新型絕緣柵場效應電晶體的製作方法

2023-09-17 08:23:25

專利名稱：新型絕緣柵場效應電晶體的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種場效應電晶體，屬於半導體器件技術領域。
在傳統的MOS場效應電晶體中，都是採用二氧化矽介質膜作絕緣柵，由於二氧化矽介電常數較小，只有3.7左右，就使得場效應電晶體的性能如跨導、夾斷電壓、耐直流擊穿等受到限制，為了改善場效應電晶體的性能，有人採用氮化矽和五氧化二鉭等取代二氧化矽，或與二氧化矽複合作絕緣柵，但這兩種材料的介電常數仍然較小，約為6.2-9.8，因此選用高介電常數材料作絕緣柵是提高場效應電晶體性能的關鍵。
本實用新型的目的是彌補現有技術的不足，提供一種採用具有高介電常數的材料作絕緣柵的新型絕緣柵場效應電晶體。
本實用新型的目的是通過以下技術措施完成的由矽基片、源區、漏區、絕緣柵、源電極、漏電極和柵電極構成的場效應電晶體，其中絕緣柵由鈦酸鉍(B12T12O7)或鈦酸鉍/二氧化矽複合層或鈦酸鉍/氧化鎂複合層構成；絕緣柵的厚度為500-8000埃，鈦酸鉍/二氧化矽或鈦酸鉍/氧化鎂複合絕緣柵中，鈦酸鉍層厚度為450-7500埃，二氧化矽或氧化鎂層厚度為50-500埃。
本實用新型選用高介電常數材料作絕緣層和絕緣柵，可提高場效應管的跨導、耐直流擊穿性能，降低夾斷電壓(或開啟電壓)。
以下為

。
圖1為本實用新型第一個實施例結構示意圖。
圖2為本實用新型第二個實施例結構示意圖。
圖3為本實用新型第三個實施例結構示意圖。
其中，1.矽基片，2.源區，3.漏區，4.鈦酸鉍絕緣柵，5.源電極，6.漏電極，7.柵電極，8.絕緣柵中鈦酸鉍層，9.絕緣柵中二氧化矽層，10.絕緣柵中氧化鎂層。
以下結合附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。
實施例1結構如圖1所示，絕緣柵由鈦酸鉍作成，其厚度為3000埃。
實施例2結構如圖2所示，絕緣柵由鈦酸鉍/二氧化矽複合層作成，其厚度為3000埃，其中鈦酸鉍層厚度為2800埃，二氧化矽層厚度為200埃。
實施例3結構如圖3所示，絕緣柵由鈦酸鉍/氧化鎂複合層作成，其厚度為3000埃，其中鈦酸鉍層厚度為2800埃，二氧化矽層厚度為200埃。
權利要求1.一種新型絕緣柵場效應電晶體，由矽基片、源區、漏區、絕緣柵、源電極、漏電極和柵電極構成，其特徵在於，絕緣柵由下列材料之一作成(1).鈦酸鉍；(2).鈦酸鉍/二氧化矽複合層；(3).鈦酸鉍/氧化鎂複合層。
2.根據權利要求1所述的新型絕緣柵場效應電晶體，其特徵在於，所述的鈦酸鉍絕緣柵的厚度為500-8000埃。
3.根據權利要求1所述的新型絕緣柵場效應電晶體，其特徵在於，所述的複合絕緣柵中，鈦酸鉍層厚度為450-7500埃，二氧化矽或氧化鎂層厚度為50-500埃。
專利摘要本實用新型屬於半導體器件技術領域，選用具有高介電常數材料鈦酸鉍或鈦酸鉍/二氧化矽複合層或鈦酸鉍/氧化鎂複合層代替傳統的二氧化矽作絕緣柵，絕緣柵的厚度為500-8000埃，在鈦酸鉍/二氧化矽或鈦酸鉍/氧化鎂複合絕緣柵中，鈦酸鉍層厚度為450-7500埃，二氧化矽或氧化鎂層厚度為50-500埃。可提高場效應管的跨導、耐直流擊穿性能，降低夾斷電壓(或開啟電壓)。
文檔編號H01L29/66GK2264416SQ9622795
公開日1997年10月8日 申請日期1996年5月29日 優先權日1996年5月29日
發明者王弘, 王民, 王卓, 尚淑霞 申請人:山東大學