使ddr2或ddr1共用一主機板的方法及裝置的製作方法
2023-09-21 22:10:05 1
專利名稱:使ddr2或ddr1共用一主機板的方法及裝置的製作方法
技術領域：
本發明是有關使電腦主機板分別結合不同存儲器的方法及裝置，尤其是有關使DDR1及DDR2可分別結合同一主機板的方法及裝置。
背景技術：
在電腦日新月異的變化下，存儲器已從過去的EDO存儲器、SIMM存儲器等，轉變至更高速的Rambus存儲器、DDR1(DOUBLE DATA RAM I存儲器)與即將上市之DDR2。在存儲器製造技術快速的發展下，誰能適時掌握變化，就能在變化激烈的市場中取得優勝。
DDR2即將上市，可預見的是配合DDR2的主機板將逐漸成為市場上的主流。但由於DDR1的價格必然較DDR2便宜，因此配合DDR1的主機板仍將會有市場上的需求。目前在主機板的設計上，仍無使同一主機板分別結合DDR2或DDR1的規劃。意思是說DDR2與DDR1不能共用一個連接器(Connector)。由於主機板的設計無法達成一板多用途的功能，因此必需分別製造結合DDR2或DDR1的主機板，使主機板的製造量能被分散，而增加製造成本，且會增加DDR2或DDR1的主機板總合的庫存量，客戶端也會彈性減少庫存量。如果可以設計一種轉接結構，使DDR2或DDR1可分別結合同一塊主機板，便可以解決上述必須分別製造個別主機板所產生的問題。
臺灣專利公告第566617號揭示一種快閃記憶體讀寫轉接器，系利用一轉換匣周邊分別設有一CF(COMPACT FLASH)插槽、USB(UNIVERSAL SERIAL BUS)插座及PCMCTA界面(國際標準界面)接頭，以對應連結至一CF快閃記憶體、USB界面及PCMCIA界面，使CF快閃記憶體連接至USB界面或PCMCIA界面的數據讀寫裝置或電腦主機連結。但上述臺灣專利所揭示的轉接器，無法用以連結DDR1或DDR2，因此不能被利用做為使DDR2及DDR1共用主機板的設計。為能提供一種使DDR2或DDR1共用一主機板的設計，經發明人等一再研究後，終完成本發明。
發明內容
本發明的主要目的，在提供一種轉接裝置，使DDR2或DDR1共用一主機板。
本發明的另一目的，在提供一種轉接裝置，使同一主機板可分別結合DDR2或DDR1，以提升單一主機板的製造產能，降低製造成本及庫存量，提升主機板的銷售競爭力。
本發明的又一目的，在提供一種使DDR2或DDR1共用一主機板的方法，使同一主機板可分別結合DDR2或DDR1，達到一主機板多用途的功能。
本發明主要系使主機板結合一DDR2連接器，使DDR2連接器可結合DDR2，或結合一轉接卡後，再使轉接卡結合一DDR1連接器以結合DDR1。並利用一電壓轉接器的輸出端，提供DDR2或DDR1所需電力。當要使主機板結合DDR2時，電壓轉換器的輸出端卽輸出一適合DDR2使用的電壓至DDR2連接器；當要使主機板結合DDR1時，利用使電壓轉接器的輸入端接地的方法，使電壓轉接器的輸出端輸出匹配DDR1的電壓，即可達成使同一主機板可分別結合DDR2或DDR1的功能。
本發明的其他目的、功效及實施例，請參閱圖式詳細設明如下。
圖1為本發明轉接卡結合DDR2連接器及DDR1連接器實施例的示意圖。
圖2為本發明電壓轉換器實施例的電路圖。
圖3為本發明轉接卡接地的實施例示意圖。
圖4為DDR2電路方塊示意圖。
具體實施方式
DDR2具有240支接腳(Pin)，使用約1.8V(伏特)的電源；而DDR1具有184支接腳，使用約2.5V的電源。DDR2與DDR1的接腳數目和使用的電壓不同，所以無法使DDR1共用DDR2的連接器，而必須有一個可連接DDR2連接器的轉接卡，轉接卡具有一接地端點，並使轉接卡可連接DDR1連接器；並必須有一個電壓轉接器，利用電壓轉接器的輸入端是否與轉接卡的接地端點連接，分別提供DDR1或DDR2使用的電壓。
本發明使DDR2或DDR1共用一主機板的方法，系使主機板結合一電壓轉換器及一DDR2連接器；當要使主機板結合DDR2時，電壓轉換器的輸出端卽輸出一適合DDR2使用的電壓至DDR2連接器；當要使主機板結合DDR1連接器時，使DDR2連接器連接一轉接卡的一端，轉接卡的另一端連接DDR1連接器，並使電壓轉換器的輸入端與轉接卡的接地端點連接，電壓轉換器的輸出端即輸出一適合DDR1使用的電壓至DDR1連接器，使主機板可分別結合DDR2或DDR1。
請參閱圖1、2所示。本發明使一主機板10可分別結合一DDR2或一DDR1的轉接裝置，主要包括一轉接卡30及一電壓轉換器60。主機板10結合一DDR2連接器20，用以結合DDR2。當主機板10不結合DDR2時，即可使DDR2連接器20結合轉接卡30，轉接卡30另一側再結合DDR1連接器40。即可利用DDR1連接器40結合DDR150。
請參閱圖2所示。本發明提供的電壓轉接器60，用以分別供應與DDR2、DDR1相配合的電壓。電源轉換器60主要包括一晶片U8、一CMOS(金屬氧化物半導體)Q75、一電晶體Q78及相配合的多個電阻所組成。晶片U8的第4連接端為電源輸入端61連結5V電源，並連接一接地的電阻R52；晶片U8的第1連接端、第2連接端之間連接一電阻R65，電阻R65與第2連接端的結合點另連接一接地的電阻R66及一CMOS Q75的源極。CMOS Q75的漏極連接另一接地的電阻R66。CMOS Q75的柵極連接電晶體Q78的集極，並連接至一電阻R52，電阻R52的另一端連接5V的電源。電晶體Q78的射極接地，基極連接另一電阻R52，另一電阻R52的另一端連接5V的電源。晶片U8的第6連接端連接第3、第2連接端，並作為供DDR1及DDR2使用電源的輸出端62，輸出端62連接DDR2連接器，並可連接至轉接卡。電晶體Q78的基極與另一電阻R52的結合點作為電壓轉接器60接地的輸入端63。
本發明系利用電壓轉接器60的輸入端63是否接地，做為輸出端62端輸出DDR1使用電壓或供DDR2使用電壓的依據。
當使電壓轉接器60的輸入端63接地時，電晶體Q78的基極接地，故其基極的電位為0，而集極的電位為5V，因此CMOS Q75的柵極電位也為5V。本發明選取適當的CMOS Q75，當CMOS Q75的柵極電位為5V以上時，其源極及漏極呈短路的狀態，此時輸出端62輸出的電壓，會因電源流經電阻R65再分流至兩電阻R66產生的壓降，而輸出供DDR1使用約2.5V的較高電壓。
當使電壓轉接器60的輸入端63不接地時，電晶體Q78的基極不接地，故其基極電位大於0，而其集極電位小於5V，因此CMOS Q75的柵極電位也小於5V，而使其源極及漏極間並非呈短路的狀態，此時輸出端62輸出的電壓，會因電源流經電阻R65及R66產生的壓降，而輸出供DDR2使用約1.8V的較低電壓。
請參閱圖3所示。本發明的一種實施例，系在轉接卡除了設有與DDR2連接器結合的接腳外，另設有至少兩個接腳，其中一接腳接地，另一接腳連接至轉接卡上連接至DDR1連接器供應DDR1電源的連接端。此兩接腳可結合一連接器JP4。此連接器JP4與兩個接腳連結的兩端，分別以兩導線電氣連接至如圖2所示電壓轉換器60的輸入端63及輸出端62。當使轉接卡結合DDR2連接器，並使連接器JP4與兩個接腳連結時，就會使電壓轉換器60的輸入端63接地，而使電壓轉換器60的輸出端62輸出供DDR1使用的較高電壓；否則，電壓轉換器60的輸出端62將輸出供DDR2使用的較低電壓。
請參閱圖4所示。本發明的另一種實施例，系在轉接卡與DDR2連接器結合的接腳中，有一接腳接地，而此接腳的位置，系相對於DDR251的接腳中，一般未使用之接腳NCO-NC22中的一接腳，譬如接腳NC18，而使DDR2連接器相對於DDR251接腳NC18的連接端，利用導線電氣連接至如圖2所示電壓轉換器60的輸入端63。當使轉接卡結合DDR2連接器時，就會使電壓轉換器60的輸入端63接地，而使電壓轉換器60的輸出端62輸出供DDR1使用的較高電壓；否則，電壓轉換器60的輸出端62將輸出供DDR2使用的較低電壓。
經由上述說明，本發明可使同一主機板可分別結合DDR2或DDR1，以提升單一主機板的製造產能，降低製造成本及庫存量，提升主機板的銷售競爭力。
以上所記載，僅為利用本發明技術內容之實施例，任何熟悉本技術領域：
的人員運用本發明所為的修飾、變化，皆屬本發明主張的權利要求
書範圍內，而不限於實施例所揭示的內容。
權利要求
1.一種使DDR2或DDR1共用一主機板的方法，包括使主機板結合一電壓轉換器及一DDR2連接器；當要使該主機板結合DDR2時，該電壓轉換器的輸出端即輸出一適合該DDR2使用的電壓至該DDR2連接器；當要使該主機板結合DDR1連接器時，先使DDR2連接器連接一轉接卡的一端，該轉接卡的另一端連接該DDR1連接器，並使該電壓轉換器的輸入端接地，該電壓轉換器的輸出端即輸出一適合該DDR1使用的電壓至該DDR1連接器，以使該主機板可分別結合該DDR2或該DDR1。
2.根據權利要求
1所述的方法，其特徵在於，該電壓轉換器的輸入端系與該轉接卡的接地端點電氣連接。
3.根據權利要求
1所述的方法，其特徵在於，該電壓轉換器包括一晶片、一CMOS、一電晶體及相配合的多個電阻所組成；該晶片的第4連接端為電源輸入端連接一電源，並連接一接地的電阻；該晶片的第1連接端、第2連接端之間連接一電阻，該電阻與第2連接端的結合點另連接一接地的電阻及該CMOS的源極；該CMOS的漏極連接另一接地的電阻；該CMOS的柵極連接該電晶體的集極，並連接至一電阻，此一電阻的另一端連接該電源；該電晶體的射極接地，基極連接另一電阻，此另一電阻的另一端連接該電源；該晶片的第6連接端連接第3、第2連接端，並為該輸出端；該電晶體的基極與此另一電阻的結合點作為該輸入端。
4.根據權利要求
2所述的方法，其特徵在於，該DDR2連接器連接該轉接卡，該轉接卡與該DDR2連接器結合的接腳中，有一接腳接地，而此接腳的位置，系相對於該DDR2的接腳中，未使用的接腳中的一接腳，而該DDR2連接器相對於此接腳的連接端與該輸入端以導線電氣連接；這樣當該轉接卡結合該DDR2連接器時，就會使該輸入端接地。
5.根據權利要求
2所述的方法，其特徵在於，該DDR2連接器連接該轉接卡，該轉接卡除了設有與該DDR2連接器結合的接腳外，另設有至少兩個接腳，其中一接腳接地，另一接腳電氣連接至該DDR1連接器供應DDR1電源的連接端；這樣當該兩接腳結合一連接器時，該連接器與該兩接腳連結的兩端，分別以導線電氣連接至該輸入端及該輸出端，使該輸入端接地。
6.一種使DDR2或DDR1共用一主機板的裝置，系與電腦主機板結合，包括一電壓轉換器；該電壓轉換器具有一輸入端及一輸出端，該輸出端以導線電氣連接至一DDR2連接器及一DDR1連接器，這樣當該輸入端未接地時，該輸出端輸出一供DDR2使用的電壓至DDR2連接器，而當該輸入端接地時，該輸出端輸出一供DDR1使用的電壓至DDR1連接器。
7.根據權利要求
6所述的裝置，其特徵在於，該電壓轉換器包括一晶片、一CMOS、一電晶體及相配合的電阻所組成；該晶片的第4連接端為電源輸入端連接一電源，並連接一接地的電阻；該晶片的第1連接端、第2連接端之間連接一電阻，該電阻與第2連接端的結合點另連接一接地的電阻及該CMOS的源極；該CMOS的漏極連接另一接地的電阻；該CMOS的柵極連接該電晶體的集極，並連接至一電阻，此一電阻的另一端連接該電源；該電晶體的射極接地，基極連接另一電阻，此另一電阻的另一端連接該電源；該晶片的第6連接端連接第3、第2連接端，並為該輸出端；該電晶體的基極與此另一電阻的結合點作為該輸入端。
8.根據權利要求
6所述的裝置，其特徵在於，該電壓轉換器的輸入端系與一轉接卡的接地端點電氣連接。
9.根據權利要求
8所述的裝置，其特徵在於，該DDR2連接器連接該轉接卡，該轉接卡與該DDR2連接器結合的接腳中，有一接腳接地，而此接腳的位置，系相對於該DDR2的接腳中，未使用之接腳中的一接腳，而該DDR2連接器相對於此接腳的連接端與該輸入端以導線電氣連接；這樣當該轉接卡結合該DDR2連接器時，就會使該輸入端接地。
10.根據權利要求
8所述的裝置，其特徵在於，該DDR2連接器連接該轉接卡，該轉接卡除了設有與該DDR2連接器結合的接腳外，另設有至少兩個接腳，其中一接腳接地，另一接腳電氣連接至該DDR1連接器供應DDR1電源的連接端；這樣當該兩接腳結合一連接器時，該連接器與該兩接腳連結的兩端，分別以導線電氣連接至該輸入端及該輸出端，使該輸入端接地。
專利摘要
一種使DDR2或DDR1共用一主機板的方法及裝置，系使主機板結合一電壓轉換器及一DDR2連接器；當要使主機板結合DDR2時，電壓轉換器的輸出端卽輸出一適合DDR2使用的電壓至DDR2連接器；當要使主機板結合DDR1連接器時，使DDR2連接器連接一轉接卡，轉接卡的另一端連接DDR1連接器，並使電壓轉換器的輸入端與轉接卡的接地端點連接，電壓轉換器的輸出端即輸出一適合DDR1使用的電壓至DDR1連接器，使主機板可分別結合DDR2或DDR1，以改善分別製造個別主機板所產生的問題。
文檔編號G06F1/00GKCN1315016SQ200410031761
公開日2007年5月9日 申請日期2004年3月23日
發明者駱紹平, 高億生 申請人:緯創資通股份有限公司導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan專利引用 (3),