圖6 (b)的用虛線所示的凹形狀即可。並且，由於該凹部分是間隙變得過小的部分的修正，所以需要進行除去加工直到成為虛線的形狀為止，但是也可以超過其而進一步繼續進行除去加工，到達實線為止的除去加工是允許的。即，可以說虛線與實線之間是除去加工的富餘量(margin)。而且，該二者之間的成為加工對象的區域是本發明中所說的「特定區域」。其中，若根據最大值基準方式，則對光掩模基板材料的形狀加工形成凹形狀。在圖6 (b)中，針對間隙數據C，以其最大值與最小值的中心值為基準來決定修正形狀。即，對於間隙中心值，利用形狀加工來修正間隙超過2 / T變大的部分、間隙超過2 /T變小的部分。換言之，當將接近間隙表示中央值的位置的高度設為Z2時，分別確定所述主表面上的高度超過(Z2 + T / 2)變高的部分和低於(Z2 - T / 2)的部分，確定該部分來進行形狀加工。將該方法作為中心基準方式。如果採用中心基準方式，則如圖6 (d)所示，除去加工只要如虛線那樣進行即可，並且，作為除去加工的富餘量，虛線與實線之間被允許。並且，在圖6 (C)中，針對間隙數據C，以最小值(間隙為最小處)為基準，來決定修正形狀。即，當使最小間隙的位置B與形狀加工後的圖案面中的變動允許值T的下限一致時，利用形狀加工來修正無法滿足變動允許值T的部分(間隙超過允許範圍而變大的部分、圖6 (e)的斜線部分)。即，當將最小間隙的位置B的高度設為Z3時，確定高於(Z3 + T)的部分，進行至少殘留該部分而除去其他部分那樣的形狀加工。將該方法設為最小值基準方式。如果採用最小值基準方式，則只要形成圖6 (C)所示那樣的修正形狀即可。具體而言，只要在圖案面上形成虛線所示的凸形狀即可，並且，作為賦予量，允許虛線實線之間的區域。在中心值基準方式或者最小值基準方式中，圖6 (d)、(f)的虛線與實線之間的成為加工對象的區域為特定區域。修正形狀根據採用上述3個方式中的哪個而不同。因此，可以根據加工所用的裝置、エ序來選擇最合適的方式。例如，根據最大值基準方式，能夠減小從近似平坦的光掩模基板材料的除去量(實 績量)，因此是優選的。另外，當以除去加工作為研磨加工並且在表面形成凹形狀時，通過增大該部分的研磨負荷來局部増大除去量。在利用這樣的方法的情況下，與局部形成凸部(除去成為凸部的位置的周邊)相比，由於局部形成凹部的效率較高，所以最大值基準方式是有利的。進行上述的研究，決定應用了變動允許值T時的修正形狀。圖4(f) (η)是以平面圖表示了上述修改形狀的圖。圖4 (C) (e)是將變動允許值T設為零，利用進行了形狀加工後的光掩模基板時的間隙變動變得消失那樣的修正形狀的決定，與此相対，圖4 (f) (h)表示以最大值基準方式進行了修正形狀決定的情況。該情況下，不是直接利用圖4 (c)所示的間隙數據來形成具有使其倒轉的表面形狀的光掩模基板，而是以圖4 (c)中的最大值位置為基準，僅將變動允許值(這裡為35 μ m)不充足的部分作為形狀加工的對象。從圖4 (g)可知，形狀加エ僅進行凹形成即可。另外，根據圖4 (h)可知，形狀加工後也殘留有間隙變動，但變動幅度為變動允許值T的35 μ m以下。同樣，在圖4 (i) (k)中表示了採用中央基準方式時的形狀加工數據、以及形狀加工後殘留的間隙變動。另外，圖4 (I) (η)表示了採用最小值基準方式時的同樣的數據。3.對光掩模基板進行形狀加工的エ序—般，光掩模基板可以通過準備光掩模用的玻璃基板材料，並基於研磨對2個主平面進行平坦化而得到。例如，在圖案面以及圖案面的背面的各個中，可以利用使平坦度為
5 30 μ m的玻璃基板材料。將如此得到的玻璃基板材料用作光掩模基板材料，進而進行形狀加工，能夠得到本實施方式的光掩模基板。關於要加工的形狀，利用上述的方法來決定。例如，可利用圖4 (g)所示的形狀加工數據，通過公知的加工裝置來進行形狀加工。例如，可利用具備旋轉自由的研磨定盤、在研磨定盤上設置的研磨墊(pad)以及對研磨墊的表面提供研磨劑的研磨劑供給単元的研磨裝置來進行形狀加工。當在研磨墊上保持玻璃基板材料，想通過形狀修正來形成凹部時，按照與其他區域相比研磨墊對基板的壓カ大的方式進行按壓，可以對玻璃基板材料進行單面研磨。在進行按壓時，優選採用具備多個加壓體，並具有能夠對各個加壓體獨立地進行壓力加壓控制那樣的控制單元的裝置。在形成凸部的情況下，可以對凸部的周邊區域按照形成更大的除去量的方式進行加壓的控制。或者，也可以進行利用了豎型銑床(milling machine)的形狀加工。可以安裝對裝置的加工部粘貼了研磨布的研磨用的罩頭(cup head)，並供給研磨劑液，一邊進行高度方向的控制一邊進行加工。其中，研磨工序可以對進行了粗研磨以及精密研磨的玻璃基板材料實施上述的形狀加工，或者也可以在粗加工後與進行精密加工同時進行反映了上述形狀加工數據的形狀加工。所使用的研磨劑的種類、粒徑可以根據基板材料、想要得到的平坦度來適當地選擇。作為研磨劑，可舉出氧化鋪(cerium oxide)、氧化錯(zirconium oxide)、娃膠(colloidal silica)等。研磨劑的粒徑可以從數十nm到數μπι。 4.光掩模基板的構成本實施方式涉及的光掩模基板按照如下方式構成。即，一種光掩模基板，用於形成為光掩模，該光掩模在主表面形成轉印用圖案，用於通過安裝在接近式曝光裝置上而與所述接近式曝光裝置的載置臺所載置的被轉印體之間設置接近間隙地進行曝光，來轉印所述轉印用圖案，該光掩模基板構成為，在所述主表面上的I個或者多個特定區域中，通過進行除去量與該特定區域外的周邊區域不同的形狀加工，形成凹形狀、凸形狀或者凹凸形狀，來降低將所述光掩模基板安裝到所述接近式曝光裝置時產生的所述接近間隙的基於位置引起的變動，並且，所述形狀加工使從所述接近間隙的基於位置引起的變動中提取出的所述曝光裝置所固有的變動降低。上述所說的凹形狀、凸形狀或者凹凸形狀是指從所述光掩模基板排除了重力影響時的形狀。另外，周邊區域是指所述特定區域的外側的與所述特定區域鄰接的周邊的區域。該特定區域是指光掩模基板的主平面上的任意區域且成為形狀加工對象的區域。可以設為所述圖6 (b)、(d)、(f)中的用虛線、實線表示的形狀加工區域。該特定區域在主表面上設定I個或者多個。在設定多個的情況下，凸形狀、凹形狀、凹凸形狀的種類、其組合沒有制約。作為加工方法，可以應用例如通過研磨等除去表面部分的除去加工。除了研磨以夕卜，還可以應用噴沙(sandblasting)等方法。與周邊區域不同的除去量是指作為比周邊深的除去或者淺的除去的形狀加工。通過對除去量(例如研磨量)進行增減，能夠形成與其他區域相比高度相對高或者低的部分。或者，也可以通過僅對特定區域進行除去加工，使得與其他區域相比高度相對較低。其中，形狀加工可以是曝光裝置所固有的間隙變動被抵消成該變動為該產品中的允許範圍內(變動允許值T以下)的加工。該變動允許值T基於想要利用本實施方式的光掩模製造出的設備(device)的用途、規格來決定。因此，本實施方式的光掩模基板是安裝在曝光裝置時形成的接近間隙變動相對於理想的玻璃基板為間隙變動允許值T以下的基板。其中，在本發明中，優選當將從光掩模基板的構成主表面的外緣的4邊將50mm以內的區域除去後的區域作為圖案區域時，在該圖案區域中被實施了上述形狀加工。另一方面，在距離4邊50mm以內的區域(圖案區域外)中，可以不實施上述形狀加工，該情況下在以下方面是有利的。當考慮了將光掩模基板安裝在上述的兩邊保持且下表面保持的曝光裝置中加以使用的情況時，由於對光掩模基板而言，距離圖案面的對置的兩邊(光掩模基板的圖案面是長方形時，優選是對置的長邊)為50_以內的區域，成為曝光裝置的保持部件所接觸的保持區域，所以優選光掩模基板表面平坦度高。例如，當該區域內的距離Pmm (5彡P彡15)的任意兩點的高低差是Z μ m時，優選Z / P為O. 08以下。並且，若考慮了將本發明的光掩模基板安裝到四邊保持並且下表面保持的曝光裝置中加以使用的情況，則由於距離圖案面的4邊為50mm以內的區域成為曝光裝置的保持部件所接觸的保持區域，所以優選光掩模基板表面平坦度高，優選上述同樣的Z / P為O. 08以下。 另外，若考慮了將本發明的光掩模基板安裝到四邊保持、上表面保持的曝光裝置中加以使用的情況，則由於距離圖案面背面的4邊為50mm以內的區域成為曝光裝置的保持部件所接觸的保持區域，所以優選光掩模基板表面平坦度高，優選在該區域中上述同樣的Z / P為O. 08以下。在平坦度測定方法中，可以與上述對樣品掩模基板的平坦度測定敘述相同。5.製造光掩模的エ序本實施方式的光掩模基板的用途沒有特別制約。例如，可以應用於以下例示那樣的種類的光掩模。尤其若被應用在液晶顯示裝置製造用的光掩模、即CF (濾色器)、TFT (薄膜電晶體)基板的製造所使用的光掩模中，則本發明的效果更為顯著。例如，通過在由上述エ序得到的光掩模基板的主表面形成作為光學薄膜的遮光膜，能夠得到光掩模製造用的ニ元掩模還料(binary mask blank)。作為遮光膜,可以利用含有鉻(chromium)、或者在鉻中包含從氧、氮、碳中選擇出的I種以上的鉻化合物等的膜；含有以從娃(silicon)、鉭(tantalum)、· (molybdenum)以及鶴(tungsten)等中選擇出的金屬元素等為主成分的金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氧氮化物、金屬碳氧化物、金屬碳氮化物或者金屬氧氮碳化物等的膜。或者，也可以利用在曝光時使曝光光線透過一部分的半透光膜作為光學薄膜。也可以層疊多個薄膜。半透光膜的原材料也可以從與上述遮光膜同樣的原材料中選擇，還可以根據組成和膜厚而將曝光光線透射率調整成5 80%來加以利用。並且，通過適當利用上述遮光膜或者半透光膜來進行圖案化，能夠得到多色調(multi-tone)掩模。即，能夠得到具有轉印用圖案的多色調光掩模，該轉印用圖案包括對曝光光線進行遮光的遮光部、使曝光光線透過一部分的半透光部以及通過露出透明基板來使曝光光線實質性透過的透光部。其是將形成在被轉印體上的抗蝕劑圖案根據位置加工成殘膜量(高度)不同的立體形狀的掩模，是能夠獲得利用I個光掩模在被轉印體上可進行2次以上圖案化的效果的掩模。例如，可以在具備高度不同的多個光隔墊物(photo spacer)的濾色器的製造等中利用。作為上述光學薄膜的成膜方法，可以應用派射法(sputtering)法、真空蒸鍍法等公知的方法。
在光掩模的製造工序中，可以利用公知的光刻(photography)法。在通過上述工序得到的光掩模基板的主平面(圖案面)上，使上述光學薄膜形成需要的次數，進而塗覆光抗蝕劑來製造光掩模坯料。而且，利用基於雷射(laser)、電子線的描繪裝置對抗蝕劑膜描繪圖案。然後，使被描繪後的抗蝕劑膜顯影，以所形成的抗蝕劑圖案為掩模來對光學薄膜進行溼刻蝕(wet etching)或者幹刻蝕(dry etching),由此形成薄膜圖案。通過反覆進行所需次數的上述光刻工序(photography process),能夠製造具備所希望的轉印用圖案的光掩模。6.進行圖案轉印的工序曝光裝置可以利用公知的接近式曝光用設備。作為曝光光源，可以利用包括i線、h線、g線的波段的光源。通過本實施方式的光掩模基板得到的光掩模是用於在上述接近間隙的測定中利用的曝光裝置上安裝並加以使用的光掩模。只要與接近間隙的測定中利用的曝光裝置相同即可，對用於保持光掩模基板的曝光裝置的基板保持機構沒有特別限制。上述的兩邊保持、 4邊保持或者下表面保持、上表面保持均可以應用。在測定接近間隙時使撓曲抑制單元等發揮作用的情況下，在圖案轉印時也同樣地發揮作用並曝光。在將本實施方式的光掩模基板安裝到上述曝光裝置時，參照進行形狀加工時決定的光掩模基板的朝向，來進行安裝。即，安裝成在接近間隙的測定時和圖案轉印時，光掩模基板的朝向一致。其中，若上所述，根據間隙變動允許範圍(變動允許值T)的應用方式，光掩模基板的修正形狀不同。即，根據是成為光掩模基板的凹形狀加工還是凸形狀加工，在圖案轉印時對曝光裝置設定的接近間隙的設定值是不同的。根據本實施方式，由於能夠將接近間隙的變動控制在規定範圍內，所以可使接近間隙的設定值自身小於現有以上的值。即，能夠將光掩模的圖案面與被轉印體的抗蝕劑膜面之間的距離設定得較小，可提高解析度。例如，能夠使圖案轉印時對曝光裝置設定的接近間隙的設定值為30 180 μ m。如上所述，根據本實施方式，能夠大幅除去因所使用的曝光機引起的接近間隙的變動因素。其中，基於光掩模自身的自重引起的撓曲也是根據所使用的曝光機的構造而產生的接近間隙的變動因素之一，根據發明人的研究，當該曝光裝置產生的變動因素為無法忽視的程度時，根據本實施方式，能夠有效地抑制這樣的接近間隙的變動。本實施方式涉及的光掩模的應用用途沒有特別限定。其中，如果如前所述被用作液晶顯示裝置製造用的光掩模，則能夠得到顯著的效果。例如，若將本實施方式涉及的光掩模用作TFT基板製造用的光掩模，則由於接近間隙能夠控制在規定的允許範圍內，所以可大幅提高圖案線寬、坐標的精度。另外，如果用作CF製造用的光掩模，則在製造例如黑矩陣、色版時，能夠大幅提高線寬精度、坐標精度。另外，當製造掌控TFT — CF間的隙間精度的光隔墊物時，在該隔墊物的形狀(俯視下X方向、Y方向的形狀，Z方向的高度、斜坡(slope)形狀)精度的提高中，能夠得到特別的效果。7.關於接近間隙的評價方法如上所述，根據本實施方式，能夠準確並且高效地評價將光掩模設置於曝光裝置時的接近間隙。
具體而言，包括通過將樣品掩模基板安裝到所述接近式曝光裝置，將樣品玻璃基板載置到所述接近式曝光裝置的載置臺，並測定所述樣品掩模基板主表面的多個位置處的接近間隙，來得到對基於位置引起的接近間隙的變動進行表示的間隙數據的エ序；和根據該間隙數據，提取出所述接近式曝光裝置所固有的變動成分，得到固有間隙數據的エ序；通過利用所述固有間隙數據和規定的間隙變動允許值，求出超過變動允許值的接近間隙所產生的位置和其超過量，能夠準確並且高效地評價將光掩模設置在曝光裝置上時的接近間隙。
以上，具體說明了本發明的實施方式，但本發明不限於上述的實施方式，在不脫離其主g的範圍內能夠進行各種變更。
權利要求
1.ー種光掩模基板，用於形成為光掩模，該光掩模在主表面形成轉印用圖案，用於通過安裝於接近式曝光裝置而與所述接近式曝光裝置的載置臺所載置的被轉印體之間設置接近間隙地進行曝光，來轉印所述轉印用圖案，該光掩模基板的特徵在幹， 通過在所述主表面上的I個或者多個特定區域中進行除去量與該特定區域外的周邊區域不同的形狀加工，形成凹形狀、凸形狀或者凹凸形狀，來降低將所述光掩模基板安裝到所述接近式曝光裝置時產生的所述接近間隙的由位置引起的變動，並且， 所述形狀加工使從所述接近間隙的由位置引起的變動中提取出的所述接近式曝光裝置所固有的變動降低。
2.根據權利要求I所述的光掩模基板，其特徵在於， 被進行了所述形狀加工的主表面具有基於所述提取出的所述接近式曝光裝置所固有的變動而決定的修正形狀。
3.根據權利要求I所述的光掩模基板，其特徵在於， 所述形狀加工是在所述主表面上僅對包括所述提取出的所述接近式曝光裝置所固有的變動超過規定間隙變動允許值的區域的特定區域進行的加工。
4.根據權利要求I所述的光掩模基板，其特徵在於， 所述形狀加工是在所述主表面上形成I個或者多個凹部的加工。
5.ー種光掩模基板的製造方法，該光掩模基板用於形成為光掩模，該光掩模在主表面形成轉印用圖案，用於通過安裝於接近式曝光裝置而與所述接近式曝光裝置的載置臺所載置的被轉印體之間設置接近間隙地進行曝光，來轉印所述轉印用圖案，該光掩模基板的製造方法的特徵在幹， 對所述主表面上的多個位置處的接近間隙進行測定， 提取出所述接近間隙的由位置引起的變動中的所述接近式曝光裝置所固有的變動， 基於提取出的所述接近式曝光裝置所固有的變動和規定的間隙變動允許值，來決定所述光掩模基板的主平面的修正形狀， 對所述光掩模基板的主平面實施成為上述決定的修正形狀那樣的形狀加工。
6.ー種光掩模基板的製造方法，所述光掩模基板用於形成為光掩模，該光掩模在主表面上形成轉印用圖案，用於通過安裝於接近式曝光裝置而與所述接近式曝光裝置的載置臺所載置的被轉印體之間設置接近間隙地進行曝光，來轉印所述轉印用圖案，該光掩模基板的製造方法的特徵在於，包括 通過將樣品掩模基板安裝到所述接近式曝光裝置，將樣品玻璃基板載置到所述接近式曝光裝置的載置臺，並對所述樣品掩模基板的主表面的多個位置處的接近間隙進行測定，來得到對由位置引起的接近間隙的變動進行表示的間隙數據的エ序； 從所述間隙數據中提取出所述接近式曝光裝置所固有的變動成分，得到固有間隙數據的エ序； 利用所述固有間隙數據和規定的間隙變動允許值，得到對所述光掩模基板實施的形狀加工數據的エ序；以及 利用所述形狀加工數據對所述光掩模基板的主表面進行形狀加工的エ序。
7.根據權利要求6所述的光掩模基板的製造方法，其特徵在幹， 在得到所述固有間隙數據的エ序中，將所述多個位置處的接近間隙的變動中的因所述樣品掩模基板弓丨起的接近間隙變動的成分除去。
8.根據權利要求6所述的光掩模基板的製造方法，其特徵在幹， 在得到所述固有間隙數據的エ序中，將所述多個位置處的接近間隙的變動中的因所述樣品玻璃基板引起的接近間隙變動的成分除去。
9.根據權利要求6所述的光掩模基板的製造方法，其特徵在幹， 在測定所述接近間隙時，為了抑制因樣品掩模基板的自重引起的撓曲，利用所述接近式曝光裝置所具備的撓曲抑制単元。
10.根據權利要求6所述的光掩模基板的製造方法，其特徵在幹， 在得到所述形狀加工數據的エ序中，確定所述固有間隙數據所表示的所述接近式曝光 裝置所固有的由位置引起的接近間隙變動中超過所述間隙變動允許值的部分，對包括上述確定出的部分的特定區域進行形狀加工。
11.根據權利要求6所述的光掩模基板的製造方法，其特徵在幹， 在將所述固有間隙數據中接近間隙為最大值的位置的所述主表面的高度設為Z1，將所述間隙變動允許值設為T時，確定所述主表面上的高度低於Zl — T的部分，對包含上述確定出的部分的特定區域進行形狀加工。
12.根據權利要求5 11中任意一項所述的光掩模基板的製造方法,其特徵在於， 所述形狀加工是在所述光掩模基板的主表面上形成I個或者多個凹部的加工。
13.—種光掩模還料,其特徵在於， 在權利要求I 4中任意一項所述的光掩模基板的主表面上形成了用於形成所述轉印用圖案的光學薄膜。
14.ー種光掩模,其特徵在於， 通過利用光刻法對在權利要求13所述的光掩模坯料的主表面上形成的光學薄膜進行圖案化，來形成所述轉印用圖案。
15.根據權利要求14所述的光掩模,其特徵在於， 該光掩模被用於液晶顯示裝置的製造。
16.—種圖案轉印方法,其特徵在於， 將權利要求15所述的光掩模安裝到所述接近間隙的測定所用的所述接近式曝光裝置，通過進行曝光將形成在所述光掩模上的轉印用圖案轉印到被轉印體上。
17.ー種液晶顯示裝置的製造方法，其特徵在幹， 利用權利要求16所述的圖案轉印方法。
18.ー種接近間隙評價方法，是接近式曝光裝置的接近間隙評價方法，其特徵在於，包括 通過將樣品掩模基板安裝到所述接近式曝光裝置，將樣品玻璃基板載置到所述接近式曝光裝置的載置臺，並測定所述樣品掩模基板的主表面的多個位置處的接近間隙，來得到對由位置引起的接近間隙的變動進行表示的間隙數據的エ序；和 從所述間隙數據中提取出所述接近式曝光裝置所固有的變動成分，得到固有間隙數據的エ序； 利用所述固有間隙數據和規定的間隙變動允許值，來求出超過變動允許值的接近間隙所產生的位置和該超過量。
全文摘要
本發明涉及光掩模基板及其製造方法、光掩模製造方法和圖案轉印方法，即使是精細化的轉印用圖案，也能夠忠實於圖案設計值高精度地進行轉印。該光掩模基板用於成為光掩模，該光掩模在主表面形成轉印用圖案，通過安裝於接近式曝光裝置，與曝光裝置的載置臺所載置的被轉印體之間設置接近間隙地被曝光來進行轉印，該光掩模基板通過在主表面上的1個或者多個特定區域進行除去量與特定區域外的周邊區域不同的形狀加工，形成凹形狀、凸形狀或者凹凸形狀，來降低將光掩模基板安裝到曝光裝置時產生的接近間隙的基於位置的變動，並且形狀加工使從接近間隙的基於位置的變動中提取出的曝光裝置所固有的變動降低。
文檔編號G03F7/00GK102819182SQ20121018732
公開日2012年12月12日 申請日期2012年6月7日 優先權日2011年6月10日
發明者池邊壽美, 田中敏幸 申請人:Hoya株式會社