中性粒子束處理設備的製作方法
2023-09-19 14:38:50
專利名稱：中性粒子束處理設備的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種表面處理設備。更具體地，本發明涉及一種利用中性粒子束對基板的表面進行處理的中性粒子束處理設備。
背景技術：
等離子體是一組通過放電產生的帶電質子和電子，並且正在被廣泛應用於半導體製造工藝中的基板表面的處理，例如等離子體刻蝕和PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)。但是，等離子體處理方法的缺點在於等離子體是一種帶電粒子。例如，使用帶電粒子用於刻蝕經常會改變刻蝕斷面、損壞形成在基板上的電路、或導致可能損壞基板表面的電壓梯度。
為了克服由等離子體處理方法引起的這種問題，提出了使用中性粒子的系統。主要存在兩種技術來從等離子體產生中性粒子。一種是電荷交換，通過等離子體與氣體粒子的碰撞來產生中性粒子。另一種是通過等離子體與重金屬板的碰撞來產生中性粒子。作為前一種技術的示例，引用日本專利No.2,606,551和NO.2,842,344作為參考。然而，通過等離子體和氣體粒子之間的電荷交換產生的中性粒子的缺點在於中性粒子的變換效率較低且難以控制中性粒子的方向性和碰撞頻率。因此，認為通過等離子體體與重金屬板的碰撞來產生中性粒子的技術更為需要。
美國專利No.4,662,977公開了一種用於處理基板表面的中性粒子處理設備，包括等離子體槍，產生等離子體並將所產生的等離子體定向到預定方向；以及重金屬板，將等離子體離子轉換為中性粒子並將中性粒子重定向到基板。系統的優點在於解決了等離子體的缺點，但由於入射中性粒子束的較小橫截面，不適於處理具有8英寸或更大尺寸的基板的表面。
由本發明人遞交的WO 01/84611公開了一種用於利用中性粒子束來處理表面的設備，包括高頻電功率引入部分、等離子體產生部分、中性粒子產生部分和承載目標基板的處理部分。在該設備中，通過高頻電功率引入部分引入高頻電功率，利用高頻電功率將引入到等離子產生部分的氣體轉換為等離子體，通過等離子體與重金屬板的碰撞將在等離子體產生部分的內部產生的等離子體變換為中性粒子，並將如此產生的中性粒子用於處理基板的表面。中性粒子束處理設備的優點在於產生了均勻的等離子體，使得能夠處理具有相對較大面積的目標。未公開PCT申請PCT/KR03/02146公開了一種修改的中性粒子束處理設備，通過在重金屬板之內形成傾斜切口或傾斜孔以便提高與重金屬板碰撞的等離子體的數目，從而改進從等離子體到中性粒子束的轉換性能，並由此改進目標表面處理的效率。這裡，形成在重金屬板上的傾斜切口或傾斜孔保證了等離子體與重金屬板的碰撞，並防止等離子體和電子到達基板。例如，中性粒子束處理設備的優點在於，等離子體放電空間保證了具有較大面積的均勻等離子體產生，並且使由未轉換為中性粒子的等離子體離子和電子引起的效應最小化，並且產生了高度方向性的中性粒子束。然而，根據中性粒子束處理設備，在傾斜切口或傾斜孔中出現等離子體殼層並且幹擾了中性粒子的產生。換句話說，在傾斜切口或傾斜孔處形成的缺陷殼層阻斷了等離子體離子的方向，並且來自等離子體離子的大量中性粒子不能到達目標。
發明內容
技術目的作為發明人克服上述問題的深層研究的結果，可以發現一種系統是優選的，其中在用於產生中性粒子的裝置(具體地，重金屬板)和用於防止沒有被轉換為中性粒子的等離子體離子和電子到達基板的裝置(具體地，等離子體限制器)之間，設置了等離子體放電空間。本發明的第一目的在於提供一種中性粒子束處理設備，包括等離子體放電空間，其內部通過等離子體放電將處理氣體轉換為等離子體離子；重金屬板，通過碰撞將等離子體離子轉換為中性粒子；等離子體限制器，防止等離子體離子和電子通過，並僅允許由等離子體離子與金屬板的碰撞產生的中性粒子通過；以及處理外殼，其內部設置了要處理的基板，其中將等離子體放電空間夾在重金屬板和等離子體限制器之間。通過由位於重金屬板和等離子體限制器之間的等離子體放電空間來分離設置用於將在等離子體放電空間中產生的等離子體離子轉換為中性粒子的部件與用於選擇性地防止在等離子體放電空間中形成的等離子體離子和電子通過的部件，簡化了中性粒子的轉換，並且易於防止由等離子體離子和電子造成的阻斷。
技術解決方案根據本發明的中性粒子束處理設備，重金屬板位於等離子體放電空間的上方，且等離子體限制器位於等離子體放電空間的下方。由偏置電壓將在等離子體放電空間中產生的等離子體離子定向到重金屬板，並與重金屬板進行碰撞，以產生中性粒子，然後，所產生的中性粒子進入等離子體限制器。
根據本發明的中性粒子束設備還包括準直器，根據需要，校準已經通過等離子體限制器的中性粒子。
根據本發明的優選實施例，提供了一種中性粒子束處理設備，包括a)具有開口下部的反應室，包括內部空間、安裝在反應室一側的氣體入口和氣體出口、以及重金屬板，其中反應室的內部空間是等離子體放電空間，並且重金屬板被安裝在等離子體放電空間的上方，利用等離子體放電將通過氣體入口被引入到等離子體放電空間的處理氣體轉換為等離子體離子，然後利用與重金屬板的碰撞將等離子體離子轉換為中性粒子；b)位於反應室的下方的等離子體限制器，包括孔或切口，用於通過中性粒子同時阻止等離子體離子和電子通過；以及c)位於等離子體限制器的下方的處理外殼，其內部設置了要利用中性粒子進行處理的基板。
根據本發明的另一個優選實施例，提供了一種中性粒子束處理設備，還包括用於向等離子體限制器的孔或切口施加磁場的磁單元或用於施加電場的電單元。
根據本發明的另一個優選實施例，提供了一種中性粒子束處理設備，還包括位於等離子體限制器和處理外殼之間處的準直器，用於校準已經通過等離子體限制器的中性粒子。
根據本發明的另一個優選實施例，提供了一種中性粒子束處理設備，還包括具有孔的準直器，以便通過孔來校準中性粒子。
根據本發明的另一個優選實施例，提供了一種中性粒子束處理設備，其中形成重金屬板，作為反應室的內上壁，或附加地在等離子體放電空間的上方安裝重金屬板。
發明的有益效果根據本發明的中性粒子處理設備具有比傳統設備更為簡單的結構。例如，在WO 01/84611和PCT/KR03/02146中公開的設備具有複雜構成的反射板，以便實現等離子體離子到中性粒子的轉換並排除由等離子體離子和電子造成的幹擾。相反，根據本發明的中性粒子處理設備不需要這種結構。此外，在本發明中沒有出現在傳統設備中已經出現的中性粒子產生效率的減小。由位於二者之間的等離子體放電空間分離將等離子體離子轉換為中性粒子的重金屬板和允許中性粒子通過並禁止等離子體離子和電子通過的等離子體限制器。因此，能夠簡化到中性粒子的轉換並容易防止由等離子體離子和電子造成的阻斷，結果，顯著地改進了中性粒子的轉換效率和基板的表面處理效率。
特別地，根據本發明的中性粒子處理設備能夠通過選擇適當的準直器並利用諸如模板掩模(stencil mask)的掩模來執行平版印刷。通過中性粒子平版印刷來代替照相平版印刷能夠得到兩個主要優點。通過包括利用形成圖案的掩模將光刻膠曝光並隨後進行顯影的連續工藝來執行照相平版印刷。此外，為了得到數十納米範圍的線寬，由於與所需的線寬相比相對較長的光的波長，應當開發新的照相平版印刷。然而，通過利用形成圖案的掩模將由根據本發明的中性粒子處理設備產生的、例如氧的基本中性粒子束曝光到光刻膠上，中性粒子平版印刷能夠同時執行圖案形成和光刻膠的去除，結果，能夠提高處理效率。此外，由於中性粒子束的de Broglie波長非常短(例如，對於10eV的氧原子束大約是0.002nm)，結果與照相平版印刷不同，不存在聚焦範圍的限制，可以將中性粒子束應用於數十納米的平版印刷。根據利用中性粒子束處理設備來去除光刻膠而執行的實際實驗，得到大約30nm/分鐘的去除速度，與PCT/KR03/02146相比，這近似改進了4倍。
圖1a是示出了根據本發明的中性粒子束處理設備的優選實施例的截面圖。
圖2是示出了根據本發明的中性粒子束處理設備的另一個優選實施例的截面圖。
圖3是示出了根據本發明的中性粒子束處理設備的另一個優選實施例的截面圖。
圖4是示出了在根據本發明的中性粒子束處理設備中使用的等離子體限制器和準直器的優選結合的透視圖。
具體實施例方式
本發明涉及一種中性粒子束處理設備，包括等離子體放電空間、重金屬板、等離子體限制器和承載要處理的基板的處理外殼，其中等離子體放電空間被夾在重金屬板和等離子體限制器之間。
在等離子體放電空間的內部，通過等離子體放電將引入的處理氣體轉換為等離子體。換句話說，在等離子體放電空間中產生作為等離子體離子(或正離子)和電子組的等離子體。關於這一點，可以通過各種方法產生等離子體。例如，可以應用容性耦合等離子體放電、感性耦合等離子體放電、利用等離子體波的螺旋波放電以及微波等離子體放電。其中在較低操作壓力下產生高密度等離子體的感性耦合等離子體放電更為需要。關於用於感性耦合等離子體放電的天線的形狀，請參考韓國專利申請No.7010807/2000、14578/1998、35702/1999以及43856/2001。
通過與重金屬板的碰撞將在等離子體放電空間的內部產生的等離子體離子轉換為中性粒子。如這裡所使用的，術語「重金屬板」應當被理解為一種由分子量實質上大於氣體分子量的重金屬構成的板或其上塗敷有這種重金屬的板。優選地，拋光等離子體離子碰撞的重金屬板的表面，以保證彈性碰撞。可以使用的重金屬的示例包括鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎢(W)、金(Au)、鉑(Pt)、不鏽鋼或其合金。與WO 01/84611和韓國專利2002-62648相反，重金屬板不需要用作中性粒子的通道的任意孔。這是因為，儘管重金屬板與等離子體離子碰撞並將其轉換為中性粒子，但重金屬板並沒有用作所產生的中性粒子的通道。通過與重金屬板的碰撞產生的中性粒子被反射，並通過位於重金屬板和等離子體限制器之間的等離子體放電空間進入到等離子體限制器。
等離子體限制器阻止等離子體離子和電子通過並選擇性地允許中性粒子通過。可以使用安裝有孔或切口以限制等離子體離子和電子通過的負向限制，或使用向孔和切口施加磁場或電場以控制帶電等離子體離子或電子的移動方向的正向限制。已經通過等離子體限制器的中性粒子與位於處理外殼內部的基板碰撞，並執行包括例如從基板上去除有機材料或光刻膠的表面處理。
為了實現充分的表面處理，需要適當地控制中性粒子的方向性。例如，為了通過表面處理在表面上形成預定圖案，中性粒子的方向性非常重要。在這種情況下，希望附加地在等離子體限制器和處理空間之間安裝校準中性粒子的方向的準直器。準直器具有提供固定方向性的多個孔。
根據本發明的表面處理設備可應用於各種半導體處理，例如灰化、氧化膜的形成和清潔。如這裡所使用的，術語「半導體處理」意味著針對製造包括與半導體相連的半導體設備、電路或電極的結構所執行的各種工藝，其中通過在要處理的材料(例如半導體晶片或液體基板)上以預定的圖案形成半導體層、絕緣層或導電層來製造所述結構。
下面，將參考附圖來更完整地描述本發明。
圖1是示出了根據本發明的中性粒子束處理設備的優選實施例的截面圖。圖1所示的設備包括具有開口下部的反應室100、位於反應室100的開口下部處的等離子體限制器200以及處理外殼300。反應室的內部空間是等離子體放電空間101。在放電空間101中安裝天線102以便提供高頻能量，並且在反應室100的一側處安裝氣體入口104和氣體出口105。反應室100如下進行操作。首先，通過氣體入口104將處理氣體注入引入到等離子體放電空間101中，並由通過天線102提供的高頻電源使處理氣體進行等離子體放電，並將其轉換為等離子體103。將所產生的等離子體的正離子(等離子體離子)定向到位於等離子體放電空間101的上方的重金屬板106，在此處，等離子體離子與重金屬板106進行碰撞並被轉換為中性粒子。這裡，通過向重金屬板106施加負偏置電壓能夠容易地將等離子體離子定向到重金屬板106。
當將負偏置電壓施加到重金屬板106時，實質上或理想上，將等離子體離子垂直地定向到重金屬板106，並且與重金屬板106碰撞。可以拋光等離子體離子碰撞的重金屬板106的表面，以便改進到中性粒子的轉換效率並在碰撞期間防止能量損耗。由重金屬板106和等離子體離子之間的彈性碰撞產生的中性粒子被反射，並通過等離子體放電空間101進入等離子體限制器200。
等離子體限制器200具有孔或切口201。這些孔或切口201允許中性粒子穿透，同時阻止等離子體離子和電子的通過，從而中性粒子可以選擇性地通過等離子體限制器200併到達位於處理外殼300中的基板。儘管沒有具體限制用於等離子體限制器200的材料，希望使用例如陶瓷的電介質。原因在於當等離子體離子和電子與等離子體限制器200的側壁碰撞時，吸收了等離子體離子和電子的能量，因此可以使等離子體離子和電子的負面效應最小化。同時，等離子體限制器200還可以與沒有限制方向性的中性粒子碰撞並吸收其能量，因此還可以消除由於沒有限制方向性的中性粒子導致的任意負面效應。由孔或切口201造成的等離子體離子和電子的負向限制取決於孔和切口201的直徑和深度，應當適當地執行這種調整。
為了防止等離子體離子和電子通過等離子體限制器200，可以在等離子體限制器200處附加地安裝用於向等離子體限制器200施加磁場或電場的裝置203。用於施加磁場或電場的裝置203改變等離子體離子和電子的移動方向，並且進一步防止其到達基板的表面。將該限制稱作「正向限制」。
利用「負向限制」或「正向限制」來保護使之不受等離子體離子或電子阻斷的中性粒子執行安裝在處理外殼300的內部的基板301的表面處理。例如，中性粒子與所吸收的或殘餘在基板301上的殘餘產物(例如晶片)碰撞，並將其去除。關於這一點，中性粒子不是帶電離子，不會對基板301造成損壞。同時，隨著處理溫度升高，提高了基板301的表面處理效率。因此，希望通過傳導或照射來升高基板的表面溫度。沒有描述的參考號302是通過與升降軸(未示出)相連的升降器件的操作來上升和下降的目標夾持器，以便裝入例如要新處理的晶片之類的基板301並送出已處理的基板301。同時，可以通過電動機(未示出)來旋轉目標夾持器。結果，目標夾持器302的旋轉可以防止形成由於將中性粒子局部引入到晶片的表面上導致的盲點。沒有描述的參考號303是與真空泵(未示出)相連的氣體出口，將處理外殼300的內部壓力保持在大約1mTorr的範圍。
可以針對表面處理的目的來適當地選擇處理氣體，這是本領域技術人員所公知的。例如，為了從基板301上清潔有機物質，優選使用氮氣、氮和氧的混合物、氮和空氣的混合物、稀有氣體或氮和稀有氣體的混合物。從經濟的角度，氮、氮和氧的混合物、氮和空氣的混合物更為優選。為了去除光刻膠或刻蝕有機膜，優選使用氧、臭氧、二氧化碳(CO2)、水蒸汽或氧化氮(N2O)。此外，為了刻蝕矽，使用氮或稀有氣體結合例如CF4或氯氣的氟基氣體更為有效。為了還原金屬氧化物，可以使用例如氫或氨的還原氣體。
儘管圖1示出了通過感性耦合等離子體放電產生等離子體的示例，在等離子體放電空間中利用放電原地產生等離子體離子並且利用所產生的等離子體離子與重金屬板的碰撞來產生中性粒子的情況下，可以廣泛地使用容性耦合等離子體放電、利用等離子體波的螺旋波放電以及微波等離子體放電。除了等離子體放電技術的各種應用以外，還可以通過向反應室100施加正偏壓而不是向重金屬板106施加負偏壓來將等離子體離子定向到重金屬板106。施加負偏壓通過吸引將帶正電的等離子體離子定向到重金屬板106。相反，正偏壓通過排斥將等離子體離子定向到重金屬板106。
根據本發明的中性粒子束處理設備，可以與處理氣體的中性粒子相結合，附加地將添加氣體提供到處理外殼300，以便輔助表面處理。PCT/KR03/02146對此進行了具體描述。
在上文中，中性粒子束處理設備包括附加安裝在等離子體放電空間101的上方的重金屬板106，通過由重金屬形成或其上塗敷有重金屬，還可以將反應室100的內部上壁用作重金屬板。圖2示出了這種示例。在圖2中，代替附加地安裝重金屬板106，將塗敷有重金屬的反應室100的內部上壁用作重金屬板106，並向其施加負偏壓。此外，在等離子體放電空間106產生的等離子體103碰撞塗敷有重金屬以便充當重金屬板的內部上壁，並產生中性粒子。這裡，利用絕緣體107』、107」使內上壁與反應室100的其它側壁電絕緣。沒有具體描述的參考數字與圖1所示的中性粒子束處理設備相同。
圖3示出了根據本發明的中性粒子束處理設備的另一個優選實施例的截面圖。圖3所示的設備包括具有開口下部的反應室100、位於反應室100的開口下部處的等離子體限制器200、位於等離子體限制器200的下方的處理外殼300、以及位於等離子體限制器200和處理外殼300之間的準直器400。由於與圖1所述相同，省略對於反應室100、等離子體限制器200和外殼300的描述。位於等離子體限制器200和處理外殼300之間的準直器400校準通過等離子體限制器200的中性粒子，以改進中性粒子的方向性。準直器400具有多個孔401。在碰撞期間，與孔401的側壁402碰撞的中性粒子不止一次地釋放其能量，並且不再能夠執行任務。因此，在已經穿透準直器400的中性粒子中，可以僅使用垂直於孔401的中性粒子。因此，準直器400可以改進中性粒子的方向性。
圖4是示出了等離子體限制器和準直器的優選結合的透視圖。圖4的等離子體限制器200具有形成在由陶瓷製成的平板204之間的切口，準直器400具有位於與等離子體限制器200的切口201相對應的位置處的孔。形成在等離子體限制器200中的切口改進了中性粒子的穿透效率，附加地，還通過施加由磁體203產生的磁場來阻止等離子體離子和電子通過切口201。此外，形成在準直器400中的孔401改進了中性粒子的方向性。通過組合有效地排除了由等離子體離子和電子造成的幹擾，並且具有已校準方向性的中性粒子執行基板的表面處理。可以將通過組合具有改進方向性的中性粒子有效地應用於平版印刷。例如，可以將中性粒子束應用於具有模板掩模的基板301上的光刻膠去除。同時，儘管在圖4中將等離子體限制器和準直器表示為六面體形狀，可以將其改變為例如圓柱或橢圓形狀的各種形狀。
如上所述，在沒有影響、幹擾、或改變本發明的精神和範圍的前提下，顯然可以通過上述技術領域中的各種配置來實現本發明。因此，可以理解，這裡演示的示例和應用意欲作為說明書的實質而不是限制。此外，應當理解，本專利申請的意義、範圍和更高的概念理解以及源自其的修改和變體是當前申請的延伸。
權利要求
1.一種中性粒子束處理設備，包括等離子體放電空間，在其內部，通過等離子體放電將處理氣體轉換為等離子體離子；重金屬板，通過碰撞將等離子體離子轉換為中性粒子；等離子體限制器，防止等離子體離子和電子通過，並允許由等離子體離子與金屬板的碰撞產生的中性粒子通過；以及處理外殼，其內部設置了要處理的基板，其中將等離子體放電空間夾在重金屬板和等離子體限制器之間。
2.根據權利要求1所述的中性粒子束處理設備，其中，等離子體限制器具有孔或切口，在阻止等離子體離子和電子通過的同時，選擇性地允許中性粒子通過等離子體限制器。
3.根據權利要求2所述的中性粒子束處理設備，其中，等離子體限制器還包括從用於向孔或切口施加磁場的磁單元和用於向孔或切口施加電場的電單元中選擇的構件。
4.根據權利要求1所述的中性粒子束處理設備，其中，重金屬板位於等離子體放電空間的上方，且等離子體限制器位於等離子體放電空間的下方，將在等離子體放電空間中產生的等離子體離子定向到向其施加了偏置電壓的重金屬板，並與重金屬板進行碰撞，以產生中性粒子，然後，所產生的中性粒子進入等離子體限制器。
5.根據權利要求1所述的中性粒子束處理設備，還包括位於等離子體限制器和處理外殼之間的準直器，以便校準已經通過等離子體限制器的中性粒子。
6.根據權利要求5所述的中性粒子束處理設備，其中，準直器包括校準中性粒子的孔。
7.一種中性粒子束處理設備，包括a)具有開口下部的反應室，包括內部空間、安裝在反應室一側的氣體入口和氣體出口、以及重金屬板，其中反應室的內部空間是等離子體放電空間，並且重金屬板被安裝在等離子體放電空間的上方，利用等離子體放電將通過氣體入口被引入到等離子體放電空間的處理氣體轉換為等離子體離子，然後利用與重金屬板的碰撞將等離子體離子轉換為中性粒子；b)位於反應室的下方的等離子體限制器，包括孔或切口，用於通過中性粒子同時阻止等離子體離子和電子通過，其中等離子體限制器具有孔或切口，在阻止等離子體離子和電子通過的同時，選擇性地允許中性粒子通過等離子體限制器；以及c)位於等離子體限制器的下方的處理外殼，其內部設置了要利用中性粒子進行處理的基板。
8.根據權利要求7所述的中性粒子束處理設備，其中，等離子體限制器還包括從用於向孔或切口施加磁場的磁單元和用於向孔或切口施加電場的電單元中選擇的構件。
9.根據權利要求7所述的中性粒子束處理設備，還包括位於等離子體限制器和處理外殼之間的準直器，以便校準已經通過等離子體限制器的中性粒子。
10.根據權利要求9所述的中性粒子束處理設備，其中準直器具有用於校準中性粒子的孔。
11.根據權利要求12所述的中性粒子束處理設備，其中將偏置電壓施加到重金屬板，以便將中性粒子定向到重金屬板。
12.一種利用中性粒子的表面處理方法，包括步驟a)在通過碰撞將等離子體離子轉換為中性粒子的重金屬板與防止等離子體離子和電子通過並允許由等離子體離子和重金屬板的碰撞產生的中性粒子通過的等離子體限制器之間，設置等離子體放電空間，在其內部通過等離子體放電將處理氣體轉換為等離子體離子；b)在等離子體放電空間中通過等離子體放電將處理氣體轉換為等離子體；c)在施加到重金屬板的偏置電壓的幫助下，將在等離子體放電空間中產生的等離子體離子定向到重金屬板，由此利用等離子體離子與重金屬板的碰撞產生中性粒子；d)使由重金屬板反射的中性粒子經由等離子體放電空間通過等離子體限制器；以及e)已經通過等離子體限制器的中性粒子與基板的表面相接觸，以便實現基板的表面處理。
13.根據權利要求12所述的表面處理方法，其中，等離子體限制器具有孔或切口，選擇性地允許中性粒子通過，並阻止等離子體離子和電子通過。
14.根據權利要求13所述的表面處理方法，其中，等離子體限制器還包括從用於向孔或切口施加磁場的磁單元和用於向孔或切口施加電場的電單元中選擇的構件。
15.根據權利要求12所述的表面處理方法，還包括在d)步驟和e)步驟之間，使已經通過等離子體限制器的中性粒子通過具有孔的準直器，以便校準中性粒子。
全文摘要
本發明涉及一種中性粒子束處理設備。更具體地，本發明涉及一種中性粒子束處理設備，包括等離子體放電空間，在其內部，通過等離子體放電將處理氣體轉換為等離子體離子；重金屬板，通過碰撞將等離子體離子轉換為中性粒子；等離子體限制器，防止等離子體離子和電子通過，並允許由等離子體離子與金屬板的碰撞產生的中性粒子通過；以及處理外殼，其內部設置了要處理的基板，其中將等離子體放電空間夾在重金屬板和等離子體限制器之間。
文檔編號H01J37/32GK1887035SQ200480034993
公開日2006年12月27日 申請日期2004年11月27日 優先權日2003年11月27日
發明者李奉柱, 俞席在, 李學柱 申請人:韓國基礎科學支援研究院, 希姆科技有限公司