顯示基板、顯示器件及其製造方法

2023-09-10 16:39:45

專利名稱：顯示基板、顯示器件及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種顯示基板、顯示器件及其製造方法，以及更尤其涉及可 防止驅動器件裂化和破壞的顯示基板和由基板撓曲引起的像素電極，以及其制 造方法。
背景技術：
近來，用於處理大量數據的信息處理器件和用於顯示由信息處理器件處 理的數據的顯示器件也在發展中。另外，可摺疊或彎曲的柔性顯示器件也處於 發展中。為了實現可以摺疊或彎曲的柔性顯示器件，在其上設置驅動器件和顯示 圖像的像素的基板可摺疊或彎曲。為此，柔性顯示器件主要包括甚薄基板或柔 性合成樹脂基板。然而，當柔性顯示基板的基板彎曲或摺疊時，過量的應力施加到在基板 上設置的器件或像素上。特別地，驅動器件諸如薄膜電晶體(TFT)或包括固 體無機層的像素，由於過量的應力產生對驅動器件或像素的破壞。發明內容因此，本發明涉及一種顯示器件及其製造方法，其基本消除了由於現有技 術的限制和缺陷導致的一個或多個問題。本發明的優點在於防止了設置在柔性基板上的驅動器件或像素的損壞。 本發明的其它特點和優點將在以下的說明書中闡明，並且部分將從說明書 是顯而易見的，或可以通過本發明的實施方式理解。本發明的目的和其它優點 將通過書寫說明書和權利要求書以及附圖所指出的結構來實現和獲得。為了實現這些和其它優點並根據本發明的目的，具體並寬泛地描述，柔性 顯示基板包括在該柔性基板上的薄膜電晶體，該薄膜電晶體包括柵極，絕 緣該柵極的柵絕緣層，在該柵絕緣層上的溝道層，與該溝道層連接的源極，和 與該溝道層連接的漏極；在薄膜電晶體下面的第一應力吸收層；在第一應力吸 收層上的第一保護層；在該薄膜電晶體上的第二應力吸收層；在該第二應力吸 收層上的第二保護層；以及在第二應力保護層上的像素電極，該像素電極與漏 極連接。在本發明的另一方案中， 一種製造柔性顯示基板的方法包括在柔性基板 上形成第一應力吸收層；在第一應力吸收層上形成第一保護層；在第一保護層 上形成薄膜電晶體，該薄膜電晶體包括柵極，絕緣該柵極的柵絕緣層，在該柵 絕緣層上的溝道層，與該溝道層連接的源極，和與該溝道層連接的漏極；在薄 膜電晶體上形成第二應力吸收層；在第二應力吸收層上形成第二保護層；以及 在第二保護層上形成像素電極，該像素電極與漏極連接。在本發明的又一方案中， 一種製造電泳墨(electrophoreticink)柔性顯示 器件的方法包括在柔性基板上形成第一應力吸收層；在第一應力吸收層上形 成第一保護層；在該第一保護層上形成薄膜電晶體，該薄膜電晶體包括柵極， 絕緣該柵極的柵絕緣層，在該柵絕緣層上的溝道層，與該溝道層連接的源極， 和與該溝道層連接的漏極；在薄膜電晶體上形成第二應力吸收層；在第二應力 吸收層上形成第二保護層；在第二保護層上形成像素電極，該像素電極與漏極 連接；以及在柔性基板上形成電泳墨薄膜。在本發明的另一方案中， 一種製造柔性液晶顯示器件的方法包括在第一 柔性基板上形成第一應力吸收層；在第一應力吸收層上形成第一保護層；在該 第一保護層上形成薄膜電晶體，該薄膜電晶體包括柵極，絕緣該柵極的柵絕緣 層，在該柵絕緣層上的溝道層，與該溝道層連接的源極，和與該溝道層連接的 漏極；在薄膜電晶體上形成第二應力吸收層；在第二應力吸收層上形成第二保 護層；在第二保護層上形成像素電極，該像素電極與漏極連接；形成第二柔性 基板；以及在第一柔性基板和第二柔性基板之間形成液晶層。應該理解本發明的上述概述和以下的詳細描述都是示例性和解釋性的並 意欲對權利要求所要求的本發明提供進一步解釋。


附圖，其包括於本申請中用於提供對本發明進一步的理解並與說明書結 合構成說明書的一部分，示出了說明書的實施方式並與說明書一起解釋本發明 的原理。在附圖中圖1是根據實施方式的顯示基板的平面視圖；圖2是沿圖1的線I-I'提取的橫截面視圖；圖3是當圖2的基板撓曲時的橫截面視圖；圖4是根據另一實施方式的顯示基板的橫截面視圖；圖5是根據本發明又一實施方式的顯示基板的橫截面視圖；圖6是根據本發明再一實施方式的顯示基板的橫截面視圖；圖7是示出根據再一實施方式製造顯示基板的方法的橫截面視圖；圖8是示出根據再一實施方式的製造顯示基板的方法的橫截面視圖；圖9是示出根據再一實施方式的製造顯示基板的方法的橫截面視圖；圖10是示出根據再一實施方式的製造顯示基板的方法的橫截面視圖；圖11是示出根據再一實施方式的製造顯示基板的方法的橫截面視圖；圖12是示出根據再一實施方式的製造顯示基板的方法的橫截面視圖；圖13是根據再一實施方式的顯示基板的橫截面視圖；圖14是根據實施方式的顯示器件的橫截面視圖；圖15是根據實施方式的顯示器件的橫截面視圖。
具體實施方式
現在將參照本發明的實施方式詳細描述本發明，其中在附圖中示出了實施在該說明書中參照"一個實施方式"、"實施方式"、"示例性實施方式" 等指結合實施方式描述的特定部件、結構或屬性包括於本發明的至少一個實施 方式中。在說明書中各種地方出現的這些詞語不必都指相同的實施方式。另外， 當結合任何實施方式描述特定部件、結構或屬性時，其在本領域普通技術人員 的範圍內以結合實施方式的其它部件實現這些部件、特徵或屬性。儘管已經參照其多個示意性實施方式描述實施方式，但是應該理解本領域的普通技術人員可承認落入公開原理的精神和範圍內的多個其它修正和實施 方式。更特別地，在公開、附圖和附屬權利要求書範圍內的主題組合設置的組 成部件和/或配置中可能存在各種變型和修改。除了組成部件和/或配置中的變 型和修改，可選使用將對於本領域的普通技術人員也是顯而易見的。在以下文中，將參照附圖根據其實施方式詳細描述顯示器件及其製造方 法，但是本公開不限於實施方式，本領域中的普通技術人員能以各種其它方式 實現本公開而不脫離本公開的範圍和精神。在附圖中，為了簡潔不再詳述基板、 薄膜電晶體、第一應力吸收層、第二應力吸收層、像素和其它結構的尺寸。在 本公開中，應該理解當指襯底、薄膜電晶體、第一應力吸收層、第二應力吸收 層、像素和其它結構在"至少"、"上方"或"下面"時，它們是直接位於另 一基板、另一薄膜電晶體、另一第一應力吸收層、另一第二應力吸收層、其它 像素和其它結構"至少"、"上方"或"下面"，或者也可存在其它中間結構。 同樣，應該理解當本公開的元件為例如"第一"、"第二"和"第三"時，附 圖標記不意欲限制元件但是不與它們區別。因此，可選擇性地或交換性地使用 標記"第一"、"第二"和"第三"。圖1是根據實施方式的顯示基板的平面視圖。圖2是沿圖1的線I-I'提 取的橫截面視圖。參照圖1和圖2，顯示基板100包括基板10、薄膜電晶體(TFT) 20、第 一應力吸收層30、第二吸收層40和像素電極50。基板10可包括柔性基板。基板10是透明的。基板為柔性合成樹脂。可用 於基板10的材料的實施例包括聚碳酸酯(PC)、聚醯亞胺(PI)、聚醚碸(PES)、 聚丙烯酸酯(PAR)、聚萘乙酯(PEN)和聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。可 選地，基板10可為具有甚薄厚度的薄片(foil)。TFT20包括柵極21、柵絕緣層23、溝道層25、源極27和漏極29。柵極21沿基板10從柵線22延伸。在實施方式中，柵極21在基本垂直於 柵線22的方向上延伸。在實施方式中，包括柵極21的柵線22由Al-Nd合金 圖案21a和Al-Nd合金圖案21a上的Mo圖案21b形成。柵絕緣層23位於基板10上並覆蓋包括柵極21的柵線22。在實施方式中， 柵絕緣層23可以為無機層諸如SiNx層。溝道層25位於柵絕緣層23上。在實施方式中，溝道層25可包括高濃度雜質注入其中的非晶矽圖案25a和n+非晶矽圖案25b。兩個n+非晶矽圖案25b 位於非晶矽圖案25a上。源極27與一個n+非晶矽圖案25b電性連接。源極27沿著基板10從在圖 1的第二方向中延伸的數據線28延伸。在實施方式中，包括源極27的數據線 28由A1或A1合金形成。在實施方式中，源極27可具有矩形或馬蹄形。漏極 29可與溝道層25的其它n+非晶矽圖案25b電連接。漏極29位於基本平行於 源極27的方向上。參照圖1和圖2，存儲電容器結構24進一步設置在基板10上。存儲電容 器結構24包括柵線22、柵絕緣層23和覆蓋柵線22的存儲電容器電極24a。第一應力吸收層30可位於薄膜電晶體下面。第一應力吸收層30可夾在基 板10和柵絕緣層23之間。在實施方式中，第一應力吸收層30可為有機層。 可用於第一應力吸收層30的材料的實施例包括保護膜材料和聚醯亞胺。'當基 板10撓曲以防止柵極21和/或柵絕緣層23被損壞時，第一應力吸收層30可 吸收施加到柵極21和/或TFT的柵絕緣層23的過量應力。第二應力吸收層40可位於薄膜晶體上。第二應力吸收層40可覆蓋形成於 基板10上的TFT20。第二應力吸收層40可以為有機層。可用於第二應力吸 收層40的材料的實施例包括光致丙烯酸(photo acryl)和苯丙環丁烯(BCB)。 當基板10撓曲以防止源極27、漏極29和像素電極50被損壞時，第二應力吸 收層40可吸收施加到TFT 20的源極27、漏極29和像素電極50的過量應力， 其將在以下描述。參照圖1，第二應力吸收層40可以包括接觸孔29a和第二接觸孔29b。第 一接觸孔29a暴露漏極29，而第二接觸孔29暴露存儲電容器結構24的存儲 電容器電極24a。像素電極50設置在由柵線22和數據線28限定的像素區域中。部分像素 電極50與經由第一接觸孔29a暴露的漏極29電連接。同樣，部分像素電極 50與經由第二接觸孔29b暴露的存儲電容器電極24a電連接。可用於像素電極50的材料的實施例包括透明且導電的銦錫氧化物(IZO)、 銦鋅氧化物(IZO)或不定形ITO (a-ITO)。可選地，像素電極50可包括高 反光率的金屬，諸如A1或A1合金。圖3是當圖2的基板撓曲時的橫截面視圖。參照圖3，當基板10撓曲時，過量的應力施加到TFT20的柵極21、柵絕 緣層23、溝道層25、源極27、漏極29和像素電極50。結果，柵極21、柵絕 緣層23、溝道層25、源極27、漏極29和像素電極50被損壞。然而，當第一應力吸收層30和第二應力吸收層40形成時，施加到柵極 21、柵絕緣層23、溝道層25、源極27、漏極29和像素電極50的部分和/或全 部過量應力被第一應力吸收層30和/或第二應力吸收層40吸收以防止柵極21、 柵絕緣層23、溝道層25、源極27、漏極29和像素電極50被損壞。特別地，可通過在TFT20上和下面設置第一應力吸收層30和第二應力 吸收層40顯著降低柵極21、柵絕緣層23、溝道層25、源極27、漏極29和像 素電極50的損傷。圖4是根據其它實施方式的顯示結構的橫截面視圖。顯示結構類似與根據 之前實施方式的顯示結構。因此，相同的附圖標記和相同的名稱可用於與之前 的實施方式相同的元件。參照圖4，顯示器件IOO包括基板IO、薄膜電晶體(TFT) 20、第一應力 吸收層30、第二應力吸收層40和像素電極50。在圖4中，第一保護層32形成於第一應力吸收層30上。在實施方式中， 第一應力吸收層30可包括有機層而第一保護層32可包括無機層。第一應力吸收層30的有機層可包含保護膜(overcoat)或聚醯亞胺，而第 一保護層32的無機層可包括氧化層或氮化層。第一應力吸收層30可吸收施加到TFT 20的過量應力以防止TFT 20被損 壞。在實施方式中，第一保護層32可防止來自第一應力吸收層30的有機層的揮發性溶劑流入顯示器件的內部部分，例如，液晶顯示器件的液晶層(未示出)。 圖5是根據再一實施方式的橫截面視圖。顯示基板類似於根據之前實施方 式的顯示基板。因此，相同的附圖標記和相同的名稱可用於與之前的實施方式 相同的元件。參照圖5，顯示器件IOO包括基板IO、薄膜電晶體(TFT) 20、第一應力 吸收層30、第二應力吸收層40和像素電極50。在實施方式中，第二保護層43形成於第二應力吸收層40上。第二應力吸 收層40可包括有機層。第二保護層43可包括無機層。在另一實施方式中，第三保護層41可形成在第二應力吸收層40和TFT之間。在再一實施方式中，第二保護層43可形成於第二應力吸收層40上而第 二保護層41可形成在第二應力吸收層40和TFT之間。第三保護層41可包括 無機層。在圖5中，第三保護層41接觸在源極27和漏極29之間暴露的溝道層25 的非晶矽圖案25a。第二應力吸收層40設置在第三保護層41上，而第二保護 層43設置在第二應力吸收層40上。在實施方式中，第二保護層43和第三保護層41可包括氧化層或氮化層。 第二應力吸收層40可包括光致丙烯酸和苯丙環丁烯(BCB)。第三保護層41可防止第二應力保護層40的有機層與溝道層25的暴露部 分直接接觸。第二保護層43可吸收當撓曲基板10時施加到TFT20的過量應 力，以防止TFT20被損壞。同樣，第二保護層43可防止來自第二應力吸收層40的有機層的揮發性溶 劑流入顯示器件的內部部分，例如，液晶顯示器件的有機層(未示出)中。圖6是根據再一實施方式的顯示基板的橫截面視圖。顯示基板基本類似於 根據之前實施方式的顯示基板。因此，相同的附圖標記和相同的名稱可用於與 之前的實施方式相同的元件。參照圖6，顯示器件IOO包括基板10、薄膜電晶體(TFT) 20、第一應力 吸收層30、第二應力吸收層40、第三應力吸收層60和像素電極50。第三應力吸收層60位於像素電極50上。第三應力吸收層60可覆蓋像素 電極50。在實施方式中，第三應力吸收層60包括有機層。可用於第三應力吸 收層60的材料的實施例包括聚醯亞胺、保護膜、光致丙烯酸和BCB。在實施方式中，第三應力吸收層60覆蓋像素電極50。第三應力吸收層60 可吸收當撓曲基板10時施加到TFT 20的像素電極50上的過量應力，其中該 TFT 20的像素電極50設置在第三應力吸收層60下面，從而防止TFT 20被損 壞。圖13是根據再一實施方式的顯示基板的橫截面視圖。顯示基板基本類似 於根據之前實施方式的顯示基板。因此，相同的附圖標記和相同的名稱可用於 與之前的實施方式相同的元件。參照圖13，顯示器件IOO包括基板10、薄膜電晶體(TFT) 20、第一應 力吸收層30、第二應力吸收層40和像素電極50。在圖13中，第一保護層32形成於第一應力吸收層30上。第二應力吸收 層43形成於第二應力吸收層40上，而第三保護層41形成在第二應力吸收層 40與TFT之間。在實施方式中，第三應力吸收層60可位於像素電極50上。 圖7至圖12是根據再一實施方式的製造顯示基板的方法的橫截面視圖。 參照圖7，第一應力吸收層30形成於基板IO上。在實施方式中，基板IO 可為透明且柔性合成樹脂基板。可用於基板10的材料的實施例包括聚碳酸酯 (PC)、聚醯亞胺(PI)、聚醚碸(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚萘乙酯 (PEN)和聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。可選地，基板10可為具有甚薄厚 度的薄片。第一應力吸收層30可通過在基板10上塗覆溶解於溶劑中的有機材料形 成，以形成有機層，並揮發包括於有機層中的溶劑。可用於形成第一應力吸收層30的有機層的材料的實施例包括保護膜和 PI。用於形成第一應力吸收層30的有機層可通過旋塗工藝或狹縫塗覆工藝形 成。在有機層形成於基板10上之後，第一應力吸收層30通過烘培工藝利用去除包括於有機層中的溶劑而形成。參照圖8，第一保護層32形成於第一應力吸收層30上。在實施方式中， 第一保護層可包括有機層而第一保護層32可包括無機層。在實施方式中，有機層可包括保護膜或PI，而無機層可包括氧化層或氮化層。為了形成第一應力吸收層30和第一保護層32，包括有機層和無機層，有機層形成於基板10上，而無機層形成於有機層上。在該點，在無機層形成於有機層上之前，去除包括於有機層中的溶劑。在實施方式中，第一應力吸收層30吸收施加到TFT 20的部分或全部過量 應力，其將在以下描述，以防止TFT20被損壞。參照圖9，第一應力吸收層30形成於基板10上，TFT 20形成於第一應 力吸收層30上。為了在實施方式中形成TFT20，柵金屬層(未示出)可形成於第一應力 吸收層30上。柵金屬層包括A1-Nd合金層(未示出)和設置在A1-Nd合金層 上的Mo層(未示出)。柵金屬層可通過化學氣相沉積(CVD)或濺射形成於 第一應力吸收層30上。為了在另一實施方式中形成TFT20，柵金屬層(未示出)可形成於第一 保護層32上。柵金屬層包括Al-Nd合金層(未示出)和設置在Ai-Nd合金層 上的Mo層(未示出)。柵金屬層可通過化學氣相沉積(CVD)或濺射形成於 第一保護層32上。在實施方式中，在形成柵金屬層期間，第一保護層32的無 機層保護第一應力吸收層30的有機層不受損壞。在柵金屬層形成之後，可使用光刻工藝構圖柵金屬層以形成包括Al-Nd 合金圖案21a和Mo圖案21b的柵極21 ，以及包括在第一應力吸收層30或第 一保護層32上的柵極21的柵線。在包括柵極21的柵線形成之後，柵絕緣層23形成於基板的整個表面上， 從而包括柵極21的柵線由柵絕緣層23覆蓋。在該實施方式中，柵絕緣層23 為無機層諸如氧化層或氮化層。同樣，柵絕緣層23可以使用CVD形成。在柵絕緣層23形成之後，非晶矽層(未示出)和在其中諸如高濃度雜質 的n+非晶矽層(未示出)相繼形成於柵絕緣層23的整個表面上。隨後，使用光刻工藝構圖非晶矽層和n+非晶矽層以在柵絕緣層23上形成 包括非晶矽圖案25a和n+非晶矽圖案25b的溝道層25。隨後，覆蓋溝道層25的源/漏金屬層形成於柵絕緣層23上。在源/漏金屬 層形成之後，通過光刻工藝構圖源/漏金屬層以形成與溝道層25點連接的源極 27、包括數據電極的數據線，和與溝道層25電連接並與柵絕緣層23上的源極 27隔開的漏極29。同時，當構圖源/漏金屬層以形成源極27和漏極29時，覆蓋柵絕緣層23 上的部分柵線的存儲電容器電極24a形成。參照圖IO，在源極27和漏極29形成之後，第二應力吸收層40形成於柵 絕緣層23的整個表面上。第二應力吸收層40使用旋塗工藝或狹縫塗覆工藝形 成。可用於第二吸收層40的材料的實施例包括光致丙烯酸和BCB。第二應力吸收層40吸收施加到形成於第一應力吸收層30上的TFT 20的 部分或全部過量應力，以防止TFT20被損壞。在第二應力吸收層40形成之後，通過光刻工藝構圖第二應力吸收層40 以在第二應力吸收層40中形成第一接觸孔29a和第二接觸孔29b。第一接觸孔29a暴露部分漏極29，而第二接觸孔29b暴露存儲電容器結 構24的存儲電容器電極24a。隨後，透明導電電極層(未示出)形成於第二應力吸收層40的整個表面上。在該實施方式中，透明電極可使用濺射工藝或CVD工藝形成。可用於透明電極的材料的實施例包括ITO、IZO和不定形ITO。 在透明電極形成之後，使用光刻工藝構圖透明電極以在第二應力吸收層40上形成像素電極50。部分像素電極50經由第一接觸孔29a與漏極29電連接，而部分像素電極50經由第二接觸孔24b與存儲電容器電極24a電連接。 圖11是示出根據再一實施方式的製造顯示基板的方法的橫截面視圖。顯示結構與之前實施方式的顯示器件基本類似。因此，相同的附圖標記和相同的名稱可用於相同的元件。參照圖11，顯示基板可包括第二保護層43和第三保護層41。 在源極27、漏極29形成之後，第三保護層41首先形成。第二應力吸收層40形成於第三保護層41上，而第二保護層43形成於第二應力吸收層40上。在該實施方式中，第三保護層41形成於溝道層25上以防止由第二應力吸 收層40的有機層和溝道層25之間的直接接觸產生的界面屬性降低。第二應力 吸收層40吸收施加到TFT 20的部分或全部過量應力以防止TFT 20被損壞。 第二保護層43可防止氣體諸如溶劑從有機層流入顯示器件中。第二保護層43 可防止在像素電極50形成期間對第二應力吸收層40的損壞。圖12是示出根據再一實施方式製造顯示器件的方法的橫截面視圖。顯示 器件與之前實施方式的顯示器件基本類似。因此，相同的附圖標記和相同的名 稱可用於相同的元件。參照圖12，在像素電極50形成之後，第三應力吸收層60可形成於基板 10上以覆蓋像素電極50。可用於第三應力吸收層60的材料的實施例包括光致 丙烯酸和BCB。第三應力吸收層60吸收施加到由無極材料形成的像素電極50 上的部分或全部過量應力，以防止像素電極50被損壞。如上在實施方式中所述，應力吸收層防止顯示基板被過量應力損壞。圖14示出了根據實施方式的電泳墨柔性顯示器件。參照圖14，顯示器件包括顯示基板IOO和電泳墨膜101。所示出的實施方式包括基板IO、薄膜電晶體(TFT) 20，第一保護層32 形成於第一應力吸收層30上。第二應力吸收層43形成於第二應力吸收層40 而第三保護層41形成在第二應力吸收層40和TFT之間。電泳墨膜101可為E-INK薄膜。電泳墨膜包括保護層110、公共電極130 和微囊層150。電泳墨膜可通過層壓(laminating)形成於襯底10上。 圖15示出了根據實施方式的液晶柔性顯示器件。參照圖15，顯示器件包括第一柔性基板201、第二柔性基板200和在第一 柔性基板201與第二柔性基板200之間的液晶層250。所示出的第一柔性基板201包括第一基板10、薄膜電晶體(TFT) 20，第 一保護層32形成於第一應力吸收層30上。第二保護層43形成於第二應力吸 收層40上，而第三保護層41形成在第二應力吸收層40和TFT之間。第二柔性基板200包括第二基板210、黑矩陣220、在黑矩陣220上的濾 色片層230、在濾色片層230上的保護膜層240。同樣，液晶層250夾在第一 柔性基板201和第二柔性基板200之間。公共電極可暴露於第一柔性基板201 (扭曲向列模式)或第二柔性基板200 (平面扭轉模式)中。但是顯然，對於熟悉本領域的技術人員來說可以在不脫離本發明的精神或 範圍的情形下對本發明可以進行各種修改和變形。從而，本發明意在覆蓋落入 所附權利要求書及其等同物範圍內的本發明的修改和變形。
權利要求
1、一種柔性顯示基板，包含在所述柔性基板上的薄膜電晶體，所述薄膜晶體包括柵極、絕緣所述柵極的柵絕緣層、在所述柵絕緣層上的溝道層、與所述溝道層連接的源極，和與所述溝道層連接的漏極。位於所述薄膜電晶體下面的第一應力吸收層；位於所述第一應力吸收層上的第一保護層；位於所述薄膜電晶體上的第二應力吸收層；位於所述第二應力吸收層上的第二保護層；以及位於所述第二保護層上的像素電極，所述像素電極與所述漏極連接。
2、 根據權利要求1所述的柔性顯示器件，其特徵在於，進一步包含在所 述第二應力吸收層和所述薄膜電晶體之間的第三保護層。
3、 根據權利要求2所述的柔性顯示器件，其特徵在於， 其中所述第一應力吸收層包括有機層；其中所述第一保護層包括無極層；其中所述第二應力吸收層包括有機層；其中所述第二保護層包括無機層；以及其中所述第三保護層包括無機層。
4、 根據權利要求1所述的柔性顯示器件，其特徵在於，進一歩包含在所 述像素電極上的第三應力吸收層。
5、 根據權利要求4所述的柔性顯示器件，其特徵在於，所述第三應力吸收層包括有機層。
6、 一種製造柔性顯示基板的方法，其特徵在於，包含 在所述柔性基板上形成第一應力吸收層； 在所述第一應力吸收層上形成第一保護層；在所述第一保護層上薄膜電晶體，所述薄膜電晶體包括柵極、絕緣所述柵 極的柵絕緣層、在所述柵絕緣層上的溝道層、與所述溝道層連接的源極和與所 述溝道層連接的漏極；在所述薄膜電晶體上形成第二應力吸收層；在所述第二應力吸收層上形成第二保護層；以及在所述第二保護層上形成像素電極，所述像素電極與所述漏極連接。
7、 根據權利要求6所述的方法，其特徵在於，進一步包含在所述第二應力吸收層和所述薄膜電晶體之間形成第三保護層。
8、 根據權利要求7所述的方法，其特徵在於， 其中所述第一應力吸收層包括有機層； 其中所述第一保護層包括無機層； 其中所述第二應力吸收層包括有機層； 其中所述第二保護層包括無機層；以及 其中所述第三保護層包括無機層。
9、 根據權利要求6所述的方法，其特徵在於，進-一步包含在所述像素電 極上的第三應力吸收層。
10、 根據權利要求9所述的方法，其特徵在於，所述第三應力吸收層包括有機層。
11、 一種製造電泳墨柔性顯示器件的方法，包含 在柔性基板上形成第一應力吸收層； 在所述第一應力吸收層上形成第一保護層；在所述第一保護層上形成薄膜電晶體，該薄膜電晶體包括柵極、絕緣所述 柵極的柵絕緣層、在所述柵絕緣層上的溝道層、與所述溝道層連接的源極，以 及與所述溝道層連接的漏極；在所述薄膜電晶體上形成第二應力吸收層；在所述第二應力吸收層上形成第二保護層；在所述第二保護層上形成像素電極，該像素電極與所述漏極連接；以及 在所述柔性基板上形成電泳墨薄膜。
12、 根據權利要求11所述的方法，其特徵在於，進一步包含在所述第二應力吸收層和所述薄膜電晶體之間形成第三保護層。
13、 根據權利要求12所述的方法，其特徵在於，其中所述第一應力吸收層包括有機層； 其中所述第一保護層包括無機層； 其中所述第二應力吸收層包括有機層；其中所述第二保護層包括無機層；以及 其中所述第三保護層包括無機層。
14、 一種製造柔性液晶顯示器件的方法，包含 在第一柔性基板上形成第一應力吸收層； 在所述第一應力吸收層上形成第一保護層；在所述第一保護層上形成薄膜電晶體，該薄膜電晶體包括柵極、絕緣所述 柵極的柵絕緣層、在所述柵絕緣層上的溝道層、與所述溝道層連接的源極，以 及與所述溝道層連接的漏極；在所述薄膜電晶體上形成第二應力吸收層；在所述第二應力吸收層上形成第二保護層；在所述第二保護層上形成像素電極，該像素電極與所述漏極連接； 形成第二柔性基板；以及在所述第一柔性基板和第二柔性基板之間形成液晶層。
15、 根據權利要求14所述的方法，其特徵在於，進一步包含 在所述第二柔性基板上形成黑矩陣,-在所述黑矩陣上形成濾色片層； 在所述濾色片層上形成保護膜層；以及 在所述保護膜層上形成公共電極。
16、 根據權利要求14所述的方法，其特徵在於，進一步包含在所述第二 應力吸收層和所述薄膜電晶體之間形成第三保護層。
17、 根據權利要求16所述的方法，其特徵在於， 其中所述第一應力吸收層包括有機層； 其中所述第一保護層包括無機層；其中所述第二應力吸收層包括有機層； 其中所述第二保護層包括無機層；以及 其中所述第三保護層包括無機層。
全文摘要
本發明包括一種柔性顯示基板，其包括在該柔性基板上的薄膜電晶體，該薄膜電晶體包括柵極，絕緣該柵極的柵絕緣層，在該柵絕緣層上的溝道層，與該溝道層連接的源極，和與該溝道層連接的漏極；在薄膜電晶體下面的第一應力吸收層；在第一應力吸收層上的第一保護層；在該薄膜電晶體上的第二應力吸收層；在該第二應力吸收層上的第二保護層；以及在第二應力保護層上的像素電極，該像素電極與漏極連接。
文檔編號H01L21/84GK101241915SQ200710160688
公開日2008年8月13日 申請日期2007年12月29日 優先權日2007年2月5日
發明者樸容仁, 白承漢, 金相壽 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社