一種通過印刷粘接材料封裝的半導體器件及其製造方法
2023-09-21 07:35:25
專利名稱：一種通過印刷粘接材料封裝的半導體器件及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體器件及其製造方法，特別涉及一種通過印刷粘接材料封裝的半導體器件及其製造方法。
背景技術：
在集成電路的封裝中，目前普遍使用引線框架來承載晶片和連接外部器件。引線框架通常是由銅或者合金的平面板材經過衝壓或蝕刻的方法製成，具有高強度、抗腐蝕、抗氧化、高導電率、高導熱性、延展性好、容易成形的特點，還有極好的鍍層性能，能良好的粘接塑封體，並且具有與所述晶片和塑封體的熱膨脹係數極接近的熱膨脹係數。以下結合附圖1至圖5詳細說明現有的半導體封裝技術中，粘接晶片和引線框架的具體製造過程。如圖1所示，引線框架100通過設有的載片臺110來承載晶片150，並設有2個引腳120、130將晶片150連接到外部元器件。如圖2所示，目前常用的粘接晶片的方法是在載片臺110的表面利用點膠方式鋪設形成粘接材料140 ；其中，所述的粘接材料140可以是膠黏劑環氧樹脂，包含利用點膠形成的導電或非導電的環氧樹脂；該粘接材料140也可以是利用點膠形成的焊膏或者共晶材料。如圖3所示，再將晶片150(例如集成電路IC)放置到粘接材料140上，與載片臺110固定粘接。如圖4所示，利用引線結合技術(WireBonding， 俗稱打線)將晶片150分別與引腳120和引腳130通過若干金屬引線160連接。如圖5所示，對引線框架100進行塑封成型，將其封裝在塑封體170內，以完成封裝程序，使該半導體封裝內的晶片150通過所述引腳120和130實現與外部其他器件的連接。上述晶片與引腳的連接，也可如圖6所示，使用若干金屬連接平板180將晶片150 分別與引腳120和引腳130連接來實現。其中，所述的金屬連接平板180是利用點膠形成的粘接材料(例如焊膏或環氧樹脂)分別與晶片150以及引腳120、引腳130結合連接。隨後，如圖7所示，對引線框架100進行塑封成型，將其封裝在塑封體170內，以完成封裝程序。上述晶片與引腳的連接，還可以如圖8所示，使用金屬引線160將晶片150與引腳 120連接，並同時使用金屬連接平板180將晶片150與引腳130連接。其中，所述的金屬引線160利用引線結合技術分別與晶片150以及引腳120結合連接；而所述的金屬連接平板 180則利用點膠形成的粘接材料(例如焊膏或環氧樹脂)分別與晶片150以及引腳130結合連接。隨後，如圖9所示，對引線框架100進行塑封成型，將其封裝在塑封體170內，以完成封裝程序。但是，上述所描述的利用點膠方式形成的粘接材料粘接晶片和引線框架，存在以下缺點1、在相同的封裝尺寸中，由於採用點膠方式在載片臺上先鋪設形成粘接材料(焊膏或環氧樹脂)，當其上貼附並粘接晶片後，該粘接材料會從晶片周圍溢出，基於該無法避免的溢出效應，將會限制被封裝的晶片尺寸大小。
2、在載片臺上通過點膠鋪設來形成用於粘接晶片的粘接材料(焊膏或環氧樹脂)，這種方式會導致所形成的粘接材料的厚度並不均勻一致，由此會使得貼附粘接在其上的晶片產生傾斜的情況。3、採用焊膏或環氧樹脂作為粘接材料將晶片粘接到載片臺上後，會產生很高的應力，極容易導致晶片產生裂紋，影響晶片的可靠性。4、採用焊膏作為粘接材料將晶片粘接到載片臺上後，還需要在氮氣或者在氮氣及氫氣的混合氣體的環境下進行回流焊。5、在粘接晶片的過程中，若採用焊膏或者共晶材料作為粘接材料，需要較高的工藝操作溫度，這會導致引線框架快速氧化。鑑於上述，非常有必要提出一種新的半導體封裝及方法，通過改善現有的晶片粘接技術，以克服所述的缺點，從而提高產品的質量和生產效率。
發明內容
本發明的目的是提供一種通過印刷粘接材料封裝的半導體器件及其製造方法，其通過改善現有的晶片粘接技術，克服現有技術所存在的缺陷，使得產品的質量和生產效率得以提高。為了達到上述目的，本發明的技術方案是提供一種通過印刷粘接材料封裝的半導體器件，其特徵在於，包含第一引線框架，其設有電性隔離的第一載片臺、第二載片臺；半導體晶片，通過在其頂面的若干頂部電極上印刷形成的、導電的第一印刷粘接材料固定貼附於第一載片臺和第二載片臺上；設置在第二引線框架上的第三載片臺，通過在其頂面印刷形成的、導電的第二印刷粘接材料固定貼附於上述半導體晶片底面的若干底部電極上。上述第一載片臺、第二載片臺上分別設有若干引腳，將粘接固定在上述第一載片臺、第二載片臺上的上述半導體晶片的若干頂部電極與外部元器件連通。上述粘接固定在上述半導體晶片底面的第三載片臺上設有若干引腳，將上述半導體晶片的若干底部電極與外部元器件連通。上述半導體晶片的若干頂部電極上分別包含若干區域的、通過印刷形成的上述第一印刷粘接材料。上述在半導體晶片頂面印刷形成的上述第一印刷粘接材料具有與上述頂部電極相同或不同的形狀。上述在半導體晶片頂面印刷形成的上述第一印刷粘接材料的尺寸等於或小於上述頂部電極的面積。上述第三載片臺頂面印刷形成的上述第二印刷粘接材料尺寸與上述半導體晶片面積相等。上述第三載片臺頂面印刷形成的上述第二印刷粘接材料尺寸與上述半導體晶片面積不相等。上述通過印刷粘接材料封裝的半導體器件，還包含塑封體，其將上述第一載片臺、 第二載片臺、半導體晶片、第三載片臺封裝在其內部，使上述第一載片臺、第二載片臺、第三載片臺上分別設有的若干引腳暴露在上述塑封體外。上述第三載片臺的底面還設有散熱焊盤，上述散熱焊盤暴露在上述塑封體外。一種通過印刷粘接材料封裝的半導體器件的製造方法，其特徵在於，包含以下步驟步驟1. 1在晶圓頂面上印刷導電的第一印刷粘接材料；步驟1. 2高溫固化第一印刷粘接材料；步驟2. 1在第三載片臺頂面上印刷導電的第二印刷粘接材料；步驟2. 2高溫固化第二印刷粘接材料步驟3.高溫下將半導體晶片頂面通過第一印刷粘接材料，同時粘接到第一載片臺和第二載片臺上；步驟4.高溫下將第三載片臺通過第二印刷粘接材料粘接至半導體晶片底面；步驟5.高溫下對第一印刷粘接材料、第二印刷粘接材料進行高溫固化；步驟6.將第一載片臺、第二載片臺、半導體晶片、第三載片臺封裝在塑封體內。上述步驟1是利用絲網或網板印刷技術對晶圓進行印刷，一次完成一片晶圓的印刷，具體包含以下步驟步驟1. 1. 1在絲網或網板上開設若干開口 ；其中，上述若干開口的數量和位置，分別對應該片晶圓頂面需要設置第一印刷粘接材料的頂部電極的數量和位置；步驟1. 1. 2在上述各個開口中印刷形成第一粘接材料；其中，上述第一粘接材料的厚度是由上述絲網或網板上開口的厚度決定。上述步驟1. 1. 1中若干開口具有與上述頂部電極相同或不同的形狀。上述步驟1. 1. 1中若干開口的尺寸等於或小於上述頂部電極的面積。上述步驟1還包含對晶圓進行劃分以及切割操作，形成若干獨立的半導體晶片的步驟1.3。上述步驟2. 1是利用絲網或網板印刷技術對第二引線框架上的第三載片臺頂面進行印刷，一次完成一條第二引線框架的印刷，具體包含以下步驟步驟2. 1. 1在絲網或網板上開設若干開口 ；其中，上述若干開口的數量和位置，分別對應該條第二引線框架上需要設置第二印刷粘接材料的第三載片臺的數量和位置；步驟2.1.2在上述各個開口中印刷形成第二粘接材料；其中，上述第二粘接材料的厚度是由上述絲網或網板上開口的厚度決定。上述步驟2. 1. 1中若干開口的尺寸等於或小於在上述步驟4中第三載片臺貼附的上述半導體晶片的面積。上述步驟1. 2及步驟2. 2中上述固化溫度為110°C 130°C ；上述步驟3中將上述半導體晶片粘接到上述第一載片臺和第二載片臺、上述步驟 4中將上述第三載片臺粘接到上述半導體晶片時的溫度在95°C 130°C ；上述步驟5中對第一印刷粘接材料和第二印刷粘接材料的固化溫度是175°C。在上述步驟6中封裝前，還包含在整條第二引線框架的第三載片臺底面黏貼薄膜的步驟；上述薄膜黏貼在上述散熱焊盤上及上述第一載片臺、第二載片臺、第三載片臺分別設有的若干引腳上。本發明所提供的通過印刷粘接材料封裝的半導體器件及其製造方法，通過分別在半導體晶片和第三載片臺上印刷粘接材料來連接，該粘接材料的大小、形狀、厚度根據所需晶片表面的電性能和粘接區域來決定；而不需要利用傳統點膠或點焊錫進行連接，故本發明所述的半導體封裝具有以下優點1、在相同的封裝尺寸中，由於採用了在載片臺上印刷粘接材料的方法，當晶片貼附並粘接後，不會發生粘接材料在晶片周圍溢出的情況，故可以實現最大面積的晶片(即該晶片的尺寸和載片臺相同)的封裝。2、通過印刷方式而形成的粘接材料，厚度均勻一致，有效減少晶片貼附後的傾斜，
成品率較高。3、採用具有印刷特性的粘接材料，相比於現有技術中採用的焊膏或普通環氧樹脂等粘接材料，在晶片粘接至載片臺上後，所產生的應力也相對較低，減少晶片的裂紋；並且該具有印刷特性的粘接材料具有良好的導電率和導熱性。4、採用具有印刷特性的粘接材料，在粘接晶片的過程中，相比於現有技術，所需的工藝操作溫度相對低，因此引線框架的氧化過程緩慢。5、在印刷粘接材料後，可直接在線固化粘接材料，生產連續且快速，有效提高生產效率。綜上，本發明提供的半導體封裝及其製造方法，能有效改善半導體產品的質量和性能，提高生產效率。
圖1至圖9是現有技術中利用點膠粘接方式封裝半導體器件的步驟示意圖；圖IOa至圖1 是本發明提供的通過印刷粘接材料封裝的半導體器件的製造方法的步驟示意圖；圖IOb至圖14b是對應圖IOa至圖14a本發明提供的通過印刷粘接材料封裝的半導體器件的製造方法的步驟側視圖；圖15是本發明提供的通過印刷粘接材料封裝的半導體器件中MOSFET晶片的示意圖；圖16至圖19是本發明提供的通過印刷粘接材料封裝的半導體器件的製造方法中在MOSFET晶片上塗覆第一印刷粘接材料的若干結構示意圖；圖20是本發明提供的通過印刷粘接材料封裝的半導體器件的製造方法中在第三載片臺上塗覆第二印刷粘接材料的結構示意圖；圖21是本發明提供的通過印刷粘接材料封裝的半導體器件的製造方法的流程示意圖。
具體實施例方式以下結合附圖，通過優選的具體實施例，詳細說明本發明。本發明所提供的半導體封裝及製造方法，可適用於所有的半導體晶片，包括功率 MOSFET及IC晶片等等。在以下所提供的各具體實施例的詳細描述中，以功率MOSFET晶片
8為例來詳細說明本發明對功率MOSFET晶片的封裝方法；另外，在所述的實施例中，以具有印刷特性的粘接材料(為與背景技術中所採用的不具備印刷特性的普通粘接材料顯示區別，避免混淆，以下簡稱「印刷粘接材料」)為例，作為本發明封裝方法中所採用的通過印刷形成的粘接材料，從而更好的理解本發明的各項優點及有益效果。但應當注意的是，這些具體描述及實例並非用來限制本發明的範圍。如圖13所示，是本發明提供的一種通過印刷粘接材料封裝的半導體器件，其包含設置在第一引線框架10上的第一載片臺11和第二載片臺12，通過設置第一印刷粘接材料 31貼附在第一載片臺11和第二載片臺12上的半導體晶片20，和通過設置的第二印刷粘接材料32貼附在半導體晶片20上的第三載片臺13，該第三載片臺13設置在第二引線框架上。其中第一載片臺11和第二載片臺12相互電性隔離用來承載半導體晶片20，還分別設有若干引腳延伸至第一引線框架10外，作為柵極引腳G或源極引腳S用來與外部元器件連接。如圖10所示，在本實施例中，設第一載片臺11的引腳為柵極引腳G、第二載片臺 12的若干引腳為源極引腳S，該柵極引腳G和源極引腳S延伸在第一引線框架10下表面的同一側。請配合參見圖15到圖19所示，上述半導體晶片20是MOSFET晶片，其包含設置在頂面的頂部柵極21和頂部源極22 (圖15所示)，以及設置在其底面的底部漏極(圖中未示)。半導體晶片20通過分別在頂部柵極21和頂部源極22上印刷形成導電型的第一印刷粘接材料311、322，固定貼附在第一載片臺11和第二載片臺12上，使頂部柵極21和頂部源極22能分別通過第一載片臺11的柵極引腳G、第二載片臺12的源極引腳S與外部元器件連接。第一印刷粘接材料31的形狀尺寸和厚度均可根據需要確定。半導體晶片20的頂部柵極21和頂部源極22上分別印刷形成的單個區域的第一印刷粘接材料311、312，可以是具有與頂部柵極21和頂部源極22相同形狀和大小尺寸的(圖中未示)，也可以是印刷尺寸小於頂部柵極21或頂部源極22面積的第一印刷粘接材料311、312 (如圖16所示)。在本發明的又一實施例中，在半導體晶片20的頂部柵極21上包含印刷形成的單個區域、相同形狀的，尺寸相同或小於頂部柵極21的第一印刷粘接材料311，而在頂部源極 22上印刷形成2個或更多個橫向區域的第一印刷粘接材料312(如圖17所示)；也可以是在頂部源極22上印刷形成2個或更多個縱向區域的第一印刷粘接材料312(如圖18所示)。又或者，在本發明的另一實施例中，如圖19所示，在半導體晶片20的頂部柵極21 上通過印刷形成了單個區域的圓形且尺寸小於頂部柵極21的第一印刷粘接材料311，而在頂部源極22上設有單個區域的圓形或橢圓形、尺寸小於頂部源極22的第一印刷粘接材料 312。如圖12或圖20所示，上述第三載片臺13的頂面設有導電型的第二印刷粘接材料 32，並通過該第二印刷粘接材料32固定貼附在半導體晶片20的底部漏極上。該第二印刷粘接材料32的印刷面積和厚度根據需要確定，具有與半導體晶片20相同或不同的形狀，以及相同、稍小或稍大一點的尺寸，只要該第二印刷粘接材料32的尺寸大小和厚度能保證具有足夠的粘接區域，以將第三載片臺13牢固粘接至半導體晶片20上而不發生脫落即可。第三載片臺13上還設置有若干引腳延伸至第二引線框架外，在本實施例中，設該若干引腳為漏極引腳D，如圖12和圖13所示，上述若干漏極引腳D延伸在第二引線框架下表面、與上述柵極引腳G、源極引腳S相對的一側。半導體晶片20的底部漏極通過第三載片臺13的漏極引腳D與外部元器件連接。上述半導體器件還包含塑封體40，用於將第一載片臺11、第二載片臺12、半導體晶片20、第三載片臺13封裝在其內部。封裝時使柵極引腳G、源極引腳S暴露在該塑封體 40的底面同一側，而漏極引腳D暴露在底面的相對一側；同時還使第三載片臺13設有的散熱焊盤131暴露在塑封體40的底部，用於對半導體晶片20進行散熱。如圖21所示，詳細介紹了上述通過印刷粘接材料封裝的半導體器件的製造方法， 圖IOa到圖1 是對應上述封裝步驟的半導體器件的正視圖，圖IOb到圖14b是對應上述各步驟的半導體器件的側視圖。如圖10所示，在第一引線框架10上設置相互電絕緣的第一載片臺11和第二載片臺12，使第一載片臺11的柵極引腳G、第二載片臺12的若干源極引腳S分別延伸至第一引線框架10外同一側與外部器件連接。之後，在半導體晶片20上印刷形成第一印刷粘接材料31，具體通過以下步驟實現首先在絲網或網板上開設若干對開口，其對應整個晶圓表面上的若干個半導體晶片20。若干對開口的位置與MOSFET頂面需要第一印刷粘接材料31的頂部柵極21和頂部源極22的位置相同，開口可以分別是與頂部柵極21或頂部源極22有相同或不同的形狀， 有相同或稍小一些的尺寸。隨後，印刷整個晶圓的一面，在上述若干對開口中形成第一印刷粘接材料31。所述的第一印刷粘接材料31的厚度是由開口的厚度決定，也就是由絲網或者網板的厚度決定， 其決定了最終製造完成的半導體器件的電性能和結合強度；當該第一印刷粘接材料31的厚度越薄時，半導體器件的電阻越小，具有越好的電性能，但當該第一印刷粘接材料31的厚度過於薄時，其也將因結合強度不夠而容易發生碎裂的情況，所以一般情況下，該第一印刷粘接材料31的厚度在25 μ m左右或略小於25 μ m,在保證半導體器件具有相對較好電性能的同時，也保證其具有一定的結合強度(約為2 3kg)。再對所形成的第一印刷粘接材料31進行1小時左右的高溫固化，固化溫度為 110°C 130°C。最後切割整個晶圓以形成若干個獨立的、在其頂部柵極21和頂部源極22 上分別設有第一印刷粘接材料31的半導體晶片20。如圖11所示，將半導體晶片20的頂部柵極21和頂部源極22向下，同時倒裝到第一載片臺11和第二載片臺12上，使頂部柵極21與第一載片臺11固定連接、頂部源極22 和第二載片臺12連接。在倒裝晶片20的過程中，需要對第一載片臺11和第二載片臺12進行加熱在 95°C 130°C (最好是120°C)的高溫下將晶片20通過第一印刷粘接材料31同時貼附至第一引線框架10的第一載片臺11和第二載片臺12上，所需時間大約為200ms，所需壓力與 MOSFET晶片20的尺寸大小相關，一般單位面積上的壓力是85g/mm2。如圖20所示，用與上述印刷半導體晶片20相類似的步驟，在第三載片臺13上印刷形成第二印刷粘接材料32。即通過在絲網或網板上開設若干開口，與整條第二引線框架上的若干個第三載片臺13位置相對應；根據不同需要，將開口設為具有與之後要貼附連接的MOSFET晶片20相同或不同的形狀，相同、稍小或稍大一點的尺寸。然後印刷整條第二引線框架，在上述若干開口中形成厚度與開口厚度(即絲網或網板上厚度)相同的第二印刷粘接材料32，再進行1小時、110°C 130°C的高溫固化，得到一面塗覆有第二印刷粘接材料 32的第三載片臺13。如圖12所示，以95°C 130°C (最好是120°C )的高溫加熱第三載片臺13，在單位面積85g/mm2的壓力下，時間200ms後，即能將第三載片臺13通過第二印刷粘接材料32 固定貼附在半導體晶片20的底部漏極上，使第三載片臺13上設有的漏極引腳D延伸在第二引線框架外、與第一載片臺11的柵極引腳G、第二載片臺12的源極引腳S相對的一側。 隨後在烤箱中以175°C進行1小時的固化。如圖13所示，並通過塑封體40對第一載片臺11、第二載片臺12、半導體晶片20、 第三載片臺13進行封裝，使第一載片臺11的柵極引腳G、第二載片臺12的源極引腳S、暴露在該塑封體40的底面一側，而第三載片臺13的漏極引腳D暴露在底面的相對一側。如圖14所示，由於第三載片臺13還需要通過暴露在塑封體40的底部的散熱焊盤 131對半導體晶片20進行散熱，該散熱焊盤131設置在第三載片臺13的底面，即沒有塗覆第二印刷粘接材料32的一面。因此在封裝前，需要在整條第二引線框架背面相應位置黏貼薄膜，以防止封裝時塑封體40流到暴露的散熱焊盤131和上述暴露的柵極引腳G、源極引腳 S、漏極引腳D上。最後對整條的第一、第二引線框架切割，以形成若干個獨立的半導體器件。由於在通過印刷粘接材料封裝的半導體器件的製造過程中沒有使用任何點膠或點焊錫進行連接， 完全避免了上述現有連接技術所存在的缺陷，使得產品的質量和生產效率得以提高。儘管本發明的內容已經通過上述優選實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在本領域技術人員閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的權利要求來限定。
權利要求
1.一種通過印刷粘接材料封裝的半導體器件，其特徵在於，包含第一引線框架(10)，其設有電性隔離的第一載片臺(11)、第二載片臺(12)； 半導體晶片(20)，通過在其頂面的若干頂部電極上印刷形成的、導電的第一印刷粘接材料(31)固定貼附於第一載片臺(11)和第二載片臺上(12)；設置在第二引線框架上的第三載片臺(13)，通過在其頂面印刷形成的、導電的第二印刷粘接材料(3 固定貼附於所述半導體晶片00)底面的若干底部電極上。
2.如權利要求1所述通過印刷粘接材料封裝的半導體器件，其特徵在於，所述第一載片臺(11)、第二載片臺(1 上分別設有若干引腳，將粘接固定在所述第一載片臺(11)、第二載片臺(12)上的所述半導體晶片00)的若干頂部電極與外部元器件連通。
3.如權利要求1所述通過印刷粘接材料封裝的半導體器件，其特徵在於，所述粘接固定在所述半導體晶片OO)底面的第三載片臺(13)上設有若干引腳，將所述半導體晶片 (20)的若干底部電極與外部元器件連通。
4.如權利要求1所述通過印刷粘接材料封裝的半導體器件，其特徵在於，所述半導體晶片OO)的若干頂部電極上分別包含若干區域的、通過印刷形成的所述第一印刷粘接材料(31)。
5.如權利要求1所述通過印刷粘接材料封裝的半導體器件，其特徵在於，所述在半導體晶片OO)頂面印刷形成的所述第一印刷粘接材料(31)具有與所述頂部電極相同或不同的形狀。
6.如權利要求1所述通過印刷粘接材料封裝的半導體器件，其特徵在於，所述在半導體晶片OO)頂面印刷形成的所述第一印刷粘接材料(31)的尺寸等於或小於所述頂部電極的面積。
7.如權利要求1所述通過印刷粘接材料封裝的半導體器件，其特徵在於，所述第三載片臺(13)頂面印刷形成的所述第二印刷粘接材料(32)尺寸與所述半導體晶片OO)面積相等。
8.如權利要求1所述通過印刷粘接材料封裝的半導體器件，其特徵在於，所述第三載片臺(13)頂面印刷形成的所述第二印刷粘接材料(32)尺寸與所述半導體晶片OO)面積不相等。
9.如權利要求1所述通過印刷粘接材料封裝的半導體器件，其特徵在於，還包含塑封體(40)，其將所述第一載片臺(11)、第二載片臺(12)、半導體晶片(20)、第三載片臺(13) 封裝在其內部，使所述第一載片臺(11)、第二載片臺(12)、第三載片臺(1 上分別設有的若干引腳暴露在所述塑封體GO)夕卜。
10.如權利要求9所述通過印刷粘接材料封裝的半導體器件，其特徵在於，所述第三載片臺(1 的底面還設有散熱焊盤(131)，所述散熱焊盤(131)暴露在所述塑封體GO)夕卜。
11.一種通過印刷粘接材料封裝的半導體器件的製造方法，其特徵在於，包含以下步驟步驟1. 1在晶圓頂面上印刷導電的第一印刷粘接材料(31)； 步驟1. 2高溫固化第一印刷粘接材料(31)；步驟2. 1在第三載片臺(1 頂面上印刷導電的第二印刷粘接材料(32)； 步驟2. 2高溫固化第二印刷粘接材料(32)步驟3.高溫下將半導體晶片00)頂面通過第一印刷粘接材料(31)，同時粘接到第一載片臺(11)和第二載片臺(12)上；步驟4.高溫下將第三載片臺(1 通過第二印刷粘接材料(3 粘接至半導體晶片 (20)底面；步驟5.高溫下對第一印刷粘接材料(31)、第二印刷粘接材料(3 進行高溫固化； 步驟6.將第一載片臺(11)、第二載片臺(12)、半導體晶片(20)、第三載片臺(13)封裝在塑封體(40)內。
12.如權利要求11所述通過印刷粘接材料封裝的半導體器件的製造方法，其特徵在於，所述步驟1是利用絲網或網板印刷技術對晶圓進行印刷，一次完成一片晶圓的印刷，具體包含以下步驟步驟1. 1. 1在絲網或網板上開設若干開口 ；其中，所述若干開口的數量和位置，分別對應該片晶圓頂面需要設置第一印刷粘接材料(31)的頂部電極的數量和位置；步驟1. 1. 2在所述各個開口中印刷形成第一粘接材料(31)；其中，所述第一粘接材料(31)的厚度是由所述絲網或網板上開口的厚度決定。
13.如權利要求12所述通過印刷粘接材料封裝的半導體器件的製造方法，其特徵在於，所述步驟1.1.1中若干開口具有與所述頂部電極相同或不同的形狀。
14.如權利要求12所述通過印刷粘接材料封裝的半導體器件的製造方法，其特徵在於，所述步驟1. 1. 1中若干開口的尺寸等於或小於所述頂部電極的面積。
15.如權利要求11所述通過印刷粘接材料封裝的半導體器件的製造方法，其特徵在於，所述步驟1還包含對晶圓進行劃分以及切割操作，形成若干獨立的半導體晶片00)的步驟1.3。
16.如權利要求11所述通過印刷粘接材料封裝的半導體器件的製造方法，其特徵在於，所述步驟2. 1是利用絲網或網板印刷技術對第二引線框架上的第三載片臺(1 頂面進行印刷，一次完成一條第二引線框架的印刷，具體包含以下步驟步驟2. 1. 1在絲網或網板上開設若干開口 ；其中，所述若干開口的數量和位置，分別對應該條第二引線框架上需要設置第二印刷粘接材料(3 的第三載片臺(1 的數量和位置；步驟2. 1.2在所述各個開口中印刷形成第二粘接材料(32)；其中，所述第二粘接材料(3 的厚度是由所述絲網或網板上開口的厚度決定。
17.如權利要求16所述通過印刷粘接材料封裝的半導體器件的製造方法，其特徵在於，所述步驟2. 1. 1中若干開口的尺寸等於或小於在所述步驟4中第三載片臺(13)貼附的所述半導體晶片00)的面積。
18.如權利要求11所述通過印刷粘接材料封裝的半導體器件的製造方法，其特徵在於，所述步驟1. 2及步驟2. 2中所述固化溫度為110°C 130°C ； 所述步驟3中將所述半導體晶片OO)粘接到所述第一載片臺(11)和第二載片臺 (12)、所述步驟4中將所述第三載片臺(13)粘接到所述半導體晶片時的溫度在95°C 130 0C ；所述步驟5中對第一印刷粘接材料(31)、第二印刷粘接材料(3 的固化溫度是 175°C。
19.如權利要求11所述通過印刷粘接材料封裝的半導體器件的製造方法，其特徵在於，在所述步驟6中封裝前，還包含在整條第二引線框架的第三載片臺(1 底面黏貼薄膜的步驟；所述薄膜黏貼在所述散熱焊盤(131)上及所述第一載片臺(11)、第二載片臺(12)、 第三載片臺(13)分別設有的若干引腳上。
全文摘要
一種通過印刷粘接材料封裝的半導體器件，其特徵在於，包含第一引線框架，其設有電性隔離的第一載片臺、第二載片臺；半導體晶片，通過在其頂面的若干頂部電極上印刷形成的、導電的第一印刷粘接材料固定貼附於第一載片臺和第二載片臺上；設置在第二引線框架上的第三載片臺，通過在其頂面印刷形成的、導電的第二印刷粘接材料固定貼附於上述半導體晶片底面的若干底部電極上。其中，所述的印刷粘接材料的大小、形狀和厚度根據實際需要確定，或者由相粘接的半導體晶片與載片臺的接觸區域決定。本發明所提供的半導體封裝，利用印刷形成粘接材料的特點，克服了現有技術中存在的明顯缺點和不足，能有效改善半導體產品的質量和性能，提高生產效率。
文檔編號H01L23/495GK102315186SQ20101022681
公開日2012年1月11日 申請日期2010年6月30日 優先權日2010年6月30日
發明者張曉天, 魯軍 申請人:萬國半導體股份有限公司