蒸鍍裝置和蒸鍍方法

2023-09-21 00:33:55 1

專利名稱：蒸鍍裝置和蒸鍍方法
技術領域：
本發明涉及例如適合大型的有機EL顯示器(Electro Luminescence display,電致發光顯示器)的蒸鍍裝置和蒸鍍方法。
背景技術：
近年來，要求平板顯示器的大型化、高畫質化、低消費電力化，能夠以低電壓驅動、高畫質的有機EL顯示器受到較高的關注。有機EL顯示器的結構，例如為全彩的有源矩陣方式的有機EL顯示器的情況下，在設置有TFT (薄膜電晶體)的基板上設置薄膜狀的有機EL元件。有機EL元件中，在一對電極之間疊層包括紅(R)、綠(G)、藍(B)的發光層的有機EL層，對這些電極之間施加電壓使各發光層發光，因此利用該光進行圖像顯示。 在這樣的有機EL顯示器的製造中，使用真空蒸鍍法、噴墨列印法、雷射轉印法等方法進行發光層、電極等薄膜的圖案形成。例如，低分子型的有機EL顯示器(OLED)中，發光層的圖案形成主要使用真空蒸鍍法。真空蒸鍍法中，通常，將圖案形成了規定的開口的掩模密合固定在基板，在使掩模一側朝向蒸鍍源的狀態下設置在真空腔室中。然後，通過在基板的所期望的位置，通過掩模的開口從蒸鍍源對成膜材料進行蒸鍍，進行發光層等薄膜的圖案形成。各色的發光層，以分別個別地分塗的方式蒸鍍(分塗蒸鍍)。特別是在批量生產工藝中，一般使用與基板同等尺寸的掩模(密合型整面掩模(蔭罩，shadow mask)),將與該掩模密合的基板相對於蒸鍍源固定在規定位置的狀態下進行蒸鍍。可知還有使基板等相對於蒸鍍源相對移動的同時進行蒸鍍的真空蒸鍍法(專利文獻I)。專利文獻I中，使用比形成的電極的面積更小、按規定間隔形成多個小孔和細長的狹縫孔的掩模。使該掩模在相對於小孔等的排列方向交叉的方向上移動的同時進行蒸鍍，形成規定圖案的電極。關於本發明，公開了通過對蒸發源(蒸鍍源)的孔形狀進行改進，減小飛濺的蒸發材料的擴散範圍的技術(專利文獻2)。專利文獻2中，朝向基板使蒸發材料射出的孔的形狀，形成為上面觀察時是圓形、越朝向出口口徑越大的錐形。這樣，能夠使蒸發材料的膜厚分布集中到孔的正上方，使材料不浪費地覆蓋到基板上。現有技術文獻專利文獻專利文獻I :日本特開平10-102237號公報專利文獻2 :日本特開2004-169066號公報

發明內容
發明要解決的課題在現有的批量生產工藝下對發光層等通過真空蒸鍍法圖案形成的情況下，如果基板增大，則掩模也隨之大型化。從而，如果基板增大，則因掩模的自重撓曲、延伸，基板與掩模之間易於產生間隙。因此，大型基板難以進行高精度的圖案形成，會發生蒸鍍位置的錯位、混色，難以實現高精細化。此外，如果基板増大，掩模和保持其的框等變得大型，其重量也會増加，所以難以處理，存在引起生產性、安全性的障礙的可能性。由於相關裝置也同樣大型化、複雜化，裝置設計變得困難，設置成本也變得高額。因此，現有的真空蒸鍍法中難以對應大型基板，例如，實際情況是還沒有實現對於超過60英寸尺寸的大型基板能夠以批量生產水平進行圖案形成的方法。對此，本發明人曾經提出了能夠對應這樣的大型基板的蒸鍍方法(也稱為新蒸鍍法)(日本特願2009-213570)。具體而言，使用面積比基板小的掩模(蔭罩)和蒸鍍源一體化的掩模單元。在掩模與基板的間隙保持為固定的狀態下，使掩模單元對於基板相對地掃描的同時進行蒸鍍。這樣，避免了上述伴隨基板的大型化的問題，能夠以批量生產エ藝實現通過蒸鍍進行的大型 基板的圖案形成。然而，該新蒸鍍法的情況下，確認到圖案形成的薄膜的蒸鍍擴散易於變大的傾向。圖I中表示了表示新蒸鍍法的蒸鍍過程的示意圖。圖中，101為基板，102為蒸鍍掩模，102a為開ロ，103為蒸鍍源，103a為放射蒸鍍顆粒的射出ロ，110是基板上形成的發光層等薄膜。使蒸鍍掩模102與蒸鍍源103単元化而使相對位置關係固定。箭頭線表示該蒸鍍掩模102等對於基板101的相對的掃描方向。新蒸鍍法中，在蒸鍍掩模102與基板101之間保持固定的間隙的同時進行蒸鍍。因此,如圖2所示,傾斜地通過蒸鍍掩模102的開ロ 102a的蒸鍍顆粒的一部分附著在蒸鍍區域rl (與蒸鍍掩模102的開ロ 102a相対的區域)外側的部分，在相對於掃描方向垂直的方向上發生蒸鍍擴散(暈開)。由於發光層等起到像素的發光區域的作用，所以蒸鍍擴散到達相鄰的像素的發光區域時，會引起混色、特性的劣化。從而，優選蒸鍍擴散儘可能小。其中，此處所說的「蒸鍍擴散」，如該圖中所示，指的是在蒸鍍區域rl的外側的部分形成的薄膜 110。蒸鍍擴散能夠通過減小蒸鍍掩模102與基板101之間的間隙而減少。例如，如圖3所示，由於蒸鍍顆粒的飛行具有指向性，從掃描方向來看，設相對幹與基板101、蒸鍍掩模102、蒸鍍源103正交的軸線(也稱為蒸鍍軸線LI )，蒸鍍顆粒入射到基板101的角度(入射角度)的最大值為Y，蒸鍍掩模102與基板101之間的間隙的垂直間距為P時，蒸鍍擴散的寬度(圖中的B)為PXtany。從而，如果蒸鍍掩模102與基板101之間的間隙増大，則蒸鍍擴散増大，如果間隙減小，則蒸鍍擴散減小，所以優選蒸鍍掩模102與基板101儘可能接近。然而該情況下，需要使蒸鍍掩模102與基板101接近至極限例如數10 μ m等，在該狀態下使二者不接觸地進行掃描，而這樣的蒸鍍掩模102和基板101的高精密的控制難以穩定地進行，特別基板101為大型的情況下，難以實用化。除此以外考慮減小入射角度Y作為減少蒸鍍擴散的方法。入射角度Y受到從射出口 103a射出的蒸鍍顆粒的射出角度Ψ或蒸鍍顆粒通過開ロ 102a的通過角度δ (均為相對於蒸鍍軸線LI的角度)中的任一個的限制。由於該圖中是示意地表示，看起來沒有顯著差別，而通常，由於開ロ 102a的寬度是微小的，一般而言通過角度δ比射出角度ψ更小，入射角度Y受到通過角度5限制。如圖4所示，該通過角度δ的最大值受到蒸鍍掩模102的開口 102a的截面縱橫比的影響。截面縱橫比是由開口 102a的寬度、深度、截面形狀等決定的值。此處，用從掃描方向來看，與同掩模表面正交地延伸的開口 102a的截面的寬度尺寸h相對的深度尺寸f的比例(f/h)表示截面縱橫比。該情況下，如圖中所示，與實線表示的低截面縱橫比(fl/h)的蒸鍍掩模102相比，兩點劃線表示的高截面縱橫比(f2/h)的蒸鍍掩模102的通過角度δ的最大值更小。從而，在減少蒸鍍擴散的基礎上，提高蒸鍍掩模102的開口 102a的截面縱橫比可以視為有效的方法之一。但是，作為實現高截面縱橫比的方法，考慮高精度地形成開口 102a的截面形狀或增大蒸鍍掩模102的厚度等，但均不容易。例如，如果使用電鑄法或利用雷射切割的挖掘法等，能夠高精度地形成開口 102a的截面形狀。但是，難以對深度相對於寬度為3倍以上這樣深度相對於寬度較大的開口的截面形狀以μm級高精度地加工。另一方面，增大蒸鍍掩模102的厚度時，蒸鍍掩模102的重量相應地增加，易於產生因自重引起的撓曲變形。產生撓曲變形時，蒸鍍掩模102與基板101之間的間隙會變得不穩定。如果蒸鍍掩模102大型化，則處理、蒸鍍裝置內的控制也會變得困難。此外，如果厚度增大，則蒸鍍顆粒易於附著在開口 102a的內面，所以開口 102a容易變窄，存在發生堵塞的可能性。因此，還存在蒸鍍掩模102的更換頻率變高等不利之處。
入射角度Y能夠通過使蒸鍍顆粒的射出角度Ψ比通過角度δ小而減小。但是，如上所述，一般而言蒸鍍顆粒的最大射出角度Ψ大於通過角度δ。S卩，雖然也取決於蒸鍍源的種類、結構，但通常，蒸鍍顆粒以射出口 103a的正上方、即射出角度Ψ為O的蒸鍍軸線LI方向為中心向其周圍擴散地放射，飛行的蒸鍍顆粒按概率分布。蒸鍍顆粒的分布在射出口 103a的正上方最大，射出角度Ψ越大則越減小，其最大的射出角度Ψ的變大，為隨著在蒸鍍掩模102的周邊設置遮蔽板的程度。這一點，根據之前的專利文獻2的蒸發源，蒸發材料的膜厚分布變化劇烈，能夠使蒸鍍顆粒集中到射出方向的中心。從而，如果使用該蒸發源，能夠增加射出角度Ψ比通過角度δ小的蒸鍍顆粒數。但是，該方法的情況下，由於只改善了蒸鍍顆粒的分布特性，射出角度Ψ比通過角度δ大的蒸鍍顆粒仍然較多地殘留，對於蒸鍍擴散的減少並不有效。於是，本發明的目的在於提供能夠用實用的方法有效地減少蒸鍍擴散，以批量生廣工藝實現聞品質聞精細的大型的有機EL顯不器的製造的蒸鍛裝置等。用於解決課題的技術手段為了達成上述目的，本發明中，在蒸鍍源與蒸鍍掩模之間設置規定結構的蒸鍍校正部件，能夠實質性地使蒸鍍顆粒的射出角度限制為較小。具體而言，本發明的蒸鍍裝置是在基板上按規定的圖案形成薄膜的蒸鍍裝置，包括蒸鍍掩模、在上述蒸鍍掩模一側具有射出口並從該射出口放射形成上述薄膜的蒸鍍顆粒的蒸鍍源、在上述蒸鍍掩模與上述蒸鍍源之間配置的2個以上蒸鍍校正部件。上述各蒸鍍校正部件分別具有與上述蒸鍍掩模大致平行地配置的多個葉片板、支承上述多個葉片板的框。上述各葉片板分別在相對於上述蒸鍍掩模傾斜的狀態下，以從與上述蒸鍍掩模正交的方向來看、與相鄰的葉片板之間隔著開口相互平行地延伸的方式配置。
即，在蒸鍍源與蒸鍍掩模之間，至少配置2個蒸鍍校正部件，各蒸鍍校正部件上，與蒸鍍掩模大致平行地橫向排列地配置多個葉片板。各葉片板相對於蒸鍍掩模傾斜，從與蒸鍍掩模正交的方向來看隔著一定的開ロ(也稱為葉片板間開ロ)相互相鄰。從而，通過調整葉片板的傾斜度和葉片板間開ロ的寬度、配置等的各蒸鍍校正部件的設定，能夠使從蒸鍍源朝向蒸鍍掩模一側的蒸鍍顆粒的一部分被各蒸鍍校正部件遮擋，僅使朝向所需的方向的蒸鍍顆粒通過。結果，能夠調整到達蒸鍍掩模的蒸鍍顆粒的射出角度將其限制在規定的範圍內，能夠減少蒸鍍擴散(暈開)。被各蒸鍍校正部件遮擋的蒸鍍顆粒(蒸鍍材料)附著在蒸鍍校正部件上而堆積，但通過使葉片板對於蒸鍍掩模傾斜，在相対的葉片板之間的間隙増大的同時能夠使葉片板間開ロ減小。從而，能夠有效地抑制因蒸鍍材料的堆積而使葉片板間開ロ變窄，連續地長時間進行蒸鍍處理。更具體而言，優選蒸鍍裝置還包括包含上述蒸鍍掩模、上述蒸鍍源和上述蒸鍍校正部件，固定它們的相對位置關係的掩模單元；支承上述基板的基板支承裝置；和在上述 基板與上述蒸鍍掩模之間設置有一定空隙的狀態下，使上述掩模單元和上述基板中至少ー個沿著規定的掃描方向相對地移動的移動裝置。上述蒸鍍掩模具有多個條狀的開ロ，以這些開ロ的延伸方向與上述掃描方向一致的方式配置上述蒸鍍掩模，上述各蒸鍍校正部件以上述葉片板的延伸方向與上述掃描方向一致的方式配置，上述蒸鍍校正部件的各自的上述葉片板從上述掃描方向來看以相同的角度傾斜。這樣，能夠與基板的大小無關地穩定地形成減少了蒸鍍擴散的範圍的條狀的發光層等薄膜，因此能夠以批量生產エ藝實現高精細高品質的大型的有機EL顯示器的製造。該情況下，優選上述蒸鍍校正部件包括各自的上述葉片板反向傾斜的2個蒸鍍校正部件。這樣，能夠有效地減少條狀的薄膜的兩側的蒸鍍擴散。此外，通過使反向(方向相反)的葉片板的各自的傾斜程度不同，還能夠分別調整薄膜兩側的蒸鍍擴散的寬度(範圍)。進而，蒸鍍裝置中也能夠具備使至少任ー個上述蒸鍍校正部件翻轉的翻轉裝置。通過使蒸鍍校正部件翻轉，葉片板的一個面上堆積了大量的蒸鍍顆粒的情況下，能夠應用另ー個面，使蒸鍍校正部件的更換次數減半。此外，還優選蒸鍍裝置中，具備使至少任ー個上述蒸鍍校正部件在與上述蒸鍍掩模正交的方向上滑動位移的滑動裝置。這樣，能夠使用滑動裝置自動地進行蒸鍍校正部件的配置調整，能夠容易並且迅速地進行蒸鍍校正部件的高精度的定位。還能夠使蒸鍍校正部件無需從掩模單元取下地翻轉。進而，還可以使至少任ー個上述蒸鍍校正部件，能夠從上述掃描方向來看傾斜地設置，具備對能夠傾斜的上述蒸鍍校正部件的傾斜度進行調整的控制裝置。通過使蒸鍍校正部件自身傾斜，例如，在進行蒸鍍處理的同吋，能夠對相對於蒸鍍掩模的葉片板的傾斜度進行微調，所以能夠實現更實用並且更高精度的蒸鍍擴散的減少。此外，還能夠使至少任ー個上述蒸鍍校正部件上的上述葉片板被上述框以能夠旋轉的方式支承，還具備使能夠旋轉的上述葉片板旋轉位移的旋轉裝置、與上述旋轉裝置共同作用來調節能夠旋轉的上述葉片板的傾斜度的控制裝置。
這樣，由於通過旋轉裝置與控制裝置的共同作用，能夠自由地調整葉片板的傾斜角度，在蒸鍍處理中能夠與其狀況相應地調整葉片板的傾斜角度，能夠與處理的基板相應地變更葉片板的傾斜角度的設定，所以通用性優良。通過葉片板的旋轉能夠使其傾斜方向變為反向，所以即使不存在翻轉裝置也能夠使蒸鍍校正部件的更換次數減半。優選至少任一個上述蒸鍍校正部件以能夠取下的方式設置。這樣，能夠定期地回收蒸鍍校正部件上堆積的蒸鍍材料。例如，蒸鍍材料能夠加熱回收，而由於蒸鍍掩模存在導致變形的可能性，蒸鍍掩模上附著的蒸鍍材料不能通過加熱回收。對此，如果是蒸鍍校正部件則能夠進行加熱處理，所以能夠簡單地回收堆積的蒸鍍材料。從而，能夠確保較高的材料的使用效率。本發明的蒸鍍方法，通過使從蒸鍍源放射的蒸鍍顆粒通過在蒸鍍掩模形成的多個開口而進行蒸鍍，在基板上形成規定圖案的薄膜。在上述蒸鍍源與上述蒸鍍掩模之間，配置僅允許分別朝向不同的規定方向的上述蒸鍍顆粒通過的至少2個以上的蒸鍍校正部件，在通過這些蒸鍍校正部件限制上述蒸鍍顆粒的前進方向的同時進行蒸鍍。
根據該蒸鍍方法，從蒸鍍源朝向蒸鍍掩模一側的蒸鍍顆粒中朝向規定的不同方向的蒸鍍顆粒，在到達蒸鍍掩模之前被限制前進方向。從而，能夠僅使規定的前進方向的蒸鍍顆粒到達蒸鍍掩模，因此能夠實質性地減小放射角度，減少蒸鍍擴散。具體而言,包括在使上述基板被上述基板支承裝置支承，上述基板與上述蒸鍍掩模之間設置有上述空隙的狀態下，使上述掩模單元與上述基板相對的位置對準工序，和在通過上述移動裝置使上述掩模單元和上述基板中的至少一個沿著規定的掃描方向相對地移動的同時依次進行蒸鍍，形成上述薄膜的蒸鍍工序即可。這樣，僅通過進行規定的操作，就能夠與基板尺寸大小無關地進行減少了蒸鍍擴散的蒸鍍，所以適合大型的有機EL顯示器的批量生產工藝。特別是，優選包括蒸鍍校正部件設置為可取下的情況下，將上述蒸鍍校正部件從上述蒸鍍裝置取下，回收該蒸鍍校正部件上附著的蒸鍍顆粒的回收工序。這樣，能夠確保較高的材料的使用效率。發明的效果如以上所說明，根據本發明，能夠用實用的方法有效地減少蒸鍍擴散，因此在批量生廣工藝中，也能夠製造聞品質聞精細的大型的有機EL顯不器。


圖I是表示新蒸鍍法中蒸鍍過程的一例的示意圖。圖2是將圖I中兩點劃線表示的部分放大後的概要圖。圖3是表示蒸鍍掩模等的結構與蒸鍍擴散的關係的圖。圖4是表示蒸鍍掩模的開口的截面縱橫比與通過角度的關係的圖。圖5是表不第一實施方式中的有機EL顯不器的不意截面圖。圖6是表示基板的主要部分的概要平面圖。圖7是表示圖6中的I-I線的截面的概要圖。圖8是表不有機EL顯不器的基本的製造工序的流程圖。圖9是表示蒸鍍裝置的主要部分的概要平面圖。
圖10是表示圖9中的II-II線的截面的概要圖。圖11是在圖9中除去掩模的部分表示的概要圖。圖12是表示校正板的一部分的概要立體圖。圖13是表示第一校正板中的葉片板的部分的示意圖。圖14是表示第二校正板中的葉片板的部分的示意圖。圖15是表示蒸鍍源、第一校正板和第二校正板的部分的示意圖。圖16是用於說明蒸鍍擴散的減少的示意圖。圖17是表示其他方式的蒸鍍裝置的主要部分的概要圖。圖18是表示發光層的蒸鍍エ序的流程圖。 圖19 (a)、(b)是用於說明校正板的翻轉的圖。圖20是變形例中相當於圖10的圖。圖21是變形例中相當於圖11的圖。
具體實施例方式以下，基於附圖詳細說明本發明的實施方式。但是，以下的說明本質上只是例示，並不限制本發明、其應用物或其用途。(有機EL顯示器)本實施方式中，以將本發明應用於有機EL顯示器的製造的情況為例說明。本實施方式的有機EL顯示器是通過控制紅色(R)、緑色(G)、藍色(B)等各顔色(統稱為RGB)構成的多個像素(子像素2R、2G、2B)的發光，實現全彩的圖像顯示的有源矩陣型的顯示器。如圖5所示，本實施方式的有機EL顯示器I由基板10、薄膜狀的有機EL元件20、密封板30等構成。基板10和密封板30的外觀均呈矩形板狀，有機EL元件20在被夾在它們之間的狀態下將周圍用粘合劑等密封部件40堵塞而密封。基板10的表面的中央部是進行圖像顯示的顯示區域11，在該處配置有機EL元件20。如圖6和圖7所示，在基板10的顯示區域11中，設置有TFT12 (Thin FilmTransistor,薄膜電晶體)、配線13、層間膜14等。基板10使用玻璃板等。由於本實施方式的有機EL顯不器I為從基板10 —側導出發光的底部發射型，所以優選透明的基板10，而為頂部發射的情況下，不一定要是透明的。配線13由在基板10上圖案形成、平行地延伸的多條柵極線和與這些柵極線交叉並平行地延伸的多條信號線構成。在被這些柵極線等配線13格子狀地包圍的多個區域中，配置RGB的各顏色的子像素2R、2G、2B，在這些子像素2R、2G、2B中分別設置控制發光的TFT12。RGB的各色的子像素2R、2G、2B在行方向上按每種顏色配置為一列，在列方向上按RGB的順序反覆配置。列方向上連續的RGB的三個子像素2R、2G、2B構成ー個像素。詳情在之後敘述，各子像素2R、2G、2B的發光層25R、25G、25B由按顏色分別形成的條狀的薄膜3形成。層間膜14是也起到平坦化膜作用的丙烯酸樹脂等絕緣性的薄膜。層間膜14以覆蓋TFT12等的方式在跨顯示區域11的整體區域的範圍中疊層。有機EL顯示器I為底部發射型的情況下，優選層間膜14是透明的。有機EL元件20由第一電極21 (陽極)、有機EL層22、第二電極23 (陰極)等構成。第一電極21例如由ITO (Indium Tin Oxide,銦錫氧化物)等構成,在層間膜14上疊層,通過與子像素2R、2G、2B對應地格子狀地圖案形成而形成多個。這些第一電極21通過接觸孔14a與各TFT12連接。在這些第一電極21上，疊層形成絕緣性的邊蓋15。在邊蓋15上形成按每個子像素2R、2G、2B以矩形開ロ的發光區域16R、16G、16B,第一電極21的大部分從該發光區域16R、16G、16B露出，第一電極21的端部被邊蓋15覆蓋。其中，各像素的發光通過這些發光區域16R、16G、16B被導出。此外，也可以使疊層結構翻轉，第一電極21為陰極，第ニ電極23為陽扱。該情況下，被兩個電極夾住的各層的疊層順序也進行翻轉。有機EL層22設置在第一電極21與第二電極23之間。本實施方式的有機EL層22中，從第一電極21 —側起依次疊層形成空穴傳輸層24、發光層25R、25G、25B、電子傳輸層26以及電子注入層27。本實施方式的空穴傳輸層24還具有作為空穴注入層的功能。其中，本實施方式所示的有機EL層22的結構是一例，能夠不限於此而根據需要選擇各層組合。例如，也可以與空穴傳輸層24分開設置空穴注入層，還可以進ー步設置阻擋層。有機EL層22中至少包括發光層25R、25G、25B即可。空穴傳輸層24和發光層25R、25G、25B等的材料能夠使用周知的材料。
空穴傳輸層24、電子傳輸層26、電子注入層27在跨顯示區域11的整體區域的範圍中疊層。發光層25R、25G、25B如上所述，與各顏色的子像素2對應地圖案形成為條狀。第ニ電極23以覆蓋有機EL層22的方式，在跨顯示區域11的整體區域的範圍中疊層。(有機EL顯示器I的基本的製造方法)參照圖8的同時，說明上述有機EL顯示器I的基本的製造方法。該圖表示有機EL顯示器I的製造方法的各エ序中，有機EL元件20中的空穴傳輸層24等的形成エ序。首先，準備形成了 TFT12和第一電極21等的基板10(也稱為TFT基板10)。例如，能夠使用厚度為大約1mm、縱橫尺寸為500 X 400mm的矩形形狀的玻璃板作為TFT基板10的基層。該情況下，能夠使層間膜14以大約2μηι的膜厚形成,第一電極21以大約IOOnm的膜厚形成，邊蓋15以大約I μ m的厚度形成。其中，由於TFT基板10能夠用周知的方法形成，省略其說明。對於準備的TFT基板10，以覆蓋TFT12等的方式形成空穴傳輸層24 (步驟SI)。具體而言，對空穴傳輸層24的材料在跨顯示區域11的整體區域的範圍中蒸鍍。例如，使具有與顯示區域11相同大小的開ロ的整體區域用掩模與TFT基板10貼合而密合。使與整體區域用掩模密合的TFT基板10旋轉的同時，對空穴傳輸層24的材料進行蒸鍍。空穴傳輸層24，例如能夠使用a-NH)作為材料，以大約30nm的膜厚形成。其中，該蒸鍍處理能夠使用現有的蒸鍍裝置。接著，在空穴傳輸層24上疊層形成發光層25R、25G、25B (步驟S2)。發光層25R、25G、25B以分塗的方式按RGB各顏色分別蒸鍍(分塗蒸鍍)。發光層25R、25G、25B的蒸鍍中，一般使用摻雜物源材料(host)和摻雜物材料進行共蒸鍍。摻雜物源材料和摻雜物材料等、發光層25R、25G、25B的材料能夠從周知的材料中選擇使用。發光層25R、25G、25B的膜厚例如能夠以10 IOOnm的範圍形成。其中，本實施方式中，由於該エ序使用新蒸鍍法及其蒸鍍裝置，對於詳情在之後敘述。接著，在發光層25R、25G、25B上疊層形成電子傳輸層26 (步驟S3)。具體而言，用與空穴傳輸層24相同的方法，對電子傳輸層26的材料在跨顯示區域11的整體區域的範圍中蒸鍍。進而，在電子傳輸層26上疊層形成電子注入層27 (步驟S4)。電子注入層27的情況下，也用與空穴傳輸層24相同的方法對電子注入層27的材料在跨顯示區域11的整體區域的範圍中蒸鍍。電子傳輸層26和電子注入層27的材料能夠從周知的材料中選擇使用。二者也可以使用相同的材料一體地形成。電子傳輸層26和電子注入層27的各膜厚例如能夠以10 IOOnm的範圍形成。例如，能夠使用Alq為材料以30nm的膜厚形成電子傳輸層26，使用LiF為材料以Inm的膜厚形成電子注入層27。然後，在電子注入層27上疊層形成第二電極23 (步驟S5)。第二電極23的情況下，也用與空穴傳輸層24相同的方法對第二電極23的材料在跨顯示區域11的整體區域的範圍中蒸鍍。第二電極23的材料也能夠從周知的材料中選擇使用。第二電極23例如能夠以Al (鋁)為材料以50nm的膜厚形成。這樣形成有機EL元件20的TFT基板10最後通過與密封板30貼合而將有機EL元件20密封，完成有機EL顯示器I的主要部分。 (分塗蒸鍍)接著，說明通過分塗蒸鍍形成發光層25R、25G、25B的工序(步驟S2)。本工序中使用上述新蒸鍍法及其蒸鍍裝置。特別是，由於對本實施方式的蒸鍍裝置施加了能夠實現蒸鍍擴散的減少的加工，在首先說明蒸鍍裝置的基本結構的基礎上，對於能夠實現蒸鍍擴散的減少的主要部分結構詳細說明。(蒸鍍裝置的基本結構)圖9和圖10中表示本實施方式的蒸鍍裝置50。如這些圖所示,蒸鍍裝置50具備真空腔室51、基板支承裝置52、蒸鍍源53、掩模60 (shadow mask,蔭罩,蒸鍍掩模)、掩模單元55、移動裝置56等。其中，本實施方式的蒸鍍裝置50是使蒸鍍顆粒朝向上方放射的類型。真空腔室51是可開閉的箱形的密閉容器。通過圖外的減壓裝置，真空腔室51的內部能夠減壓而保持為規定的低壓強狀態。基板支承裝置52具有對作為處理對象的基板10 (也稱為對象基板10)在其行方向(各顏色的子像素2R、2G、2B排成一列的方向)朝向圖9中箭頭線所示的方向(掃描方向)的狀態下水平地支承的功能。例如，如果在基板支承裝置52設置靜電卡盤，則通過用該靜電卡盤的吸附能夠對對象基板10在沒有因自重導致的撓曲的狀態下進行支承。基板支承裝置52能夠水平移動，通過移動裝置56對向掃描方向的水平移動自動控制。其中，為了方便，掃描方向也稱為X軸方向，水平面上與掃描方向正交的方向也稱為Y軸方向。各圖中，適當表示這些軸方向。此外，也將與對象基板10等正交的蒸鍍軸線LI延伸的方向(垂直方向)稱為Z軸方向。掩模60在被基板支承裝置52支承的對象基板10的下方，在隔開一定的空隙H的狀態下水平地配置。其中，優選空隙H的垂直距離(最短距離)以50 μ m Imm的範圍設定。出於防止蒸鍍擴散的觀點優選較小的，而小於50 μ m時，存在對象基板10與掩模60接觸的可能性。另一方面，超過1_時蒸鍍會變得不穩定，導致混色或圖案形成精度的惡化。掩模(蔭罩)60呈長方形板狀，其長邊方向具有排成一列、沿著短邊延伸地條狀地形成的多個開口 Κ、κ、……(僅圖示一部分開口)。多個開口 Κ、Κ、……例如與RGB的各顏色的子像素2R、2G、2B的列對應地形成。各開ロ K形成為貫通掩模60的細長的縫隙狀。掩模60的長邊的尺寸設定為比相對的對象基板10的顯示區域11中Y軸方向的尺寸更大，其短邊的尺寸設定為比相對的對象基板10的顯示區域11中X軸方向的尺寸更小。多個開ロ K、K、……在Y軸方向，設置在與顯示區域11對應的範圍中(有效區域)。在該有效區域的兩個外側，設置有用於進行與對象基板10上設置的第一標記17的位置對準的第二標記63。這些第一標記17和第二標記63被蒸鍍裝置50中設置的傳感器57檢測出，對象基板10和掩模60基於其檢測值在水平方向上正確地定位(也將它們稱為定位機構)。掩模60以開ロ Κ、Κ、……的延伸方向與X軸方向一致的方式可裝卸地安裝在掩模單元55中。掩模單元55中，設置有支架55a、張カ保持裝置58、蒸鍍源53、第一校正板81 (蒸鍍校正部件)、第二校正板82 (蒸鍍校正部件)、防護板91等。掩模60通過安裝在掩模單元55，被張カ保持裝置58拉伸，在張力作用的狀態下被水平支承。這樣，掩模60通過支架55a固定與蒸鍍源53等的相對位置關係。 蒸鍍源53沿著Y軸方向延伸地設置。蒸鍍源53以夾著掩模60與對象基板10相對的方式，配置在掩模60的下側。在其上表面，朝向對象基板10放射蒸鍍顆粒的多個射出ロ 53a、53a、……在Y軸方向上排成一列設置(射出ロ僅圖示一部分)。本實施方式中，這些射出ロ 53a、53a、……配置在與掩模60的開ロ K分別相對的位置，各射出ロ 53a在平面視圖下位於各開ロ K的中央(X軸和Y軸的兩個方向的中央)。蒸鍍裝置50中，設置有開閉蒸鍍源53與掩模60之間的開閉器(未圖示)，通過控制該開閉器的開閉，進行自動控制從而能夠在適當的時刻蒸鍍。(蒸鍍裝置的主要部分結構)在掩模60與蒸鍍源53之間，進一歩配置有對蒸鍍擴散的減少起到重要作用的第一校正板81和第二校正板82 (不區別二者的情況下也可以稱為校正板81、82)。第一校正板81位於蒸鍍源53 —側，第二校正板82位於掩模60 —側。校正板81、82在與掩模60大致平行的狀態下，與掩模60、蒸鍍源53以及另ー個校正板分別在Z軸方向上隔開規定的間
隔配置。在圖11和圖12中也有所表示，校正板81、82呈與掩模60對應的長方形板狀的外觀，均由多個葉片板83、83、……和支承這些葉片板83、83、……的框84等構成。框84具有平行地延伸的一對側框部84a、84a (長邊ー側)和連接這些側框部84a、84a的各端部的一對端框部84b、84b(短邊ー側)。在這些側框部84a、84a和端框部84b、84b劃分形成的矩形的開口中配設多個葉片板83。這些葉片板83均為相同尺寸的帶板狀的部件，其長度方向的兩端部被側框部84a支承。各葉片板83對於蒸鍍掩模傾斜，在該傾斜的狀態下與相鄰的葉片板83之間隔著一定的間隙(也稱為葉片板間隙85)相互平行延伸地配置。各校正板81、82以葉片板83的延伸方向與X軸方向一致的方式配置在掩模單元55。此外，第一校正板81的葉片板83與第二校正板82的葉片板83，使傾斜的方向設定為反向(方向相反)。詳細而言，各校正板81、82的葉片板83，從X軸方向來看均以相同的角度傾斜。此夕卜，各校正板81、82的葉片板83，以從Z軸方向來看，與相鄰的葉片板83之間能夠視認到一定的開ロ(也稱為葉片板間開ロ 86)的方式配置(參照圖11)。換言之，觀察相鄰的2個葉片板83、83時，面對它們之間的葉片板間隙85的一個的葉片板83的上端與另一個的葉片板83的下端在Y軸方向上隔開一定的規定尺寸。圖10中，第一校正板81的下端對於上端相對地向左方偏移，與此相對，第二校正板82的下端對於上端相對地向右方偏移。從而，第一校正板81的葉片板間隙85向右斜上方延伸，第二校正板82的葉片板間隙85向左斜上方延伸。其中，也可以使第一校正板81與第二校正板82的傾斜的方向相反,使第一校正板81的下端對於上端相對地向右方偏移，第二校正板82的下端對於上端相對地向左方偏移。對於各校正板81、82，通過選擇葉片板83的配置等設定朝向掩模60的蒸鍍顆粒的外觀上的射出角度。圖13中示意地表示了第一校正板81中葉片板83的部分。該圖中，箭頭虛線表示飛行的蒸鍍顆粒的軌跡。能夠通過第一校正板81的葉片板間隙85的蒸鍍顆粒僅限於通過角度α所表示的範圍的蒸鍍顆粒。
S卩，該圖中，對於葉片板間隙85，與葉片板83的傾斜方向相逆朝向左斜上方的蒸鍍顆粒被葉片板83所限制，因此朝向該方向的蒸鍍顆粒，只有比通過面對該葉片板間隙85的一個的葉片板83的下端和另一個的葉片板83的上端的角度β I更小的通過角度的蒸鍍顆粒能夠通過。另一方面，與葉片板83的傾斜方向順行朝向右斜上方的蒸鍍顆粒基本不受到葉片板83的限制地通過。從而，朝向該方向的蒸鍍顆粒，在最大的射出角度Ψ比連接葉片板83的下端與上端的線所成的角度Φ 3大的情況下受到葉片板83的限制(η = Φ)，否則能夠全部通過(η = ψ )。從而，僅允許通過將上述角度β I與角度η相加所得的角度α的範圍的蒸鍍顆粒通過第一校正板81。設第一校正板81的葉片板間開口 86的寬度為dl，葉片板83的Z軸方向的高度尺寸為ml時,tanP l=dl/ml的關係式成立。從而，通過選擇葉片板間開口 86的寬度dl和葉片板83的高度尺寸ml，能夠任意地設定角度β I。此外，設葉片板83的Y軸方向的厚度尺寸為tl時，求出第一校正板81的開口率時，為dl/(dl+mlXtan 5這樣，能夠通過第一校正板81和第二校正板82防止葉片板間開口 86的間距產生幹涉，使蒸鍍顆粒的分布穩定，抑制預料之外的不均和偏向。同樣地，優選以從第二校正板82的I個葉片板間隙85出射的蒸鍍顆粒入射到掩模60的多個開口 K的方式定位。具體而言，優選設定為從第二校正板82的I個葉片板間隙85出射的蒸鍍顆粒，入射到掩模60的5個以上的開口 K。該情況下，設Z方向上的第二校正板82和掩模60之間的距離為G2 (參照圖10)，掩模60的開口 K的間距為p2時(參照圖9)，設定為以下第二關係式成立即可。第二關係式G2Xtan@2/p2 彡 5這樣，能夠通過第二校正板82的葉片板間開口 86和掩模60的開口 K，防止間距產生幹涉，能夠使蒸鍍顆粒的分布更加穩定，進一步抑制預料之外的不均和偏向。此外，通過操作校正板控制裝置94，能夠在使各校正板81、82自身傾斜的狀態下支承。通過使校正板81、82自身傾斜，例如，在進行蒸鍍處理的同時，能夠對相對於掩模60的葉片板83的傾斜度進行微調，所以能夠實現更實用的更高精度的蒸鍍擴散的減少。為了防止從蒸鍍源53放射的蒸鍍顆粒附著在多餘的部分，在各滑動機構92a的相對面一側的前方，以劃分葉片板83面對的空間兩側的方式，設置有防護板91。通過防護板91的存在，確保只有通過校正板81、82的蒸鍍顆粒到達掩模60。其中，蒸鍍裝置50除了上述蒸鍍裝置50以外還能夠考慮各種方式。例如，能夠構成為不是基板10 —側移動，而是掩模單元55 —側移動。該情況下，優選葉片板83與掩模單元55—同移動。也能夠適當調整射出口 53a的數量和配置。進而，還能夠使I個或多個射出口 53a為在Y軸方向上延伸的縫隙形狀的射出口。此外，射出口 53a也可以在X軸方向上配置多個。如圖17所示，也能夠使掩模單元55和基板支承裝置52上下相反地配置，使蒸鍍顆粒朝向下方放射。由於各部件等的結構和功能與本實施方式的蒸鍍裝置50相同，所以附加相同符號並省略說明。該情況下，對象基板10的支承變得容易，這一點是有利的。(蒸鍍方法)
圖18中表示蒸鍍方法的主要エ序。例如，將用於紅色(R)的發光層25R的掩模60安裝在掩模單元55中，用張カ保持裝置58對掩模60水平地支承(步驟SI I)。這樣，使掩模60與蒸鍍源53固定為規定的位置關係。第一校正板81和第二校正板82預先配置在規定位置。蒸鍍源53中，設置有用於紅色(R)的發光層25R的蒸鍍材料。接著，以使對象基板10的行方向與掃描方向平行的方式將對象基板10安裝在基板支承裝置52上被支承(步驟S12)。然後，使對象基板10與掩模60相對並進行垂直方向(Z軸方向)的位置對準，在對象基板10與掩模60之間設定規定的空隙H (位置對準エ序，步驟S13)。這樣將對象基板10等設置在蒸鍍裝置50後使蒸鍍裝置50運轉，跨對象基板10的顯示區域11的整體區域對對象基板10掃描的同時進行蒸鍍(蒸鍍エ序，步驟S14)。該蒸鍍エ序中，對象基板10以一定的掃描速度在掃描方向上移動。通過定位機構，對象基板10對於掩模60在水平方向上正確地定位。
其間，從蒸鍍源53放射蒸鍍顆粒，通過第一校正板81和第二校正板82調整為規定的外觀上的放射角度的蒸鍍顆粒通過掩模60的開ロ K在對象基板10上依次蒸鍍，形成薄膜3。薄膜3的膜厚例如能夠通過調整掃描速度和掃描次數而控制。蒸鍍エ序之後，在對象基板10中紅色(R)的子像素2R、2R、……的區域形成條狀的薄膜3 (紅色的發光層25R)。如圖19 (a)所示，連續進行蒸鍍處理時，校正板81、82上堆積的蒸鍍材料(該圖中用符號j表示)増加。於是，本實施方式的蒸鍍裝置50的情況下，如該圖(b)所示，蒸鍍材料j大量堆積時使第一校正板81和第二校正板82旋轉180°而翻轉。這樣,能夠使第一校正板81等的更換次數減半。其中，由於第一校正板81等的翻轉，上述β I、β 2的角度也變得相反。蒸鍍材料j在第一校正板81等的兩面上大量堆積的情況下，將這些校正板81、82從蒸鍍裝置50取下，回收堆積的蒸鍍材料j (回收エ序、步驟S15)。例如，通過對取下的校正板81、82在規定條件下加熱使堆積的蒸鍍材料j熔化或升華能夠簡單地回收蒸鍍材料。回收後，將校正板81、82再次安裝到蒸鍍裝置50，將蒸鍍材料j再次設置在蒸鍍源53即可。形成紅色(R)的發光層25R後，用與其相同的蒸鍍方法，更換掩模60和蒸鍍源53的材料的同時，形成緑色(G)和藍色(B)的發光層25G、25B即可。其中，RGB的各顔色的子像素2R、2G、2B的排列均為相同間距時，例如，如果使掩模60在Y軸方向上偏移(移動)規定間距，則掩模60能夠共用。(變形例)圖20和圖21中，表示了上述實施方式的蒸鍍裝置50等的變形例。本例的蒸鍍裝置50中，特別的不同點在於不具備滑動裝置92和支承部件93等，葉片板83被框84可旋轉地支承。以下，對於同樣的結構，使用相同的符號並省略其說明，對於不同點詳細說明。本變形例中，支承部件93A被固定在支架55a上。第一校正板81和第二校正板82通過支承部件93A被支架55a可裝卸地支承。在各葉片板83的較長方向的各端部，在橫截面方向的中央設置有旋轉軸96。各葉片板83通過該旋轉軸96被框84可旋轉地支承。在框84上，設置有使這些葉片板83旋轉位移的旋轉裝置97。旋轉裝置97與控制葉片板83的旋轉角度和旋轉時刻等的葉片板控制裝置98電連接。葉片板控制裝置98能夠同步控制各葉片板83的位移量。然而，優選能夠對各葉片板83分別獨立地控制位移量。從而，根據該蒸鍍裝置50，能夠對第一校正板81和第二校正板82的各葉片板83的傾斜度根據需要調整，所以能夠自由地調整外觀上的射出角度。即使對於蒸鍍擴散的允許級別不同的對象基板，僅改變設定就能夠對應，因此通用性優良。對葉片板83分別獨立控制位移量的情況下，例如，即使因葉片板83的成型精度的不均或蒸鍍顆粒的堆積產生的影響，外觀上的射出角度產生不均，也能夠通過對葉片板83分別調整位移量而抑制該不均。此外，該蒸鍍裝置50的情況下，由於能夠使葉片板83旋轉位移而使其傾斜方向變為反向，所以旋轉裝置97等實際上起到翻轉裝置的作用。進而，在任意一個校正板81、82，如果設定為葉片板83的橫截面長度比葉片板間開口 86的間距大，則也能夠起到開閉器的功能。 S卩，該情況下，如果使葉片板83旋轉位移成為與掩模60大致平行，則能夠除去葉片板間開口 86，完全切斷蒸鍍顆粒的通過。這樣，不再需要另外設置開閉器，因此能夠使結構變得簡單。此外，也能夠在對象基板10的掃描中，與不形成薄膜3的區域相應地部分地切斷，所以還具有能夠同時用作高性能開閉器的優點。(實施例)使用上述蒸鍍裝置50、新蒸鍍方法，形成發光層25R、25G、25B。使用總厚為50μπκ尺寸為200mm (X軸方向)X600mm (Y軸方向)的掩模60。掩模60的材料是低膨脹鋼材料(Fe中含有36%Ni的合金)。開口 K的寬度(Y軸方向)為90 μ m，長度(X軸方向)為150mm。開口 K的Y軸方向的間距為450 μ m。開口 K的數量為751個。設置了開口 K的區域的外周，用低膨脹鋼材料製造的框84等遮蔽。使第一校正板81和第二校正板82的尺寸均為190mm (X軸方向)X 590mm (Y軸方向)。各葉片板83的Z方向的高度尺寸(ml、m2)為10mm，Y軸方向的厚度尺寸(tl、t2)為0.2mm。使傾斜角度(Φ1、Φ 2)相對於蒸鍍軸線LI分別反向地為10°。葉片板間開口86分別形成129個，使各葉片板間開口 86的寬度尺寸(dl、d2)為1mm。這樣，將這些校正板81、82的β I和β 2設定為大約5. V。使相對基板10與掩模60之間的空隙H為500 μ m。使蒸鍍源53與第一校正板81之間的距離為30mm，掩模60與第二校正板82之間的距離(G2)為50mm，第二校正板82與第一校正板81之間的距離(Gl)為90mm。使各發光區域16R、16G、16B的尺寸為300μπι (X軸方向)Χ70μπι (Y軸方向)，其X軸方向的間距為450 μ m，Y軸方向的間距為150 μ m。各顏色的發光層25R、25G、25B的材料使用摻雜物源材料和摻雜物材料，使它們的蒸鍍速度為，紅色(R)為5. Onm/s和O. 53nm/s,綠色(G)為5. Onm/s和O. 67nm/s,藍色(B)為5. Onm/s和O. 67nm/s。在蒸鍍工序中，進行一次一個往復的掃描。從射出口放射的蒸鍍顆粒的最大射出角度(Ψ 、Ψ2)為大約60°。結果，能夠形成蒸鍍擴散的寬度分別為大約52 μ m的發光層25R、25G、25B。S卩，如圖15所示，從蒸鍍源53放射的蒸鍍顆粒，在第一校正板81被限制前進方向，相對於蒸鍍軸線LI，只有通過β I的角度5. 7°和Φ I (葉片板83的傾角)的角度10°的範圍內的蒸鍍顆粒通過第一校正板81。然後，在第二校正板82進ー步被限制前進方向，相對於蒸鍍軸線，只有通過β I的角度5. V和β 2的角度5. V的範圍內的蒸鍍顆粒通過第二校正板82。這樣，本實施例的情況下，從射出口擴散到射出角度60°的範圍內放射的蒸鍍顆粒，在外觀上到達掩模60時射出角度被限制為5. V。結果，能夠將對象基板10上蒸鍍的蒸鍍顆粒的入射角度限制為5. V以下，能夠形成減少了蒸鍍擴散、高品質的發光層25R、25G、25B。如以上說明，根據本發明，能夠通過實用的方法有效地減少蒸鍍擴散，所以即使是大型尺寸也能夠用批量生產エ藝實現高品質的有機EL顯示器的製造。此外，由於能夠減少蒸鍍擴散，還能夠將像素的發光區域設計得更大。這樣，能夠使電流密度降低而抑制有機EL元件的劣化，因此能夠實現發光壽命特性優良、可靠性較高的有機EL顯示器。
其中，本發明的蒸鍍裝置50等不限於上述實施方式，也包含除此以外的各種結構。上述實施方式中，蒸鍍裝置50的蒸鍍校正部件為2個，但也可以為3個。例如，能夠使實施方式的第一校正板81和第二校正板82由2層構成。這樣，通過蒸鍍源53 —側的下層的第一校正板81等，在一定程度上限制外觀上(看起來)的射出角度，通過上層的第一校正板81等進行微調。也可以使蒸鍍校正部件的全部或一部分固定在掩模單元55上。還可以使葉片板83被框84可搖動地支承。滑動裝置不是必需的。蒸鍍校正部件的翻轉也可以手動進行。符號說明3 薄膜10 基板50 蒸鍍裝置52 基板支承裝置53 蒸鍍源53a 射出 ロ55 掩模單元56 移動裝置60 掩模(蔭罩，蒸鍍掩模)81 第一校正板(蒸鍍校正部件)82 第二校正板(蒸鍍校正部件)83 葉片板84 框85 葉片板間隙86 葉片板間開ロ(開ロ)92 滑動裝置93 支承部件94 校正板控制裝置(控制裝置)
97 旋轉裝置98 葉片板控制裝置(控制裝置) K 蒸鍍掩模的開口
權利要求
1.一種蒸鍍裝置，其特徵在於 該蒸鍍裝置在基板上按規定的圖案形成薄膜， 所述蒸鍍裝置包括 蒸鍍掩模； 在所述蒸鍍掩模一側具有射出口，從該射出口放射形成所述薄膜的蒸鍍顆粒的蒸鍍源；和 在所述蒸鍍掩模與所述蒸鍍源之間配置的2個以上的蒸鍍校正部件， 所述蒸鍍校正部件分別具有 與所述蒸鍍掩模大致平行地配置的多個葉片板；和 支承所述多個葉片板的框， 各所述葉片板分別在相對於所述蒸鍍掩模傾斜的狀態下，以從與所述蒸鍍掩模正交的方向來看、與相鄰的葉片板之間隔著開口相互平行地延伸的方式配置。
2.如權利要求I所述的蒸鍍裝置，其特徵在於，還包括 包含所述蒸鍍掩模、所述蒸鍍源和所述蒸鍍校正部件，且固定它們的相對位置關係的掩模單元； 支承所述基板的基板支承裝置；和 在所述基板與所述蒸鍍掩模之間設置有一定空隙的狀態下，使所述掩模單元和所述基板中的至少一個沿著規定的掃描方向相對地移動的移動裝置， 所述蒸鍍掩模具有多個條狀的開口，以這些開口的延伸方向與所述掃描方向一致的方式配置所述蒸鍍掩模， 各所述蒸鍍校正部件以所述葉片板的延伸方向與所述掃描方向一致的方式配置， 所述蒸鍍校正部件各自的所述葉片板，從所述掃描方向來看以相同的角度傾斜。
3.如權利要求2所述的蒸鍍裝置，其特徵在於 所述蒸鍍校正部件包括各自的所述葉片板反向傾斜的2個蒸鍍校正部件。
4.如權利要求2至3中任意一項所述的蒸鍍裝置，其特徵在於 還包括使至少任一個所述蒸鍍校正部件翻轉的翻轉裝置。
5.如權利要求2至4中任意一項所述的蒸鍍裝置，其特徵在於 還包括使至少任一個所述蒸鍍校正部件在與所述蒸鍍掩模正交的方向上滑動位移的滑動裝置。
6.如權利要求2至5中任意一項所述的蒸鍍裝置，其特徵在於 至少任一個所述蒸鍍校正部件，能夠從所述掃描方向來看傾斜地設置， 具備對能夠傾斜的所述蒸鍍校正部件的傾斜度進行調整的控制裝置。
7.如權利要求2至5中任意一項所述的蒸鍍裝置，其特徵在於 至少任一個所述蒸鍍校正部件上的所述葉片板被所述框以能夠旋轉的方式支承， 所述蒸鍍裝置還包括 使能夠旋轉的所述葉片板旋轉位移的旋轉裝置；和 控制裝置，其與所述旋轉裝置共同作用來調節能夠旋轉的所述葉片板的傾斜度。
8.如權利要求2至7中任意一項所述的蒸鍍裝置， 至少任一個所述蒸鍍校正部件以能夠取下的方式設置。
9.一種蒸鍍方法，其特徵在於 通過使從蒸鍍源放射的蒸鍍顆粒通過在蒸鍍掩模形成的多個開口而進行蒸鍍，在基板上形成規定的圖案的薄膜， 在所述蒸鍍源與所述蒸鍍掩模之間，配置僅允許分別朝向不同的規定方向的所述蒸鍍顆粒通過的至少2個以上的蒸鍍校正部件，在通過這些蒸鍍校正部件限制所述蒸鍍顆粒的前進方向的同時進行蒸鍍。
10.如權利要求9所述的蒸鍍方法，其特徵在於 使用權利要求2至7中任意一項所述的蒸鍍裝置， 所述蒸鍍方法包括 在使所述基板被所述基板支承裝置支承，所述基板與所述蒸鍍掩模之間設置有所述空隙的狀態下，使所述掩模單元與所述基板相對的位置對準工序；和 在通過所述移動裝置使所述掩模單元和所述基板中的至少一個沿著規定的掃描方向相對地移動的同時依次進行蒸鍍，形成所述薄膜的蒸鍍工序。
11.如權利要求9所述的蒸鍍方法，其特徵在於 使用權利要求8所述的蒸鍍裝置， 所述蒸鍍方法包括 在使所述基板被所述基板支承裝置支承，所述基板與所述蒸鍍掩模之間設置有所述空隙的狀態下，使所述掩模單元與所述基板相對的位置對準工序； 在通過所述移動裝置使所述掩模單元和所述基板中的至少一個沿著規定的掃描方向相對地移動的同時依次進行蒸鍍，形成所述薄膜的蒸鍍工序；和 將所述蒸鍍校正部件從所述蒸鍍裝置取下，回收該蒸鍍校正部件上附著的蒸鍍顆粒的回收工序。
全文摘要
本發明提供在有機EL顯示器用的基板(10)上按規定的圖案形成薄膜(3)的蒸鍍裝置(50)。在掩模(60)與放射蒸鍍顆粒的蒸鍍源(53)之間配置有第一校正板(81)和第二校正板(82)。各校正板(81、82)分別具有多個葉片板(83)和支承它們的框(84)。各葉片板(83)在相對於掩模(60)傾斜的狀態下，以從與掩模(60)正交的方向來看，在與相鄰的葉片板(83)之間隔著開口(86)相互平行地延伸的方式配置。
文檔編號H05B33/10GK102834541SQ20118001526
公開日2012年12月19日 申請日期2011年2月10日 優先權日2010年4月12日
發明者園田通, 林信廣, 川戶伸一, 井上智 申請人:夏普株式會社