超微型多晶片表面貼裝有源器件集成模塊的製作方法
2023-09-20 21:07:05 1
專利名稱：超微型多晶片表面貼裝有源器件集成模塊的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種電子線路中元器件的微型化裝置，尤指一種可在一個微型封裝內集成更多單個晶片的超微型多晶片表面貼裝有源器件集成模塊。
背景技術：
在當今電子信息產品向短、小、輕、薄和多功能高集程度方向的潮流中，在這些產品的印刷電路板上使用的許多分離器件，成為一個需要重點解決的問題，即如何在一個微型封裝內集成更多的單個晶片，以減小整機的體積、重量和成本。它與採用單片IC的途徑相比，具有開發周期短、靈活機動、成本低、不需要解決晶片設計中的技術問題，因此具有很廣泛的應用前景。
隨著電子工業的發展，大量電子產品趨向微型化、集成化，導致SMT技術的不斷提高，SMT技術的關鍵是電子線路中元器件的微型化。SOT-23因尺寸限制，已不能適應電子工業的發展，因此，半導體分立器件朝著體積更小，集成度更高方向發展，從而達到減少整機尺寸和重量的目的。SOT-23封裝其內部最多的可集成2個晶片，在PC板上佔有面積大，無法滿足縮小半導體元器件尺寸及降低成本的未來趨勢及需求，仍有改進的空間。
發明內容
為了克服上述不足之處，本實用新型的主要目的旨在提供一種多晶片半導體封裝結構，即可將多個晶片通過框架引腳及金絲形成一連接介面的超微型半導體封裝結構。
本實用新型要解決的技術問題是通過框架設計方面的不同方法，將多個晶片集成於同一封裝中，解決元器件整體面積的縮小及使功能如何更強大等問題。
本實用新型解決其技術問題所採用的技術方案是該裝置有有源器件及框架組成，在超微型表面貼裝的封裝內，組裝4～8個單個有源器件晶片的布線方式，晶片與晶片之間的連線用矩形弧度方式，內框架同一端焊有晶片和壓點。
所述的超微型多晶片表面貼裝有源器件集成模塊的框架內的壓點有壓點為既有安放晶片的位置，還留出用於與另一晶片內引線的壓點M；壓點為除了有與壓點M處相同位置外，還挖去一個角的壓點N；壓點為有能容納下兩個非常接近的壓點的鍵壓，又與其他結構之間留有合理距離的壓點R；壓點為既有安放一個有四個獨立晶片集成的較大晶片模塊的位置，又與其他結構之間留有合理距離的壓點P。
所述的超微型多晶片表面貼裝有源器件集成模塊的有源器件晶片有單個布線方式的D1、D2、D3、D4和四個晶片集成在一個晶片中的D5。
所述的超微型多晶片表面貼裝有源器件集成模塊的晶片D5中有晶片晶片為晶片A、晶片為晶片B、晶片為晶片C及晶片為晶片D；D1與D2通過L1連接，D3與D4通過L2連接，晶片A與DL4通過L3連接，晶片B與DL3通過L4連接，晶片D與DL1通過L5連接，晶片C與DL2通過L6連接，D2及D3分別通過L7與L8接地。
所述的超微型多晶片表面貼裝有源器件集成模塊，在所述引線的引出方向上每邊有錯位。
所述的超微型多晶片表面貼裝有源器件集成模塊，可以在只有6個引線的封裝中放入8個晶片，將其中多個相互隔離的晶片集成在一個為該產品的晶片中。
本實用新型的有益效果是具有特殊設計的框架和連線方式，可達到布線合理，晶片易於組裝，結構簡單，操作容易，成本較低，並可防止器件熱耗散集中分布，確保器件的可靠性。
以下結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。
附
圖1是本實用新型的框架整體示意圖；附圖2是附圖1的局部放大示意圖；附圖3是附圖2的局部放大示意圖；附圖4是本實用新型QSBT40型號的組裝示意圖；附圖5是附圖4配合使用時的連接示意圖；附圖6是本實用新型引線的引出方向上有錯位的示意圖；附圖7是常用的三角形弧度連線方式示意圖；附圖8是本實用新型用矩形弧度連線方式示意圖；附圖9是本實用新型另一實施例C9081晶片型號的組裝示意圖；附圖10是本實用新型又一實施例C9081晶片與DS91K晶片型號的組裝示意圖。
附圖中標號說明1-晶片A；8-壓點P；2-晶片B；9-內框架；3-晶片C；10-錯位；
4-晶片D； 11-三角形弧度；5-壓點M； 12-矩形弧度；6-壓點N； 13-C9081晶片；7-壓點R； 14-DS91K晶片；具體實施方式
請參閱附圖1、2、3、4、5、6、7、8所示，本實用新型有有源器件及框架組成，在超微型表面貼裝的封裝內，組裝4～8個單個有源器件晶片的布線方式，晶片與晶片之間的連線用矩形弧度12方式，內框架9同一端焊有晶片和壓點。
請參閱附圖3所示，所述的超微型多晶片表面貼裝有源器件集成模塊的框架內的壓點有壓點5為既有安放晶片的位置，還留出用於與另一晶片內引線的壓點M；壓點6為除了有與壓點M處相同位置外，還挖去一個角的壓點N，以增加在塑封時模塑料的結合力；壓點7為有能容納下兩個非常接近的壓點的鍵壓，又與其他結構之間留有合理距離的壓點R；壓點8為既有安放一個有四個獨立晶片集成的較大晶片模塊的位置，又與其他結構之間留有合理距離的壓點P。
請參閱附圖4、5、7、8所示，所述的超微型多晶片表面貼裝有源器件集成模塊的有源器件晶片有單個布線方式的D1、D2、D3、D4和四個晶片集成在一個晶片中的D5。
所述的超微型多晶片表面貼裝有源器件集成模塊的晶片D5中有晶片晶片1為晶片A、晶片2為晶片B、晶片3為晶片C及晶片4為晶片D；D1與D2通過L1連接，D3與D4通過L2連接，晶片A與DL4通過L3連接，晶片B與DL3通過L4連接，晶片D與DL1通過L5連接，晶片C與DL2通過L6連接，D2及D3分別通過L7與L8接地；即L1連接D1、D2的陽極(晶片到晶片)，L2連接D3、D4的陽極(晶片到晶片)，L3將D5中晶片1的陽極與引線DL4相連(採用矩形弧度12方式)，L4將D5中晶片2的陽極與引線DL4相連(採用矩形弧度12方式)，L5將D5中晶片4的陽極與引線DL1相連(採用矩形弧度12方式)，L6將D5中晶片3的陽極與引線DL4相連(採用矩形弧度12方式)，L7將D5中晶片1的陽極與引線DL2相連(採用矩形弧度12方式)，而常用的是三角形弧度11連線方式。
請參閱附圖6所示，所述的超微型多晶片表面貼裝有源器件集成模塊，為了解決此後在切筋過程中可能影響塑封結合力的問題，在所述引線的引出方向上採用每邊有0.25mm的錯位10設計。
所述的超微型多晶片表面貼裝有源器件集成模塊，可以在只有6個引線的封裝中放入8個晶片，將其中多個相互隔離的晶片集成在一個為該產品的晶片中。
請參閱附圖9所示，本實用新型另一實施例是相同晶片的組裝方式，如C9081(13)晶片型號與C9081(13)晶片型號的粘貼組裝方式；請參閱附圖10所示，本實用新型又一實施例是不同晶片的組裝方式，如C9081(13)晶片型號與DS91K(14)晶片型號的粘貼組裝方式。
本實用新型主要是通過新的框架設計將晶片集成於框架的引腳上，該超微型多晶片表面貼裝器件包括多個晶片、框架、金線及封裝樹脂。超微型多晶片表面貼裝元器件製作工藝包括劃片、焊片、焊線、塑封、噴砂、電鍍、切筋或成型、測試、雷射列印及編帶等。
權利要求1.一種超微型多晶片表面貼裝有源器件集成模塊，該裝置有有源器件及框架，其特徵在於在超微型表面貼裝的封裝內，組裝4～8個單個有源器件晶片的布線方式，晶片與晶片之間的連線用矩形弧度方式，內框架同一端焊有晶片和壓點。
2.根據權利要求1所述的超微型多晶片表面貼裝有源器件集成模塊，其特徵在於所述的框架內的壓點有壓點為有安放晶片位置和留出用於與另一晶片內引線的壓點M；壓點為有與壓點M相同位置，還挖去一個角的壓點N；壓點為有容納下兩個非常接近的壓點的鍵壓，又與其他結構間留有距離的壓點R；壓點為有安放一個有四個獨立晶片集成的晶片模塊，又與其他結構間留有距離的壓點P。
3.根據權利要求1所述的超微型多晶片表面貼裝有源器件集成模塊，其特徵在於所述的有源器件晶片有單個布線方式的D1、D2、D3、D4和四個晶片集成在一個晶片中的D5。
4.根據權利要求1、3所述的超微型多晶片表面貼裝有源器件集成模塊，其特徵在於所述的晶片D5中有晶片晶片為晶片A、晶片為晶片B、晶片為晶片C及晶片為晶片D；D1與D2通過L1連接，D3與D4通過L2連接，晶片A與DL4通過L3連接，晶片B與DL3通過L4連接，晶片D與DL1通過L5連接，晶片C與DL2通過L6連接，D2及D3分別通過L7與L8接地。
5.根據權利要求1、2所述的超微型多晶片表面貼裝有源器件集成模塊，其特徵在於在所述引線的引出方向上每邊有錯位。
專利摘要一種涉及電子線路中元器件的微型化裝置，尤指一種可在一個微型封裝內集成更多單個晶片的超微型多晶片表面貼裝有源器件集成模塊。該裝置有有源器件及框架組成，在超微型表面貼裝的封裝內，組裝4～8個單個有源器件晶片的布線方式，晶片與晶片之間的連線用矩形弧度方式，內框架同一端焊有晶片和壓點，通過新的框架設計將晶片集成於框架的引腳上，使一個微型封裝內集成更多的單個晶片。本實用新型的優點具有特殊設計的框架和連線方式，可達到布線合理，晶片易於組裝，結構簡單，操作容易，成本較低，並可防止器件熱耗散集中分布，確保器件的可靠性。
文檔編號H01L25/00GK2606457SQ03229830
公開日2004年3月10日 申請日期2003年3月27日 優先權日2003年3月27日
發明者石景平 申請人:上海凱虹電子有限公司