具有改善的壽命、鈍化和/或效率的太陽能電池的製作方法

2023-09-21 17:14:10 1

背景技術：
：光伏(pv)電池(常被稱為太陽能電池)是用於將太陽輻射轉換為電能的裝置。一般來講，照射在太陽能電池基板表面上並進入基板中的太陽輻射在基板主體中形成電子和空穴對。電子和空穴對遷移至基板中的p摻雜區和n摻雜區，從而在摻雜區之間形成電壓差。摻雜區連接到太陽能電池上的導電區，以將電流從電池引導至外部電路。當pv電池組合在諸如pv模塊的陣列中時，從所有pv電池收集的電能可以按串聯布置方式和並聯布置方式組合，以提供具有某一電壓和電流的電源。效率是太陽能電池的重要特性，因為其直接關係到太陽能電池的發電能力。因此，通常需要用於改進太陽能電池的製造工藝、降低其製造成本以及提高其效率的技術。附圖說明圖1示出了根據一些實施方案的製造太陽能電池的示例性方法的流程示意圖；圖2-圖4示出了根據一些實施方案的在圖1的製造過程期間的示例性太陽能電池的剖視圖。圖5示出了根據一些實施方案的示例性太陽能電池的剖視圖。圖6示出了根據一些實施方案的另一個示例性太陽能電池的剖視圖。圖7示出了根據一些實施方案的又一個示例性太陽能電池的剖視圖。圖8示出了根據一些實施方案的示例性表面鈍化測量值的圖表。圖9示出了根據一些實施方案的示例性1/壽命測量值的圖表。圖10示出了根據一些實施方案的示例性效率測量值的圖表。具體實施方式以下具體實施方式在本質上只是說明性的，而並非意圖限制本申請的主題的實施方案或此類實施方案的用途。如本文所用，詞語「示例性」意指「用作示例、實例或舉例說明」。本文描述為示例性的任何實施方式未必理解為相比其他實施方式為優選的或有利的。此外，並不意圖受前述
技術領域：
、
背景技術：
、技術實現要素：或以下具體實施方式中提出的任何明示或暗示的理論的約束。本說明書包括提及「一個實施方案」或「實施方案」。短語「在一個實施方案中」或「在實施方案中」的出現不一定是指同一實施方案。特定的特徵、結構或特性可以任何與本公開一致的合適方式加以組合。術語。以下段落提供存在於本公開(包括所附權利要求書)中的術語的定義和/或語境：「包括」。該術語是開放式的。如在所附權利要求書中所用，該術語並不排除其他結構或步驟。「被配置為」。各個單元或部件可被描述或聲明成「被配置為」執行一項或多項任務。在這樣的語境下，「被配置為」用於通過指示該單元/部件包括在操作期間執行一項或多項那些任務的結構而暗示結構。因此，即使當指定的單元/部件目前不在操作(例如，未開啟/激活)時，也可將該單元/部件說成是被配置為執行任務。詳述某一單元/電路/部件「被配置為」執行一項或多項任務明確地意在對該單元/部件而言不援用35u.s.c.§112第六段。「第一」、「第二」等。如本文所用的這些術語用作其之後的名詞的標記，而並不暗示任何類型的順序(例如，空間、時間、邏輯等)。例如，提及「第一」發射極區並不一定暗示該發射極區為某一序列中的第一個發射極區；而是術語「第一」用於將此發射極區與另一個發射極區(例如，「第二」發射極區)相區分。在實施方案中，發射極區可以是用於收集正和負電荷載流子的太陽能電池的摻雜區。在示例中，發射極區可以是摻雜多晶矽區。在一個示例中，發射極區可以是p型摻雜多晶矽區或n型摻雜多晶矽區。「基於」。如本文所用，該術語用於描述影響確定結果的一個或多個因素。該術語並不排除可影響確定結果的另外因素。也就是說，確定結果可以僅基於那些因素或至少部分地基於那些因素。考慮短語「基於b確定a」。儘管b可以是影響a的確定結果的因素，但此類短語並不排除a的確定結果也基於c。在其他實例中，a可以僅基於b來確定。「耦接」-以下描述是指元件或節點或特徵被「耦接」在一起。如本文所用，除非另外明確指明，否則「耦接」意指一個元件/節點/特徵直接或間接接合至另一個元件/節點/特徵(或直接或間接與其連通)，並且不一定是機械連接。此外，以下描述中還僅為了參考的目的使用了某些術語，因此這些術語並非意圖進行限制。例如，諸如「上部」、「下部」、「上方」和「下方」之類的術語是指附圖中提供參考的方向。諸如「正面」、「背面」、「後面」、「側面」、「外側」和「內側」之類的術語描述部件的某些部分在一致但任意的參照系內的取向和/或位置，通過參考描述所討論的部件的文字和相關的附圖可以清楚地了解所述取向和/或位置。這樣的術語可包括上面具體提及的詞語、它們的衍生詞語以及類似意義的詞語。在以下描述中，給出了許多具體細節，諸如具體的操作，以便提供對本公開的實施方案的透徹理解。對本領域的技術人員將顯而易見的是，可在沒有這些具體細節的情況下實施本公開的實施方案。在其他實例中，沒有詳細地描述熟知的技術，以避免不必要地使本公開的實施方案難以理解。本說明書首先描述了改善太陽能電池壽命、鈍化和/或效率的太陽能電池製造技術，接著描述了根據所公開的技術製造的示例性太陽能電池。全文提供了各種實施方案，隨後是所公開技術的示例性結果。現在轉到圖1，示出了根據一些實施方案的用於製造太陽能電池的方法。在各種實施方案中，圖1的方法可包括與圖示相比更多(或更少)的框。例如，在一些實施方案中，可以在步驟102之後但在框106的加熱步驟之前，加熱在框102處形成的矽區以形成多晶矽區。在100處，可以在太陽能電池的矽基板上形成電介質。在一些實施方案中，可在形成電介質區之前清潔、拋光、平面化和/或減薄或以其他方式處理矽基板。在實施方案中，矽基板可以是單晶或多晶矽基板。在實施方案中，矽基板可以是n型矽基板。在實施方案中，電介質可以是隧道氧化物。在一個實施方案中，電介質可以是二氧化矽。在實施方案中，電介質區可以通過熱處理生長和/或形成。在102處，可以在電介質區上方形成發射極區。在實施方案中，發射極區可以是非晶矽區。在一些實施方案中，非晶矽區可以在電介質區上方生長。在實施方案中，發射極區可以是多晶矽。在實施方案中，發射極區可以通過熱處理生長和/或形成。在示例中，非晶矽區可以在電介質區上方形成，並被加熱以形成多晶矽區。可以通過沉積處理來將發射極摻雜物區沉積在發射極區上方。發射極摻雜物區可以包括摻雜物，諸如正型摻雜材料(諸如硼)或負型摻雜材料(諸如磷)。雖然電介質區和/或發射極區被描述為分別通過熱處理生長或通過常規沉積處理沉積，但就此處描述或列舉的任何其他形成、沉積或生長處理步驟而言，每個層或物質可使用任何合適的處理形成。例如，凡是述及形成的地方，均可使用化學氣相沉積(cvd)過程、低壓cvd(lpcvd)、常壓cvd(apcvd)、等離子體增強cvd(pecvd)、熱生長、濺射以及任何其他所需的技術。因此，並且類似地，可通過沉積技術、植入處理、濺射或印刷處理，諸如噴墨列印或絲網印刷來在基板上形成發射極摻雜物區。在實施方案中，可以進行加熱處理以將摻雜物從發射極摻雜物區驅動到發射極區。在一個示例中，加熱處理可將摻雜物從發射極摻雜物區驅動到多晶矽區，以形成摻雜多晶矽區。在實施方案中，摻雜多晶矽區可以摻雜有諸如硼的p型摻雜物或諸如磷的n型摻雜物。在一個示例中，摻雜多晶矽區可以形成在交替的p型和n型區中。在一些實施方案中，加熱以將摻雜物從發射極摻雜物區驅動到發射極區可以在低於900攝氏度的溫度下進行。在104處，摻雜物區可以形成在矽基板的表面上方。在實施方案中，摻雜物區可以通過熱處理來生長和/或形成。在一個示例中，摻雜物區可以形成在表面上方，例如太陽能電池的正面上，並且隨後可以進行加熱處理以將摻雜物驅動到矽基板的一部分中。在實施方案中，如框106中所述，在加熱處理之後，矽基板的部分可以具有大約小於或等於2×1018cm-3的摻雜物濃度。在一個實施方案中，摻雜物區可以是n型摻雜物，例如磷。在實施方案中，矽基板的在其上方形成摻雜物區的表面可以是太陽能電池的正面、背面或正面和背面兩者。圖2示出了具有上文所述的電介質區、發射極區和摻雜物區的示例性太陽能電池。雖然摻雜物區被描述為分別通過熱處理生長或通過常規沉積處理沉積，但就此處描述或列舉的任何其他形成、沉積或生長處理步驟而言，每個層或物質可使用任何合適的處理形成。例如，凡是述及形成的地方，均可使用化學氣相沉積(cvd)過程、低壓cvd(lpcvd)、常壓cvd(apcvd)、等離子體增強cvd(pecvd)、熱生長、濺射以及任何其他所需的技術。圖2示出了根據一些實施方案的在形成電介質區、發射極區和摻雜物區之後的示例性太陽能電池。在實施方案中，電介質區210可形成在太陽能電池200的矽基板202上方。在實施方案中，電介質區210可以是隧道氧化物。在一個示例中，電介質區210可以是二氧化矽。在實施方案中，發射極區212可在電介質區210上形成。在實施方案中並如上所述，發射極區212可以是非晶矽或多晶矽。在實施方案中，發射極區212可以是摻雜多晶矽。在示例中，摻雜多晶矽可以是n型摻雜或p型摻雜多晶矽。在實施方案中，摻雜物區216可在矽基板202的表面204上形成。在實施方案中，可以形成摻雜物區216以摻雜表面204(例如，在下面的框106處)，從而排斥電荷載流子，並防止和/或減少太陽能電池200的表面204處的複合。在示例中，表面204可以在太陽能電池的正面和/或背面上。在一個示例中，摻雜物區216可以是n型摻雜物區，諸如磷。在實施方案中，摻雜物區216可具有正或負型摻雜物222。在實施方案中，矽基板202可具有汙染物和/或雜質220，例如金屬汙染物和/或金屬雜質，諸如鐵、鎳和/或鉻等。金屬雜質可能不利於太陽能電池的導電，因為這些雜質可能是複合的來源，從而導致壽命不長、表面鈍化和/或較低的太陽能電池效率。在實施方案中，雜質220可位於矽基板202的表面204處或附近。在實施方案中，雜質220可位於矽基板202內，如圖所示。如全文所提及的，汙染物和/或雜質可以互換使用。發射極區212(例如多晶矽區)可以是上述金屬雜質220的良好的接收槽和/或捕集器。可以使用吸雜處理來捕集發射極區212中的金屬雜質220，從而減少矽基板202內的複合並改善整個太陽能電池壽命。氧化物和/或隧道氧化物(諸如圖2的電介質區210)可能是將金屬雜質220吸到發射極區212的障礙。在一個示例中，在900攝氏度或更低的溫度下加熱可能不足以通過隧道氧化物使金屬雜質擴散並進入多晶矽區中。因此，在實施方案中，在高於900攝氏度的溫度下加熱可包括通過電介質區210(例如隧道氧化物)將金屬雜質220吸入發射極區212(例如多晶矽區域)中，如以下圖1的106處所詳述。在106處，可在高於900攝氏度的溫度下加熱太陽能電池。在實施方案中，加熱可將摻雜物從摻雜物區驅動到矽基板的一部分。在一個實施方案中，加熱可包括在矽基板上進行退火處理。在示例中，加熱可將摻雜物驅動到矽基板的位於表面上方的部分，如圖3所示。在一些實施方案中，該表面可在太陽能電池的正面、背面或正面和背面兩者上。在實施方案中，加熱可包括將汙染物(例如金屬雜質和/或金屬汙染物)從基板吸到發射極區。在示例中，金屬雜質和/或金屬汙染物可以是鐵、鎳和/或鉻等。在一個示例中，加熱可包括將太陽能電池放置在熱工具中，例如熱爐或烘箱等，並將熱工具中的溫度升高到975攝氏度或更高。在實施方案中，加熱可以是太陽能電池製造過程中最後的加熱步驟。在一個實施方案中，加熱可以是製造過程中唯一的加熱步驟。在一些實施方案中，可以在框106的加熱處理之前進行至少一個其他加熱步驟。在一個示例中，除了框106的加熱處理之外的其他加熱處理可包括將太陽能電池加熱到低於900攝氏度的溫度。在示例中，可在106處的加熱處理之前進行低於900攝氏度的加熱處理。在實施方案中，在106處進行的加熱可以在太陽能電池製造過程中進行的其他加熱步驟中的最高溫度下進行。圖3示出了上文所述的加熱處理。圖3示出了根據一些實施方案加熱圖2的太陽能電池。在實施方案中，加熱230可包括將太陽能電池200加熱到900攝氏度以上。在示例中，加熱可包括將太陽能電池200放置到熱工具中，例如熱爐或烘箱等，並將熱工具內的溫度升高到975攝氏度或更高。在實施方案中，加熱230可將摻雜物222從摻雜物區216驅動234到矽基板202的一部分206。在示例中，矽基板202的部分206的摻雜物濃度在加熱之後可以大約小於或等於2×1018cm-3。在實施方案中，矽基板202的部分206可以在矽基板202的表面204上方，如圖所示。在實施方案中，加熱230可將汙染物220從矽基板202的表面204或附近和/或從矽基板202內吸到232發射極區212。在實施方案中，加熱230可將汙染物220通過電介質區210吸到232發射極區212。在108處，可在矽基板上方形成金屬觸點。在實施方案中，金屬觸點可形成在發射極區上。在一些實施方案中，可通過金屬化處理來形成金屬觸點。在一個示例中，金屬化處理可包括將金屬觸點鍍覆和/或電鍍到發射極區。在一些實施方案中，可通過印刷和/或箔基金屬化技術來形成金屬觸點。圖4示出了形成金屬觸點之後的示例性矽基板。圖4還示出了例如可在太陽能電池的正面或背面上的單個金屬觸點。在實施方案中，可存在多個金屬觸點。在示例中，可以交叉圖案形成正金屬觸點和負金屬觸點。參見圖4，其示出了根據一些實施方案的形成金屬觸點之後的圖3太陽能電池。在實施方案中，金屬觸點242可形成在發射極區212上，例如在矽基板202上方。在示例中，可通過電鍍處理、印刷處理或箔基金屬化處理等形成金屬觸點242。在實施方案中，金屬觸點242可以是正金屬觸點或負金屬觸點。如圖4所示，示出了例如可在太陽能電池的正面或背面上的單個金屬觸點。在示例中，可存在多個金屬觸點，例如一些為正的，並且另一些為負的。在一個實施方案中，矽基板202可具有在圖3的加熱230之後剩餘的一些雜質221。圖5示出了根據一些實施方案的由圖1-圖4的方法形成的太陽能電池的一部分的橫截面。太陽能電池300可具有在正常操作期間面向太陽的正面301和與正面301相背對的背面303。太陽能電池300可包括矽基板302。在實施方案中，矽基板302可以是n型矽基板。在實施方案中，矽基板302的一部分306可具有大約小於或等於2×1018cm-3的摻雜濃度322。太陽能電池300可具有在矽基板302上方形成的電介質區310。在實施方案中，電介質310可以是隧道氧化物。在一些實施方案中，電介質區310可以是二氧化矽。在實施方案中，太陽能電池300可具有第一發射極區和第二發射極區312,314。在示例中，第一發射極區和第二發射極區312,314可分別為p型摻雜多晶矽區和n型摻雜多晶矽區。在示例中，雜質和/或汙染物320(例如金屬雜質320和/或金屬汙染物)可位於如圖所示的第一發射極區和第二發射極區312,314中。在一個實施方案中，矽基板302可具有在吸雜處理之後剩餘的一些雜質321。在實施方案中，太陽能電池300可具有分別形成在第一發射極區和第二發射極區312,314上的第一金屬觸點和第二金屬觸點342,344。在一些實施方案中，可形成溝槽區305，其可分割第一發射極區和第二發射極區312,314。在實施方案中，太陽能電池300可以在正面301上具有紋理表面304。在示例中，紋理表面304可以是可提供附加光吸收的表面。在實施方案中，矽基板302的部分306可形成在紋理表面304上方，如圖所示。在一些實施方案中，溝槽區305也可以紋理化，類似於紋理表面304，以便從太陽能電池300的背面303進行附加的光吸收。在一些實施方案中，可在太陽能電池300的紋理表面304上方形成抗反射區(arc)318。在一些實施方案中，抗反射區318可以是氮化矽。在實施方案中，太陽能電池300可以是背接觸太陽能電池，例如，如圖5和圖7所示。參照圖6，示出了根據一些實施方案的由圖1-圖4的方法形成的前接觸太陽能電池。太陽能電池400可具有在正常操作期間面向太陽的正面401和與正面401相背對的背面403。太陽能電池400可包括矽基板402。在實施方案中，矽基板402可以是n型矽基板。在實施方案中，矽基板402的一部分406可具有大約小於或等於2×1018cm-3的摻雜濃度422。太陽能電池400可具有形成在矽基板402上方的電介質410。在實施方案中，電介質410可以是隧道氧化物。在一些實施方案中，電介質410可以是二氧化矽。在實施方案中，太陽能電池400可具有第一發射極區和第二發射極區412,414。在一些實施方案中，第一發射極區412可以形成在太陽能電池400的背面403上，並且第二發射極區414可以形成在太陽能電池400的正面401上。在示例中，第一發射極區和第二發射極區412,414可以是p型摻雜多晶矽區和/或n型摻雜多晶矽區。在實施方案中，太陽能電池400可具有分別形成在第一發射極區和第二發射極區412,414上的第一金屬觸點和第二金屬觸點442,444。在實施方案中，太陽能電池400可以在正面401上具有紋理表面404。在示例中，紋理表面404可以是可提供附加光吸收的表面。在實施方案中，矽基板402的部分406可以在紋理表面404上方，如圖所示。在一些實施方案中，可在太陽能電池400的紋理表面404上方形成抗反射區(arc)418。在一些實施方案中，抗反射區418可以是氮化矽。在示例中，雜質和/或汙染物420(例如金屬雜質和/或汙染物)可位於第一發射極區和第二發射極區412,414中。在一個實施方案中，矽基板402可具有在吸雜處理之後剩餘的一些雜質421。圖7示出了根據一些實施方案的由圖1-圖4的方法形成的另一個太陽能電池。太陽能電池500可具有在正常操作期間面向太陽的正面501和與正面501相背對的背面503。太陽能電池500可包括矽基板502。在實施方案中，矽基板502可以是n型矽基板。在實施方案中，矽基板502的部分506可具有大約等於或小於2×1018cm-3的摻雜濃度522。太陽能電池500可具有在矽基板502上方形成的電介質區510。在實施方案中，電介質510可以是隧道氧化物。在實施方案中，電介質區510可以是二氧化矽。在實施方案中，太陽能電池500可具有第一發射極區和第二發射極區512,514。在示例中，第一發射極區和第二發射極區512,514可分別為p型摻雜多晶矽區和/或n型摻雜多晶矽區。在一個實施方案中，第二發射極區514可以至少部分地形成在第一發射極區512上方，如圖所示。在實施方案中，第二電介質區513可形成在第一發射極區512上方，例如，以將第一發射極區512與第二發射極區514絕緣。在一些實施方案中，第二電介質區513也可以是二氧化矽。在實施方案中，開口515可將第二發射極區514與第一金屬觸點542隔離。在一些實施方案中，可在太陽能電池500的背面501上方形成電介質區510和第二矽區514。在示例中，雜質和/或汙染物520(例如金屬雜質和/或汙染物)可位於第二發射極區512中，如圖所示。在示例中，金屬雜質520可以是鐵、鎳和/或鉻等。在一個實施方案中，矽基板502可具有在加熱處理之後剩餘的一些雜質521。在實施方案中，太陽能電池500可具有分別形成在第一發射極區和第二發射極區512,514上的第一金屬觸點和第二金屬觸點542,544。在一個實施方案中，太陽能電池500可具有正面501上的紋理表面504和/或背面503上的紋理表面550，如圖所示。在示例中，紋理表面504,550可以是可提供附加光吸收的表面。在實施方案中，矽基板502的部分506可以在紋理表面504上方，如圖所示。在一些實施方案中，抗反射區518可形成在太陽能電池500的紋理表面504上方。示例性工藝溫度表面摻雜物濃度吸雜位置表面鈍化壽命效率a≤900攝氏度2×1018cm-3非多晶矽2fa/cm2約3毫秒基線b≤900攝氏度4×1018cm-3非多晶矽5fa/cm2約10毫秒基線c>900攝氏度2×1018cm-3多晶矽2fa/cm2約10毫秒+0.5％絕對值d>900攝氏度4×1018cm-3多晶矽5fa/cm2約10毫秒基線表1.用於太陽能電池製造的示例性工藝現在轉到表1，該表列出了溫度和表面摻雜濃度以及輸出結果，諸如吸雜位置、表面鈍化、壽命和效率，例如製造太陽能電池的工藝。在表1的示例性工藝c中舉例說明了圖1-圖4的方法，其中矽基板表面或該表面附近的摻雜量為大約小於或等於2×1018cm-3，並且示例性工藝c的太陽能電池被加熱到高於900攝氏度的溫度。示例性工藝c的結果是在矽基板的多晶矽區中吸雜，與其他太陽能電池相比，表面鈍化提高了約5fa/cm2，延長了壽命，例如，典型值為約10微秒，並且效率增加了>0.5％(例如參考為基線效率)。相比之下，參考示例性工藝a，矽基板的表面或表面附近的部分的摻雜量大約小於或等於2×1018cm-3，將示例性工藝a的太陽能電池加熱至低於900攝氏度的溫度導致在太陽能電池的非多晶矽區中吸雜，表面鈍化良好，為約2fa/cm2，壽命短，例如典型值為約3微秒，並且與基線相比，效率增加不顯著，例如<0.5％。在另一個示例中，參考示例性工藝b，矽基板表面的摻雜量為大約4×1018cm-3，並且將示例性工藝b的太陽能電池加熱至低於900攝氏度的溫度導致在太陽能電池的非多晶矽區中吸雜，表面鈍化差，為大約5fa/cm2，壽命良好，例如，典型值為大約10微秒，並且與基線相比，效率增加不顯著，例如<0.5％。在另一個示例性比較中，在示例性工藝d中，矽基板表面的摻雜量為大約4×1018cm-3，將示例性工藝d的太陽能電池加熱至高於900攝氏度的溫度也導致在矽基板的多晶矽區中吸雜，但表面鈍化差，為大約5fa/cm2，壽命長，例如典型值為大約10微秒，並且與基線相比，效率增加不顯著，例如<0.5％。在所有示例性工藝a、b和d中，只有壽命或表面鈍化中的任一者有所改善，而示例性工藝c導致表面鈍化、壽命和效率均有所改善。參考圖8-圖10，其分別示出了使用表1的示例性工藝a和c的方法製造的太陽能電池的示例性表面鈍化、1/壽命和效率測量值。圖8-圖10的結果顯示，與示例性工藝a的太陽能電池相比，使用圖1-圖4的方法(例如示例性工藝c)製造的太陽能電池的表面鈍化、壽命和效率具有改善的表面鈍化、壽命和更高的效率測量值。圖8示出了使用表1的示例性工藝a和c製造的太陽能電池的表面鈍化測量值的圖表。如圖所示，與示例性工藝a相比，示例性工藝c具有更低的鈍化結果。更低的表面鈍化對於高效率太陽能電池而言是優選的。因此，與示例性工藝a相比，示例性工藝c具有改善的表面鈍化結果。參考圖9，其示出了使用表1的示例性工藝a和c製造的太陽能電池的1/壽命測量值的圖表。如圖所示，與示例性工藝a相比，示例性工藝c具有更長的壽命、更低的1/壽命結果。更長的壽命對於高效率太陽能電池而言是優選的。因此，與示例性工藝a相比，示例性工藝c具有改善的壽命結果。圖10示出了使用表1的示例性工藝a和c製造的太陽能電池的效率測量值的圖表。如圖所示，與示例性工藝a相比，示例性工藝c具有更高的效率結果。更高的太陽能電池效率轉換是優選的，以最大程度地從收集的光進行電轉化。因此，與示例性工藝a相比，示例性工藝c具有改善的效率結果。圖8-圖10的結果證明，與其他技術(例如示例性工藝a、b和d)相比，圖1-圖4的太陽能電池製造技術導致表面鈍化、壽命和效率的總體改善。儘管上面已經描述了具體實施方案，但即使相對於特定的特徵僅描述了單個實施方案，這些實施方案也並非旨在限制本公開的範圍。在本公開中所提供的特徵的示例旨在為說明性的而非限制性的，除非另有說明。以上描述旨在涵蓋將對本領域的技術人員顯而易見的具有本公開的有益效果的那些替代形式、修改形式和等效形式。本公開的範圍包括本文所(明示或暗示)公開的任何特徵或特徵組合，或其任何概括，不管其是否減輕本文所解決的任何或全部問題。因此，可以在本申請(或對其要求優先權的申請)的審查過程期間對任何此類特徵組合提出新的權利要求。具體地講，參考所附權利要求書，來自從屬權利要求的特徵可與獨立權利要求的那些特徵相結合，來自相應的獨立權利要求的特徵可以按任何適當的方式組合，而並非只是以所附權利要求中枚舉的特定形式組合。在實施方案中，太陽能電池具有在正常操作期間面向太陽的正面和與正面相背對的背面，太陽能電池包括矽基板上方的電介質區，其中矽基板的一部分具有大約小於或等於2×1018cm-3的摻雜濃度；在電介質區上方形成的具有金屬雜質的第一發射極區；以及在第一發射極區上方形成的第一金屬觸點。在一個實施方案中，第一發射極區和第一金屬觸點形成在太陽能電池的背面上。在一個實施方案中，第一發射極區和第一金屬觸點形成在太陽能電池的正面上。在一個實施方案中，矽基板的具有大約小於或等於2×1018cm-3的摻雜濃度的部分在太陽能電池的正面上。在一個實施方案中，第一發射極區為摻雜多晶矽區。在一個實施方案中，太陽能電池還包括在電介質區上方形成的具有金屬雜質的第二發射極區，以及在第二發射極區上方形成的第二金屬觸點。在一個實施方案中，第二發射極區至少部分地形成在第一發射極區上方。在一個實施方案中，第一發射極區和第一金屬觸點形成在太陽能電池的正面上，並且第二發射極區和第二金屬觸點形成在太陽能電池的背面上。在實施方案中，提供了製造太陽能電池的方法，該太陽能電池具有在正常操作期間面向太陽的正面和與正面相背對的背面，該方法包括在矽基板上形成電介質區，在電介質區上方形成第一發射極區，在矽基板的表面上形成摻雜物區，以及在高於900攝氏度的溫度下加熱矽基板，以將汙染物吸至發射極區並將摻雜物從摻雜物區驅動到矽基板的一部分。在一個實施方案中，該方法還包括在電介質區上方形成具有金屬雜質的第二發射極區，其中第一發射極區和第二發射極區形成在太陽能電池的背面上，以及在第二發射極區上方形成第二金屬觸點。在一個實施方案中，形成第二發射極區包括至少部分地在第一發射極區上方形成第二發射極區。在一個實施方案中，該方法還包括在低於900攝氏度的溫度下進行至少一個其他加熱步驟。在一個實施方案中，在加熱之前進行在低於900攝氏度的溫度下的至少一個其他加熱步驟。在一個實施方案中，形成第一發射極區包括形成多晶矽。在一個實施方案中，在矽基板表面上形成摻雜物區包括在矽基板的與第一發射極區相背對的表面上形成磷。在一個實施方案中，提供了製造太陽能電池的方法，該太陽能電池具有在正常操作期間面向太陽的正面和與正面相背對的背面，該方法包括在矽基板上形成電介質區，在正面上的電介質區上方形成具有金屬雜質的第一發射極區，在太陽能電池背面上的電介質區上方形成具有金屬雜質的第二發射極區，在矽基板的表面上形成摻雜物區，在高於900攝氏度的溫度下加熱矽基板，以將金屬汙染物吸至第一發射極區和第二發射極區並將摻雜物從第一摻雜物區驅動到矽基板的一部分，以及分別在第一發射極區和第二發射極區上方形成第一金屬觸點和第二金屬觸點。在一個實施方案中，該方法還包括在低於900攝氏度的溫度下進行至少一個其他加熱步驟。在一個實施方案中，在加熱之前進行在低於900攝氏度的溫度下的至少一個其他加熱步驟。在一個實施方案中，形成第一發射極區包括形成多晶矽。在一個實施方案中，在矽基板表面上形成摻雜物區包括在矽基板表面上形成磷。當前第1頁12